JPH0320077B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

＜産業上の利用分野＞ 本発明は新規なる加工導電性回路基板とその新
しい補強法に関するものであつて、その目的とす
るところはプリント基板、フイルムコネクタ、配
線板あるいはシートスイツチ用などの精密な導電
性回路図柄を有する基板を生産し、産業用、工業
用、日用品等の素材として市場に提供せんとする
ものである。 ＜発明の構成の詳細＞ 導電性回路基板は従来、印刷法、フオトレジス
トエツチング法、マスキング蒸着法、レーザーエ
ツチング法あるいは化学的溶解法等により作成さ
れているのであるが、精度、生産性、経済性ある
いは技術面等における種々の困難性がその各々に
ついて常に発現し、特に複雑な図柄とか微細な図
柄とかに至つてはいずれの公知の製造法をとつて
みても精密、美麗な品質の良い製品を定常的に製
造し難いという欠点を有しているのである。ここ
において本発明者はこの欠点を一挙に解決するた
めの新方法について永年にわたり研究を続行して
きたが今般遂に刮目すべき本発明を完成するに至
つたものである。 すなわち本発明者は、ヘテロ原子を含む導電性
高分子による電解重合体からなる回路図柄層がプ
ラスチツクス成形物中に混入されており、前記回
路図柄層上に無電解鍍金による鍍金膜が積層され
ていることを特徴とする加工導電性回路基板、お
よび、導電性物質で回路図柄が形成された電極上
にプラスチツクス成形物を密着させる工程、プラ
スチツクス成形物を密着させた電極上で、ヘテロ
原子を含み導電性高分子による電解重合体をプラ
スチツクス成形物中に混入させることによりプラ
スチツクス成形物中に回路図柄層が形成された導
電性回路基板を製造する工程、電極から導電性回
路基板を剥離する工程、導電性回路基板に無電解
鍍金用混合物を接触させ回路図柄上に鍍金するこ
とにより導電性回路基板の回路図柄層上に鍍金膜
が形成された加工導電性回路基板を製造する工
程、加工導電性回路基板の鍍金膜が形成された面
に密着するフイルムで被覆する工程からなること
を特徴とする加工導電性回路基板の補強法を発明
したものである。 ヘテロ原子を含む導電性高分子とはポリアニリ
ン、核置換ポアニリン、ポリナフチルアミン、核
置換ポリナフチルアミン、ポリアミノアンスラセ
ン、核置換ポリアミノアンスラセン、ポリチオフ
エン、核置換ポリチオフエン、ポリピロール、置
換ポリピロール、ポリピラゾール、置換ポリピラ
ゾール、ポリイミダゾール、置換ポリイミダゾー
ル、ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾール、
ポリピリジン、置換ポリピリジン、ポリジアジ
ン、置換ポリジアジン、ポリトリアジン、核置換
ポリトリアジン、ポリオキサジン、置換ポリオキ
サジン、ポリベンゾチオフエン、置換ポリベンゾ
チオフエン、ポリベンゾピロール、置換ポリベン
ゾピロール、ポリベンズピラゾール、置換ポリベ
ンズピラゾール、ポリベンズイミダゾール、置換
ポリベンズイミダゾール、ポリオキサジアゾー
ル、ポリチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置
換ポリアゾベンゼン、ポリフタロシアニン、核置
換ポリフタロシアニン、ポリカルバゾール、置換
ポリカルバゾール、ポリキノリン、核置換ポリキ
ノリン、ポリベンズオキサゾール、置換ポリベン
ズオキサゾール、ポリテトラ（ナフチロ）テトラ
アザポルフイリンおよびポリテトラ（フエナンス
ロ）テトラアザポルフイリンよりなる群より選ば
れた少なくとも一つの高分子化合物である。 プラスチツクス成形物がポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、塩化ビニル系共重合体、ポリフ
ツ化ビニル、ポリフツ化ビニリデン、ポリエステ
ル、ポリアミド、ポリビニルカルバゾール、ポリ
エーテル、ポリエーテルエステル、塩素化ポリオ
レフイン、ポリアミドイミド、ポリエーテルスル
ホン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイミド、
ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群より選ば
れた少なくとも一つの高分子を基体とする膜、フ
イルム、シートもしくは板である。 プラスチツク成形物の面上に導電性高分子によ
る回路図柄を電解重合法によつて形成する方法と
しては、例えば、金属等の導電性物質で回路図柄
が形成された積層物、フイルムまたは基体からな
る電極を用いて、該金属等の回路図柄面にプラス
チツクス薄板を密着させ、該プラスチツク薄板に
対向する電極を設置して該薄板と該電極との間に
ヘテロ原子を有する芳香族化合物、強電解質およ
び活性水素原子不含の極性有機溶剤よりなる電解
液を充満させて、該金属等の回路図柄と該電極と
の間に通電して電解し該薄板上に回路図柄を形成
せしめる方法がある。 このようにして形成された導電性回路基板に無
電解鍍金用混合物を接触させ、該回路図柄の一部
または全部を鍍金する。 無電解鍍金混合物とは例えば金、銀、銅、白
金、パラジウム、クロム、鉄、コバルト、ニツケ
ルおよびバナジウムよりなる群から選ばれた少な
くとも一つの金属の化合物および還元剤等よりな
る溶液もしくは混合物である。 そもそも電解を要しない鍍金には溶解鍍金、浸
透鍍金、金属溶射、陰極スパツタリング、真空蒸
着、化学鍍金および浸漬鍍金という種類がある
が、本発明において用いられるものは化学鍍金を
主としたものであり、その目的を達成するために
次のような無電解鍍金溶混合物が用いられる。例
えばニツケル鍍金またはコバルト鍍金には酸性浴
とアンモニア性浴とがあり、その組成により以下
の如く各種の名称が付されている。 ヒドロキシアセテート・ニツケル酸性浴 NiCl₂・6H₂O 30ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
10ｇ／１、HOCH₂COOH 35ｇ／１、NaOH
中和量（PH４〜６）。 チトレート・アセテート・ニツケル酸性浴 NiCl₂・6H₂O 30ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
10ｇ／１、Na₃C₆H₅O₇・5.5H₂O 15ｇ／１、
CH₃COONa ５ｇ／１、NaOH中和量（PH４
〜６）。 ラクテート・プロピオネート・ニツケル酸性
浴 NiCl₂・6H₂O 26ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
24ｇ／１、CH₃CHOHCOOH 27ｇ／１、
C₂H₅COOH 2.2ｇ／１、Pb⁺⁺0.002ｇ／１、
NaOH中和量（PH４〜６）。 フルオライド・ニツケル酸性浴 NiSO₄・6H₂O 30ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
30ｇ／１、NH₄F 15ｇ／１、NaOH適量（PH
６〜７）。 チトレート・ニツケルアンモニア性浴 NiCl₂・6H₂O 30ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
10ｇ／１、Na₃C₆H₅O₇・5.5H₂O 100ｇ／１、
NH₄Cl 50ｇ／１、NH₄OH中和量（PH８〜
10）。 ピロホスフエート・ニツケルアンモニア性浴 NaSO₄・6H₂O 25ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
25ｇ／１、Na₄P₂O₇ 50ｇ／１、NH₄OH中和
量（PH10〜11）。 チトレート・コバルトアンモニア性浴 CoCl₂・6H₂O 30ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O
20ｇ／１、Na₃C₆H₅O₇・5.5H₂O 35ｇ／１、
NH₄Cl 50ｇ／１、NH₄OH中和量（PH９〜
10）。 ロツセル塩・コバルト・ニツケルアンモニア
性浴 NiCl₂・6H₂O 30ｇ／１、CoCl₂・6H₂O 30
ｇ／１、NaH₂PO₂・H₂O 20ｇ／１、NH₄Cl
50ｇ／１、C₄H₄KNaO₆・4H₂O 200ｇ／１、
NH₄OH中和量（PH８〜10）。 上例に示した如く無電解鍍金用混合物というの
は主成分として金属化合物と還元剤を含み、補助
成分としてPH調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、
安定剤、改良剤等を含むものである。 無電解鍍金浴が酸性かアルカリ性かにかかわら
ず、還元剤として広く用いられているものは次亜
硫酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、次亜リン酸
ナトリウム、亜リン酸、水素化ホウ素ナトリウ
ム、ヒドラジン、ヒドラジン塩、酒石酸、酒石酸
塩、ブドウ糖、アミノボラン、グリセリン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルグリシンナトリウム、ホルマリン等
である。補助成分のうち、PH調整剤としては水酸
化ナトリウム、水酸化アンモニウム、無機酸、有
機産がよく用いられており、緩衝剤としてはクエ
ン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、ホウ酸アルカ
リ、炭酸アルカリ、リン酸アルカリ等が一般に用
いられている。 錯化剤というのは鍍金浴から金属化合物が沈澱
するのを防止するために加えられるもので、好都
合な金属錯体イオンを形成する試薬としてはクエ
ン酸アルカリ、酢酸アルカリ、グリコール酸アル
カリ、シアン化アルカリ、酒石酸アルカリ、チオ
グリコール酸、チオ尿素、アンモニア、ビドラジ
ン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、
グリシン、ｏ−アミノフエノール、ピリジン、エ
チレンジアミンテトラ酢酸等がある。 促進剤というのは鍍金を促進すると共にガスの
発生を抑えて金属の析出効率をよくするもので、
硫化物とかフツ化物が微量添加される。安定剤と
言うのは鍍金浴の自然分解（老化と不必要な還
元）を抑えるもので鉛の塩化物、硫化物、硝酸塩
が微量用いられる。改良剤というのは鍍金皮膜の
状態を良好ならしめるもので、例えば光沢を良く
するために微量の界面活性剤が用いられている。 クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、コハク
酸ナトリウム、リンゴ酸、グリシン等は上記の緩
衝剤、促進剤、錯化剤の能力を兼ね備えた補助剤
であり非常によく使用される。 このような無電解鍍金用混合物を接触させるこ
とは導電性回路基板を鍍金浴へ浸漬するか、導電
性回路基板に鍍金浴を塗布するか散布するかある
いは印刷するか等の操作により達成される。この
場合鍍金浴と接触する部分は多くても少なくても
よくその適用範囲は用途に応じ決定されるべきで
ある。 ヘテロ原子を含む導電性高分子による回路図柄
が形成されている導電性回路基板に以上の無電解
鍍金用混合物を接触させた場合にはプラスチツク
ス成形物の表面が前処理によつて活性化されてい
ない限り鍍金化は回路図柄の部分に通常集中して
起こり、回路図柄以外の部分は洗浄等により鍍金
が脱落してしまうのが常である。この効果はプラ
スチツクス成形物の表面が撥水性または撥液性で
ある場合に著しい。従つてプリント配線基板のス
ルーホール上に鍍金するためにはこの部分に不必
要な撥水性とか撥液性が生じないようこの部分の
み活性化前処理を行つておく必要がある。 この活性化前処理は例えばトリクレン洗浄、ア
クカリ脱脂、水洗、酸洗、塩化パラジウム液含
浸、塩化第一スズ液含浸等を常法の如く行うのが
好まれる。 以上の方法を通じて得られた加工導電性回路基
板は所定の部分のみ鍍金されてはいるが、無電解
鍍金によつて得られた鍍金膜は一般に非常に薄い
ものでありその厚さは10μｍ以下であるため物理
的に、機械的に充分な強度を有しているとは言い
難い場合もあるのである。 このため本発明者は加工導電性回路基板を密着
するフイルムで被覆して補強することにより実用
的に充分な強度を有せしめるよう工夫したのであ
る。この密着するフイルムで被覆することは基板
にプラスチツクスフイルムをラミネートするか、
プラスチツクスを含む塗料またはインキを塗布或
いは印刷するか等の方法によつて達成し得るもの
である。勿論この際、基板との密着を強化するた
めに適当な接着剤を起用するのもよいし又加圧、
加熱等を用いてやつても良いのである。更にこの
密着を完全ならしめるため基板に用いたプラスチ
ツクスと相溶性の良いプラスチツクスとか反応す
るプラスチツクスを用いて基板と一体化してしま
うことは極めて有効である。 基板に用いるプラスチツクスがポリエステルフ
イルムである場合にはこれに同種又は他のプラス
チツクスを密着させる場合、ポリビニル系、ポリ
アクリル系又はポリウレタン系等の接着剤を必要
とするが、ポリ塩化ビニルフイルム、ポリスチレ
ンフイルム、ポリカーボネートフイルム、ポリア
ミドフイルム或いはポリアクリル系フイルムであ
る場合にはこれと同種又は他のプラスチツクスを
密着させることが容易であるので比較的少量の接
着剤とか可塑剤の存在下で或いは何物も存在させ
ずに所望のプラスチツクス溶液を塗布したり、プ
ラスチツクスフイルムを単に熱圧着するだけで目
的が達せられる。いずれにせよ、以上のような補
強性を採用することにより導電性回路が必要部分
だけ外気と遮断されて安定化することは勿論、折
り曲げとか撓み曲げに対して強くなりフイルムコ
ネクタとかプリント基板として過酷な使用に耐え
ることになるのである。勿論このようにして導電
性が改善された基板に対して更に三次加工、四次
加工が施され商品価値の高い製品に仕上げること
ができる。 本発明者は以上に述べてきた本発明に関して多
数の実施を行い本発明の新規性と優秀性を確認し
たのであるが、更に本発明の技術的内容を明確に
するために多数の実施例より代表的な二三例を抽
出して以下に実施例として示すことにする。従つ
て本発明は単に以下に示された実施例のみに限定
して解釈されるべきではなく、本発明の趣旨と精
神とを逸脱せざる限り任意にその実施態様を変更
して実施しうることは当然である。 ＜実施例＞ 実施例 １ 厚さ１mmのポリプロピレンシートと厚さ0.5mm
のニツケル板とを交互に50層ずつ積層し、この積
層物の上下を厚手の不飽和ポリエステル樹脂系
FRP板ではさみボルトおよびナツトを用いて正
味の積層部分の厚さが68〜72mmになるように固圧
して固着物にする。そしてこの積層固着物を積層
方向に対して垂直（90°）または垂直に近い角度
（80°）に切断する。切断面はサンドペーパーつい
でバフ掛けして研磨し、アセトン洗浄して乾燥し
完全に清潔にする。この切断面に高重合度の精製
ポリ塩化ビニルを溶剤（テトラヒドロフラン90％
＋シクロヘキサノン10％）に溶かした７％溶液を
清浄室内で塗布し、乾燥空気を送つて溶剤を除去
し、厚さ0.3mmのポリ塩化ビニルのフイルムを形
成させる。この積層物のニツケル板を陽極とし、
一方切断面積よりやや広い面積を有するニツケル
板を陰極として陽極より約２cmの間隙をおけて対
向設置する。これを電解液を満たしたデシケータ
ー中に沈め減圧脱気したのち通電する。電解液は
テトラプロピルアンモニウムパークロレート0.2
モル、ピロール0.1モルをプロピレンカーボネー
ト−アセトニリル混液（１：１）１に溶解した
組成を有し温度は−15〜−５℃に保たれている。
通電は2V、0.6ｍＡ／cm²で数時間行なう。この操
作時間中においてポリ塩化ビニルフイルムの切断
面に接した側にニツケル陽極の線状面の図形と同
じ図柄の回路が形成され、この回路が次第に強化
されてくるのが観察されるので、通電を終了した
のち電極等を引き上げてアセトン中に浸漬して充
分に洗浄し乾燥したのち、切断面からポリ塩化ビ
ニルのフイルムを剥離する。剥離したフイルムに
は切断面にあらわれたニツケル線状面と垂直切断
したものは同じような太さの回路図柄が形成され
ており、また垂直に近い角度で切断したものはや
や太めの回路図柄が形成されている。いずれにせ
よここに得られたポリピロールよりなる回路図柄
はδ＝15〜20S／cmであるが、このフイルムを
KPF₆を飽和したアセトニトリル溶液中で加湿し
て（20％）延伸したのち、アセトンで洗浄して乾
燥するとドーピングと延伸の効果によりδ＝25〜
30S／cmに変化することが認められた。 実施例 ２ 実施例１で得られた回路図柄の形成された導電
性基板面に次に示すＡ液を塗布して冷暗所に１時
間保存した後余分のＡ液を抜き取り、次いでこの
面に次に示すＢ液を含浸させたポリビニルホルマ
ールスポンジシートを重ねて２枚のガラス板では
さんで15〜20℃で20分間保つた後スポンジシート
を除去して基板面を充分水洗し乾燥すると最初の
回路図柄の部分のみ美しい銀鍍金が完成された加
工導電性回路基板が得られた。 Ａ液：硝酸銀3.5ｇを水60mlに溶解し、これに
アンモニア水を加えて沈澱を作り、更にこの沈澱
が溶解するに足るアンモニア水を添加した後水酸
化ナトリウム水溶液（NaOH2.5ｇ含有）60mlを
混合したもの。 Ｂ液：ブドウ糖45ｇ、酒石酸４ｇ、アルコール
100mlを水1000mlに溶解したもの。 実施例 ３ 実施例２で得られた加工導電性回路基板面に実
施例１に示したポリ塩化ビニル溶液を塗布して乾
燥空気を送つて乾燥後、70℃において加圧して成
形してやると銀鍍金された導電性回路がサンドイ
ツチ状にはさまれた補強された加工導電性回路基
板になる。このものを所定の形に切断し回路の導
電性を測定したところρ＝1.6×10^-6Ωcmであつ
た。 実施例 ４ ポリエチレンテレフタレートに金を真空蒸着し
たフイルムを何枚も重ね合わせたのち、硬質塩化
ビニル樹脂板で両端面をはさんでボルトおよびナ
ツトを用いて締めつけて固着させる。この積層フ
イルムの垂直切断面に旋盤バイトを用いて切削を
行い、その面を曲面状にしてバフ掛けを行つて滑
らかにした上、メタノール洗浄して乾燥する。つ
いでこの曲面切断面に高重合度のポリアクリロニ
トリルの20％ジメチルホルムアミド溶液を塗布し
清浄室内で乾燥し厚さが0.5mmのポリアクリロニ
トリルのフイルムを形成させる。この半球状のフ
イルムから３cm離して球状の黒鉛電極を対向させ
たのち電解液中につけて金を陽極、黒鉛を陰極と
して20V、20ｍＡ／cm²の通電を０℃で６時間行な
う。電解液はチオフエン0.1モルおよび過塩素酸
リチウム１モルをアセトニトリル−メチル−１，
３−ジオキソラン混液（２：１）１に溶解した
組成を有している。電解終了後、電極等を電解槽
より引き上げ、さらにメチル−１，３−ジオキソ
ラン中に浸漬して充分洗浄したのち、乾燥するこ
となく注意してポリアクリロニトリルのフイルム
を曲面切断面より剥離し、曲面状のゴムスポンジ
上に載置して減圧乾燥する。ここに得られた曲面
状のポリアクリロニトリルの曲面切断面側つまり
凸面上にポリエチレンテレフタレートに埋めこま
れた金線と同型、同数の回路図柄が導電性のポリ
チオフエン（ρ＝50S／cm）で細かく再現されて
いる。この方法は球面回路基板を得る例である
が、金蒸着したポリエレンテエレフタレート・フ
イルムを別の積層形式、例えば渦巻状、指紋状あ
るいは波状に変えた積層物を用いて切断面をつく
つてやり上記と像用に操作すれば、その積層の形
と切断面の形に応ずる各種の回路図柄を有する基
板が得られる。 実施例 ５ 実施例４で得られた回路図柄の形成された導電
性基板を次に示すとＡ液とＢ液との１：３混液に
浸漬すると最初の回路図柄の部分のみ銅鍍金され
るのでこれを水洗乾燥すると美しい加工導電性回
路基板が得られた。 Ａ液：水１に硫酸銅14ｇ及び塩化ニツケル４
ｇを溶解しこれに37％ホルマリン53mlを添加した
もの。 Ｂ液：酒石酸カリウムナトリウム45.5ｇ、水酸
化ナトリウム9.0ｇ、及び炭酸ナトリウム4.2ｇを
水１に溶解したもの。 この場合銅はニツケルに比べて標準単極電位が
＋0.334Vであり、還元力の弱いホルマリンでも
容易に銅が析出し回路を形成するのである。 実施例 ６ 実施例５で得られた加工導電性回路基板面に実
施例４で示したポリアクリロニトリル溶液を塗布
し乾燥したものは曲面状の銅鍍金された導電性回
路がサンドイツチ状にはさまれた補強された加工
導電性回路基板であり、このものは回路部分の導
電性がρ＝1.5×10^-6Ωcmで耐候性が非常に良かつ
た。 実施例 ７ 実施例４においてチオフエンの半量をピロール
に置き換え、同じように操作するとポリチオフエ
ンのかわりにポリ（チオフエン・ピロール）の導
電性回路（δ＝25S／cm）が得られた。また実施
例４のチオフエンを各種のモノマーに置き換え電
解反応を用いてそれぞれに相当するポリマーによ
り図柄の描かれた回路基板を得ることができる。 モノマーの種類と得られた回路図柄部分の導電
性は次表のとおりであつた。

【表】 実施例 ８ 実施例７の表に示したβ，β′−ジメチルピロー
ルから得られた図柄を有する導電性回路基板を次
表の３種のニツケル鍍金浴〜に２〜３時間浸
漬してニツケル鍍金する。

【表】 〜のいずれのニツケル鍍金浴を用いても回
路図柄が美しくニツケル鍍金された加工導電性回
路基板が得られた。 実施例 ９ 実施例７の表に示したアニリンから得られた図
柄を有する導電性回路基板を次表の２種のニツケ
ル鍍金浴、に１時間浸漬してニツケル鍍金す
る。

【表】 、のいずれのニツケル鍍金浴を用いても回
路図柄が美しくニツケル鍍金された加工導電性回
路基板が得られた。 実施例 10 実施例９で得られた加工導電性回路基板面にポ
リビニルエチルエーテル系接着剤溶液を薄く塗布
して乾燥したのちセルローズトリアセテートフイ
ルムを圧着してラミネート化して補強したもの
は、その回路部分の導電性がρ＝７×10^-6Ωcmで
フイルムコネクタとして非常に使い易いものであ
る。 実施例 11 実施例７で得られたフタロシアニン、１−メチ
ルイミダゾール及びビニルピリジンから得られた
それぞれのポリマーによる図柄を有する導電性回
路基板を次表の非電解鍍金液に浸漬して加工導電
性回路基板とした。

【表】 実施例 12 厚さ10mmのポリエチレン板と厚さ0.1mmの白金
板とを交互に重層したのち、実施例１と同様に固
着してブロツクにし、この積層物を垂直切断して
この面に次表に示すプラスチツクスを溶剤（クロ
ロベンゼン、イソホロン、フエノールまたはジメ
チルホルムアミド）に溶解したものを塗布し乾燥
して厚さ10μｍのフイルムを均一に形成させ、こ
の上に糊状の電圧液を塗布する。この電解液はア
セトニトリル60％、プロピレンカーボネート20％
およびジメトキシエタン20％の混合液にLiPF₆を
１規定液となるよう溶解し、さらにピロールを
0.5規定になるよう溶解した後エアロゾルシリカ
を加えてペースト状にしたものである。塗布量は
３mmの厚さであり、その上に対極となる厚さ１mm
のアルミニウム板を置き、電解液部分が空気に触
れないよう厚手のプラスチツクス・テープで目張
りをしたのち3V、１ｍＡ／cm²の通電を行なう。
この実験では電解液部分に空気が入つたり空間が
できたりさせないことで、また吸湿しないよう乾
燥室内でセツトすることが必要である。20分間通
電すると10μｍのフイルム上に積層物の切断面の
白金板に接した部分にのみポリピロールが析出し
てくる。極く薄いポリピロールは無色であるが厚
くなると共に着色し最終的には暗色〜黒色を呈す
るようになる。次表にプラスチツクス・フイルム
面にできた回路図柄の導電性を示そう。

【表】 実施例 13 実施例12において得られたポリ塩化ビニリデン
基板上に画かれた回路図柄面上に金液（塩化金10
ｇ、食塩５ｇ、水800ml）を塗布して、充分含浸
させたのち余分の金液を回収する。次いで還元液
（酒石酸22.5ｇ、水酸化ナトリウム300ｇ、エタノ
ール380ml、水600ml）を基板上にスプレーし室温
で放置しておくと回路図柄部分に金が鍍金される
ので基板を充分水洗し乾燥する。このように一般
に貴金属である白金、金、パラジウム等はその塩
の溶液から弱還元剤によつて所望の金属を容易に
析出し、これが導電性回路図柄に良く付着する。
弱還元剤としては酒石酸の他に、ホルマリン、ブ
ドウ糖、グリセリン等も用いられるが、勿論次亜
リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒ
ドラジン等の稀水溶液でも使用できる。 実施例 14 実施例12で得られた導電性基板を実施例13の如
き方法で金もしくは白金を部分鍍金した後に水
洗、乾燥する。この面上に酢酸ビニル・塩化ビニ
ル共重合体をシンナーに溶かしたインキを薄く塗
布、乾燥して鍍金部を補強したものは、いずれも
耐水性、耐屈折性に富んでいる。鍍金部分の導電
性は比抵抗ρ＝２〜11×10^-6Ωcmであり、得られ
た製品はプリント基板として用いられた。 ＜発明の効果＞ 本発明は加工導電性回路基板とその補強法に関
するものであり、産業部品から日用品にわたる電
気材料、電子材料として有用な導電性回路基板を
容易に且つ大量に生産する方式を明らかにしたも
のである。本発明によつて得られる補強された加
工導電性回路基板はその形態によつてプリント基
板、フイルムコネクタ、配線板、シートスイツ
チ、フユーズ、センサー、および高密度回路等と
して利用できるものであり、その産業利用性は極
めて大きいものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ヘテロ原子を含む導電性高分子による電解重
   合体からなる回路図柄層がプラスチツクス成形物
   中に混入されており、前記回路図柄層上に無電解
   鍍金による鍍金膜が積層されており、前記ヘテロ
   原子を含む導電性高分子がポリアニリン、核置換
   ポアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポリナ
   フチルアミン、ポリアミノアンスラセン、核置換
   ポリアミノアンスラセン、ポリチオフエン、核置
   換ポリチオフエン、ポリピロール、置換ポリピロ
   ール、ポリピラゾール、置換ポリピラゾール、ポ
   リイミダゾール、置換ポリイミダゾール、ポリト
   リアゾール、置換ポリトリアゾール、ポリピリジ
   ン、核置換ポリピリジン、ポリジアジン、置換ポ
   リジアジン、ポリトリアジン、置換ポリトリアジ
   ン、ポリオキサジン、置換ポリオキサジン、ポリ
   ベンゾチオフエン、置換ポリベンゾチオフエン、
   ポリベンゾピロール、置換ポリベンゾピロール、
   ポリベンズピラゾール、置換ポリベンズピラゾー
   ル、ポリベンズイミダゾール、置換ポリベンズイ
   ミダゾール、ポリオキサジアゾール、ポリチアジ
   アゾール、ポリアゾベンゼン、置換ポリアゾベン
   ゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリフタロシ
   アニン、ポリカルバゾール、置換ポリカルバゾー
   ル、ポリキノリン、核置換ポリキノリン、ポリベ
   ンズオキサゾール、置換ポリベンズオキサゾー
   ル、ポリテトラ（ナフチロ）テトラアザポルフイ
   リンおよびポリテトラ（フエナンスロ）テトラア
   ザポルフイリンよりなる群から選ばれた少なくと
   も一つの高分子化合物であることを特徴とする加
   工導電性回路基板。 ２ プラスチツクス成形物がポリ塩化ビニル、ポ
   リ塩化ビニリデン、塩化ビニル系共重合体、ポリ
   フツ化ビニル、ポリフツ化ビニリデン、ポリエス
   テル、ポリアミド、ポリビニルカルバゾール、ポ
   リエーテル、ポリエーテルエステル、塩素化ポリ
   オレフイン、ポリアミドイミド、ポリエーテルス
   ルホン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイミ
   ド、ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群から
   選ばれた少なくとも一つの高分子を基体とする
   膜、フイルム、シートもしくは板である特許請求
   の範囲第１項記載の加工導電性回路基板。 ３ 導電性物質で回路図柄が形成された電極上に
   プラスチツクス成形物を密着させる工程、プラス
   チツクス成形物を密着させた電極上で、ヘテロ原
   子を含む導電性高分子による電解重合体をプラス
   チツクス成形物中に混入させることによりプラス
   チツクス成形物中に回路図柄層が形成された導電
   性回路基板を製造する工程、電極から導電性回路
   基板を剥離する工程、導電性回路基板に無電解鍍
   金用混合物を接触させ回路図柄上に鍍金すること
   により導電性回路基板の回路図柄層上に鍍金膜が
   形成された加工導電性回路基板を製造する工程、
   加工導電性回路基板の鍍金膜が形成された面に密
   着するフイルムで被覆する工程からなり、前記ヘ
   テロ原子を含む導電性高分子がポリアニリン、核
   置換ポアニリン、ポリナフチルアミン、核置換ポ
   リナフチルアミン、ポリアミノアンスラセン、核
   置換ポリアミノアンスラセン、ポリチオフエン、
   核置換ポリチオフエン、ポリピロール、置換ポリ
   ピロール、ポリピラゾール、置換ポリピラゾー
   ル、ポリイミダゾール、置換ポリイミダゾール、
   ポリトリアゾール、置換ポリトリアゾール、ポリ
   ピリジン、核置換ポリピリジン、ポリジアジン、
   置換ポリジアジン、ポリトリアジン、置換ポリト
   リアジン、ポリオキサジン、置換ポリオキサジ
   ン、ポリベンゾチオフエン、置換ポリベンゾチオ
   フエン、ポリベンゾピロール、置換ポリベンゾピ
   ロール、ポリベンズピラゾール、置換ポリベンズ
   ピラゾール、ポリベンズイミダゾール、置換ポリ
   ベンズイミダゾール、ポリオキサジアゾール、ポ
   リチアジアゾール、ポリアゾベンゼン、置換ポリ
   アゾベンゼン、ポリフタロシアニン、核置換ポリ
   フタロシアニン、ポリカルバゾール、置換ポリカ
   ルバゾール、ポリキノリン、核置換ポリキノリ
   ン、ポリベンズオキサゾール、置換ポリベンズオ
   キサゾール、ポリテトラ（ナフチロ）テトラアザ
   ポルフイリンおよびポリテトラ（フエナンスロ）
   テトラアザポルフイリンよりなる群から選ばれた
   少なくとも一つの高分子化合物であることを特徴
   とする加工導電性回路基板の補強法。 ４ プラスチツクス成形物がポリ塩化ビニル、ポ
   リ塩化ビニリデン、塩化ビニル系共重合体、ポリ
   フツ化ビニル、ポリフツ化ビニリデン、ポリエス
   テル、ポリアミド、ポリビニルカルバゾール、ポ
   リエーテル、ポリエーテルエステル、塩素化ポリ
   オレフイン、ポリアミドイミド、ポリエーテルス
   ルホン、ポリイミド、ポリアミノビスマレイミ
   ド、ポリスルホン、ポリスチレンよりなる群から
   選ばれた少なくとも一つの高分子を基体とする
   膜、フイルム、シートもしくは板である特許請求
   の範囲第３項記載の加工導電性回路基板の補強
   法。 ５ 無電解鍍金用混合物が金、銀、銅、白金、パ
   ラジウム、クロム、鉄、コバルト、ニツケルおよ
   びバナジウムよりなる群から選ばれた少なくとも
   一つの金属の化合物および還元剤等よりなる溶液
   もしくは混合物である特許請求の範囲第３項記載
   の加工導電性回路基板の補強法。