JPS6022849U - プレ−ナ型半導体装置 - Google Patents

プレ−ナ型半導体装置

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JPS6022849U
JPS6022849U JP11428183U JP11428183U JPS6022849U JP S6022849 U JPS6022849 U JP S6022849U JP 11428183 U JP11428183 U JP 11428183U JP 11428183 U JP11428183 U JP 11428183U JP S6022849 U JPS6022849 U JP S6022849U
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JP
Japan
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insulating film
semiconductor device
main
planar semiconductor
semi
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Application number
JP11428183U
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三村　秋男
正幸 大林
進 村上
三沢　豊
直弘 門馬
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to JP11428183U priority Critical patent/JPS6022849U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の誘電体分離されたラテラルサイリスタの
部分断面図、第２図は本考案の、誘電体分離されたラテ
ラルサイリスクの部分断面図、第３図は本考案の応用例
の電力用サイリスタの断面図である。 ｌｂ、ｌｃ・・・酸化膜、３・・・第１主接合、４・・
・第２主接合、６・・・アノード電極、７・・・ゲート
電極、１３・・・半絶縁膜、１４・・・等電位電極、１
５・・・ｎベース高濃度層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 第一導電型の半導体基板の主表面に二つの主接合端面か
    露出した構造において 前記半導体基板の露出部分を覆うように、第１の絶縁膜
    、半絶縁膜、第二の絶縁膜が重ねられ、前記半絶縁膜に
    二つの主接合から電気的接続がな゛　され、前記二つの
    主接合間の前記半導体基板の表面に、第一導電型の高濃
    度層を設けたことを特徴とするプレーナ型半導体装置。
JP11428183U 1983-07-25 1983-07-25 プレ−ナ型半導体装置 Pending JPS6022849U (ja)

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JP11428183U JPS6022849U (ja) 1983-07-25 1983-07-25 プレ−ナ型半導体装置

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JPS6022849U true JPS6022849U (ja) 1985-02-16

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