JPS6237949A - 電子部品塔載用パツケ−ジ - Google Patents
電子部品塔載用パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS6237949A JPS6237949A JP60177162A JP17716285A JPS6237949A JP S6237949 A JPS6237949 A JP S6237949A JP 60177162 A JP60177162 A JP 60177162A JP 17716285 A JP17716285 A JP 17716285A JP S6237949 A JPS6237949 A JP S6237949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main body
- package
- lid
- cap
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/18—Circuits for erasing optically
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品、半導体装置を塔載する電子部品塔
載用パッケージの構造に関する。
載用パッケージの構造に関する。
従来の技術
たとえば、情報消去可能型半導体記憶素子を塔載するた
めのプラスチック型パッケージでは、本体側は半導体記
憶素子が搭載しうる大きさの空洞を設けて、空洞部の底
面には、半導体記憶素子を接合するダイパッド部とパッ
ケージ外部と半導体記憶素子の間での電気信号の伝達を
行うだめのリード線接続用インナーリード先端部を露出
させている。この場合、ダイパッド部とインナーリード
先端部の表面は、金や銀の薄いメッキ層またはアルミニ
ウムのクラッド層が施されておシ、ダイパッド部に銀ペ
ーストや鉛〜錫ハンダ等で半導体記憶素子が塔載され、
半導体記憶素子の入出力信号端子とインナーリード先端
のメッキ部は、金やア3 ベー/ ルミニウムやパラジウムからなる細線で接続さね。
めのプラスチック型パッケージでは、本体側は半導体記
憶素子が搭載しうる大きさの空洞を設けて、空洞部の底
面には、半導体記憶素子を接合するダイパッド部とパッ
ケージ外部と半導体記憶素子の間での電気信号の伝達を
行うだめのリード線接続用インナーリード先端部を露出
させている。この場合、ダイパッド部とインナーリード
先端部の表面は、金や銀の薄いメッキ層またはアルミニ
ウムのクラッド層が施されておシ、ダイパッド部に銀ペ
ーストや鉛〜錫ハンダ等で半導体記憶素子が塔載され、
半導体記憶素子の入出力信号端子とインナーリード先端
のメッキ部は、金やア3 ベー/ ルミニウムやパラジウムからなる細線で接続さね。
ている。この状態で、空洞部の蓋に用いる石英ガラスも
しくはプラスチックと熱膨張率が近いアルミナガラスが
空洞部にはめ適寸れ、空洞部側壁プラスチック面とガラ
ス側壁面とが接着剤で接着される。そして接着剤が、加
熱または光照射°等によって硬化し、空洞部の気密が得
られる。このようにして従来の中空型プラスチックパッ
ケージが達成される。
しくはプラスチックと熱膨張率が近いアルミナガラスが
空洞部にはめ適寸れ、空洞部側壁プラスチック面とガラ
ス側壁面とが接着剤で接着される。そして接着剤が、加
熱または光照射°等によって硬化し、空洞部の気密が得
られる。このようにして従来の中空型プラスチックパッ
ケージが達成される。
発明が解決しようとする問題点
従来構造のプラスチック型パッケージは、空洞部の蓋に
石英やアルミナ等の高価なガラス材ネ」を必要とし、ま
たそれらの接着にはパッケージを構成している本体や蓋
のプラスチックやガラスと異る接着剤を用いており、そ
の接着部での熱膨張係数の差から耐熱サイクル疲労性や
耐湿性等の信頼性に問題があった。
石英やアルミナ等の高価なガラス材ネ」を必要とし、ま
たそれらの接着にはパッケージを構成している本体や蓋
のプラスチックやガラスと異る接着剤を用いており、そ
の接着部での熱膨張係数の差から耐熱サイクル疲労性や
耐湿性等の信頼性に問題があった。
問題点を解決するだめの手段
本発明では、前面の問題を解決すべく、パッケージの本
体と蓋をプラスチックで構成し、プラスチックには熱可
塑性プラスチックを用い、蓋側にはポリカーボネートや
アクリル等の耐熱々可塑性透明プラスチックを用いる。
体と蓋をプラスチックで構成し、プラスチックには熱可
塑性プラスチックを用い、蓋側にはポリカーボネートや
アクリル等の耐熱々可塑性透明プラスチックを用いる。
さらに、ノ々ツケージの本体と蓋は、接合部を超音波溶
融接着法で接着する。こわ2により」−記問題は解決で
きる。
融接着法で接着する。こわ2により」−記問題は解決で
きる。
作用
パッケージを構成する本体及び蓋に熱可塑性プラスチッ
クを用いることで、機械的振動による接合部の溶融化接
着が可能となる。さらに接着のだめのプラスチック発熱
は部分的で、・くツケージ内、部に塔載した半導体素子
に殆んど熱を伝えることなく、本構造が達成できる。
クを用いることで、機械的振動による接合部の溶融化接
着が可能となる。さらに接着のだめのプラスチック発熱
は部分的で、・くツケージ内、部に塔載した半導体素子
に殆んど熱を伝えることなく、本構造が達成できる。
実施例
以下に本発明の実施例を撮像半導体素子1用中空型プラ
スチツクパツケージの構造を例にとって第1図と第2図
を参照し々から説明する。
スチツクパツケージの構造を例にとって第1図と第2図
を参照し々から説明する。
中空型パッケージは、本体2と蓋3から構成されており
、本体2はポリフェニルサルファーからなる熱可塑性プ
ラスチック(以下PPS樹脂と記す)で、蓋3はポリカ
ーボネート(以下、PCC50ページ 脂と記す)やアクリル(以−j、hL樹脂と記す)等の
ような可視光透過性の熱可塑性プラスチックを用いる。
、本体2はポリフェニルサルファーからなる熱可塑性プ
ラスチック(以下PPS樹脂と記す)で、蓋3はポリカ
ーボネート(以下、PCC50ページ 脂と記す)やアクリル(以−j、hL樹脂と記す)等の
ような可視光透過性の熱可塑性プラスチックを用いる。
中空パッケージの本体2は半導体素子1が塔載でき、さ
らに本体2中に埋め込まれたリードフレーム4のインナ
ーリード5と半導体素子1との間を金属細線6で接続す
る作業が出来る程度の大きさの矩形の窪み穴7を設ける
。この窪み穴7の底面は、半導体素子塔載部8とインナ
ーリード5の先端部表面が、pps樹脂と同一平面に露
出している。ここで使用するリードフレーム4の材質は
、鉄−ニッケル合金(42アロイ)やコバールや銅合金
を用いる。
らに本体2中に埋め込まれたリードフレーム4のインナ
ーリード5と半導体素子1との間を金属細線6で接続す
る作業が出来る程度の大きさの矩形の窪み穴7を設ける
。この窪み穴7の底面は、半導体素子塔載部8とインナ
ーリード5の先端部表面が、pps樹脂と同一平面に露
出している。ここで使用するリードフレーム4の材質は
、鉄−ニッケル合金(42アロイ)やコバールや銅合金
を用いる。
そして、リードフレーム4が窪み穴7の底面に露出する
部分の表面(インナーリード5の表面)は、0.5〜3
μm程度の厚みの金や銀のメッキもしくはアルミニウム
箔をクラッドした表面加工層9を形成する。半導体素子
1の入出力信号端子部である主としてアルミニウムから
なるポンディングパッド1oと表面加工層9との電気的
接続は、アルミニウム、金あるいはパラジウムからなる
金6 ページ 属細線6を用いて、超音波ボンディングや熱圧着ボンデ
ィングによって行う。
部分の表面(インナーリード5の表面)は、0.5〜3
μm程度の厚みの金や銀のメッキもしくはアルミニウム
箔をクラッドした表面加工層9を形成する。半導体素子
1の入出力信号端子部である主としてアルミニウムから
なるポンディングパッド1oと表面加工層9との電気的
接続は、アルミニウム、金あるいはパラジウムからなる
金6 ページ 属細線6を用いて、超音波ボンディングや熱圧着ボンデ
ィングによって行う。
さらに、中空型パッケージの窪み穴7の全周囲には適当
な幅と厚みのフランジ型形状部11を設け、その上面全
周はV+Uや角型の溝12を50〜200μmの深さに
形成する。
な幅と厚みのフランジ型形状部11を設け、その上面全
周はV+Uや角型の溝12を50〜200μmの深さに
形成する。
つぎに、蓋3は先に述べたAL樹脂やpc樹脂のような
可視光透過性の透明樹脂で、本体2のフランジ型形状部
11と同一寸法に射出や押し出し法で平板状に成形する
。そして蓋3の接合部全周には、本体2のフランジ地形
状部11表面の溝12と一致する位置に、■形、U形な
いしは角型の凸形壁13を、1oO〜30oItmの高
さに形成する。
可視光透過性の透明樹脂で、本体2のフランジ型形状部
11と同一寸法に射出や押し出し法で平板状に成形する
。そして蓋3の接合部全周には、本体2のフランジ地形
状部11表面の溝12と一致する位置に、■形、U形な
いしは角型の凸形壁13を、1oO〜30oItmの高
さに形成する。
そして本体2と蓋3との互いの接合部を対向させ、平板
周囲の凸形壁13がフランジ溝12にはまり込むように
する。
周囲の凸形壁13がフランジ溝12にはまり込むように
する。
この状態で、本体2を固定して蓋3側から超音波振動や
高周波誘導を加えて、平板周囲の凸形壁13を溶隔させ
、本体2フランジ溝12に溶着す7 ベー/ ることで、透明窓を有する中空型プラスチックパッケー
ジの気密封止を行う。
高周波誘導を加えて、平板周囲の凸形壁13を溶隔させ
、本体2フランジ溝12に溶着す7 ベー/ ることで、透明窓を有する中空型プラスチックパッケー
ジの気密封止を行う。
発明の効果
本発明によれば、次のような効果がある。
(1) パッケージ構成部品が安価である。
(2)パッケージが軽量である。
(3)本体と蓋の接続が溶着法であるため、気密性が高
い。
い。
(4)半導体EFROMや撮像素子など広い用途で適用
しうる。
しうる。
(5)部分加熱を用いるため、半導体素子への熱的影響
が少ない。
が少ない。
1・・・・・・半導体素子、2・・・・・・本体、3・
・・・・・蓋、4・・・・・・リードフレーム、5・・
・・・・インナーリード、6・・・・・・金属細線、7
・・・・・・窪み穴、8・・・・・半導体素子塔載部、
9・・・・・・表面加工層、1o・・・・・・ボンディ
ングパッド、11・・・・・・フランジ、12・・・・
・・フランジ溝、13・・・・・平板凸形壁。
・・・・・蓋、4・・・・・・リードフレーム、5・・
・・・・インナーリード、6・・・・・・金属細線、7
・・・・・・窪み穴、8・・・・・半導体素子塔載部、
9・・・・・・表面加工層、1o・・・・・・ボンディ
ングパッド、11・・・・・・フランジ、12・・・・
・・フランジ溝、13・・・・・平板凸形壁。
Claims (5)
- (1)本体及び蓋からなり、その蓋が平板からなること
を特徴とする電子部品塔載用パッケージ。 - (2)本体および蓋の接合部がV形、U形、直角を含む
多角形の1つ以上の溝および突起による嵌合構造を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子部
品塔載用パッケージ。 - (3)パッケージの本体はフランジ型形状を有し、且つ
本体と蓋の接合部が互に平行を維持していることを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の電子部
品塔載用パッケージ。 - (4)パッケージの本体または蓋のどちらか一方または
両者に予め金属製リードを挿入することを特徴とする特
許請求の範囲第1項、第2項または第3項記載の電子部
品塔載用パッケージ。 - (5)本体と蓋が、熱可塑性または熱硬化性樹脂からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項また
は第3項記載の電子部品塔載用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177162A JPS6237949A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 電子部品塔載用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177162A JPS6237949A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 電子部品塔載用パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237949A true JPS6237949A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16026262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177162A Pending JPS6237949A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 電子部品塔載用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237949A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09237901A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | S I I R D Center:Kk | 半導体装置 |
| US5977628A (en) * | 1992-12-18 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device mounted in resin sealed container |
| JP2016100484A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 株式会社 後島精工 | 半導体素子を収容するための半導体素子用容器 |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP60177162A patent/JPS6237949A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5977628A (en) * | 1992-12-18 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device mounted in resin sealed container |
| JPH09237901A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | S I I R D Center:Kk | 半導体装置 |
| JP2016100484A (ja) * | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 株式会社 後島精工 | 半導体素子を収容するための半導体素子用容器 |
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