JPS6234448U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6234448U JPS6234448U JP12665685U JP12665685U JPS6234448U JP S6234448 U JPS6234448 U JP S6234448U JP 12665685 U JP12665685 U JP 12665685U JP 12665685 U JP12665685 U JP 12665685U JP S6234448 U JPS6234448 U JP S6234448U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- semiconductor substrate
- electrode connection
- gate electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図は本考案の他の実施例を示す断面図、第３図は
従来例を示す断面図である。 ５……アノード層、６……半導体基体、７……
ゲート層、８……カソード層、１０……ゲート接
続層、１１，１２……高濃度不純物層。
図は本考案の他の実施例を示す断面図、第３図は
従来例を示す断面図である。 ５……アノード層、６……半導体基体、７……
ゲート層、８……カソード層、１０……ゲート接
続層、１１，１２……高濃度不純物層。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基体に埋込まれた逆導電型の
ゲート層、該ゲート層と電気的に連なり、その一
部がエツチングにより露出されたゲート電極接続
層、前記半導体基体の一面に形成された逆導電型
のアノード層を備える静電誘導型半導体装置にお
いて、前記ゲート電極接続層およびアノード層を
取り囲むように前記半導体基体に、夫々逆導電型
の高濃度不純物層を形成したことを特徴とする静
電誘導型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12665685U JPS6234448U (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12665685U JPS6234448U (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234448U true JPS6234448U (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=31020667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12665685U Pending JPS6234448U (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234448U (ja) |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP12665685U patent/JPS6234448U/ja active Pending
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