JPS6236064A - マイクロ波用誘電体磁器組成物 - Google Patents

マイクロ波用誘電体磁器組成物

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JPS6236064A
JPS6236064A JP60172922A JP17292285A JPS6236064A JP S6236064 A JPS6236064 A JP S6236064A JP 60172922 A JP60172922 A JP 60172922A JP 17292285 A JP17292285 A JP 17292285A JP S6236064 A JPS6236064 A JP S6236064A
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JP
Japan
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mol
dielectric
microwave
ceramic composition
dielectric ceramic
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恵介 景山
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Sumitomo Special Metals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、マイクロ波用誘電体磁器組成物に係り、比
誘電率εrが大きく、マイクロ波帯における誘電損失が
小さく、かつ組成を適当に選択することにより誘電率の
温度係数を比較的広範囲に選択することができるマイク
ロ波用誘電体磁器組成物に関する。
背景技術 近年、誘電材料として、1つの新しい利用展開が始まっ
ている。それは、従来のコンデンサー等の応用とは異な
った概念の誘電体共振器である。
一般に、誘電体が電磁波の伝播媒体であることを利用し
たものであり、誘電体中の電磁波の波長が真空中のそれ
と比べ、1/Jεrになることに着目し、これを積極的
に利用して回路素子の小型化を計ったものでおる。
従来のマイクロ波帯の回路素子は、導波管や空洞共振器
であったが、近年の目覚ましい発展を見せる衛星通信や
移動通信手段等の通信システム中で用いるには、大型で
かつ重く不適当であり、これらマイクロ波帯が使用され
る部品1回路素子の小型化、信頼性の向上が特に求めら
れていた。
かかるマイクロ波用誘電体材料としては、Ca Ti 
Os  Mo T、03系、(Zr、 Sn) TyO
t系、Ba2 Ti9010系やBaO−Nd203−
Ti02系、BaOSm2O3Ti0t系がよく知られ
ている。
Ca丁L 03−MgTi Os系材料は、低損失で誘
電率の温度係数も小さいが、比誘電率は20と小さい。
また、(Zr、 Sn) That系やBa2 Tig
 O10系材料は同様に低損失、低温度係数であるが、
比誘電率は40程度である。
また、BaONd2O3Ti02系、BaO−5n20
3−TLO2系材料系材比誘電率が60〜80と大きく
、低温度係数であるが、マイクロ波帯での誘電損失は5
GH2程度でQ=1000以下と小さい。
しかし、今日ではざらに低損失材料が求められており、
BaOSm203TLOe系は、Ba ONd 203
Ti 02系に比べ、同程度の比誘電率(εr =80
)を有しかつ低損失であるが、Sm2O3を原料に用い
るため、材料コストが高く、また、大量に使用するには
、原料供給に不安があり、合接安定して供給されるのは
困難である。
発明の目的 この発明は、上述の問題点に鑑み、高誘電率であり、誘
電率の温度係数を比較的自由に選択でき、かつマイクロ
波用誘電材料として、従来材料よりざらに低損失であり
、より安価なマイクロ波帯用誘電材料を目的としている
発明の構成と効果 この発明は、マイクロ波用誘電体材料に要求される諸特
性を満足する誘電体磁器組成物を目的に種々検討した結
果、BaO−La2O3” TiO2a 5nap系材
料が、高誘電率、低誘電損失であり、誘電率の温度係数
がその組成の選択により設定でき、マイクロ波帯用誘電
材料に最適であり、ざらに資源的に豊富な元素よりなる
磁器組成物であるため従来材料より安価に提供できるこ
とを知見したものである。
すなわち、この発明は、 基本組成式を、XBa0−yl、、1203・zTL0
2・wSn02  と表わし、 x十y+z+w= 100モル%としたとき、組成範囲
を限定する記号x、y、z、wが下記式を満足すること
を特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物であり、 0<x≦17.5  モル% 12.5≦y≦35.0  モル% 52.5≦z≦71.5  モル% 0<w≦5.0  モル% さらには、基本組成式を、XBaO・’/LazO3・
Z TLO2−WSn02 φV PbOと表わし、x
+y+z+w= 100モル%としたとき、組成範囲を
限定する記号x、y、z、w、vが下記式を満足するこ
とを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
0<x≦17゜5 モル% 12.5≦y≦35.0  モル% 52.5≦z≦17.5  モル% 0<w≦5.0  モル% x+y+z+w= 100モル%に対して、O<VS2
.0  モル% 組成の限定理由 この発明による誘電体磁器組成物は、 BaO会L1203 ” TLOe−Sn02あるいは
BaO−La203・Ti Ot・Sn Ot・PbO
からなるが、その組成範囲は以下のとおりである。
BaOは、17.5モル%を越えると、共振周波数の温
度係数が、300ppm/’Cをこえて実用上不適当な
ため、17.5モル%以下の含有とする。
La2O3が35モル%を越え、12.5モル%未満、
TiO2が71.5モル%を越え、52.5モル%未満
の場合、磁器組成物の焼結性が悪くなり、高密度な焼結
体が得られず、Q値の低下を招来し、マイクロ波用誘電
材料として不適当なため、La2O212,5〜35.
0モル%、TiO,,52,5〜71.5モル%に限定
する。
Sn O2は、5モル%を越えると、誘電率の低下とQ
値の低下を招来し、マイクロ波用誘電材料として不適当
なため、5モル%以下の含有とする。
PbOは、Ba0−Li2O2・且02・SnO2系誘
電体磁器組成物の焼結性の改善に有効なほか、誘電率及
び誘電損失の改善に有効でおるが、7モル%を越える含
有は、Q値が低下し実用上不適当なため、1モル%以下
の含有とする。
実施例 純度99.5%以上のTLO2,BaC0:+ 、 S
T+02. L1203 。
PbOを用いて、第1表に示す種々の組成(試斜陽17
〜15は本発明範囲外)に配合し、ボールミルにて5時
間の混合を行なった後、これを乾燥して1ioo℃、1
時間の仮焼を行ない、その後、仮焼粉を粉砕し、バイン
ダーを添加して成形した後、さらに脱バインダーし、1
300℃〜1500℃の温度条件で焼結し、外径17n
vnX高さ10mmの円柱状焼結体を作製した。
得られた焼結体について、25℃、  5.5(3)(
Z程度の条件下で、比誘電率εrとQ@を測定し、さら
に共振周波数の温度係数τfを測定した。測定結果は、
組成と共に第1表に示す。
第1表から明らかなように、この発明による°誘電体磁
器組成物は、共振周波数の温度係数が広くとることがで
き、低損失でかつ高透磁率を示し、マイクロ波用誘電体
材料に最適なことが分る。
以下余白

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基本組成式を、 xBaO・yLa_2O_3・zTiO_2・wSnO
    _2と表わし、 x+y+z+w=100モル%としたとき、組成範囲を
    限定する記号x、y、z、wが下記式を満足することを
    特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。 0<x≦17.5モル% 12.5≦y≦35.0モル% 52.5≦z≦71.5モル% 0<w≦5.0モル% 2、基本組成式を、 xBaO・yLa_2O_3・zTiO_2・wSnO
    _2、vPbOと表わし、 x+y+z+w=100モル%としたとき、組成範囲を
    限定する記号x、y、z、w、vが下記式を満足するこ
    とを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。 0<x≦17.5モル% 12.5≦y≦35.0モル% 52.5≦z≦71.5モル% 0<w≦5.0モル% x+y+z+w=100モル%に対して、 0<v≦7.0モル%
JP60172922A 1985-08-05 1985-08-05 マイクロ波用誘電体磁器組成物 Granted JPS6236064A (ja)

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JPS6236064A true JPS6236064A (ja) 1987-02-17
JPH022822B2 JPH022822B2 (ja) 1990-01-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6427108A (en) * 1987-07-22 1989-01-30 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Dielectric porcelain compound

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6427108A (en) * 1987-07-22 1989-01-30 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Dielectric porcelain compound

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JPH022822B2 (ja) 1990-01-19

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