JPS6236838A - ウエハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハ位置検出のための
機構【二問題があった。

１目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハ位置検出機構が小型化
されたつ■ハ処理装置を提供することを目的とする。

［実施例コ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫＩ〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤＩ　、ＷＫＩ
）２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動
して各々上下動させるための駆動部、［Ｇはウェハ搭載
用のフィンガ、ＡＭＩ　、ＡＭ２はアームである。Ｇ１
゜Ｇ２゜Ｇ３は軸で、アームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィ
ンガ「Ｇが伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤ
は前記アーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための
駆動部である。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及び
フィンガを搭載して１王移動及び回動自在に構成されて
いる。つ■バカセットＷＫからアームＡＭＩ　、ＡＭ２
及びフィンガ［Ｇによって搬出されたウェハＷ「はセン
タリングハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージ
ＳＴ上のつ■ハチＶツクＷＣ上に移される。移されたウ
ェハＷＦは静電容量型センサＱＳによって再位置決めさ
れる。またこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテ
レビモニタＴＶＤによって目視手動または自動位置決め
される。

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチップ
テスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦはフィ
ンガＦＧ１アームＡＭ１　、ＡＭ２によりウェハカセッ
トＷＫの元の位置に戻される。以１−の動作を繰り返す
ことによりウェハカセットＷＫ内の各つＴハＷＦについ
て順次チップテスト動作が行なわれる。

第２．第３図は第１図の要部側面図及び−Ｆ面図で、ウ
ェハカセットＷＫからのつＴハＷＦの取出し及び収納の
様子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡ
Ｍ１　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０６回
転している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ
４はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部
ＷＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上
昇される。

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦＩ〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＵ′）は４時機溝１−ＩＤの可動
板ＦＢにより基台ＫＤと共に上下動され、つ■ハＷＦ１
〜ＷＦ４等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯ
はアーム伸縮駆動部Ａｔ）を基台ＫＤごと回転させるた
めの回転駆動部で、ウェハカセットＷＫとつ■ハチャッ
クＷＣ問のつＴハ搬送動作を行なう。

ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源Ｌ７から
のレーザ光ｍＷをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、つＴバカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）ぐ反射したレーザ
光ＬＷを透過させ半導体シー１アセンサＰＳに伝達する
。保護ケースＳ日内の半導体レーザセンサＰＳはこの反
射レーザ光を検出する。

この装置は、上記の如く構成されているため、つ■ハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷ「の衝突等の誤動作を防止することができる。

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板１−　Ｓには孔Ｌ　Ｈが設
けられ、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第
１図の位置では孔がないため遮断される。

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。

さらに、半導体レーザ源Ｌ７は第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−１−
Ｉ　Ｍ　、半導体レーザセンサＰＳは第２，３図の如く
フィンガＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する
。これによりセンサＰＳの光路がアームにより遮断され
ることなくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい
。この伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵ
が貫通、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。こ
れによりｓｅｖ！ｎの大きいアームとチューブが連動し
て動き回るのでチューブとアームがからみ合うこともな
くまた全体スペースも小型に構成することができる。

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々つ工ハの
最」ニ（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、
昇陪機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板ＦＢの位置を
検出し、つ■ハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素
子である。

フィンガ「Ｑは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＩ−の張り合せの簡易な構成で成る。

上板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜ＵＩＯが設けられ、下板Ｆ
　Ｇ　Ｌには溝１−１．貫通孔Ｌ２〜Ｌ７が設（）られ
る。そして溝１−１と孔ｕｉ　、　Ｕ２　。

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ
１０、チューブホルダーＴ　Ｈを介してチューブＴＵが
接続されｆｊｌ気される。第４図Ｂの如く形成される吸
引室内の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引して
密室となリウエハ吸着が行イｆわれる。また、孔Ｕ８．
ｔＪ９．Ｌ６，１７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，Ｓ
ｔ−が嵌合される。ビンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウェ
ハＷ「の端面を位置決めするだめの位置部材で、４イン
チ、６インチ、８インチ等の直径の異なるウェハに対し
て孔Ｕ４　、Ｕ６　、ｊＪ８のいずれかを選択してビン
ＳＬを嵌合させる。ビンＳＲも同様に孔ｕ５．Ｕ７　。

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置く第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。

前述のセンサＰＳはつ■ハカセツ］へ識別コード情報Ｋ
Ｃ３、ＫＯ２等も読取らせることができる。

即ちＫＯ２、ＫＯ２等は論理Ｍ１．ｒＯＪを表わすコー
ドから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平方
向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取り、これによ
りカセット識別番号を知ることができる。

＝７＝ 第５図は回路焼イ」、検査等に用いられるつ■ハＷＦの
一例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別する
コード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、［１
ット番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル
原板からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いら
れ、この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫ
が用いられる。ＣＩ−Ｉ　Ｐは検査される回路チップ領
域を示す。

第６図はウェハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のつＪハＷ［が例えば２５枚収納される様子を示
１゜ここでつ■ハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの秤々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位買即ち各ウ
ェハ間の中心位置Ｐ１〜ｐ２６等を算出しておけば良い
。

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示す７日−チャードで第１，７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最」口位置信号発
生手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開
始する。センサＰ　Ｓ　ｈ＜Ｒ初のウェハＷ［２５を検
出した段階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２枚
目のウェハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定
され、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置Ｄ１〜ｒ）２６を予め記憶さ
せておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い
。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位置
情報Ｄ２６をマイクロブ０セツリＭＰＵが取り込み、こ
の情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定する
。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜Ｔ
１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶され
ており、まずＴ１に対応する２進化された時間情報がＭ
ＰＵの制御によってダウンカウンタＤＫに格納される。

同時にフリップフロップＦＦがセットされ、またモータ
ドライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回路ＭＤ
内には４進カウンタが内蔵されており、その最初の出力
によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パルス（Ｔ
１）によりパルスモータＰＭが起動を始める。

ダウンカウンタＤＫは発振器Ｏ８Ｃの発振パルスに応答
して減紳を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデコーダＤＣがこれを検出してフリ
ップフロップＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲート△２　、Ａ
３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了
する。

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のウェハＷ　Ｆ　２５の近
辺に近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と
次第に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続
け、ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達
するとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一
定の低速度で下降する。このときはパルス幅ＴＩの駆動
パルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦ１
の位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　、　
Ｔ１０のように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速
度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所
定量下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ
２を指定し、位画情報１）ｍを取り出す。この位置情報
（）ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｉ）２５
〜Ｄ２が共通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はア
ドレスＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２ま
で前記同様の作動を位置情報［）ｍに従って繰り返し、
ｆｉｌにＲＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下辺の位
置情報Ｄ１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰ
Ｓが最下位置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停
止する。このようにして各ウェハの実際の位置を検出す
るので次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて
正確となる。

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を崗き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，Ｏ）をウェハ位置情報と
其にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＩ’）６に格納しておき、選択使用
すればさらに好ましい。

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位置ｄ１／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサＭ
ＰＵが算出し、各値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如く記
憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフィン
ガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で算
出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３
　’）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦ
Ｇを位置させることができる。この位置での停止には第
７図Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵＫ
１両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは
、この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。

この地点Ｐ１でアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに昇降機構１−１ｆ）を駆動してフィ
ンガＦＧをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させ
る。これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下面に
接触することができるので、前述の真空吸引機構がオン
となって作動し、フィンガＦＧがつ■ハＷＦ１を吸着（
ステップ５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、ざらに
ｄ２／２だ（）上昇（ステップＳＡ７　）Ｌ、次いでウ
ェハＷＦＩを吸着したままウェハカセットＷＫから引抜
（ステップ５Ａ８）’＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤ
を駆動部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧを×Ｙ
ステージＳＴに正対させ、アームＡＭｌ、へＭ２を伸長
してウェハＷＦ＋をフィンガＦＧからセンタリングハン
ドＣ＋−＋に引渡（ステップＳ△９）ず。つ］ニハＷＦ
１は、センタリングハンドＣ’　ｌ−１からざらに×Ｙ
ステージＳＴに引渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回
路焼付、検査等の処理（ステップＳ　Ａ　１１）が行な
われる。

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦＩの収納のためにフィンガ「Ｇを現在位置（最
上位点）から第６図の６１＋６２／２の位置即ち安全点
Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させる。この位
置Ｐ２にてアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長しフィンガＶ
ＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ　Ａ　１５
）する。

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦ１はフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがざらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）されフィン
ガｌ−Ｇだけが力セラ［〜ＷＫから引扱くステップＳ　
Ａ　１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取
出し及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハ
ＷＦ２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．ｄ
３　／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様に
ｎ−２６になるまで行なう。

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、Ｘはフィンガ「Ｇの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦＩの取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、Ｂ点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣｌ−１への引渡しが行
なわれ、０点でセンタリングハンドＣ＋−＋からの回収
が行なわれ、Ｆ点でウェハの収納のためにフィンガ［Ｇ
の力１＝ツｌ−Ｗ　Ｋへの挿入が開始され、Ｆ点でその
収納が終了し、その位置から２枚目のウェハＷ「の取出
し、収納が始まることを示している。

図では分り易くするためウェハをＷＦＩ〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ〜Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはヒンタリングハンドＣ）−１と
ほぼ同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設
定しである。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移
動距離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様
である。

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦＩの位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第９Ｂ図とほぼ同様に
第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ図
を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から一■二に向って処理すれば上方のウェハの汚れ
が少なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは
回収位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカ
セットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に
設定した様子を示し、この場合ｔまフィンガＦＧの上下
移動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全て
のウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置
に運ばなければならないことからして明らかである。こ
の利点は第９「図の場合も同様に期待できる。このよう
に無駄な時間を少しでも節約することはこの種装置にお
いてウェハ処理のための全体速成の向上に貢献でき極め
て好ましい。

さらにつＴバカヒツトには常に全数のつ■ハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を書き込み、ざらに右隣りに位置情報として
Ｄｍを書き込む。［）ｍは前述したようにつ■ハの標準
位置情報である。このように処理すればつ■ハＷＦ２が
存在しないことによるセンサρＳの計測ミス即ちウェハ
ＷＦＩを検出したときこれをつ■ハＷＦ２であると誤認
する危険を避８Ｊることかできる。

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を８することがで
きる。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハ
ＷＦ１の取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ
２のつ■ハ無し情報「０」を検出したらｄｌ　／２＋Ｄ
ｍ−＋−６３　／２の演算を行なえば第６図の１３点の
近辺を求めることができる。したがってＰ２点をスキッ
プして１１点から１３点にフィンガＦＧを高速に上４さ
せることができ好ましい。

上図例において基準位置Ｘ、Ｙ、、７は第２図の始点信
号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４．Ｌ、ＥＢ　（またはＬ
Ｅ、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例え
ば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４Ｕ。

Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとし、第９Ｆ図の例ではＸ＝ＬＥ（また
はｐＨ，ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　ｔ−とすれば良い。

また、つ■バカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、つＪハは４インチ。

８インチ等直ｔ￥が興なるときウェハカセットの高言も
具なる（各ウェハ闇の距離が異なる）ため、第９８．９
ｒ）、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹ
を共用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し
得る点で好ましい。

［効　采］ 以上の如く本発明はウェハ位置検出機構の簡略化に極め
て多大に寄与し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はつ■バカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御７０７９図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＦＭ・・・全反射ミラー（第１のミラー）ＨＭ・・・ハ
ーフミラ−（第２のミラー）ＬＺ・・・半導体レーザ源 Ｌｌ’）・・・レーザ有無検出機構 ＷＦ・・・ウェハ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ウェハカセットの後方に配置された第１のミラーと
   、該カセット内の各ウェハを選択的に吸着するためのウ
   ェハ吸着用フィンガと、該フィンガを移動させるための
   伸縮自在アームと、該アームの取付基部に配置された第
   ２のミラーと、該第２のミラーに近接して配置された受
   光素子と、上記第２のミラーを介して上記第１のミラー
   にレーザ光をほぼ垂直に出射するように配置された半導
   体レーザ源と、該レーザ光源と上記第２のミラーとの間
   に配置されたレーザ有無検出機構とを有するウェハ処理
   装置。