JPS6236837A - ウエハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のつ］−ハの処理即ち
回路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ
処理装置に関する。

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハカセットの取出し
及び収納の際に操作上の問題があった。

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハカセットの取出し及び
収納の際の操作性を向上したウェハ処理装置を提供する
ことを目的とする。

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫＩ〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤＩ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、ＡＭＩ　、ＡＭ２はアームである。Ｇ１　
、　Ｇ２　。

Ｇ３は軸で、アームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＩ）は前記アーム及びフィン
ガを搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。

ウェハカセットＷＫからアームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフ
ィンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリン
グハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上
のウニハチＶツクＷＣ−［に移される。移されたウェハ
ＷＦは静電容量型センサＱＳによって再位置決めされる
。またこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビ
モニタＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされ
る。

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたつ■ハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合せが行なわれる。その債所定のチップ
テスト動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷ「はフィ
ンガＦＧ１アームＡＭ１．ＡＭ２によりウエハノｊしッ
トＷＫの元の位置に戻される。以−トの動作を繰り返す
ことによりつＪバカセットＷＫ内の各つ−［ハＷＦにつ
いて順次チップテスト動作が行なわれる。

第２．第３図は第１図の要部側面図及びＬ面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷ［の取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
Ｉ　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０″回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。

フィンガＦＧ及びアームＡＭＩ　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台Ｋｒ）と共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ
４等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアー
ム伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＯごと回転させるための回転
駆動部で、つ丁バカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間
のウェハ搬送動作を行なう。

ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光［Ｗをウェハカセット側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全反射
ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ
光ｍＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。

保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの反射
レーザ光を検出する。

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
つＪハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔ＬＨが設けられ
、第２図の位置でレーザ光は孔ＬＨを貫通し、第１図の
位置では孔がないため遮断される。

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２．３図の如くフィンガ
ＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４１−は各々つ■ハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、を
降機構Ｈｌ）内のＩＥ、ＰＨは各々可動板［Ｂの位置を
検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素
子である。

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃ４こ示す如く上下２
枚の板ＦＧＬＪ、ＦＧＩ−の張り合せの簡易な構成で成
る。上板Ｆ　Ｇ　ＬＪには貫通孔Ｕ　１〜ｔＪ１０が設
【）られ、下板ＦＧＩ−には満１−１１貫通孔Ｌ２〜１
７が設【フられる。そして溝Ｌ１と孔ｕｉ　、　Ｕ２　
。

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝］−１は孔
（Ｊｌｏ、チューブホルダーＴＨを介してチューブＴ　
Ｕが接続され排気される。第４図Ｂの如く形成される吸
引室内の上部につ王ハが載置されるどウェハを吸引して
密室となりつＴハ吸着が行なわれる。また、孔ＬＪ８　
、Ｕ９　、Ｌ６．１７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，
Ｓｔ−が嵌合される。ビンＳＲ，ＳＬは第３図の如くウ
ェハＷＦの端面を位置決めづるための位置部材で、４イ
ンチ、６インチ、８インチ等の直径の異なるウェハに対
して孔ｔＪ４　、Ｕ６　、Ｕ８のいずれかを選択してビ
ンＳ　ｌ−を嵌合させる。ビンＳＲも同様に孔ＩＪ５　
、　ＬＪ７　。

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の責なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。これにより下段のｈ
セラ１−ＷＫ２．ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。

前述のセンサＰＳはウエハカセツ１〜識別コード情報Ｋ
Ｃ３、ＫＯ２等も読取らせることができる。

即ちＫＯ２、ＫＯ２等は論理「ｉｌ、ｒｏ、Ｉを表わす
コードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水
平方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取り、これ
によりカセット識別番号を知ることができる。

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用
いられる。ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す。

第６図はつ丁バカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので１ウエハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各つ■ハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦ　Ｇ（１’）＠安全突入位置
印ち各ウェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出してお
【ノば良い。

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１．７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡ１ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。センサＰＳが最初のつ■ハＷ　Ｆ　２５を検出し
た段階で最初の距１１ｄ２６が決定され、同様に２枚目
のウェハＷ　Ｆ　２４を検出した段階で距ｉｊｌ　Ｕ２
５が決定され、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。

このときセンサＰＳを一定の速度即らセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で１弁させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンＪｊ　Ｐ　Ｓを高速に下降
させ、ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良
い。そのため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウニバ
カヒツトにおける各ウェハの位１１１〜Ｄ２６を予め記
憶させておき、この記憶内容に従って動作制御させれば
食い。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡ１）１から標準
の位置情報１１２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り
込み、この情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＯＭを
決定する。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅
■１〜ＴＩＯはＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で
記憶されており、まずＴ１に対応する２進化された時間
情報がＭＰＵの制御によってダウンカウンタｌ）　Ｋに
格納される。同時にフリップフロップＦＦがセットされ
、またモータドライブ回路ＭＤが動作する。モータドラ
イブ回路Ｍｌ）内には４進カウンタが内蔵されており、
その最初の出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の
駆動パルス（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始
める。

ダウンカウンタＤＫは発撮器Ｏ８Ｃの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特定
値デコーダ例えばＯデ］−ダＤＣがこれを検出してフリ
ップフロップＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、Ａ
３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了
する。

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上聞と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のつ■ハＷＦ２５の近辺に
近づくと第７図［３に示づパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次
第に良くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け
、ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達す
るとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一定
の低速度で下降する。このときはパルス幅ＴＩの駆動パ
ルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦ１の
位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９’、　Ｔ
ＩＯのように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速度
は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所定
量下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ２
を指定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情報［）
ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｉ）２５〜Ｏ
２が共通となり、位置情報［）ｍのデータ領域はアドレ
スＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前
記同様の作動を位置情Ｉ［ＩＤｍに従って繰り返し、最
後にＲＯＭのアドレスＡ１１３を指定し、最下辺の位置
情報Ｄ１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳ
が最下位置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止
する。このようにして各ウェハの実際の位置を検出する
ので次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正
確となる。

また、このウェハ位置検用時に実際につ■ハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大きさ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用すれ
ばさらに好ましい。

次いでステップＳＡ２では、検出した各つ■ハ間の中心
位置ｄ１／２〜６２Ｂ／　２をマイクロプロセッサＭＰ
Ｕが御出し、各値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如く記憶
させる。次いでウェハＷＦＩの取出しのためにフィンガ
ＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で算出
したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ３　
）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦＧを
位置させることができる。この位置での停止には第７図
Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵＫ１両
者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは、こ
の時のフィンガＦＧの１胃速度曲線を示す。

この地点Ｐ１でアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに碑降機構ＨＤを駆動してフィンガＦ
Ｇをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる。こ
れでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接触す
ることができるので、前述の真空吸引機構がオンとなっ
て作動し、フィンガＦＧがつＴハＷＦＩを吸着（ステッ
プ５Ａ６）ｉる。その後フィンガＦＧを、さらにｄ２／
２だけ一ト昇（ステップＳＡ７　）Ｌ、次いでウェハＷ
ＦＩを吸着したままウェハカセットＷＫから引抜（ステ
ップ５Ａ８）＜。続い−Ｃアーム伸縮駆動部八へを駆動
部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステー
ジＳＴに正対させ、アームＡＭｌ　、ＡＭ２を伸長して
つ■ハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣ
Ｈに引渡（ステップＳＡ９　）す。つ■ハＷＦ１は、セ
ンタリングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに引
渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の
処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップＳ△１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦ１の収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図のｄｌ　＋６２　／２の位置即ち安
全点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させる。こ
の位ＭＰ２にてアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長しフィン
ガ１ＧをウェハカセットＷＫに挿入〈ステップ５Ａ１５
）する。

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧからＩＩＩＢＪ
（ステップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧが
ざらにｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）され
フィンガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ
　Ａ　１９）かれる。以上の制御によりつ■ハＷＦ１の
取出し及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでつエ
バＷＦ２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．
ｄ３　／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様
にｎ−２６になるまで行なう。

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Δ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの時機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するとぎにつ■ハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦＩの取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣ）（への引渡しが行な
われ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行な
われ、［点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセ
ットＷＫへの挿入が開始され、Ｆ点でその収納が終了し
、その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始
まることを示している。

図では分り易くするためつ■ハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチＶ−トに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣ１−１と
ほぼ同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設
定しである。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移
動距離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様
である。

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のつ工ハＷＦ１の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第９Ｂ図とほぼ同様に
第９Ａ、９Ｄ図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ図
を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが少
なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは回収
位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカセッ
トのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に設定
した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移動の
合Ｓ１距醋が最も少なく最も好ましい。これは全てのつ
■ハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置に運
ばなければならないことからして明らかである。この利
点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように無
駄な時間を少しでも節約づることはこの種装置において
ウェハ処理のための全体速度の向上に貫献でき極めて好
ましい。

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前■稈において不良ウェハが予め除
去された状態で本ブ０−バに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに麿き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論理「０」を南き込み、さらに右隣りに位置情報として
Ｄｍを崗き込む。［）ｍは前述したようにつ■ハの標準
（Ｏ置情報である。このように５１！ｌＩＩ＋′１ｊれ
ばつＪハＷ［２が存在しないことによるセン（、ＪＰＳ
の計測ミス即ちつ■ハＷＦ１を検出したときこれをウー
ｒハＷＦ２であると誤認する危険を避ｉすることかでき
る。

またウェハ取出し処理の際にも存７ｆ　Ｌ、ないつＴハ
ＷＦ２を取出す無駄な動作を省略して＾連化を削ること
ができる。即ち前述のつ■ハ取出しｔ−ドにおいて、ウ
ェハＷＦ１の取出しまｊζは収納の後、ＲＡＭのアドレ
スＡｄ２のつ■ハ無し情報［０１を検出したらｄｌ　／
２＋Ｄｍ＋ｄ３　／２（ｆ＞演算を行なえば第６図の１
３点の近辺を求めることができる。したがってＰ２点を
スキップして１１点から１３点にフィンガＦＧを高速に
上昇さゼることができ好ましい。

−Ｆ図例において基準位＠ｘ、Ｙ、　７は第２図の始点
信号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、　「Ｂ（または
ＬＦ、ＰＩ−１）等の位置を選択的に対応させれば良い
。例えば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。

＝１９− Ｙ−ＫＳ４１−とし、第９Ｆ図の例ではＸ　＝　ｌ−Ｅ
（またはＰＩ−１，ＦＢ）、Ｙ−ＫＳ４　Ｌとすれば良
い。

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。

８インチ等直径が異なるとぎウェハカセットの＾さも黄
なる（各つＴハ間の距離が異なる）ため、第９１−３，
９Ｄ、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹ
を共用できる形式の装置が種々のつ■ハサイズに対処し
得る点で好ましい。

［効　采］ 以１の如く本発明はその操作性向上に極めて多大に寄与
し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＷＫＤ・・・ウェハカセット駆動部 Ｍ　Ｐ　Ｕ・・・マイクロプロセッサ ＲＯＭ・・・リードオンリメモリ ＲＡＭ・・・ランダムアクセスメモリ ＫＳ・・・支持板 ＣＴ・・・蝶番機構

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数のウェハカセットを各々支持する支持部材と、
   該支持部材の一部に備えられ、上記ウェハカセットを姿
   勢変更するための少なくとも１つの折曲り自在機構とを
   有することを特徴とするウェハ処理装置。 ２、前記支持部材が、２個のウェハカセットを上下に積
   重ねる如く支持するものであり、前記折曲り自在機構が
   、上記支持部材の上半分及び上側ウェハカセットを後傾
   させる蝶番機構を含む特許請求の範囲第１項記載のウェ
   ハ処理装置。