JPS6236881A - フオトコンダクタ - Google Patents
フオトコンダクタInfo
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- JPS6236881A JPS6236881A JP61141519A JP14151986A JPS6236881A JP S6236881 A JPS6236881 A JP S6236881A JP 61141519 A JP61141519 A JP 61141519A JP 14151986 A JP14151986 A JP 14151986A JP S6236881 A JPS6236881 A JP S6236881A
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- Japan
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- insulated gate
- photoconductor
- channel region
- layer
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
- H10D30/611—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET] having multiple independently-addressable gate electrodes influencing the same channel
- H10D30/615—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET] having multiple independently-addressable gate electrodes influencing the same channel comprising a MOS gate electrode and at least one non-MOS gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
- H10D30/873—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET] having multiple gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/28—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors
- H10F30/282—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET], e.g. MISFET [metal-insulator-semiconductor field-effect transistor] phototransistors
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野］
この発明は、フォトコンダクタに関するものであり、特
に感光性電界効果トランジスタ（ＦＦＴ）に関するもの
である。
に感光性電界効果トランジスタ（ＦＦＴ）に関するもの
である。
［従来の技術と発明の解決すべき問題点］通常の化合物
半導体接合型電界効果トランジスタは感光性の電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴと言う）として使用すること
ができることが認められた。
半導体接合型電界効果トランジスタは感光性の電界効果
トランジスタ（以下ＦＥＴと言う）として使用すること
ができることが認められた。
この発明は、そのような感光性ＦＥＴの利得を向上させ
ることを目的とするものである。
ることを目的とするものである。
［＠照点解決のための手段］
この発明によれば、感光性の電界効果１〜ランジスタを
具備し、その電界効果トランジスタはチャンネルと協同
して動作する絶縁ゲートを備えているフォトコンダクタ
が提供される。
具備し、その電界効果トランジスタはチャンネルと協同
して動作する絶縁ゲートを備えているフォトコンダクタ
が提供される。
［実施例コ
以下、添附図面を参照に実施例で説明する。
通常の化合物半導体接合型電界効果トランジスタは感光
性の電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと言う）として
使用することができる。このような装置は半絶縁性の基
体を具備し、その基体上に比較的高い電気伝導度のチャ
ンネルがある。ソース、ドレインおよびゲート接触部が
チャンネル層の同じ表面に形成される。この装置は前記
表面に入射する光を検出するのに使用することができ、
また下側から透明な半絶縁性基体に入射する光を検出す
るのに使用することもできる。光がチャンネル層に入射
すると、フォトンによって誘起された電子ホール対が生
成される。この対の中の電子はゲート接触部からチャン
ネルのデプレションでない部分に駆動され、それからド
レイン接触部に向かって移動する。また対中のホールは
ゲート接＝５− 触部の方へ駆動される。
性の電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと言う）として
使用することができる。このような装置は半絶縁性の基
体を具備し、その基体上に比較的高い電気伝導度のチャ
ンネルがある。ソース、ドレインおよびゲート接触部が
チャンネル層の同じ表面に形成される。この装置は前記
表面に入射する光を検出するのに使用することができ、
また下側から透明な半絶縁性基体に入射する光を検出す
るのに使用することもできる。光がチャンネル層に入射
すると、フォトンによって誘起された電子ホール対が生
成される。この対の中の電子はゲート接触部からチャン
ネルのデプレションでない部分に駆動され、それからド
レイン接触部に向かって移動する。また対中のホールは
ゲート接＝５− 触部の方へ駆動される。
フォトコンダクタの利得は速いキャリアの走行時間に対
する遅いキャリアの走行時間の比を越えることはできな
い。遅いキャリアの走行時間および、したがって利得は
、絶縁ゲートをフォトコンダクタの接触部間に配置し、
適当にバイアスを与えることによって増加させることが
できる。遅いキャリアは縦方向の電界が小さくなってい
る半導体と絶縁体との境界に引寄せられ、そこに保持さ
れる。この電界および、したがって利得は、バイアス電
圧によって調整することができ、このバイアス電圧は長
い時定数の抵抗を介して供給される。
する遅いキャリアの走行時間の比を越えることはできな
い。遅いキャリアの走行時間および、したがって利得は
、絶縁ゲートをフォトコンダクタの接触部間に配置し、
適当にバイアスを与えることによって増加させることが
できる。遅いキャリアは縦方向の電界が小さくなってい
る半導体と絶縁体との境界に引寄せられ、そこに保持さ
れる。この電界および、したがって利得は、バイアス電
圧によって調整することができ、このバイアス電圧は長
い時定数の抵抗を介して供給される。
遅いキャリアをその走行後に抽出して雑音をなくすため
に、別の適当にバイアスされた交流的に接地されたゲー
ト接触部が使用されることができる。
に、別の適当にバイアスされた交流的に接地されたゲー
ト接触部が使用されることができる。
そのような利得の増加された絶縁ゲートフォトコンダク
タの簡単な構造の１実施例が第１図に示されている。そ
れは、透明な半絶縁性の、例えばＩｎＰの基体１を備え
、それに下側から図の矢印に示すように光が入射する。
タの簡単な構造の１実施例が第１図に示されている。そ
れは、透明な半絶縁性の、例えばＩｎＰの基体１を備え
、それに下側から図の矢印に示すように光が入射する。
さらに基体上には例６一
えばｎ−Ｇａ Ｉ ｎＡｓのチャンネル層２が設けられ
、そのチャンネル層２にオーム接触部３，４が形成され
る。これらオーム接触部の一方３は図では接地され、他
方４は正（十Ｖｅ ）にバイアスされている。ショッツ
キ金属絶縁ゲート５は絶縁層６によってチャンネル層２
から絶縁されている。
、そのチャンネル層２にオーム接触部３，４が形成され
る。これらオーム接触部の一方３は図では接地され、他
方４は正（十Ｖｅ ）にバイアスされている。ショッツ
キ金属絶縁ゲート５は絶縁層６によってチャンネル層２
から絶縁されている。
ショッツキ接触部からなる第２のゲート７もまたチャン
ネル層２に設けられている。第２のゲート７は負（−Ｖ
ｅ）にバイアスされ、図示のようにキャパシタＣによっ
て交流的に接地されている。
ネル層２に設けられている。第２のゲート７は負（−Ｖ
ｅ）にバイアスされ、図示のようにキャパシタＣによっ
て交流的に接地されている。
金属絶縁ゲート５は長い時定数の抵抗Ｒを介して負にバ
イアスされ、その電圧は図示のポテンシオメータＲ１に
よって調節可能である。ショッツキ金属絶縁ゲート５は
例えばＴｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、またはＰｔで構成する
ことができる。絶縁層６は例えば２酸化シリコンまたは
ヂツ化シリコンで構成することができる。第２のゲート
７は例えばＴｉ／ＡｕまたはＣｒ／ＡＩＪで構成するこ
とができ、オーム接触部３．４はＡｕＧｅ／Ｎ ｉ／Ａ
ｕ合金で作ることができる。
イアスされ、その電圧は図示のポテンシオメータＲ１に
よって調節可能である。ショッツキ金属絶縁ゲート５は
例えばＴｉ／Ａｕ、Ｃｒ／Ａｕ、またはＰｔで構成する
ことができる。絶縁層６は例えば２酸化シリコンまたは
ヂツ化シリコンで構成することができる。第２のゲート
７は例えばＴｉ／ＡｕまたはＣｒ／ＡＩＪで構成するこ
とができ、オーム接触部３．４はＡｕＧｅ／Ｎ ｉ／Ａ
ｕ合金で作ることができる。
デプレション領域８はチャンネル層中に形成される。第
２のゲート７には金属ゲート５よりも高い電圧が加えら
れているから、ピッチ・オフが行われるのを避けるため
にデプレション領域と基体との間に第２のゲートの下で
はより大きな間隙が必要である。これを行なうために、
絶縁層６は図示のようにチャンネル層２の表面の窪んだ
部分９中に配置され、その結果デプレション領域８は図
示のように段部を有した形状である。抵抗Ｒの値はゲー
トキャパシタンスのＲ倍がホールの走行時間よりも大き
くなるように選択されている。絶縁層６は数個の境界状
態を有する良好な制限障壁を得るように選択され、５〜
１０ｎｍの程度の厚さの２酸化シリコンよりなる。上述
のように、絶縁ゲートの効果は遅いキャリアを表面に吸
引することであり、それから第２のゲートがその走行後
それらを雑音を生じないように抽出する。
２のゲート７には金属ゲート５よりも高い電圧が加えら
れているから、ピッチ・オフが行われるのを避けるため
にデプレション領域と基体との間に第２のゲートの下で
はより大きな間隙が必要である。これを行なうために、
絶縁層６は図示のようにチャンネル層２の表面の窪んだ
部分９中に配置され、その結果デプレション領域８は図
示のように段部を有した形状である。抵抗Ｒの値はゲー
トキャパシタンスのＲ倍がホールの走行時間よりも大き
くなるように選択されている。絶縁層６は数個の境界状
態を有する良好な制限障壁を得るように選択され、５〜
１０ｎｍの程度の厚さの２酸化シリコンよりなる。上述
のように、絶縁ゲートの効果は遅いキャリアを表面に吸
引することであり、それから第２のゲートがその走行後
それらを雑音を生じないように抽出する。
第２図の実施例は、第１図の実施例の半導体／絶縁体境
界の代わりにホールの大部分を捕捉（トラップ）シ、絶
縁されていない第２のゲートにおける漏洩を減少させる
ためのへテロ接合を備えている。ヂャンネル領域にヘテ
ロ接合を備えたフォトコンダクタは本出願人の英国特許
出願第８５８７３４３号明細書に記載されている。この
ような以前に提案されたフォトコンダクタの１構造では
埋設されたゲー１−が設けられており、この装置は温度
に敏感であることが確認されている。しかしながら、こ
の発明によるチャンネル層上に配置された適切に構成さ
れた絶縁ゲートによれば、遅いキャリアは絶縁層に侵入
することができず、その下の側方に移動し、そのため装
置は温度に敏感ではない。
界の代わりにホールの大部分を捕捉（トラップ）シ、絶
縁されていない第２のゲートにおける漏洩を減少させる
ためのへテロ接合を備えている。ヂャンネル領域にヘテ
ロ接合を備えたフォトコンダクタは本出願人の英国特許
出願第８５８７３４３号明細書に記載されている。この
ような以前に提案されたフォトコンダクタの１構造では
埋設されたゲー１−が設けられており、この装置は温度
に敏感であることが確認されている。しかしながら、こ
の発明によるチャンネル層上に配置された適切に構成さ
れた絶縁ゲートによれば、遅いキャリアは絶縁層に侵入
することができず、その下の側方に移動し、そのため装
置は温度に敏感ではない。
ヘテロ接合を有する第２図の構造の装置は透明な半絶縁
性基体１０からＩｌｌ造され、その基体上にはｎ−Ｇａ
Ｉ ｎＡｓチャンネル層１１が配置され、その上にド
ープされないＴｎＰ層１層厚２置される。
性基体１０からＩｌｌ造され、その基体上にはｎ−Ｇａ
Ｉ ｎＡｓチャンネル層１１が配置され、その上にド
ープされないＴｎＰ層１層厚２置される。
２個のゲート１３．１４が設けられる。金属絶縁ゲート
・１３はＩｎＰ層１層中２中んだ部分中に配置された絶
縁層１５とその上のショッツキ金属層１６とで構成され
ている。絶縁されていないゲート１４は直接ＩｎＰ層１
層上２上置されたショッツキ金属層で構成されている。
・１３はＩｎＰ層１層中２中んだ部分中に配置された絶
縁層１５とその上のショッツキ金属層１６とで構成され
ている。絶縁されていないゲート１４は直接ＩｎＰ層１
層上２上置されたショッツキ金属層で構成されている。
窪んだ部分に絶縁ゲート１３を配置することによって、
ピッチ・オフを阻止するための前述の第１図のものと同
様のデプレション領域の形状が与えられる。チャンネル
層１１にソースおよびドレイン接触部を形成するために
、ドープされないＩｎＰｎＰ２Ｏ５７，１８で示された
部分がイオン注入によってｎ十にされる。したがって、
ホールの大部分が保持される絶縁ゲート１３の下のへテ
ロ接合領域が得られ、それは縦方向の流れを制限せず、
また、半導体／絶縁体境界部よりもボールがトラップさ
れまたは再結合或いは再発生されるセンターを少なくす
る。これは応答時間を改善し、雑音を減少させることに
なる。
ピッチ・オフを阻止するための前述の第１図のものと同
様のデプレション領域の形状が与えられる。チャンネル
層１１にソースおよびドレイン接触部を形成するために
、ドープされないＩｎＰｎＰ２Ｏ５７，１８で示された
部分がイオン注入によってｎ十にされる。したがって、
ホールの大部分が保持される絶縁ゲート１３の下のへテ
ロ接合領域が得られ、それは縦方向の流れを制限せず、
また、半導体／絶縁体境界部よりもボールがトラップさ
れまたは再結合或いは再発生されるセンターを少なくす
る。これは応答時間を改善し、雑音を減少させることに
なる。
第１図はこの発明の１実施例のフォトコンダクタの断面
図を関連する回路と共に示し、第２図はこの発明の別の
実施例のフォトコンダクタの断面図を示す。 １．１０・・・基体、２，１１・・・チャンネル層、３
，４・・・オーム接触部、５．１６・・・シミッッキ金
属絶縁ゲ−１〜、６．１５・・・絶縁層、７，１４・・
・第２のゲート（絶縁されないゲー１− ”） 、８・
・・デプレション領域、９・・・窪んだ部分、１２・・
・ドープされていないＩｎＰ層。
図を関連する回路と共に示し、第２図はこの発明の別の
実施例のフォトコンダクタの断面図を示す。 １．１０・・・基体、２，１１・・・チャンネル層、３
，４・・・オーム接触部、５．１６・・・シミッッキ金
属絶縁ゲ−１〜、６．１５・・・絶縁層、７，１４・・
・第２のゲート（絶縁されないゲー１− ”） 、８・
・・デプレション領域、９・・・窪んだ部分、１２・・
・ドープされていないＩｎＰ層。
Claims (10)
- （１）感光性の電界効果トランジスタを具備し、その電
界効果トランジスタはチャンネルと協同して動作する絶
縁ゲートを備えていることを特徴とするフォトコンダク
タ。 - （２）絶縁ゲートに隣接するチャンネル領域に絶縁され
ていないゲート接触部を備えている特許請求の範囲第１
項記載のフォトコンダクタ。 - （３）チャンネル領域に２個の電気接触部が設けられ、
絶縁ゲートはそれら２個の電気接触部の間に配置されて
いる特許請求の範囲第１項または第２項記載のフォトコ
ンダクタ。 - （４）透明な半導体基体の表面上に配置されている特許
請求の範囲第３項記載のフォトコンダクタ。 - （５）透明な半絶縁性ＩｎＰ基体と、この基体の表面上
に配置されチャンネル領域を構成しているｎ‐ＧａＩｎ
Ａｓ層と、チャンネル領域に対するオーム接触部を構成
している２個の電気接触部と、チャンネル領域の表面の
一部上に配置された絶縁層とその上のショッツキ金属層
とにより構成された絶縁ゲートと、ショッツキ接触部に
より構成された絶縁されていないゲート接触部とを具備
している特許請求の範囲第２項または第３項記載のフォ
トコンダクタ。 - （６）チャンネル領域の厚さが絶縁ゲートの配置された
部分において減少され、それによつて前記絶縁されてい
ないゲート接触部と協同動作するデプレション領域部分
が前記絶縁ゲートと協同動作するデプレション領域部分
よりも半絶縁基体から離れた位置をとり、それによつて
基体に対するピッチ・オフを阻止する特許請求の範囲第
５項記載のフォトコンダクタ。 - （７）絶縁されていないゲート接触部は使用状態におい
て交流的に接地され、利得はト絶縁ゲートに供給される
バイアス電圧を変化させることによつて調整される特許
請求の範囲第５項または第６項記載のフォトコンダクタ
。 - （８）透明な半絶縁性ＩｎＰ基体と、この基体の表面上
に配置されチャンネル領域を構成しているｎ‐ＧａＩｎ
Ａｓ層と、チャンネル領域表面の領域上に配置されたド
ープされていないＩｎＰ層と、絶縁ゲートと、前記Ｉｎ
Ｐ層上に配置された絶縁されていないゲート接触部とを
具備し、絶縁ゲートはＩｎＰ層の一部上に配置された絶
縁層とその上のショッツキ金属層とによつて構成され、
絶縁されていないゲート接触部はショッツキ接触部より
構成されている特許請求の範囲第２項または第３項記載
のフォトコンダクタ。 - （９）ＩｎＰ層の厚さが絶縁ゲートが配置された部分に
おいて減少され、それによつて前記絶縁されていないゲ
ート接触部と協同動作するチャンネル領域中のデプレシ
ョン領域部分が前記絶縁ゲートと協同動作するデプレシ
ョン領域部分よりも半絶縁基体から離れた位置をとり、
それによつて基体に対するピッチ・オフを阻止している
特許請求の範囲第５項記載のフォトコンダクタ。 - （１０）チャンネル領域に対する電気接触部がｎ‐Ｇａ
ＩｎＡｓ層上のドープされていないＩｎＰ層の部分を通
してイオン注入されたｎ＋領域に対するオーム接触部に
よつて構成されている特許請求の範囲第８項または第９
項記載のフォトコンダクタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08515801A GB2176935B (en) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Photoconductor |
| GB8515801 | 1985-06-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236881A true JPS6236881A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=10581155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61141519A Pending JPS6236881A (ja) | 1985-06-21 | 1986-06-19 | フオトコンダクタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0212120A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6236881A (ja) |
| GB (2) | GB2176935B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01122304U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-18 | ||
| JPH0495512A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-27 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 空気入リタイヤ |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437057A (en) * | 1987-07-15 | 1989-02-07 | Ibm | Thin film field effect transistor |
| DE10047168A1 (de) * | 2000-09-22 | 2002-04-18 | Eupec Gmbh & Co Kg | Steuerbares Halbleiterbauelement |
| CN110224042B (zh) * | 2019-06-20 | 2024-08-16 | 华南理工大学 | 一种基于二维Ga2S3纳米片的可弯曲式场效应光电晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3577047A (en) * | 1969-01-15 | 1971-05-04 | Ibm | Field effect device |
| DE2023261A1 (de) * | 1969-05-19 | 1970-11-26 | The Commonwealth of Australia, Melbourne (Australien) | Verfahren und Vorrichtung zum Detektieren eines Phänomens |
| US3704376A (en) * | 1971-05-24 | 1972-11-28 | Inventors & Investors Inc | Photo-electric junction field-effect sensors |
| GB1342130A (en) * | 1971-08-31 | 1973-12-25 | Plessey Co Ltd | Solid state photodetector |
| US4160259A (en) * | 1976-12-27 | 1979-07-03 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Semiconductor device |
| JPS5712570A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor photoelectric converter |
| JPS5723280A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Field effect type light detector |
| JPS5737888A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | Photo detector |
| JPS5772370A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-06 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS57147284A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-11 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS59107578A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-21 | Junichi Nishizawa | 半導体光電変換装置 |
| JPS59107582A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体光検出装置の製造方法 |
| US4611220A (en) * | 1983-11-16 | 1986-09-09 | General Motors Corporation | Junction-MOS power field effect transistor |
-
1985
- 1985-06-21 GB GB08515801A patent/GB2176935B/en not_active Expired
- 1985-07-22 GB GB858518438A patent/GB8518438D0/en active Pending
-
1986
- 1986-06-14 EP EP86108152A patent/EP0212120A1/en not_active Withdrawn
- 1986-06-19 JP JP61141519A patent/JPS6236881A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01122304U (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-18 | ||
| JPH0495512A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-27 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 空気入リタイヤ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2176935B (en) | 1988-11-23 |
| EP0212120A1 (en) | 1987-03-04 |
| GB8515801D0 (en) | 1985-07-24 |
| GB2176935A (en) | 1987-01-07 |
| GB8518438D0 (en) | 1985-08-29 |
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