JPS6237918U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6237918U JPS6237918U JP12974685U JP12974685U JPS6237918U JP S6237918 U JPS6237918 U JP S6237918U JP 12974685 U JP12974685 U JP 12974685U JP 12974685 U JP12974685 U JP 12974685U JP S6237918 U JPS6237918 U JP S6237918U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source gas
- source
- light
- vicinity
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
Description
第１図はこの考案の第一の実施例を示す概略断
面図、第２図はこの考案の第二の実施例を示す概
略断面図、第３図はこの考案の第三の実施例を示
す概略断面図、第４図はこの考案の第四の実施例
を示す概略断面図、第５図は従来例を示す概略断
面図である。 １…チヤンバー、４…光透過窓、７…基板、８
…原料ガス導入口、９…原料ガス励起用光源、１
０…エツチング用ガス導入口、１２…エツチング
用ガス励起用光源。
面図、第２図はこの考案の第二の実施例を示す概
略断面図、第３図はこの考案の第三の実施例を示
す概略断面図、第４図はこの考案の第四の実施例
を示す概略断面図、第５図は従来例を示す概略断
面図である。 １…チヤンバー、４…光透過窓、７…基板、８
…原料ガス導入口、９…原料ガス励起用光源、１
０…エツチング用ガス導入口、１２…エツチング
用ガス励起用光源。
Claims (1)
- チヤンバーの光透過窓から光エネルギーを照射
して原料ガスを分解することにより基板上に薄膜
を形成する光ＣＶＤ装置において、前記基板の近
傍に向けてチヤンバー内に半導体成膜用原料ガス
を導入させる原料ガス導入口を設け、この原料ガ
ス導入口から導入される原料ガスを励起させる波
長の光を前記基板近傍に向けて照射する原料ガス
励起用光源を設け、前記光透過窓の近傍に向けて
チヤンバー内に半導体薄膜エツチング用ガスを導
入させるエツチング用ガス導入口を設け、このエ
ツチング用ガス導入口から導入されるエツチング
用ガスを励起させる波長の光を前記光透過窓近傍
に向けて照射するエツチング用ガス励起用光源を
設けたことを特徴とする光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12974685U JPS6237918U (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12974685U JPS6237918U (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237918U true JPS6237918U (ja) | 1987-03-06 |
Family
ID=31026594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12974685U Pending JPS6237918U (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237918U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0165129U (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-26 |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP12974685U patent/JPS6237918U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0165129U (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-26 |
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