JPS6237805A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6237805A JPS6237805A JP60177893A JP17789385A JPS6237805A JP S6237805 A JPS6237805 A JP S6237805A JP 60177893 A JP60177893 A JP 60177893A JP 17789385 A JP17789385 A JP 17789385A JP S6237805 A JPS6237805 A JP S6237805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- less
- composition
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 For example Substances 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100366889 Caenorhabditis elegans sta-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 206010008631 Cholera Diseases 0.000 description 1
- 229910019653 Mg1/3Nb2/3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電率の値
が15000以上と高く、焼結温度が950℃〜100
0℃と低く、かつ常温及び高温での体積抵抗が1919
cm以上と高く、かつEIA規格のZ5U特性を満たす
ような誘電体磁器組成物に関する。
が15000以上と高く、焼結温度が950℃〜100
0℃と低く、かつ常温及び高温での体積抵抗が1919
cm以上と高く、かつEIA規格のZ5U特性を満たす
ような誘電体磁器組成物に関する。
従来より、高誘電率系磁器コンデンサ材料として、Ba
TiOsを主体とし、これにCaTiO3、BaSnO
3、CaZr0z、SrTiOs等を添加したものが使
用されてきた。これは、室温での誘電率が2000−’
15000と高い材料である。しかし、これらの組成系
は、その焼結温度力月300〜1400℃と高い欠点を
有していた。このため、焼成コストが高くつき、さらに
積層磁器コンデンサにおいては、生の磁器シートの上に
電極を予め形成したものを複数枚積み重ねてから焼成さ
れるので、電極材料は、1300℃以上の高温で熔融し
たり、酸化したり、誘電体と反応したりしない貴金属、
例えば白金やパラジウム等を用いなければならなかった
。
TiOsを主体とし、これにCaTiO3、BaSnO
3、CaZr0z、SrTiOs等を添加したものが使
用されてきた。これは、室温での誘電率が2000−’
15000と高い材料である。しかし、これらの組成系
は、その焼結温度力月300〜1400℃と高い欠点を
有していた。このため、焼成コストが高くつき、さらに
積層磁器コンデンサにおいては、生の磁器シートの上に
電極を予め形成したものを複数枚積み重ねてから焼成さ
れるので、電極材料は、1300℃以上の高温で熔融し
たり、酸化したり、誘電体と反応したりしない貴金属、
例えば白金やパラジウム等を用いなければならなかった
。
以上の点を改良すべく、新たにPb(Mg1/+Nb2
/:+) 03Pb(Zn+73Nb2/+)03 P
bTiO3系の組成物が提示された(特開昭57−27
974号公報)。
/:+) 03Pb(Zn+73Nb2/+)03 P
bTiO3系の組成物が提示された(特開昭57−27
974号公報)。
この組成物では、比誘電率10000以上、焼結温度1
030〜1150℃という特性を得ていた。
030〜1150℃という特性を得ていた。
しかしさらに、誘電率において高い値が望まれていた。
また、焼結温度においても1000℃以下の低温で安定
な焼成が行えることが望まれていた。
な焼成が行えることが望まれていた。
さらにまた、良好な容量の温度特性を有し、EIA規格
のZ5U特性を満足する組成物が望まれていた。
のZ5U特性を満足する組成物が望まれていた。
そこでこの発明は、上記のような要望に応えることがで
きる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
きる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
出発原料として、工業用のPb+04 、MgO2Nb
205、T i Oz、ZnO,CuO1T a 20
s、Mo03B a CO3、CaCO3,5rCO
s、MnCO3を用意し、コレラを秤iiL、予めPb
(Mg1/j’1b2/+) 03、Pb(Zn1/s
Nbz/+) 0+、PbTi0.、Pb(CuI7+
Ta2/s) 03、Ba(CulysTaz/s>O
s、Ca(Cu1/3Ta2/s) 03Sr(Cu1
/sTa2/a)Oz、Pb(Zn1/zMO+7z)
Os、Ba(Zn1/zMo1/*)()+、Ca(Z
nBzMO1/z) Os、5r(Zn1/zMo1/
z)Oiとなるように各々配合した。次に、PbTiO
3は950℃で、その他の組成物は850℃でそれぞれ
個々に2時間仮焼し、所定の化合物粉体を得た。次に、
このようにして得られた化合物粉体とMg’OおよびM
nCO3を第1表の各所望の配合比となるよう配合し、
酢酸ビニル系バインダを5重量部加え、ボールミルによ
って湿式混合した。その後蒸発乾燥し、整粒によ□り粉
末状にして、これを1 ton/cm”の圧力で直径1
2mm、厚さ1.5mmの円板に成形した。この円板を
鉛雰囲気を有する電気炉を用い、第2表の「焼成温度」
に記載した各温度で1時間焼成した。後に電極としてA
gペーストを800℃で焼付け、各試料について誘電率
(ε)、誘電正接(janδ)及び比抵抗(ρ)を測定
し、それぞれの値を第2表に示した。ここで、誘電率、
誘電正接は25℃の条件下でI KHz I Vr’m
sで測定されたものであり、比抵抗は25℃及び85℃
の条件下でり、C,500V/mm印加し2分後に測定
したものであり、温度特性については25℃を基準とし
て、10℃、85℃での変化率を測定したものである。
205、T i Oz、ZnO,CuO1T a 20
s、Mo03B a CO3、CaCO3,5rCO
s、MnCO3を用意し、コレラを秤iiL、予めPb
(Mg1/j’1b2/+) 03、Pb(Zn1/s
Nbz/+) 0+、PbTi0.、Pb(CuI7+
Ta2/s) 03、Ba(CulysTaz/s>O
s、Ca(Cu1/3Ta2/s) 03Sr(Cu1
/sTa2/a)Oz、Pb(Zn1/zMO+7z)
Os、Ba(Zn1/zMo1/*)()+、Ca(Z
nBzMO1/z) Os、5r(Zn1/zMo1/
z)Oiとなるように各々配合した。次に、PbTiO
3は950℃で、その他の組成物は850℃でそれぞれ
個々に2時間仮焼し、所定の化合物粉体を得た。次に、
このようにして得られた化合物粉体とMg’OおよびM
nCO3を第1表の各所望の配合比となるよう配合し、
酢酸ビニル系バインダを5重量部加え、ボールミルによ
って湿式混合した。その後蒸発乾燥し、整粒によ□り粉
末状にして、これを1 ton/cm”の圧力で直径1
2mm、厚さ1.5mmの円板に成形した。この円板を
鉛雰囲気を有する電気炉を用い、第2表の「焼成温度」
に記載した各温度で1時間焼成した。後に電極としてA
gペーストを800℃で焼付け、各試料について誘電率
(ε)、誘電正接(janδ)及び比抵抗(ρ)を測定
し、それぞれの値を第2表に示した。ここで、誘電率、
誘電正接は25℃の条件下でI KHz I Vr’m
sで測定されたものであり、比抵抗は25℃及び85℃
の条件下でり、C,500V/mm印加し2分後に測定
したものであり、温度特性については25℃を基準とし
て、10℃、85℃での変化率を測定したものである。
第1表、第2表中の*印を付した試料はこの発明の範囲
外のものであり、それ以外はこの発明の範囲内である。
外のものであり、それ以外はこの発明の範囲内である。
(以下余白)
第1表、第2表に示した各実施例に基づいて、添付の図
面に主成分の3成分組成図(3元図)を示した。なお、
この図面において丸印を付した数字は各試料番号を表す
。この図面にこの発明の範囲内にある主成分の配合比を
示す領域を頂点A、B、CおよびDを有する四角形で記
入した。すなわち、上述の3成分系の磁器組成物におけ
る配合比をXPb(Mg1/3Nb2/:+)0+
YPb(Zn1/3Nbz/5)03ZPbTiO3(
ただしx、ySzは各成分の重量%を表し、X+Y+Z
=100.0)と表したとき、この発明の主成分の範囲
(X、 Y、 Z)は、A (89,0,1,0,1
0,0) 、B (80゜0.10.0,10.0)
、C(59,5,40゜0.0.5) 、D (9B、
5.1.0,0.5)の4点で囲まれる領域に相当し、
更に副成分として、MgOを1.0重量部以下含有し、
さらにまたA(Cu1/zTaz/3)Osで表される
組成物を0.5重量部以上5.0重量部以下含有し、さ
らにまたB(Zn17□M O+ y□)03で表され
る組成物を0.5重量部以上5.0重量部以下含有する
ことを特徴とする磁器組成物である。すなわち、本発明
者らはすでに、Pb(Mg1/3Nb2/3)03、p
b(Zn1/3Nbz/3) 03、P b T +
03から成る磁器組成物を提案しているが、本発明はこ
の組成内で更にMgOを1.0重量部以下含有せしめ、
更にまたA (Culi3Taz/3) 03で表され
る組成物を0.5重量部以上5.0重量部以下含有せし
め、B(Z nIytMo+yz)Osで表される組成
物を0. 5重量部以上5.0重量部以下含有せしめる
ことにより、誘電率の著しい向上と、より低温での焼結
を可能ならしめ、さらに良好な容量温度特性を得たもの
である。なお、A及びBは、Pb、 Ba、 Sr、C
aより選ばれる一種以上の元素である。
面に主成分の3成分組成図(3元図)を示した。なお、
この図面において丸印を付した数字は各試料番号を表す
。この図面にこの発明の範囲内にある主成分の配合比を
示す領域を頂点A、B、CおよびDを有する四角形で記
入した。すなわち、上述の3成分系の磁器組成物におけ
る配合比をXPb(Mg1/3Nb2/:+)0+
YPb(Zn1/3Nbz/5)03ZPbTiO3(
ただしx、ySzは各成分の重量%を表し、X+Y+Z
=100.0)と表したとき、この発明の主成分の範囲
(X、 Y、 Z)は、A (89,0,1,0,1
0,0) 、B (80゜0.10.0,10.0)
、C(59,5,40゜0.0.5) 、D (9B、
5.1.0,0.5)の4点で囲まれる領域に相当し、
更に副成分として、MgOを1.0重量部以下含有し、
さらにまたA(Cu1/zTaz/3)Osで表される
組成物を0.5重量部以上5.0重量部以下含有し、さ
らにまたB(Zn17□M O+ y□)03で表され
る組成物を0.5重量部以上5.0重量部以下含有する
ことを特徴とする磁器組成物である。すなわち、本発明
者らはすでに、Pb(Mg1/3Nb2/3)03、p
b(Zn1/3Nbz/3) 03、P b T +
03から成る磁器組成物を提案しているが、本発明はこ
の組成内で更にMgOを1.0重量部以下含有せしめ、
更にまたA (Culi3Taz/3) 03で表され
る組成物を0.5重量部以上5.0重量部以下含有せし
め、B(Z nIytMo+yz)Osで表される組成
物を0. 5重量部以上5.0重量部以下含有せしめる
ことにより、誘電率の著しい向上と、より低温での焼結
を可能ならしめ、さらに良好な容量温度特性を得たもの
である。なお、A及びBは、Pb、 Ba、 Sr、C
aより選ばれる一種以上の元素である。
以下に、第1表、第2表および図面に従い、組成範囲限
定の理由を述べる。試料番号1のように、Pb(Zn1
/5Nbz/3)03が1.0重量%未満では、焼結温
度が1000℃以上と高く、誘電率15000以上のも
のが得られない。また試料番号4のように、P b T
i O、がl010重量%より多い時は、焼結温度が
1000℃以上と高く、誘電率も15000に満たず、
さらにtanδも3.0%を超え好ましくない。さらに
また試料番号8のように、P b T i 03が0.
5重量%未満では、誘電率が低く10000に満たない
。さらにまた試料番号11.13のように、3成分図に
おいてB−C線より右上に位置する場合は誘電率が著し
く低くなり、tanδも3.0%を超え好ましくない。
定の理由を述べる。試料番号1のように、Pb(Zn1
/5Nbz/3)03が1.0重量%未満では、焼結温
度が1000℃以上と高く、誘電率15000以上のも
のが得られない。また試料番号4のように、P b T
i O、がl010重量%より多い時は、焼結温度が
1000℃以上と高く、誘電率も15000に満たず、
さらにtanδも3.0%を超え好ましくない。さらに
また試料番号8のように、P b T i 03が0.
5重量%未満では、誘電率が低く10000に満たない
。さらにまた試料番号11.13のように、3成分図に
おいてB−C線より右上に位置する場合は誘電率が著し
く低くなり、tanδも3.0%を超え好ましくない。
さらにまたMgOを添加しない試料番号14では、誘電
率が15000以下となり好ましくない。さらにまたM
gOを1.0重量%より多い量を添加した試料番号16
では、誘電率が著しく低下し、かつ焼結温度が1000
℃以上となり好ましくない。さらにまたM n O2を
0.5重量%より多く添加した試料番号18では、高温
での比抵抗が10目Ωcm以下となり好ましくない。さ
らにまた試料番号19のように、A (Cu1/sTa
z/a) 03が0. 5重量%未満では、焼結温度が
1000℃以上となり好ましくない。さらにまた試料番
号23のように、A (Culz3Ta2z3) 03
が5重量%を超える時、誘電率が著しく低下し、tan
δも3%を超え、かつ常温及び高温での比抵抗が101
1Ωcm以下となり好ましくない。さらにまた試料番号
20のように、B (Z n1/zMo1/z) 03
が0.5重量%未満では、焼結温度が1000℃以上と
なり好ましくない。さらにまた試料番号24のように、
B(Z r+1/zMo1/z) Osが5重量%を超
える時、誘電率が著しく低下し、tanδも3%を超え
、かつ常温及び高温での比抵抗が1011Ωcm以下と
なり好ましくない。
率が15000以下となり好ましくない。さらにまたM
gOを1.0重量%より多い量を添加した試料番号16
では、誘電率が著しく低下し、かつ焼結温度が1000
℃以上となり好ましくない。さらにまたM n O2を
0.5重量%より多く添加した試料番号18では、高温
での比抵抗が10目Ωcm以下となり好ましくない。さ
らにまた試料番号19のように、A (Cu1/sTa
z/a) 03が0. 5重量%未満では、焼結温度が
1000℃以上となり好ましくない。さらにまた試料番
号23のように、A (Culz3Ta2z3) 03
が5重量%を超える時、誘電率が著しく低下し、tan
δも3%を超え、かつ常温及び高温での比抵抗が101
1Ωcm以下となり好ましくない。さらにまた試料番号
20のように、B (Z n1/zMo1/z) 03
が0.5重量%未満では、焼結温度が1000℃以上と
なり好ましくない。さらにまた試料番号24のように、
B(Z r+1/zMo1/z) Osが5重量%を超
える時、誘電率が著しく低下し、tanδも3%を超え
、かつ常温及び高温での比抵抗が1011Ωcm以下と
なり好ましくない。
以上のようにこの発明によれば、誘電率が15000以
上の高い値を示し、誘電正接が3%以下と小さく、室温
及び高温(85℃)での比抵抗がIQIIΩcm以上と
高く、焼結温度が950℃〜1000℃と低く、かつ比
誘電率の変化率が小さく、EIA規格のZ5U特性を満
たす誘電体磁器組成物が得られ、磁器コンデンサ、特に
積層磁器コンデンサの小型化、大容量化、コストダウン
、省エネルギー化及び安定生産化を可能にした。
上の高い値を示し、誘電正接が3%以下と小さく、室温
及び高温(85℃)での比抵抗がIQIIΩcm以上と
高く、焼結温度が950℃〜1000℃と低く、かつ比
誘電率の変化率が小さく、EIA規格のZ5U特性を満
たす誘電体磁器組成物が得られ、磁器コンデンサ、特に
積層磁器コンデンサの小型化、大容量化、コストダウン
、省エネルギー化及び安定生産化を可能にした。
図面は、この発明に係る組成物の主成分の3成分組成図
である。
である。
Claims (2)
- (1)Pb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O_
3−Pb(Zn_1_/_3Nb_2_/_3)O_3
−PbTiO_3の固溶体により成る磁器組成物におい
て、個々の酸化物組成比率(重量%)が、Pb_3O_
4:68.05〜69.60 MgO:2.41〜4.00 ZnO:0.08〜3.15 Nb_2O_5:24.01〜26.66 TiO_2:0.13〜2.59 であり、かつ、 3成分組成図で〔Pb(Mg_1_/_3Nb_2_/
_3)O_3、Pb(Zn_1_/_3Nb_2_/_
3)O_3、PbTiO_3〕の配合比(重量%)は、
A(89.0、1.0、10.0)、B(80.0、1
0.0、10.0)、C(59.5、40.0、0.5
)、D(98.5、1.0、0.5)の4点で囲まれる
領域内に選ばれる誘電体磁器組成物を100重量部とし
たとき、副成分としてMgOを1.0重量部以下(0を
含まない)を含有し、更にA(Cu_1_/_3Ta_
2_/_3)O_3で表される組成物を0.5重量部以
上5.0重量部以下含有し、さらにまたB(Zn_1_
/_2Mo_1_/_2)O_3で表される組成物を0
.5重量部以上5.0重量部以下含有することを特徴と
する磁器組成物。 ここで、A及びBは、Pb、Ba、Sr、Caより選ば
れる一種以上の元素。 - (2)前記Pb(Mg_1_/_3Nb_2_/_3)
O_3−Pb(Zn_1_/_3Nb_2_/_3)O
_3−PbTiO_3から成る主成分100重量部に対
し、副成分としてMgOを1.0重量部以下(0を含ま
ない)含有し、さらにA(Cu_1_/_3Ta_2_
/_3)O_3で表される組成物を0.5重量部以上5
.0重量部以下含有し、さらにB(Zn_1_/_2M
o_1_/_2)O_3で表される組成物を0.5重量
部以上5.0重量部以下含有し、さらにまたマンガンを
MnO_2に換算して0.5重量部以下(0を含まない
)含有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の誘電体磁器組成物。 ここで、A及びBは、Pb、Ba、Sr、Caより選ば
れる一種以上の元素。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177893A JPS6237805A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177893A JPS6237805A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237805A true JPS6237805A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16038903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177893A Pending JPS6237805A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237805A (ja) |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP60177893A patent/JPS6237805A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6031797B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| US4753905A (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JPS63103861A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS62290009A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6237805A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62115608A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR910001347B1 (ko) | 초저온에서 소결되는 세라믹 조성물 및 그 제조방법 | |
| JPH0824006B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6237804A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6231905A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0361287B2 (ja) | ||
| JPS62276707A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6237802A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02279561A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62281205A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63221506A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3469910B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61203506A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JPH061644B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08183659A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3469911B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6231908A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS62290010A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS58181205A (ja) | 高誘電率系磁器製造用原料組成物 |