JPS6237986A - 加工導電性回路基板とその補強法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規なる加工導電性回路基板とその新しい補強
法に関するものであって、その目的とするところはプリ
ント基板、フィルムコネクタ、配線板あるいはシートス
イッチ用などの精密な導電性回路図柄を有する基板を生
産し、産業用、工業用、日用品等の素材として市場に提
供せんとするものである。

〈発明の構成の詳細〉 導電性回路基板は従来、印刷法、フォトレジストエツチ
ング法、マスキング蒸着法、レーザーエツチング法ある
いは化学的溶解法等により作成されているのであるが、
精度、生産性、経済性あるいは技術面等における種々の
困難性がその各々について常に発現し、特に複雑な図柄
とか微細な図柄とかに至ってはいずれの公知の製造法を
とってみても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここにおい
て本発明者はこの欠点を一挙に解決するための新方法に
ついて永年にわたり研究を続行してきたが今般遂に割目
すべき本発明を完成するに至ったものである。

すなわち本発明者は、ヘテロ原子を含む導電性高分子に
よる回路図柄が電解重合法によってプラスチックス成形
物の面上に形成された導電性基板に無電解鍍金用混合物
を接触させ、該回路図柄の一部または全部を鍍金して得
ることを特徴とする加工導電性基板とかくして得られた
加工導電性基板を密着するフィルムで被覆することを特
徴とする加工導電性回路基板の補強法を発明したもので
ある。

ヘテロ原子を含む導電性高分子とはポリアニリン、核置
換ポアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポリナフチ
ルアミン、ポリアミノアンスラセン、核置換ポリアミノ
アンスラセン、ポリチオフェン、核置換ポリチオフェン
、ポリピロール、置換ポリピロール、ポリピラゾール、
置換ポリピラゾール、ポリイミダゾール、置換ポリイミ
ダゾール、ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾール、
ポリピリジン、核置換ポリピリジン、ポリジアジン、置
換ポリジアジン、ポリトリアジン、置換ポリトリアジン
、ポリオキサジン、置換ポリオキサジン、ポリベンゾチ
オフェン、置換ポリベンゾチオフェン、ポリベンゾピロ
ール、置換ポリベンゾピロール、ポリベンズピラゾール
、置換ポリベンズピラゾール、ポリベンズイミダゾール
、置換ポリベンズイミダゾール、ポリオキサジアゾール
、ポリチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置換ポリア
ゾベンゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリフタロシ
アニン、ポリカルバゾール、置換ポリカルバゾール、ポ
リキノリン、核置換ポリキノリン、ポリベンズオキサゾ
ール、置換ポリベンズオキサゾール、ポリテトラ（ナフ
チロ）テトラアザポルフィリンおよびポリテトラ（フェ
ナンスロ）テトラアザポルフィリンよりなる群より選ば
れた少なくとも一つの高分子化合物である。

プラスチックス成形物がポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、塩化ビニル系共重合体、ポリフッ化ビニル、ポ
リフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
ビニルカルバゾール、ポリエーテル、ポリエーテルエス
テル、塩素化ポリオレフィン、ポリアミドイミド、ポリ
エーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイ
ミド、ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群より選ば
れた少なくとも一つの高分子を基体とする膜、フィルム
、シートもしくは板である。

プラスチック成形物の面上に導電性高分子による回路図
柄を電解重合法によって形成する方法としては、例えば
、金属等の導電性物質で回路図柄が形成された積層物、
フィルムまたは基体を用いて、該金属等の回路図柄面に
プラスチックス薄板を密着させ、該プラスチック薄板に
対向する電極を設置して該薄板と該電極との間にヘテロ
原子を有する芳香族化合物、強電解質および活性水素原
子不含の極性有機溶剤よりなる電解液を充満させて、該
金属等の回路図柄と該電極との間に通電して電解し該薄
板上に回路図柄を形成せしめる方法がある。

このようにして形成された導電性基板に無電解鍍金用混
合物を接触させ、該回路図柄の一部または全部を鍍金す
る。

無電解鍍金用混合物とは例えば金、銀、銅、白金、ハラ
ジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケルおよびバナジ
ウムよりなる群から選ばれた少なくとも一つの金属の化
合物および還元剤等よりなる溶液もしくは混合物である
。

そもそも電解を要しない鍍金には溶解鍍金、浸透鍍金、
金属溶射、陰極スパッタリング、真空蒸着、化学鍍金お
よび浸漬鍍金という種類があるが、本発明において用い
られるものは化学鍍金を主としたものであり、その目的
を達成するために次のような無電解鍍金用混合物が用い
られる。例えばニッケル鍍金またはコバルト鍍金には酸
性浴とアンモニア性浴とがあり、その組成により以下の
如く各種の名称が付されている。

■ヒドロキシアセテート・ニッケル酸性浴ＮｉＣｌ□・
６Ｈ２０３０ｇ／Ｉ、 ＮａＨｚＰＯｚ・ＨｚＯ１０ｇ／ｌ、 ＨＯＣＨ２ＣＯＯＨ３５ｇ／Ｉ。

ＮａＯＨ中和量（ｐＨ４〜６）。

■チトレート・アセテート・ニッケル酸性浴ＮｉＣｌ２
・６Ｈｚ０　３０ｇ／ｌ。

ＮａＨｚＰＯｚ・ＨｚＯＬｏｇ／Ｉ、 Ｎ　ａ　ｚｃｂＨｓｏ７・５．５　Ｈ２０１５ｇ／　Ｉ
　。

ＣＨ３ＣＯＯＮ　ａ　　５　ｇ　／　＋　１ＮａＯＨ中
和！（ｐＨ４〜６）。

■ラクテート・プロピオネート・ニッケル酸性浴ＮｉＣ
ｌ２．６Ｈ２０２６ｇ／１１ ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２０２４ｇ／Ｌ ＣＨ３ＣＨＯＨＣＯＯＨ２７ｇ　／　Ｉ、Ｃ２Ｈ３ＣＯ
ＯＨ２，２ｇ／ｌ、 Ｐｂ”　　０．００２ｇ／Ｉ、 ＮａＯＨ中和量（ｐＨ４〜６）。

■フルオライド・ニッケル酸性浴 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０３０ｇ／Ｉ。

ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２０３０ｇ／ｌ、 ＮＨ４Ｆ　　１５ｇ／ｌ、 ＮａＯＨ適量（ｐＨ６〜７）。

■チトレート・ニッケルアンモニア性浴Ｎ１ＣＩｚ・６
Ｈ，０３０ｇ／ｌ。

Ｎａ　Ｈ２ＰＯｚ・Ｈｚｏ　　１０　ｇ／］、Ｎ　ａ　
３　Ｃｂ　Ｈｓ○ｔ・５．５　Ｈ２０１００ｇ／　１１
ＮＨａＣＩ　　５０　ｇ　／　１、 ＮＨ４ＯＨ中和量（ｐＨ８〜１０）。

■ピロホスフェート・ニッケルアンモニア性浴ＮａＳＯ
４・６Ｈｚ０　２５ｇ／ｌ、　　　　１ＮａＨｚＰＯｚ
−Ｈ２０２５ｇ／Ｉ、 ＮａａＰｚＯ７５０ｇ／１１ ＮＨ，ＯＨ中和１Ｌ（ｐＨ１０〜１１）。

■チトレート・コバルトアンモニア性浴ＣＯＣｌ２・６
Ｈ２０３０ｇ／ｌ。

ＮａＨｚＰＯｚ−Ｈ２０２０ｇ／ｌ。

Ｎａ５ＣｂＨ５０，・５．５Ｈｚ０　３５ｇ／ｌ、ＮＨ
４Ｃ１５０ｇ／Ｉ、 ＮＨ，ＯＨ中和量（ｐＨ９〜１０）。

■ロッセル塩・コバルト・ニッケルアンモニア性浴 Ｎ　ｉ　Ｃ１２・６Ｌｇｏ　　　３０ｇ／ＬＣｏＣ１□
・６Ｈ２０３０ｇ／ｌ、 Ｎ　ａ　ＨｇＰ　Ｏ□・ＨｚＯ２０ｇ／　ｌ　。

ＮＨ４Ｃｌ　　　５０ｇ／ｌ。

ＣａＨ４ＫＮａＯ，、・４Ｈｚ０　　２００ｇ／ｌ、Ｎ
Ｈ４ＯＨ中和！（ｐＨ８〜１０）。

上側に示した如く無電解鍍金用混合物というのは主成分
として金属化合物と還元剤を含み、補助成分としてｐＨ
調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等を
含むものである。

無電解鍍金浴が酸性かアルカリ性かにかかわらず、還元
剤として広く用いられているものは次亜硫酸ナトリウム
、亜硫酸ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム、亜リン酸
、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ヒドラジン塩
、酒石酸、酒石酸塩、ブドウ糖、アミノボラン、グリセ
リン、Ｎ、Ｎ−ジエチルグリシンナトリウム、ホルマリ
ン等である。補助成分のうち、ｐＨ調整剤としては水酸
化ナトリウム、水酸化アンモニウム、無機酸、有機酸が
よく用いられており、緩衝剤としてはクエン酸ナトリウ
ム、酢酸ナトリウム、ホウ酸アルカリ、炭酸アルカリ、
リン酸アルカリ等が一般に用いられている。

錯化剤というのは鍍金浴から金属化合物が沈澱するのを
防止するために加えられるもので、好都合な金属錯体イ
オンを形成する試薬としてはクエン酸アルカリ、酢酸ア
ルカリ、グリコール酸アルカリ、シアン化アルカリ、酒
石酸アルカリ、チオグリコール酸、チオ尿素、アンモニ
ア、ヒドラジン、トリエタノールアミン、エチレンジア
ミン、グリシン、０−アミノフェノール、ピリジン、エ
チレンジアミンテトラ酢酸等がある。

促進剤というのは鍍金を促進すると共にガスの発生を抑
えて金属の析出効率をよくするもので、硫化物とかフッ
化物が微量添加される。安定剤と言うのは鍍金浴の自然
分解（老化と不必要な還元）を抑えるもので鉛の塩化物
、硫化物、硝酸塩が微量用いられる。改良剤というのは
鍍金皮膜の状態を良好ならしめるもので、例えば光沢を
良くするために微量の界面活性剤が用いられている。

クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、コハク酸ナトリ
ウム、リンゴ酸、グリシン等は上記の緩衝剤、促進剤、
錯化剤の能力を兼ね備えた補助剤であり非常によく使用
される。

このような無電解鍍金用混合物を接触させることは導電
性基板を鍍金浴へ浸漬するか、導電性基板に鍍金浴を塗
布するか散布するかあるいは印刷するか等の操作により
達成される。この場合鍍金浴と接触する部分は多くても
少なくてもよくその適用範囲は用途に応じ決定されるべ
きである。

ヘテロ原子を含む導電性高分子による回路図柄が形成さ
れている導電性基板に以上の無電解鍍金用混合物を接触
させた場合にはプラスチックス成形物の表面が前処理に
よって活性化されていない限り鍍金化は回路図柄の部分
に通常集中して起こり、回路図柄以外の部分は洗浄等に
より鍍金が脱落してしまうのが常である。この効果はプ
ラスチックス成形物の表面が撥水性または撥液性である
場合に著しい。従ってプリント配線基板のスルーホール
上に鍍金するためにはこの部分に不必要なＩΩ水性とか
撥液性が生じないようこの部分のみ活性化前処理を行っ
ておく必要がある。

この活性化前処理は例えばトリクレン洗浄、アルカリ脱
脂、水洗、酸洗、塩化パラジウム液含浸、塩化第一スズ
液含浸等を常法の如く行うのが好まれる。

以上の方法を通じて得られた加工導電性回路基板は所定
の部分のみ鍍金されてはいるが、無電解鍍金よって得ら
れた鍍金膜は一般に非常に薄いものでありその厚さは１
０μｍ以下であるため物理的に、機械的に充分な強度を
有しているとは言い難い場合もあるのである。

このため本発明者は加工導電性基板を密着するフィルム
で被覆して補強することにより実用的に充分な強度を有
せしめるよう工夫したのである。

この密着するフィルムで被覆することは基板にブラスチ
ソクスフィルムをラミネートするか、プラスチックスを
含む塗料またはインキを塗布或いは印刷するか等の方法
によって達成し得るものである。勿論この際、基板との
密着を強化するために適当な接着剤を起用するのもよい
し又加圧、加熱等を用いてやっても良いのである。更に
この密着を完全ならしめるため基板に用いたプラスチッ
クスと相溶性の良いプラスチックスとか反応するプラス
チックスを用いて基板と一体化してしまうことは極めて
有効である。

基板に用いるプラスチックスがポリエステルフィルムで
ある場合にはこれに同種又は他のプラスチックスを密着
させる場合、ポリビニル系、ポリアクリル系又はポリウ
レタン系等の接着剤を必要とするが、ポリ塩化ビニルフ
ィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィ
ルム、ポリアミドフィルム或いはポリアクリル系フィル
ムである場合にはこれと同種又は他のプラスチックスを
密着させることが容易であるので比較的少量の接着剤と
か可塑剤の存在下で或いは何物も存在させずに所望のプ
ラスチックス溶液を塗布したり、プラスチックスフィル
ムを単に熱圧着するだけで目的が達せられる。いずれに
せよ、以上のような補強性を採用することにより導電性
回路が必要部分だけ外気と遮断されて安定化することは
勿論、折り曲げとか撓み曲げに対して強くなりフィルム
コネクタとかプリント基板として過酷な使用に耐えるこ
とになるのである。勿論このようにして導電性が改善さ
れた基板に対して更に三次加工、四次加工が施され商品
価値の高い製品に仕上げることができる。

本発明者は以上に述べてきた本発明に関して多数の実施
を行い本発明の新規性と優秀性を確認したのであるが、
更に本発明の技術的内容を明確にするために多数の実施
例より代表的な二三例を抽出して以下に実施例として示
すことにする。従って本発明は単に以下に示された実施
例のみに限定して解釈されるべきではなく、本発明の趣
旨と精神とを逸脱せざる限り任意にその実施態様を変更
して実施しうろことは当然である。

〈実施例〉 実施例１ 厚さＩＲのポリプロピレンシーＩ・と厚さ０．５ｍｌの
ニッケル板とを交互に５０層ずつ積層し、この積層物の
上下を厚手の不飽和ポリエステル樹脂系ＦＲＰ板ではさ
みボルトおよびナンドを用いて正味の積層部分の厚さが
６８〜７２℃ｍになるように同圧して固着物にする。そ
してこの積層固着物を積層方向に対して垂直（９０°）
または垂直に近い角度（８０°）に切断する。切断面は
サンドペーパ一ついでパフ掛けして研磨し、アセトン洗
浄して乾燥し完全に清潔にする。この切断面に高重合度
の精製ポリ塩化ビニルを溶剤（テトラヒト０フラン９０
％＋シクロヘキサノン１０％）に溶かした７％溶液を清
浄室内で塗布し、乾燥空気を送って溶剤を除去し、厚さ
０．３１１１１のポリ塩化ビニルのフィルムを形成させ
る。この積層物のニッケル板を陽極とし、一方切断面積
よりやや広い面積を有するニッケル板を陰極として陽極
より約２ｃｍの間隙をあけて対向設置する。これを電解
液を満たしたデシケータ−中に沈め減圧脱気したのち通
電する。電解液はテトラプロピルアンモニウムバークロ
レート０．２モル、ビロール０．１モルをプロピレンカ
ーボネートーアセトニリル混液（１：１）Ｉｎ！に溶解
した組成を有し温度は−１５〜−５℃に保たれている。

通電は２■、０．６ｍＡ／　ｃｔで数時間行なう。この
操作時間中においてポリ塩化ビニルフィルムの切断面に
接した側にニッケル陽極の線状面の図形と同じ図柄の回
路が形成され、この回路が次第に強化されてくるのが観
察されるので、通電を終了したのち電極等を引き上げて
アセトン中に浸漬して充分に洗浄し乾燥したのち、切断
面からポリ塩化ビニルのフィルムを剥離する。剥離した
フィルムには切断面にあられれたニッケル線状面と垂直
切断したものは同じような太さの回路図柄が形成されて
おり、また垂直に近い角度で切断したものはやや太めの
回路図柄が形成されている。いずれにせよここに得られ
たポリピロールよりなる回路図柄はσ−１５〜２０Ｓ／
ｃｍであるが、このフィルムをＫＰＦ６を飽和したアセ
トニトリル溶液中で加湿して（２０％）延伸したのち、
アセトンで洗浄して乾燥するとドーピングと延伸の効果
によりσ−２５〜３０Ｓ／ｅ１１に変化することが認め
られた。

実施例２ 実施例１で得られた回路図柄の形成された導電性基板面
に次に示すＡ液を塗布して冷暗所に１時間保存した後余
分のＡ液を拭き取り、次いでこの面に次に示すＢ液を含
浸させたポリビニルホルマールスポンジシートを重ねて
２枚のガラス板ではさんで１５〜２０℃で２０分間保っ
た後スポンジシートを除去して基板面を充分水洗し乾燥
すると最初の回路図柄の部分のみ美しい銀鍍金が完成さ
れた加工導電性回路基板が得られた。

Ａ液：硝酸銀３．５ｇを水６０ｍ１に溶解し、これにア
ンモニア水を加えて沈澱を作り、更にこの沈澱が溶解す
るに足るアンモニア水を添加した後水酸化ナトリウム水
溶液（ＮａＯＨ２，５ｇ含有）６０ｍｌを混合したもの
。

Ｂ液ニブドウ糖４５ｇ１酒石酸４ｇ１アルコール１００
ｍ１を水１０１００Ｏに溶解したもの。

実施例３ 実施例２で得られた加工導電性回路基板面に実施例１に
示したポリ塩化ビニル溶液を塗布して乾燥空気を送って
乾燥後、７０℃において加圧して成形してやると銀鍍金
された導電性回路がサンドインチ状にはさまれた補強さ
れた加工導電性回路基板になる。このものを所定の形に
切断し回路の導電性を測定したところρ＝１．６Ｘ１０
−６ΩＧであった。

実施例４ ポリエチレンテレフタレートに金を真空蒸着したフィル
ムを何枚も重ね合わせたのち、硬質塩化ビニル樹脂板で
両端面をはさんでボルトおよびナツトを用いて締めつけ
て固着させる。この積層フィルムの垂直切断面に旋盤バ
イトを用いて切削を行い、その面を曲面状にしてパフ掛
けを行って滑らかにした上、メタノール洗浄して乾燥す
る。ついでこの曲面切断面に高重合度のポリアクリロニ
トリルの２０％ジメチルホルムアミド溶液を塗布し清浄
室内で乾燥し厚さがＱ、５ｍｍのポリアクリロニトリル
のフィルムを形成させる。この半球状のフィルムから３
ｃｍ離して球状の黒鉛電極を対向させたのち電解液中に
つけて金を陽極、黒鉛を陰極として２０　Ｖ、　　２０
ｍＡ／ｃｒｌ＋の通電を０℃で６時間行なう。電解液は
チオフェン０．１モルおよび過塩素酸リチウム１モルを
アセトニトリル−メチル−１，３−ジオキソラン混液（
２：１）１ρに溶解した組成を有している。電解終了後
、電極等を電解槽より引き上げ、さらにメチル−１，３
−ジオキソラン中に浸漬して充分洗浄したのち、乾燥す
ることなく注意してポリアクリロニトリルのフィルムを
曲面切断面より剥離し、曲面状のゴムスポンジ上に載置
して減圧乾燥する。ここに得られた曲面状のポリアクリ
ロニトリルの曲面切断面側つまり凸面上にポリエチレン
テレフタレートに埋めこまれた金線と同型、同数の回路
図柄が導電性のポリチオフェン（ρ−５ＯＳ　／ｃｍ）
で細かく再現されている。この方法は球面回路基板を得
る例であるが、金蒸着したポリエチンテレフタレート・
フィルムを別の積層形式、例えば渦巻状、指紋状あるい
は波状に変えた積層物を用いて切断面をつくってやり上
記と同様に操作すれば、その積層の形と切断面の形に応
する各種の回路図柄を有する基板が得られる。

実施例５ 実施例４で得られた回路図柄の形成された導電性基板を
次に示すＡ液とＢ液との１：３混液に浸漬すると最初の
回路図柄の部分のみ銅鍍金されるのでこれを水洗乾燥す
ると美しい加工導電性回路基板が得られた。

Ａ液：水１１に硫酸銅１４ｇ及び塩化二・シケル４ｇｆ
ｉ：溶解しこれに３７％ホルマリン５３ｍ１を添加した
もの。

Ｂ液：酒石酸カリウムナトリウム４５．５ｇ、水酸化ナ
トリウム９．０ｇ、及び炭酸ナトリウム４．２ｇを水Ｉ
βに溶解したもの。

この場合鋼はニッケルに比べて標準単極電位が＋０．３
３４Ｖであり、還元力の弱いホルマリンでも容易に銅が
析出し回路を形成するのである。

実施例６ 実施例５で得られた加工導電性回路基板面に実施例４で
示したポリアクリロニトリル溶液を塗布し乾燥したもの
は曲面状の銅鍍金された導電性回路がサンドインチ状に
はさまれた補強された加工導電性回路基板であり、この
ものは回路部分の導電性がρ−１．５ｘｌＯ−６Ωｃｍ
で耐候性が非常に良かった。

実施例７ 実施例４においてチオフェンの半量をピロールに置き換
え、同じように操作するとポリチオフェンのかわりにポ
リ　（チオフェン・ピロール）の導電性回路（σ−２５
Ｓ／（至））が得られた。また実施例４のチオフェンを
各種のモノマーに置き換え電解反応を用いてそれぞれに
相当するポリマーにより図柄の描かれた回路基板を得る
ことができる。

モノマーの種類と得られた回路図柄部分の導電性は次表
のとおりであった。

実施例８ 実施例７の表に示したβ、β′　−ジメチルピロールか
ら得られた図柄を有する導電性回路基板を次表の３種の
ニッケル鍍金浴■〜■に２〜３時間浸漬してニッケル鍍
金する。

■〜■のいずれのニッケル鍍金浴を用いても回路図柄が
美しくニッケル鍍金された加工導電性回路基板が得られ
た。

実施例９ 実施例７の表に示したアニリンから得られた図柄を有す
る導電性回路基板を次表の２種のニッケル鍍金浴■、■
に１時間浸漬してニッケル鍍金する。

■、■のいずれのニッケル鍍金浴を用いても回路図柄が
美しくニッケル鍍金された加工導電性回路基板が得られ
た。

実施例１０ 実施例９で得られた加工導電性回路基板面にポリビニル
エチルエーテル系接着剤溶液を薄く塗布して乾燥したの
ちセルローズトリアセテートフィルムを圧着してラミネ
ート化して補強したものは、その回路部分の導電性がρ
−７Ｘ１０−６Ω（２）でフィルムコネクタとして非常
に使い易いものである。

実施例１１ 実施例７で得られたフタロシアニン、１−メチルイミダ
ゾール及びビニルピリジンから得られたそれぞれのポリ
マーによる図柄を有する導電性回路基板を次表の非電解
鍍金液に浸漬して加工導電性回路基板とした。

実施例１２ 厚さ１０ｔｍのポリエチレン板と厚さＯ，ｌｔｍの白金
板とを交互に重層したのち、実施例１と同様に固着して
ブロックにし、この積層物を垂直切断してこの面に次表
に示すプラスチ・ノクスを溶剤（クロロヘンゼン、イソ
ホロン、フェノールまたはジメチルホルムアミド）に溶
解したものを塗布し乾燥して厚さ１０μｍのフィルムを
均一に形成させ、この上に糊状の電解液を塗布する。こ
の電解液はアセトニトリル６０％、プロピレンカーボネ
ート２０％およびジメトキシエタン２０％の混液にＬｉ
ＰＦ６を１規定液となるよう溶解し、さらにビロールを
０．５規定になるよう溶解した後エアロゾルシリカを加
えてペースト状にしたものである。塗布量は３ｆｉの厚
さであり、その上に対極となる厚さ１１１のアルミニウ
ム板を置き、電解液部分が空気に触れないよう厚手のプ
ラスチックス・テープで目張りをしたのち３Ｖ、１ｍＡ
／ａｆｌの通電を行なう。この実験では電解液部分に空
気が入ったり空間ができたりさせないことで、また吸湿
しないよう乾燥室内でセントすることが必要である。２
０分間通電すると１０μｍのフィルム上に積層物の切断
面の白金板に接した部分にのみポリピロールが析出して
くる。極く薄いポリピロールは無色であるが厚くなると
共に着色し最終的には暗色〜黒色を呈するようになる。

次表にプラスチックス・フィルム面にできた回路図柄の
導電性を示そう。

実施例１３ 実施例１２において得られたポリ塩化ビニリデン基板上
に画かれた回路図柄面上に合液（塩化金１０ｇ、食塩５
ｇ、水８００ｍ１）を塗布して、充分含浸させたのち余
分の合液を回収する。次いで還元液（酒石酸２２．５ｇ
、水酸化ナトリウム３００ｇ、ｘタノール３８０ｍ１、
水６００ｍ１）を基板上にスプレーし室温で放置してお
くと回路図柄部分に金が鍍金されるので基板を充分水洗
し乾燥する。このように一般に貴金属である白金、金、
パラジウム等はその塩の溶液から弱還元剤によって所望
の金属を容易に析出し、これが導電性回路図柄に良く付
着する。弱還元剤としては酒石酸の他に、ホルマリン、
ブドウ糖、グリセリン等も用いられるが、勿論次亜リン
酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン等
の種水溶液でも使用できる。

実施例１４ 実施例１２で得られた導電性基板を実施例１３の如き方
法で金もしくは白金を部分鍍金した後に水洗、乾燥する
。この面上に酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体をシンナ
ーに溶かしたインキを薄く塗布、乾燥して鍍金部を補強
したものは、いずれも耐水性、耐屈折性に冨んでいる。

鍍金部分の導電性は比抵抗ρ＝２〜ｌｌＸｌ０−６Ωω
であり、得られた製品はプリント基板として用いられた
。

〈発明の効果〉 本発明は導電性回路基板とその導電性改善法に関するも
のであり、産業部品から日用品にわたる電気材料、電子
材料として有用な導電性基板を容易に且つ大量に生産す
る方式を明らかにしたものである。本発明によって得ら
れる導電性基板はその形態によってプリント基板、フィ
ルムコネクタ、配線板、シートスイッチ、フユーズ、セ
ンサー、および高密度回路等として利用できるものであ
り、その産業利用性は極めて大きいものである。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）ヘテロ原子を含む導電性高分子による回路図柄が
   電解重合法によってプラスチックス成形物の面上に形成
   された導電性基板に無電解鍍金用混合物を接触させ、該
   回路図柄の一部または全部を鍍金して得ることを特徴と
   する加工導電性基板。
2. （２）ヘテロ原子を含む導電性高分子がポリアニリン、
   核置換ポアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポリナ
   フチルアミン、ポリアミノアンスラセン、核置換ポリア
   ミノアンスラセン、ポリチオフェン、核置換ポリチオフ
   ェン、ポリピロール、置換ポリピロール、ポリピラゾー
   ル、置換ポリピラゾール、ポリイミダゾール、置換ポリ
   イミダゾール、ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾー
   ル、ポリピリジン、核置換ポリピリジン、ポリジアジン
   、置換ポリジアジン、ポリトリアジン、置換ポリトリア
   ジン、ポリオキサジン、置換ポリオキサジン、ポリベン
   ゾチオフェン、置換ポリベンゾチオフェン、ポリベンゾ
   ピロール、置換ポリベンゾピロール、ポリベンズピラゾ
   ール、置換ポリベンズピラゾール、ポリベンズイミダゾ
   ール、置換ポリベンズイミダゾール、ポリオキサジアゾ
   ール、ポリチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置換ポ
   リアゾベンゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリフタ
   ロシアニン、ポリカルバゾール、置換ポリカルバゾール
   、ポリキノリン、核置換ポリキノリン、ポリベンズオキ
   サゾール、置換ポリベンズオキサゾール、ポリテトラ（
   ナフチロ）テトラアザポルフィリンおよびポリテトラ（
   フェナンスロ）テトラアザポルフィリンよりなる群より
   選ばれた少なくとも一つの高分子化合物であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の加工導電性回路基
   板。
3. （３）プラスチックス成形物がポリ塩化ビニル、ポリ塩
   化ビニリデン、塩化ビニル系共重合体、ポリフッ化ビニ
   ル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド
   、ポリビニルカルバゾール、ポリエーテル、ポリエーテ
   ルエステル、塩素化ポリオレフィン、ポリアミドイミド
   、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミノビス
   マレイミド、ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群か
   ら選ばれた少なくとも一つの高分子を基体とする膜、フ
   ィルム、シートもしくは板であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の加工導電性回路基板。
4. （４）無電解鍍金用混合物が金、銀、銅、白金、パラジ
   ウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケルおよびバナジウ
   ムよりなる群から選ばれた少なくとも一つの金属の化合
   物および還元剤等よりなる溶液もしくは混合物であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の加工導電性
   回路基板。
5. （５）ヘテロ原子を含む導電性高分子による回路図柄が
   電解重合法によってプラスチックス成形物の面上に形成
   された導電性基板に無電解鍍金用混合物を接触させ、該
   回路図柄の一部または全部を鍍金して得られる加工導電
   性基板を密着するフィルムで被覆することを特徴とする
   加工導電性回路基板の補強法
6. （６）ヘテロ原子を含む導電性高分子がポリアニリン、
   核置換ポアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポリナ
   フチルアミン、ポリアミノアンスラセン、核置換ポリア
   ミノアンスラセン、ポリチオフェン、核置換ポリチオフ
   ェン、ポリピロール、置換ポリピロール、ポリピラゾー
   ル、置換ポリピラゾール、ポリイミダゾール、置換ポリ
   イミダゾール、ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾー
   ル、ポリピリジン、核置換ポリピリジン、ポリジアジン
   、置換ポリジアジン、ポリトリアジン、置換ポリトリア
   ジン、ポリオキサジン、置換ポリオキサジン、ポリベン
   ゾチオフェン、置換ポリベンゾチオフェン、ポリベンゾ
   ピロール、置換ポリベンゾピロール、ポリベンズピラゾ
   ール、置換ポリベンズピラゾール、ポリベンズイミダゾ
   ール、置換ポリベンズイミダゾール、ポリオキサジアゾ
   ール、ポリチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置換ポ
   リアゾベンゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリフタ
   ロシアニン、ポリカルバゾール、置換ポリカルバゾール
   、ポリキノリン、核置換ポリキノリン、ポリベンズオキ
   サゾール、置換ポリベンズオキサゾール、ポリテトラ（
   ナフチロ）テトラアザポルフィリンおよびポリテトラ（
   フェナンスロ）テトラアザポルフィリンよりなる群より
   選ばれた少なくとも一つの高分子化合物であることを特
   徴とする特許請求の範囲第５項記載の加工導電性回路基
   板の補強法。
7. （７）プラスチックス成形物がポリ塩化ビニル、ポリ塩
   化ビニリデン、塩化ビニル系共重合体、ポリフッ化ビニ
   ル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアミド
   、ポリビニルカルバゾール、ポリエーテル、ポリエーテ
   ルエステル、塩素化ポリオレフィン、ポリアミドイミド
   、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミノビス
   マレイミド、ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群よ
   り選ばれた少なくとも一つの高分子を基体とする膜、フ
   ィルム、シートもしくは板であることを特徴とする特許
   請求の範囲第５項記載の加工導電性回路基板の補強法。
8. （８）無電解鍍金用混合物が金、銀、銅、白金、パラジ
   ウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケルおよびバナジウ
   ムよりなる群から選ばれた少なくとも一つの金属の化合
   物および還元剤等よりなる溶液もしくは混合物であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の加工導電性
   回路基板の補強法。