JPS6235657A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6235657A JPS6235657A JP60175553A JP17555385A JPS6235657A JP S6235657 A JPS6235657 A JP S6235657A JP 60175553 A JP60175553 A JP 60175553A JP 17555385 A JP17555385 A JP 17555385A JP S6235657 A JPS6235657 A JP S6235657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- lead wire
- hole
- diameter
- press
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体片の両表面に設けられた電極に接触す
る頭部がタングステン、モリブデンあるいはその合金の
焼結部材からなり、その一端面に備えられた直径の１／
１０ないし７／１０の深さを有する穴に硬質銅合金より
なるリード線が圧入、結合されて接続部材を形成し、少
なくとも接続部材の頭部の一部と半導体片が絶縁物によ
って包囲されている半導体装置に関する。
る頭部がタングステン、モリブデンあるいはその合金の
焼結部材からなり、その一端面に備えられた直径の１／
１０ないし７／１０の深さを有する穴に硬質銅合金より
なるリード線が圧入、結合されて接続部材を形成し、少
なくとも接続部材の頭部の一部と半導体片が絶縁物によ
って包囲されている半導体装置に関する。
例えばガラス封止型ダイオードにおいて、第２図に示す
ようにダイオードペレット１の両面には接続部材２の頭
部３がはんだ４によってろう付けされており、ベレット
１と頭部３はガラス管５によって包囲されている。その
際接続部材２の頭部に結合されているリード線６はガラ
ス管５の外部にあって他の回路部との接続に用いられる
。接続部材２の頭部３はペレット１のシリコンあるいは
ガラス管５の封着ガラスとの熱膨張係数を合わせるため
低膨張係数のタングステン （Ｗ）、モリブデン （Ｍ
ｏ）あるいはその合金からなる。従来は頭部３はタング
ステンあるいはモリブデン線を切断して形成し、リード
！６としての銅線を、例えばパーカッション溶接により
溶接していた。しかしこの場合、Ｗ、Ｍｏは裔融点金属
のためＣｕとの熔接が難しく、また頭部３とリード線６
との接触面積が小さいために結合強度の弱いものがあり
、製造中あるいは使用中に結合部崩落が発生することが
あって結合部の信頼性が低かった。このような問題の解
決のために、本発明者の発明によれば、本出願人の出願
に係る特願昭５９−２８０６７６号明細書に記載された
ように、接続部材の頭部はＷ、Ｍｏあるいはその合金の
焼結部材で一端面に頭部の直径の１／１０ないし７／１
０の深さを有する穴を備え、リード線は硬質銅合金より
なり、一端が頭部の穴の正大結合されている。 しかしこの場合、接続部材頭部とリード線との結合強度
がなお十分でないものがある。結合強度を高めるために
接触面積を大きくしようとすると必要以上に深い穴を備
えなければならず、その場合はリード線を頭部に圧入す
る際に頭部の薄肉部が割れることがある。また、第３図
に示すようにリード線６の圧入部近傍につば状部分６１
が大きく形成されやすく、外観が悪いばかりでなく、半
導体素子組立工程で作業がしにくい。
ようにダイオードペレット１の両面には接続部材２の頭
部３がはんだ４によってろう付けされており、ベレット
１と頭部３はガラス管５によって包囲されている。その
際接続部材２の頭部に結合されているリード線６はガラ
ス管５の外部にあって他の回路部との接続に用いられる
。接続部材２の頭部３はペレット１のシリコンあるいは
ガラス管５の封着ガラスとの熱膨張係数を合わせるため
低膨張係数のタングステン （Ｗ）、モリブデン （Ｍ
ｏ）あるいはその合金からなる。従来は頭部３はタング
ステンあるいはモリブデン線を切断して形成し、リード
！６としての銅線を、例えばパーカッション溶接により
溶接していた。しかしこの場合、Ｗ、Ｍｏは裔融点金属
のためＣｕとの熔接が難しく、また頭部３とリード線６
との接触面積が小さいために結合強度の弱いものがあり
、製造中あるいは使用中に結合部崩落が発生することが
あって結合部の信頼性が低かった。このような問題の解
決のために、本発明者の発明によれば、本出願人の出願
に係る特願昭５９−２８０６７６号明細書に記載された
ように、接続部材の頭部はＷ、Ｍｏあるいはその合金の
焼結部材で一端面に頭部の直径の１／１０ないし７／１
０の深さを有する穴を備え、リード線は硬質銅合金より
なり、一端が頭部の穴の正大結合されている。 しかしこの場合、接続部材頭部とリード線との結合強度
がなお十分でないものがある。結合強度を高めるために
接触面積を大きくしようとすると必要以上に深い穴を備
えなければならず、その場合はリード線を頭部に圧入す
る際に頭部の薄肉部が割れることがある。また、第３図
に示すようにリード線６の圧入部近傍につば状部分６１
が大きく形成されやすく、外観が悪いばかりでなく、半
導体素子組立工程で作業がしにくい。
本発明は、上述の欠点を除去して接続部材の頭部とリー
ド線との結合強度が向上し、リード線の圧入部につば状
部分が形成されていない、信頼性が高く、外観および組
立作業性の良好な半導体装置を提供することを目的とす
る。
ド線との結合強度が向上し、リード線の圧入部につば状
部分が形成されていない、信頼性が高く、外観および組
立作業性の良好な半導体装置を提供することを目的とす
る。
本発明によれば、接続部材の頭部の一端面に備えられる
穴が端面における開口部を下底とする円錐台形で、その
下底対上底の面積比が１．０１ないし１．３５の範囲に
あることにより上記の目的が達成される。
穴が端面における開口部を下底とする円錐台形で、その
下底対上底の面積比が１．０１ないし１．３５の範囲に
あることにより上記の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例の接続部材２を示し、頭部３
はタングステンからなり、直径ｌｆｌ、長さ１．５ｆｉ
の寸法を有する。この頭部３に形成された六８は下底の
直径りが０．７ｍ、上底の直径ｄが０．６鶴の円錐台形
を呈しており、深さは０．５ｆｉである。 従って下底対土底の面積比は１．１７である。この六８
に直径０．６ｍのＮｉめっきされたＣｕ −Ｚｒ合金線
６が圧入されている。このような接触部材は、第３図の
場合に比較して頭部３とリード＆Ｉ６との接触面積が大
となり、結合強度が増大する。また圧入されたリード線
の塑性変形部分は円錐台形の側面に対して押しつけられ
、第３図に示すようなつば状部分６１は生じない。 六８の下底対上底の面積比が１．０１より小さいときは
、頭部３とリード１ＬＩＡ６との結合強度は円柱形の穴
の場合と同じレベルになる。また面積比が１．３５より
大きいときは、リード線６の塑性変形が穴の内部容積を
満たすように追随しないので接触面積が小さくなり、結
合強度が弱い。
はタングステンからなり、直径ｌｆｌ、長さ１．５ｆｉ
の寸法を有する。この頭部３に形成された六８は下底の
直径りが０．７ｍ、上底の直径ｄが０．６鶴の円錐台形
を呈しており、深さは０．５ｆｉである。 従って下底対土底の面積比は１．１７である。この六８
に直径０．６ｍのＮｉめっきされたＣｕ −Ｚｒ合金線
６が圧入されている。このような接触部材は、第３図の
場合に比較して頭部３とリード＆Ｉ６との接触面積が大
となり、結合強度が増大する。また圧入されたリード線
の塑性変形部分は円錐台形の側面に対して押しつけられ
、第３図に示すようなつば状部分６１は生じない。 六８の下底対上底の面積比が１．０１より小さいときは
、頭部３とリード１ＬＩＡ６との結合強度は円柱形の穴
の場合と同じレベルになる。また面積比が１．３５より
大きいときは、リード線６の塑性変形が穴の内部容積を
満たすように追随しないので接触面積が小さくなり、結
合強度が弱い。
本発明は、硬質銅合金よりなるリード線が圧入されるＷ
、Ｍｏあるいはその合金よりなる頭部の穴を下底対上底
の面積比が１．０１〜１．３５の円錐台形とするもので
、次のような効果が得られた。 ＋１１接触面積が増大するため頭部とリード線の結合強
度が向上し、頭部からリード線の抜ける不良の発生率が
従来の１７１０〜１／２０に減少した。 （２）リード線圧入時に、頭部穴内にリード線がスムー
ズに入るため頭部割れの発生がなくなった。 （３）穴の内部容積が大きくなったため、リード線の塑
性変形によるつば状部ができなくなり、半導体装置の外
観および組立作業性が向上した。 なお、頭部が上記の実施例のＷ以外にＭｏ、Ｗ−ＭＯ合
金あるいはＷに微量のＮｉやＣｕを拡散させた材料から
作られていても、また頭部の寸法（大きさ）にも関係な
く同様の効果が得られる
、Ｍｏあるいはその合金よりなる頭部の穴を下底対上底
の面積比が１．０１〜１．３５の円錐台形とするもので
、次のような効果が得られた。 ＋１１接触面積が増大するため頭部とリード線の結合強
度が向上し、頭部からリード線の抜ける不良の発生率が
従来の１７１０〜１／２０に減少した。 （２）リード線圧入時に、頭部穴内にリード線がスムー
ズに入るため頭部割れの発生がなくなった。 （３）穴の内部容積が大きくなったため、リード線の塑
性変形によるつば状部ができなくなり、半導体装置の外
観および組立作業性が向上した。 なお、頭部が上記の実施例のＷ以外にＭｏ、Ｗ−ＭＯ合
金あるいはＷに微量のＮｉやＣｕを拡散させた材料から
作られていても、また頭部の寸法（大きさ）にも関係な
く同様の効果が得られる
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の接続部材の断面図、第２図
は本発明の対象となるガラス封止型ダイオードの断面図
、第３図は円柱形の穴を有する接続部材の断面図である
。 １：ダイオードペレット、２Ｘ接続部材、３；頭部、４
：はんだ、５ニガラス管、６：リード線８：穴。
は本発明の対象となるガラス封止型ダイオードの断面図
、第３図は円柱形の穴を有する接続部材の断面図である
。 １：ダイオードペレット、２Ｘ接続部材、３；頭部、４
：はんだ、５ニガラス管、６：リード線８：穴。
Claims (1)
- １）半導体片の両表面に設けられた電極に接触する頭部
がタングステン、モリブデンあるいはその合金の焼結部
材からなり、その一端面に備えられた直径の１／１０な
いし７／１０の深さを有する穴に硬質銅合金よりなるリ
ード線が圧入、結合されて接続部材を形成し、少なくと
も接続部材の頭部の一部と半導体片が絶縁物によって包
囲されたものにおいて、頭部に備えられる穴が端面にお
ける開口部を下底とする円錐台形で、その下底対上底の
面積比が１．０１ないし１．３５の範囲にあることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175553A JPS6235657A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175553A JPS6235657A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235657A true JPS6235657A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15998093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175553A Pending JPS6235657A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713374B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods |
| US7435108B1 (en) | 1999-07-30 | 2008-10-14 | Formfactor, Inc. | Variable width resilient conductive contact structures |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60175553A patent/JPS6235657A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713374B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods |
| US7435108B1 (en) | 1999-07-30 | 2008-10-14 | Formfactor, Inc. | Variable width resilient conductive contact structures |
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