JPS62355B2 - - Google Patents
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- JPS62355B2 JPS62355B2 JP56121625A JP12162581A JPS62355B2 JP S62355 B2 JPS62355 B2 JP S62355B2 JP 56121625 A JP56121625 A JP 56121625A JP 12162581 A JP12162581 A JP 12162581A JP S62355 B2 JPS62355 B2 JP S62355B2
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- voltage
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- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
- F02P5/00—Advancing or retarding ignition; Control therefor
- F02P5/04—Advancing or retarding ignition; Control therefor automatically, as a function of the working conditions of the engine or vehicle or of the atmospheric conditions
- F02P5/145—Advancing or retarding ignition; Control therefor automatically, as a function of the working conditions of the engine or vehicle or of the atmospheric conditions using electrical means
- F02P5/155—Analogue data processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/10—Internal combustion engine [ICE] based vehicles
- Y02T10/40—Engine management systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Electrical Control Of Ignition Timing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は内燃機関用の無接点点火装置に関する
もので、点火時期の設定が無調整で達成できると
共に大幅な進角動作を得ることを目的としたもの
である。
もので、点火時期の設定が無調整で達成できると
共に大幅な進角動作を得ることを目的としたもの
である。
半導体スイツチング素子の信頼性の向上に伴つ
て多くの内燃機関用の無接点点火装置が多量にか
つ多方面で利用されるようになつている。
て多くの内燃機関用の無接点点火装置が多量にか
つ多方面で利用されるようになつている。
この無接点点火装置は、軽量で、小型で、そし
て寿命が長いという利点をもつているが、反面取
付けられる内燃機関に適合すべく、個々の内燃機
関毎に点火時期の設定を主体とする種々の設定処
理を施さなければならず、組付けに専門的技術が
要求されることになつていた。
て寿命が長いという利点をもつているが、反面取
付けられる内燃機関に適合すべく、個々の内燃機
関毎に点火時期の設定を主体とする種々の設定処
理を施さなければならず、組付けに専門的技術が
要求されることになつていた。
また、周知の如く、内燃機関は、その出力を有
効に取出すために、低速時に比べて高速時の点火
時期を進角させることが必要であることが良く知
られている。
効に取出すために、低速時に比べて高速時の点火
時期を進角させることが必要であることが良く知
られている。
この点火時期の進角手段は種々あるが、機能お
よび構造上、電気的に達成されることが望まし
く、この要望に従つて種々の手法が提案されてい
る。
よび構造上、電気的に達成されることが望まし
く、この要望に従つて種々の手法が提案されてい
る。
従来の無接点点火装置における進角手段に共通
していることは、回路構成が複雑となること、進
角幅が小さく、進角効果を充分に得ることができ
ないこと、取付けられる個々の機械別に進角量が
異なつてしまうので、個々の機械毎に進角量を設
定調整しなければならないこと等の不都合があ
り、決して満足できるものではなかつた。
していることは、回路構成が複雑となること、進
角幅が小さく、進角効果を充分に得ることができ
ないこと、取付けられる個々の機械別に進角量が
異なつてしまうので、個々の機械毎に進角量を設
定調整しなければならないこと等の不都合があ
り、決して満足できるものではなかつた。
本発明は、上記した従来例における欠点および
不満点を解消すべく創案されたもので、点火時期
を設定するシリコン制御整流器のトリガ手法をコ
ンデンサの周波数に対するインピーダンス変化を
利用して低速時と高速時とで変化させ、この変化
により高速時における点火時期を大幅に進角させ
るべく構成したものである。
不満点を解消すべく創案されたもので、点火時期
を設定するシリコン制御整流器のトリガ手法をコ
ンデンサの周波数に対するインピーダンス変化を
利用して低速時と高速時とで変化させ、この変化
により高速時における点火時期を大幅に進角させ
るべく構成したものである。
以下、本発明の一実施例を図面に従つて説明す
る。
る。
本発明による内燃機関用の無接点点火装置は、
２次巻線T2にプラグＰを接続したイグニシヨン
コイルＴの１次巻線T1両端子間に、高抵抗値を
有する第１の抵抗R1とトランジスタTrと第１の
コンデンサC1との直列回路と、トランジスタ回
路TrC（図示実施例の場合、このトランジスタ回
路はダーリントン回路となつているが、場合によ
つては、１個のパワートランジスタであつても良
い）と抵抗値の第２の抵抗R2との直列回路と、
高抵抗値の第３の抵抗R3とゲート・カソード間
にゲート抵抗R5を挿入したシリコン制御整流器
SCR（以下、単にサイリスタと記す）との直列
回路とを並列に挿入し、前記トランジスタTrの
ベースを前記トランジスタ回路TrCの抵抗R2に
接続されたエミツタに接続し、前記抵抗R1に接
続されたトランジスタTrのコレクタを前記サイ
リスタSCRのゲートに接続し、前記トランジス
タ回路TrCのベースを前記抵抗R3に接続された
サイリスタSCRのアノードに接続し、さらに前
記サイリスタSCRのアノード・ゲート間に、第
２のコンデンサC2と抵抗R6との直列回路を挿入
して構成されている。
２次巻線T2にプラグＰを接続したイグニシヨン
コイルＴの１次巻線T1両端子間に、高抵抗値を
有する第１の抵抗R1とトランジスタTrと第１の
コンデンサC1との直列回路と、トランジスタ回
路TrC（図示実施例の場合、このトランジスタ回
路はダーリントン回路となつているが、場合によ
つては、１個のパワートランジスタであつても良
い）と抵抗値の第２の抵抗R2との直列回路と、
高抵抗値の第３の抵抗R3とゲート・カソード間
にゲート抵抗R5を挿入したシリコン制御整流器
SCR（以下、単にサイリスタと記す）との直列
回路とを並列に挿入し、前記トランジスタTrの
ベースを前記トランジスタ回路TrCの抵抗R2に
接続されたエミツタに接続し、前記抵抗R1に接
続されたトランジスタTrのコレクタを前記サイ
リスタSCRのゲートに接続し、前記トランジス
タ回路TrCのベースを前記抵抗R3に接続された
サイリスタSCRのアノードに接続し、さらに前
記サイリスタSCRのアノード・ゲート間に、第
２のコンデンサC2と抵抗R6との直列回路を挿入
して構成されている。
図示実施例の場合、トランジスタTrのエミツ
タとトランジスタ回路TrCのベースとの間に抵抗
R8と逆方向姿勢となつたダイオードD1との直列
回路が挿入されていると共にトランジスタ回路
TrCのベース・コレクタ間に逆方向姿勢のツエナ
ーダイオードZDが挿入されていて、プリスパー
ク防止回路を構成していると共に、第１のコンデ
ンサC1への逆方向電圧の充電回路を形成してい
る。
タとトランジスタ回路TrCのベースとの間に抵抗
R8と逆方向姿勢となつたダイオードD1との直列
回路が挿入されていると共にトランジスタ回路
TrCのベース・コレクタ間に逆方向姿勢のツエナ
ーダイオードZDが挿入されていて、プリスパー
ク防止回路を構成していると共に、第１のコンデ
ンサC1への逆方向電圧の充電回路を形成してい
る。
また、トランジスタTrのコレクタとサイリス
タSCRのゲートとを接続するラインには抵抗R4
が挿入されていて、サイリスタSCRのトリガ動
作が安定して達成されるようにしている。
タSCRのゲートとを接続するラインには抵抗R4
が挿入されていて、サイリスタSCRのトリガ動
作が安定して達成されるようにしている。
さらに、第２のコンデンサC2の抵抗R6に接続
された側の電極とサイリスタSCRのカソードと
の間には、サーミスタThと抵抗R7とそしてダイ
オードD3との直列回路が挿入されていて、サイ
リスタSCRのゲートの温度補償回路を形成して
いる。
された側の電極とサイリスタSCRのカソードと
の間には、サーミスタThと抵抗R7とそしてダイ
オードD3との直列回路が挿入されていて、サイ
リスタSCRのゲートの温度補償回路を形成して
いる。
なお、サイリスタSCRのゲート・カソード間
に挿入された逆方向姿勢のダイオードD2は、第
２のコンデンサC2に逆電圧を充電するための回
路を形成するためのものであるが、ゲート抵抗
R5の値によつては省略しても良いものである。
に挿入された逆方向姿勢のダイオードD2は、第
２のコンデンサC2に逆電圧を充電するための回
路を形成するためのものであるが、ゲート抵抗
R5の値によつては省略しても良いものである。
本発明による点火装置は上記した如き構成とな
つているものであるが、次に上記した本発明の動
作を順に説明する。
つているものであるが、次に上記した本発明の動
作を順に説明する。
図示省略したフライホイールが回転すると、こ
のフライホイールに埋設された永久磁石の磁力の
作用により、イグニシヨンコイルＴの１次巻線
T1に電圧が誘起される。
のフライホイールに埋設された永久磁石の磁力の
作用により、イグニシヨンコイルＴの１次巻線
T1に電圧が誘起される。
この１次巻線T1に誘起される電圧は、順方向
電圧に先立つて逆方向電圧が誘起される。
電圧に先立つて逆方向電圧が誘起される。
内燃機関の始動時を含む低速時において、１次
巻線T1に順方向電圧に先立つて誘起された逆方
向電圧により、第１のコンデンサC1に図示した
極性で逆電圧が充電されると共に１次巻線T1→
抵抗R5またはダイオードD2→抵抗R6→第２のコ
ンデンサC2→ツエナーダイオードZDまたは抵抗
R3→１次巻線T1の経路で第２のコンデンサC2に
も逆電圧が充電される。
巻線T1に順方向電圧に先立つて誘起された逆方
向電圧により、第１のコンデンサC1に図示した
極性で逆電圧が充電されると共に１次巻線T1→
抵抗R5またはダイオードD2→抵抗R6→第２のコ
ンデンサC2→ツエナーダイオードZDまたは抵抗
R3→１次巻線T1の経路で第２のコンデンサC2に
も逆電圧が充電される。
第１のコンデンサC1に充電された逆電圧は、
１次巻線T1における誘起電圧が順方向に反転す
るのに先立つて、第１のコンデンサC1→抵抗R1
→トランジスタTrのベース→トランジスタTrの
エミツタ→第１のコンデンサC1の経路で放電さ
れ、この放電によりトランジスタTrはトリガさ
れることになる。
１次巻線T1における誘起電圧が順方向に反転す
るのに先立つて、第１のコンデンサC1→抵抗R1
→トランジスタTrのベース→トランジスタTrの
エミツタ→第１のコンデンサC1の経路で放電さ
れ、この放電によりトランジスタTrはトリガさ
れることになる。
他方、第２のコンデンサC2に充電された逆電
圧は、第２のコンデンサC2→抵抗R6→抵抗R5→
１次巻線T1→抵抗R3→第２のコンデンサC2、ま
たは第２のコンデンサC2→抵抗R6→抵抗R5→抵
抗R2→トランジスタ回路TrC→抵抗R3→第２の
コンデンサC2等の経路で放電される。
圧は、第２のコンデンサC2→抵抗R6→抵抗R5→
１次巻線T1→抵抗R3→第２のコンデンサC2、ま
たは第２のコンデンサC2→抵抗R6→抵抗R5→抵
抗R2→トランジスタ回路TrC→抵抗R3→第２の
コンデンサC2等の経路で放電される。
この第２のコンデンサC2の放電によりサイリ
スタSCRのアノードである点イの電位は、サイ
リスタSCRのゲートである点ロの電位よりも低
い値に保持されることになる。
スタSCRのアノードである点イの電位は、サイ
リスタSCRのゲートである点ロの電位よりも低
い値に保持されることになる。
この状態から１次巻線T1に順方向電圧が誘起
されると、この１次巻線T1に誘起された順方向
電圧に従つて、抵抗R3を通つてトランジスタ回
路TrCのベースに電流が流入するので、トランジ
スタ回路TrCはターンオンし、このトランジスタ
回路TrCのターンオンにより、このトランジスタ
回路TrCを通つて１次巻線T1に１次短絡電流I1が
流れる。
されると、この１次巻線T1に誘起された順方向
電圧に従つて、抵抗R3を通つてトランジスタ回
路TrCのベースに電流が流入するので、トランジ
スタ回路TrCはターンオンし、このトランジスタ
回路TrCのターンオンにより、このトランジスタ
回路TrCを通つて１次巻線T1に１次短絡電流I1が
流れる。
トランジスタ回路TrCに１次短絡電流I1が流れ
ることによつて、抵抗R2の両端子間には電圧降
下が発生し、このため１次短絡電流I1の一部がト
ランジスタTrのベースからエミツタに流れ、第
１のコンデンサC1を図示とは逆極性で充電す
る。
ることによつて、抵抗R2の両端子間には電圧降
下が発生し、このため１次短絡電流I1の一部がト
ランジスタTrのベースからエミツタに流れ、第
１のコンデンサC1を図示とは逆極性で充電す
る。
この第１のコンデンサC1における順方向電圧
の充電が進むと、１次短絡電流I1の値が大きくな
つているにもかかわらず、トランジスタTrのベ
ース電流が増大せず、これによりトランジスタ
Trのコレクタ電位が上昇し、この上昇した電位
がサイリスタSCRのゲートに印加される。
の充電が進むと、１次短絡電流I1の値が大きくな
つているにもかかわらず、トランジスタTrのベ
ース電流が増大せず、これによりトランジスタ
Trのコレクタ電位が上昇し、この上昇した電位
がサイリスタSCRのゲートに印加される。
このサイリスタSCRのゲートに印加されるト
ランジスタTrのコレクタ電位が、サイリスタ
SCRのトリガレベルに達したとしても、第２の
コンデンサC2の放電動作のため、サイリスタ
SCRのアノードとゲートとの電位差が充分に確
立される時間が遅れるために、サイリスタSCR
はターンオンすることができない。
ランジスタTrのコレクタ電位が、サイリスタ
SCRのトリガレベルに達したとしても、第２の
コンデンサC2の放電動作のため、サイリスタ
SCRのアノードとゲートとの電位差が充分に確
立される時間が遅れるために、サイリスタSCR
はターンオンすることができない。
すなわち、第２図ａ，ｂから明らかな如く、１
次短絡電流I1が充分に大きくなつても第２のコン
デンサC2の放電動作の影響により、サイリスタ
SCRのアノード・ゲート間電圧ＶGBの立ち上が
り速度が遅れ、１次短絡電流I1が最大となつた時
点よりも大幅に遅れた時点t1でサイリスタSCRが
ターンオンし、このサイリスタSCRのターンオ
ンによりトランジスタ回路TrCがターンオフして
１次短絡電流I1を遮断して、２次巻線T2に高電圧
を誘起してプラグＰに火花放電を発生させて点火
動作が行なわれる。
次短絡電流I1が充分に大きくなつても第２のコン
デンサC2の放電動作の影響により、サイリスタ
SCRのアノード・ゲート間電圧ＶGBの立ち上が
り速度が遅れ、１次短絡電流I1が最大となつた時
点よりも大幅に遅れた時点t1でサイリスタSCRが
ターンオンし、このサイリスタSCRのターンオ
ンによりトランジスタ回路TrCがターンオフして
１次短絡電流I1を遮断して、２次巻線T2に高電圧
を誘起してプラグＰに火花放電を発生させて点火
動作が行なわれる。
同様にこの低速時において、第２のコンデンサ
C2の両電極間のＶcは第３図ｂの如くなり、第２
図ｂの電圧ＶGBとほぼ同一の変化をする。
C2の両電極間のＶcは第３図ｂの如くなり、第２
図ｂの電圧ＶGBとほぼ同一の変化をする。
この状態から機関の回転速度が上昇して通常運
転速度になると、第１のコンデンサC1および第
２のコンデンサC2の放電動作自体は低速時と全
く同じに行なわれるものであるが、機関の回転速
度の上昇に伴つて１次巻線T1に誘起される電圧
の周波数が増大する。
転速度になると、第１のコンデンサC1および第
２のコンデンサC2の放電動作自体は低速時と全
く同じに行なわれるものであるが、機関の回転速
度の上昇に伴つて１次巻線T1に誘起される電圧
の周波数が増大する。
また、機関の回転速度の上昇に伴い、１次巻線
T1における順方向電圧の立ち上がり速度も増大
し、トランジスタTrのコレクタ電位の上昇も早
くなる。
T1における順方向電圧の立ち上がり速度も増大
し、トランジスタTrのコレクタ電位の上昇も早
くなる。
このため、サイリスタSCRのゲートに印加さ
れる電圧に早期に大きな値に達すると共に、第２
のコンデンサC2のもつ周波数に対するインピー
ダンス特性により、抵抗R3を通る１次短絡電流I1
の一部が、第２のコンデンサC2をそのまま通
り、抵抗R6を経てサイリスタSCRのゲートに流
入するので、サイリスタSCRのゲート電位は早
期に上昇すると共に第２のコンデンサC2に充電
された逆電圧の放電にもかかわらずサイリスタ
SCRのアノード・ゲート間の電位差すなわち電
圧ＶGBはサイリスタSCRがトリガできる値にな
つてしまう。
れる電圧に早期に大きな値に達すると共に、第２
のコンデンサC2のもつ周波数に対するインピー
ダンス特性により、抵抗R3を通る１次短絡電流I1
の一部が、第２のコンデンサC2をそのまま通
り、抵抗R6を経てサイリスタSCRのゲートに流
入するので、サイリスタSCRのゲート電位は早
期に上昇すると共に第２のコンデンサC2に充電
された逆電圧の放電にもかかわらずサイリスタ
SCRのアノード・ゲート間の電位差すなわち電
圧ＶGBはサイリスタSCRがトリガできる値にな
つてしまう。
すなわち、第２図ｃ，ｂに示す如く、１次短絡
電流I1は時点t1よりもはるかに早い時点t2で遮断
され、この時点t2において、サイリスタSCRのア
ノード・ゲート間の電圧ＶGBは、周波数が高くな
つたおかげで、第２のコンデンサC2を通過した
１次短絡電流I1の一部により、サイリスタSCRが
トリガできる値に達している。
電流I1は時点t1よりもはるかに早い時点t2で遮断
され、この時点t2において、サイリスタSCRのア
ノード・ゲート間の電圧ＶGBは、周波数が高くな
つたおかげで、第２のコンデンサC2を通過した
１次短絡電流I1の一部により、サイリスタSCRが
トリガできる値に達している。
他方、第３図ｃ，ｄから明らかな如く、１次短
絡電流I1が遮断された時点t2において、第２のコ
ンデンサC2に充電された逆電圧は、また完全に
は放電されつくしていないことが解かる。
絡電流I1が遮断された時点t2において、第２のコ
ンデンサC2に充電された逆電圧は、また完全に
は放電されつくしていないことが解かる。
このように、第２のコンデンサC2の逆電圧が
放電されつくしていないのにサイリスタSCRの
アノード・ゲート間電圧ＶGBがサイリスタSCR
をトリガさせることができる値になるのは、周波
数の増大により第２のコンデンサC2を通過した
１次短絡電流I1の一部による抵抗R6での電圧降下
量が前記第２のコンデンサC2に残つている逆電
圧よりもはるかに大きくなるためである。
放電されつくしていないのにサイリスタSCRの
アノード・ゲート間電圧ＶGBがサイリスタSCR
をトリガさせることができる値になるのは、周波
数の増大により第２のコンデンサC2を通過した
１次短絡電流I1の一部による抵抗R6での電圧降下
量が前記第２のコンデンサC2に残つている逆電
圧よりもはるかに大きくなるためである。
このように、サイリスタSCRのアノード・ゲ
ート間に挿入された第２のコンデンサC2は、低
速時すなわち１次短絡電流I1の周波数が低い時期
には、この１次短絡電流I1に対して高インピーダ
ンスを発揮して、サイリスタSCRのアノード・
ゲート間電圧ＶGBの立ち上がりを遅らせ、もつて
点火時点を遅れた時点t1を設定し、機関の速度が
上昇して１次短絡電流I1の周波数が高くなると、
この１次短絡電流I1に対して低インピーダンスと
なつて、この１次短絡電流I1の一部を直接サイリ
スタSCRのゲートに流入させ、もつてサイリス
タSCRをより早い時点t2でトリガさせるように作
用する。
ート間に挿入された第２のコンデンサC2は、低
速時すなわち１次短絡電流I1の周波数が低い時期
には、この１次短絡電流I1に対して高インピーダ
ンスを発揮して、サイリスタSCRのアノード・
ゲート間電圧ＶGBの立ち上がりを遅らせ、もつて
点火時点を遅れた時点t1を設定し、機関の速度が
上昇して１次短絡電流I1の周波数が高くなると、
この１次短絡電流I1に対して低インピーダンスと
なつて、この１次短絡電流I1の一部を直接サイリ
スタSCRのゲートに流入させ、もつてサイリス
タSCRをより早い時点t2でトリガさせるように作
用する。
このため、機関の低速時に比べて機関の高速時
の点火時点は大幅に進角されることになり、極め
て良好な点火動作を得ることができることにな
る。
の点火時点は大幅に進角されることになり、極め
て良好な点火動作を得ることができることにな
る。
また、本発明の点火動作の基本は、第１のコン
デンサC1の作用によるトランジスタTrのコレク
タの電位上昇動作にあるので、点火時期の設定調
整は全く必要がない。
デンサC1の作用によるトランジスタTrのコレク
タの電位上昇動作にあるので、点火時期の設定調
整は全く必要がない。
以上の説明から明らかな如く、本発明による点
火装置は、機関に取付ける際における点火時期の
設定調整が全く不要であり、また機関の速度が増
大するに従つて点火時点を大幅に進角させること
ができ、これによつて良好な機関の運転動作を得
ることができ、さらに回路構成も簡単である等多
くの優れた作用効果を有するものである。
火装置は、機関に取付ける際における点火時期の
設定調整が全く不要であり、また機関の速度が増
大するに従つて点火時点を大幅に進角させること
ができ、これによつて良好な機関の運転動作を得
ることができ、さらに回路構成も簡単である等多
くの優れた作用効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す電気回路図で
ある。第２図は１次短絡電流と、サイリスタのア
ノード・ゲート間電流の変化を示すもので、第２
図ａは、低速時における１次短絡電流波形図、第
２図ｂは低速時におけるサイリスタのアノード・
ゲート間電圧の波形図、第２図ｃは高速時におけ
る１次短絡電流の波形図、第２図ｄは高速時にお
けるサイリスタのアノード・ゲード間電圧の波形
図である。第３図は１次短絡電流と第２のコンデ
ンサの両電極間電圧の変化を示すもので、第３図
ａは低速時の１次短絡電流の波形図、第３図ｂは
低速時のコンデンサ電極間電圧の波形図、第３図
ｃは高速時の１次短絡電流の波形図、第３図ｄは
高速時のコンデンサ電極間電圧の波形図である。 符号の説明、Ｔ……イグニシヨンコイル、T1
……１次巻線、T2……２次巻線、Ｐ……プラ
グ、Tr……トランジスタ、TrC……トランジス
タ回路、R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8……
抵抗、C1，C2……コンデンサ、D1，D2，D3……
ダイオード、ZD……ツエナーダイオード、Th…
…サーミスタ、I1……１次短絡電流、ＶGB……サ
イリスタのアノード・ゲート間電圧、Ｖc……第
２のコンデンサの両電極間電圧、t1，t2……時
点。
ある。第２図は１次短絡電流と、サイリスタのア
ノード・ゲート間電流の変化を示すもので、第２
図ａは、低速時における１次短絡電流波形図、第
２図ｂは低速時におけるサイリスタのアノード・
ゲート間電圧の波形図、第２図ｃは高速時におけ
る１次短絡電流の波形図、第２図ｄは高速時にお
けるサイリスタのアノード・ゲード間電圧の波形
図である。第３図は１次短絡電流と第２のコンデ
ンサの両電極間電圧の変化を示すもので、第３図
ａは低速時の１次短絡電流の波形図、第３図ｂは
低速時のコンデンサ電極間電圧の波形図、第３図
ｃは高速時の１次短絡電流の波形図、第３図ｄは
高速時のコンデンサ電極間電圧の波形図である。 符号の説明、Ｔ……イグニシヨンコイル、T1
……１次巻線、T2……２次巻線、Ｐ……プラ
グ、Tr……トランジスタ、TrC……トランジス
タ回路、R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8……
抵抗、C1，C2……コンデンサ、D1，D2，D3……
ダイオード、ZD……ツエナーダイオード、Th…
…サーミスタ、I1……１次短絡電流、ＶGB……サ
イリスタのアノード・ゲート間電圧、Ｖc……第
２のコンデンサの両電極間電圧、t1，t2……時
点。
Claims (1)
- １ ２次巻線にプラグを接続したイグニシヨンコ
イルの１次巻線の両端子間に、高抵抗値の第１の
抵抗とトランジスタと第１のコンデンサとの直列
回路と、トランジスタ回路と低抵抗値の第２の抵
抗との直列回路と、高抵抗値の第３の抵抗とゲー
ト・カソード間にゲート抵抗を挿入したシリコン
制御整流器との直列回路とを並列に挿入し、前記
トランジスタのベースを前記第２の抵抗に接続さ
れたトランジスタ回路のエミツタに接続し、前記
トランジスタのコレクタを前記シリコン制御整流
器のゲートに接続し、前記トランジスタ回路のベ
ースを前記シリコン制御整流器のアノードに接続
し、さらに前記シリコン制御整流器のアノード・
ゲート間に第２のコンデンサと抵抗との直列回路
を挿入して成る点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121625A JPS5823269A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 点火装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121625A JPS5823269A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 点火装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823269A JPS5823269A (ja) | 1983-02-10 |
| JPS62355B2 true JPS62355B2 (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=14815888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121625A Granted JPS5823269A (ja) | 1981-08-03 | 1981-08-03 | 点火装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823269A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60104773A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Sawafuji Electric Co Ltd | エンジンの点火装置 |
| JPS60122276A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-29 | Sawafuji Electric Co Ltd | エンジンの点火装置 |
| JPH06156269A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-06-03 | Tokyo Gas Co Ltd | 管内走行装置 |
-
1981
- 1981-08-03 JP JP56121625A patent/JPS5823269A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5823269A (ja) | 1983-02-10 |
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