JPS61259405A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61259405A JPS61259405A JP10023085A JP10023085A JPS61259405A JP S61259405 A JPS61259405 A JP S61259405A JP 10023085 A JP10023085 A JP 10023085A JP 10023085 A JP10023085 A JP 10023085A JP S61259405 A JPS61259405 A JP S61259405A
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- Japan
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- weight
- dielectric ceramic
- high frequency
- dielectric
- ceramic composition
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- Granted
Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 10
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域におい
て高誘電率で高いQ値を有する高周波用誘電体磁器組成
物に関する。
て高誘電率で高いQ値を有する高周波用誘電体磁器組成
物に関する。
マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体磁
器は誘電体共振器やMIC用誘電体基板等に広く利用さ
れている。
器は誘電体共振器やMIC用誘電体基板等に広く利用さ
れている。
従来、この種の誘電体磁器として例えばTiO2−Zr
O2−3nug −ZnO−NiO系の材料が知られて
いる(特公昭55−34.526号公報)。
O2−3nug −ZnO−NiO系の材料が知られて
いる(特公昭55−34.526号公報)。
しかしながら上記材料のQ値は、IGHzで25000
.4GHzで12000.7GHzで7000のレベル
であった。そのため、例えば低い周波数(例えば800
MHz)でハイパワーの回路の誘電体共振器等に使用し
ようとしても、発熱が大きくて温度不安定となって使用
することはできない。また、4GHzや10GHz近辺
の誘電体共振器としてもQ値が低くて使用することがで
きない場合がある。
.4GHzで12000.7GHzで7000のレベル
であった。そのため、例えば低い周波数(例えば800
MHz)でハイパワーの回路の誘電体共振器等に使用し
ようとしても、発熱が大きくて温度不安定となって使用
することはできない。また、4GHzや10GHz近辺
の誘電体共振器としてもQ値が低くて使用することがで
きない場合がある。
そこで、Ti0z ZrO25nOz ZnO−N
i0系材料のZnOまたはNiOの代わりにTazOs
を添加することによってQ値の改善を図った高周波用誘
電体磁器組成物が、特開昭58−51406号公報及び
特開昭58−217465号公報にそれぞれ提案されて
いる。前者における誘電体磁器組成物は、Ti0z 2
2〜43重量%、Zr0238〜58重量%、5nu2
9〜26重量%を主成分としてこれにZnOを7重量%
以下゛、TazOsを5重量%以下添加したものであり
、後者のそれは、前者のZnOの代わりにNiOを10
重量%以下添加したものである。
i0系材料のZnOまたはNiOの代わりにTazOs
を添加することによってQ値の改善を図った高周波用誘
電体磁器組成物が、特開昭58−51406号公報及び
特開昭58−217465号公報にそれぞれ提案されて
いる。前者における誘電体磁器組成物は、Ti0z 2
2〜43重量%、Zr0238〜58重量%、5nu2
9〜26重量%を主成分としてこれにZnOを7重量%
以下゛、TazOsを5重量%以下添加したものであり
、後者のそれは、前者のZnOの代わりにNiOを10
重量%以下添加したものである。
上記公報開示の材料においては、Q値は改善されるもの
のそれでも7GHzにおいて8000程度止まりである
。また焼結性に更に改善の余地がある。
のそれでも7GHzにおいて8000程度止まりである
。また焼結性に更に改善の余地がある。
したがってこの発明は、更にQ値及び焼結性の改善を図
った高周波用誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
った高周波用誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ti0222
〜33重量%、Zr0z 38〜58重量%、SnO□
9〜26重量%を主成分とし、これにZnOを7重量%
以下、NiOを10重量%以下、NbzOsを5重量%
以下添加含有してなるものである。
〜33重量%、Zr0z 38〜58重量%、SnO□
9〜26重量%を主成分とし、これにZnOを7重量%
以下、NiOを10重量%以下、NbzOsを5重量%
以下添加含有してなるものである。
上記した組成範囲に限定した理由は次のとおりである。
即ち、T i Otが22重量%未満では誘電率(ε)
が低下し、43重量%を越えると誘電率の温度係数(T
C)が+側で大きくなり過ぎる。
が低下し、43重量%を越えると誘電率の温度係数(T
C)が+側で大きくなり過ぎる。
またZ r O2が38重量%未満になり、あるいは5
8重量%を越えると誘電率の温度係数(TC)が+側で
大きくなり過ぎる。またS n Ozが9重量%朱満で
は誘電率の温度係数(TC)が+側で大きくなり過ぎる
と共にQが低下し、26重量%を越えると誘電率の温度
係数(TC)が−側で大きくなり過ぎる。
8重量%を越えると誘電率の温度係数(TC)が+側で
大きくなり過ぎる。またS n Ozが9重量%朱満で
は誘電率の温度係数(TC)が+側で大きくなり過ぎる
と共にQが低下し、26重量%を越えると誘電率の温度
係数(TC)が−側で大きくなり過ぎる。
次に添加物の内、ZnOが7重量%を越えると誘電率及
びQが低下し、NiOが10重量%を越える、あるいは
Nbff105が5重量%を越えるとQが低下し、いず
れも実用に供さなくなる。
びQが低下し、NiOが10重量%を越える、あるいは
Nbff105が5重量%を越えるとQが低下し、いず
れも実用に供さなくなる。
以下、この発明を実施例に従って詳述する。
原料として高純度のTiO2、ZrO2,5nOt、Z
nO1NiO1Nb、05を用い、第1表の組成比率の
磁器が得られるように秤量し、16時時間式混合した。
nO1NiO1Nb、05を用い、第1表の組成比率の
磁器が得られるように秤量し、16時時間式混合した。
次いで脱水、乾燥し、得られた混合原料を2500 K
g /cm”の圧力で直径12mm、厚み6mmの円板
に成形した。引続き成形物を自然雰囲気中1350〜1
450℃の温度で4時間焼成して磁器試料を得た。
g /cm”の圧力で直径12mm、厚み6mmの円板
に成形した。引続き成形物を自然雰囲気中1350〜1
450℃の温度で4時間焼成して磁器試料を得た。
各磁器試料について25℃、7GHzにおける誘電率(
ε)、Q及び共振周波数の温度係数(TC)の各電気的
特性を測定し、その結果を第1表に表した。゛ 第1表中*印はこの発明の範囲外のものであり、それ以
外は全てこの発明の範囲内のものである。
ε)、Q及び共振周波数の温度係数(TC)の各電気的
特性を測定し、その結果を第1表に表した。゛ 第1表中*印はこの発明の範囲外のものであり、それ以
外は全てこの発明の範囲内のものである。
(以下余白)
第1表の誘電率(ε)とQの値は誘電体共振法により測
定したものである。またTCは共振周波数([。)の温
度変化率を表したもので、測定は+25℃〜+85℃の
温度範囲で測定した。
定したものである。またTCは共振周波数([。)の温
度変化率を表したもので、測定は+25℃〜+85℃の
温度範囲で測定した。
共振周波数(fo)の温度変化率(’rc (f。
)〕は次式より求めたもので、誘電率(g)の温度変化
率(TC(ε)〕と温度変化による磁器の線膨張率(α
)とからなっている。
率(TC(ε)〕と温度変化による磁器の線膨張率(α
)とからなっている。
TC(f o ) =’ATC(ε)−αまた、試料番
号16について結晶粒径及び抗折強度を測定したところ
、結晶粒径5〜10μm1抗折強度1200 Kg /
cva”であり、N b z Osを含有させることに
よって結晶粒径が小さく、強度の大きい磁器が得られて
いる。
号16について結晶粒径及び抗折強度を測定したところ
、結晶粒径5〜10μm1抗折強度1200 Kg /
cva”であり、N b z Osを含有させることに
よって結晶粒径が小さく、強度の大きい磁器が得られて
いる。
尚、試料番号14.23については焼結が不可能であっ
たため、電気的特性の測定は行わなかった。
たため、電気的特性の測定は行わなかった。
比較のために、この発明にかかる試料番号16のものと
、従来例のTi0z ZrO2−3nOz −ZnO
−NiO系のものについて、Qと周波数との関係を図面
に示した。
、従来例のTi0z ZrO2−3nOz −ZnO
−NiO系のものについて、Qと周波数との関係を図面
に示した。
なお、T i O2Z r Oz S n Oz
Z n 0−Ni0系の組成は次のものからなる。Ti
0z:38重量%、Zr0z:4B重量%、SnO,:
14重量%からなる主成分に、ZnO:1.0重量%、
NiO:0.5重量%加えたもの。
Z n 0−Ni0系の組成は次のものからなる。Ti
0z:38重量%、Zr0z:4B重量%、SnO,:
14重量%からなる主成分に、ZnO:1.0重量%、
NiO:0.5重量%加えたもの。
図から明らかなように、この発明によるものは低い周波
数になるほどQの改善効果が大きい。
数になるほどQの改善効果が大きい。
上述した実施例から明らかなようにこの発明においては
、添加物をZn0−NiO−NbzOsの3成分とする
ことにより、焼結性は安定し、かつ高Qのものが得られ
た。例えばQ値は、7GHz。
、添加物をZn0−NiO−NbzOsの3成分とする
ことにより、焼結性は安定し、かつ高Qのものが得られ
た。例えばQ値は、7GHz。
TC#Oで8800と、従来にない大きな値が得られた
。
。
つまりこの発明の材料においては、結晶粒子が従来のも
のに比べて小さくかつ大きさが均一になっており、上記
添加物系は結晶成長を均一に、かつ結晶内の格子不整の
生成を抑制する効果を持っている。
のに比べて小さくかつ大きさが均一になっており、上記
添加物系は結晶成長を均一に、かつ結晶内の格子不整の
生成を抑制する効果を持っている。
またこの発明の材料では、低い周波数になるほどQの改
善効果が大きい。これは、低い周波数になるほどユニッ
トが大型になるが、上記添加物系によって焼結性が改善
されて大型ユニットも均一に焼結したためである。例え
ば、この発明の材料のQ値は、IGHzで39000.
4GHzで16500.7GHzで8800となってお
り、これは上述した従来のTi0t −Zr02−3n
O1−ZnO−NiO系材料のQ値に比べて、それぞれ
の周波数において56%増、38%増及び26%増とな
っている。
善効果が大きい。これは、低い周波数になるほどユニッ
トが大型になるが、上記添加物系によって焼結性が改善
されて大型ユニットも均一に焼結したためである。例え
ば、この発明の材料のQ値は、IGHzで39000.
4GHzで16500.7GHzで8800となってお
り、これは上述した従来のTi0t −Zr02−3n
O1−ZnO−NiO系材料のQ値に比べて、それぞれ
の周波数において56%増、38%増及び26%増とな
っている。
それゆえこの発明によれば、例えば自動車電話の基地局
チャンネルフィルタ用誘電体共振器等の低周波数(例え
ば800MHz)で高パワーの分野への用途が拡大する
。また、4GHz、l0GHzの衛星放送用誘電体共振
器等の高い周波数領域においても、これまでの超高Q材
に比べればQは小さいものの、誘電率(ε)が約38と
大きいため、これまで使用できなかった分野への用途の
拡大も期待できる。
チャンネルフィルタ用誘電体共振器等の低周波数(例え
ば800MHz)で高パワーの分野への用途が拡大する
。また、4GHz、l0GHzの衛星放送用誘電体共振
器等の高い周波数領域においても、これまでの超高Q材
に比べればQは小さいものの、誘電率(ε)が約38と
大きいため、これまで使用できなかった分野への用途の
拡大も期待できる。
図面は、この発明の実施例にかかる材料(試料番号16
)と、従来例のTiO2Zr0z 5nOz−ZnO
−NiO系材料のQと周波数の関係を示す図である。
)と、従来例のTiO2Zr0z 5nOz−ZnO
−NiO系材料のQと周波数の関係を示す図である。
Claims (1)
- (1)TiO_222〜43重量%、ZrO_238〜
58重量%、SnO_29〜26重量%を主成分とし、
これにZnOを7重量%以下、NiOを10重量%以下
、Nb_2O_5を5重量%以下添加含有してなる高周
波用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10023085A JPS61259405A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| US06/861,239 US4665041A (en) | 1985-05-10 | 1986-05-08 | Dielectric ceramic composition for high frequencies |
| DE19863615785 DE3615785A1 (de) | 1985-05-10 | 1986-05-10 | Dielektrische keramische zusammensetzung fuer hohe frequenzen |
| FR868606762A FR2581639B1 (fr) | 1985-05-10 | 1986-05-12 | Composition ceramique dielectrique pour hautes frequences |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10023085A JPS61259405A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259405A true JPS61259405A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH056762B2 JPH056762B2 (ja) | 1993-01-27 |
Family
ID=14268472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10023085A Granted JPS61259405A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295619A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009051694A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Tdk Corp | 誘電体磁器 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP10023085A patent/JPS61259405A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295619A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH056762B2 (ja) | 1993-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |