JPS6236839A - ウエハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。

［従来技術］ 従来この種の装置においては、その精密度、生産性及び
占有面積等に難点が存し、特にウェハ位置検出のための
レーザに対する安全機構に問題があった。

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハ位置検出のためのレー
ザに対する安全対策が施されたつエバ処理装置を提供す
ることを目的とする。

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハブローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫＩ〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ、ＷＫＤ２
は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動して
各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用の
フィンガ、ＡＭｌ　、ＡＭ２はアームである。Ｇｌ　、
　Ｇ２　。

Ｇ３は軸で、アームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウ
ェハカセットＷＫからアームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィ
ンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリング
ハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージ５Ｔ−Ｆ
のウェハチャックＷＣ上に移される。移されたつエバＷ
Ｆは静電容醋型仁ンサＱＳによって再位置決めされる。

またこのときテレビ（ＴＶ）カメラ１ＶＫ及びテレビモ
ニタＴ　Ｖ　Ｄによって目視手動または自動位置決めさ
れる。

センタリングハンドＣｌ−１によりウェハチャックＷＣ
に正確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴ
の移動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目？［察ま
たは自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプ
ローブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定のチ
ップテスｊ・動作が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦ
はフィンガＦＧ１アームＡＭ１．ＡＭ２によりウェハカ
セットＷＫの元の位置に戻される。以上の動作を繰り返
すことによりウエハカセツｈ　Ｗ　Ｋ内の各ウェハＷＦ
について順次チップテスト動作が行なわれる。

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
１．ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転し
ている。同図において、例えばウニバカヒツトＷＫ４は
ウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部ＷＫ
Ｄ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上押さ
れる。

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアーム
伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷｃ間の
ウェハ搬送動作を行なう。

ＬＺは半導体レーザ源、ｌ−ＩＭは半導体レーザ源Ｌ７
からのレーザ光ＬＷをウェハカセット側へ向けて照射す
るハーフミラ−で、ウェハカセット外端に設けられた全
反射ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレ
ーザ光しＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達す
る。保護ケースＳＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの
反射レーザ光を検出する。

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの埠在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＦＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔Ｌｌ−１が設け
られ、第２図の位置でレーザ光は孔Ｌ　Ｈを貫通し、第
１図の位置では孔がないため遮断される。

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−）−
ＩＭ、半導体レーザセンサＰＳは第２．３図の如くフィ
ンガＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。こ
れによりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されるこ
となくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。こ
の伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫
通、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これに
より移動範囲の大きいアームどチューブが連動して動き
回るのでチューブとアームがからみ合うこともなくまた
全体スペースも小型に構成することができる。

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、臂
降機構Ｈｒｔ内のｌ−Ｅ、ＰＨは各々可動板ＥＢの位置
を検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光
素子である。

フィンガ［Ｇは、第４図Ａ、Ｂ、Ｇに示す如く上下２枚
の板ＦＧＬＪ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。

」−板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜ＵＩＯが設けられ、下板
ＦＧＬには溝Ｌｌ、貫通孔］−２〜Ｌ７が設けられる。

そして溝Ｌ１と孔ｕｉ　、　Ｌｉ２　。

Ｕ３とで真空吸引室が形成される。即ち、溝Ｌ１は孔ｔ
Ｊ１０．チューブボルダ−Ｔ　＋−１を介してチューブ
ＴＵが接続され排気される。第４図Ｂの如く形成される
吸引室内の上部にウェハが載置されるとウェハを吸引し
て密室となりウェハ吸着が行なわれる。また、孔（）８
．Ｕ９．Ｌ６．１７等には第４図Ｃの如くビンＳＲ，，
ＳＬが嵌合される。ビンＳＲ，Ｓｌ−は第３図の如くウ
ェハＷＦの端面を位置決めするための位置部材で、４イ
ンチ、６インチ、８インチ等の直径の責なるウェハに対
して孔Ｕ４　、Ｕ６　、Ｕ８のいずれかを選択してビン
ＳＬを嵌合させる。ビンＳＲも同様に孔Ｕ５　、　Ｌｉ
２　。

Ｕ　９を選択して嵌合させφ。これにより直径の異なる
ウェハに対して最適にビン位置を定めることができ好ま
しい。

上段のウェハカセットＷＫＩ　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外力に折曲げ自在に構成される。これにより下段のカ
セットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好まし
い。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設ける
必要はなく、ウェハ取出し及び収納位＠（第１図カセッ
ト上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応し
た長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３、ＫＯ２等も読取らせることができる。

即らＫＯ２、ＫＯ２等は論理１１」、ｒＯＪを表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロッ１
へ番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原
板からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ
、この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが
用いられる。ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す
。

第６図はウェハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位向には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各ウ
ェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｉ”６等を締出してお【プば良
い。

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローヂャ−１へて第１．７図のリードオ
ンリーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されてい
るもので、以下この手順に従って動作を説明する。ステ
ップＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセ
ンサＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発
生手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開
始する。センサＰＳｔｆｉ最初のウェハＷ　Ｆ　２５を
検出した段階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２
枚目のウェハＷＦ２４を検出した段階で距＠　ｄ　２５
が決定され、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位ＩＤ１〜Ｄ２６を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良い。

即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤＩから標準の位置情
報Ｄ２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、この
情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列１）Ｍを決定する
。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜Ｔ
１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶され
ており、まずＴ１に対応する２進化された１間情報がＭ
　Ｐ　ＬＪの制御によってダウンカウンタＯＫに格納さ
れる。同時にフリップフロップ「［がセットされ、また
モータドライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回
路Ｍ［’）内には４進カウンタが内蔵されており、その
最初の出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動
パルス（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始める
。

ダウンカウンタ［）Ｋは発振器Ｏ８Ｃの発振パルスに応
答して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特
定値デコーダ例えば０デ］−ダＤＣがこれを検出してフ
リップ７０ツブＦ［をリセットする。これにより駆動パ
ルスＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２　、
Ａ３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終
了する。

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３　、Ｔ４と次第にパルス幅は短か（な
っていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅
Ｔ４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降す
る。さらに、第６図に示す最初のウェハＷ　Ｆ　２５の
近辺に近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６
と次第に艮くなり、センサＰＳは減速されながら下降を
続け、ウェハＷ　Ｆ　２５の存在位置付近にセンサＰＳ
が到達するとセンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十
分な一定の低速度で下降する。このときはパルス幅Ｔ７
の駆動パルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハ
ＷＦＩの位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９
　、７１ｏのように次第に短かくなり、センサＰＳの下
降速度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け
、所定−下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレス
ＡＤ２を指定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情
報Ｑｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報０２５〜
Ｄ２が共通となり、位置情報Ｄｍのデータ領域はアドレ
スＡＤ２の１番地だけで十分である。以下、Ｄ２まで前
記同様の作動を位置情報Ｄｍに従って繰り返し、最後に
ＲＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下部の位置情報Ｄ
１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最下
位置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する。

このようにして各ウェハの実際の位置を検出するので次
からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確とな
る。

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，０）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキツ゛プさせ得るので便利である。また大き
さの異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭ
のアドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択使用す
ればさらに好ましい。

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位置ｄ１／２〜ｄ　２６／　２をマイクロプロセッサＭ
ＰｔＪが鐸出し、各値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如く
記憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフィ
ンガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２で
算出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳＡ
３　）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガＦ
Ｇを位置させることができる。この位置での停止には第
７図Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウンタＵＫ
１両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂは
、この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。

この地点Ｐ１でアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、さらに昇降機構１」Ｄを駆動してフィンガ
ＦＧをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる。

これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接触
することができるので、前述の真空吸引機構がオンとな
って作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦＩを吸着（ステ
ップＳへ〇）１−る。その後フィンガＦＧを、さらにｄ
２／２だけ上昇（ステップＳＡ７　）Ｌ、次いでウェハ
ＷＦＩを吸着したままウェハカセットＷＫから引抜（ス
テップ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆動
部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステー
ジＳＴに正対させ、アームＡＭｌ　、ＡＭ２を伸長して
ウェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣ
Ｈに引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦ１は、セ
ンタリングハンドＣｌ−１からざらにＸＹステージＳＴ
に引渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査
等の処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
Ｓ１−からセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦ
Ｇに回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）さ
れる。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、
ウェハＷＦ１の収納のためにフィンガＦＧを現在位置（
Ｒ上位点）から第６図のｄＩ　＋６２　／２の位置即ち
安全点Ｐ２まで下降（ステップ５Ａ１４）させる。この
位置Ｐ２にてアームＡＭＩ　、ＡＭ２を伸長しフィンガ
ＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップ５Ａ１５）
する。

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦ１はフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フインガＦＧがさらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）されフィン
ガＦＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ　Ａ　
１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦＩの取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハＷＦ
２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．ｄ３　
／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にｎ−
２６になるまで行なう。

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
るウェハＷＦＩの取出しのためにＡ点でフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終了
し、０点でセンタリングハンドＣｌ−１への引渡しが行
なわれ、Ｄ点でセンタリングハンドＣｌ−１からの回収
が行なわれ、Ｅ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧ
のカセットＷＫへの挿入が開始され、１点でその収納が
終了し、その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収
納が始まることを示している。

図では分り易くするためウェハをＷＦ１〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ〜Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位＠ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９ｒ１図も同様で
ある。

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦＩの位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移動量は第９Ｂ図とほぼ同様に
第９Ａ、９ｐ図の場合に比べて長くなることは第９Ｆ図
を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位置
検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェハ
から取出し、収納が始まることは好ましい。またウェハ
は下から上に向って処理すれば上方のウェハの汚れが少
なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しまたは回収
位Ｉｆ（センタリングハンドＣＨの位置）をウェハカセ
ットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近辺に設
定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上下移動
の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全てのウ
ェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位置に運
ばなければならないことからして明らかである。この利
点は第９Ｆ図の場合も同様に期待できる。このように無
駄な時間を少しでも節約することはこの種装置において
ウェハ処理のための全体速度の向−Ｆに貢献でき極めて
好ましい。

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前■程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェハ
が所定の位置に存在することを検出したら第７図ＡのＲ
ＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェハ
の位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよう
にＲＡＭに癩き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しないこ
とをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡｄ２に
論ｆｌｌｒＯＪを書き込み、さらに右隣りに位置情報と
してＱｍを書き込む。Ｏｍは前述したようにウェハの標
準位置情報である。このように処理すればウェハＷＦ２
が存在しないことによるセンサＰＳの計測ミス即ちウェ
ハＷＦＩを検出したときこれをウェハＷＦ２であると誤
認する危険を避けることができる。

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
ＦＩの取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報「０」を検出したらｄｌ　／２＋Ｄｍ
＋６３　／２の演算を行なえば第６図の２３点の近辺を
求めることができる。したがって２２点をスキップして
１１点から２３点にフィンガＦＧを高速に１袢させるこ
とができ好ましい。

上図例において基準位置Ｘ、Ｙ、Ｚは第２図の始点信号
発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　（またはＬＥ
、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば
第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。

Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとし、第９Ｆ図の例ではＸ＝ＬＥ（また
はＰＨ，ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとすれば良い。

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インチ。

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９Ｂ、９０
．９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。

［効　果］ 以上の如く本発明はそのレーザ安全対策に極めて多大に
寄与し得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７８図はその
制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート図、
第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット ＬＺ・・・半導体レーザ源 Ｗ［・・・ウェハ ＡＤ・・・駆動部 ＬＳ・・・レーザ光遮断板 Ｌ　　Ｈ・・・　孔

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、直線運動及び回転運動が可能に構成されたレーザ発
   生源と、該レーザ発生源が特定の位置にあるときのみレ
   ーザ出射を許容する手段とを有することを特徴とするウ
   ェハ処理装置。 ２、前記レーザ出射を許容する手段は、前記レーザ発生
   源が特定の位置にあるときのみ該レーザ発生源からのレ
   ーザを通過する１または２以上の開孔を有する不透明板
   材からなる特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理装置
   。 ３、回転運動及び直線運動することによりウェハカセッ
   トからウェハを取出して所定のウェハ受渡し位置に搬送
   しまたは該受渡し位置で回収したウェハを上記ウェハカ
   セットに搬送して収納するウェハ搬送手段と、上記ウェ
   ハカセットのウェハ収納位置に向けてレーザを照射する
   レーザ発生源を有し該収納位置もしくは該収納位置にお
   けるウェハの有無を検出するウェハ検出手段とを具備す
   るウェハ処理装置において、上記レーザの光路中に１ま
   たは２以上の開孔を有する不透明板材を配置するととも
   に、該不透明板材または上記レーザ発生源の一方を固定
   し、他方を上記搬送装置の運動と連動させたことを特徴
   とするウェハ処理装置。