JPS623887Y2

JPS623887Y2 -

Info

Publication number: JPS623887Y2
Application number: JP5571580U
Authority: JP
Priority date: 1980-04-23
Filing date: 1980-04-23
Publication date: 1987-01-28
Also published as: JPS56156256U

Description

【考案の詳細な説明】本考案は進行波管のようなマイクロ波管のヘリ
ツクス遅波回路の構造の改良に関する。

ヘリツクス遅波回路は、周知のように第１図お
よび第２図に示すように円筒状金属製真空容器２
１の内部に３個の誘電体支持棒２２を介してヘリ
ツクス２３を固定した構造である。支持棒２２と
ヘリツクス２３とは単に機械的に接する構造の場
合と、鑞接のような接合構造の場合とがある。い
ずれの場合もヘリツクスのピツチ間隔が変動しな
いようにする必要があり、その１つの解決策とし
て第３図ないし第６図に示すような構造にするこ
とも考えられる。すなわち支持棒２２にヘリツク
スのピツチ間隔およびヘリツクスの幅寸法に一致
する寸法の凹溝２４を形成し、この凹溝内、側面
に鑞接用金属化層２５（以下単にメタライズ層と
記す）を被着し、一方、銅、Cu製ヘリツクス２
３の表面に鑞接用銀Agメツキを施しておいてこ
れを凹溝のメタライズ層に鑞接固着する構造であ
る。これは機械的にきわめて安定でしかも熱伝導
性にすぐれたヘリツクス支持構造であつて好まし
いが、ヘリツクスの寸法に合致する凹溝の形成お
よび３本の支持棒の位置の厳密な規制を要するた
めに、比較的低い周波数帯の用途である大寸法の
ヘリツクス構造には適しており、またヘリツクス
のピツチ間隔が一定の構造の場合に適していると
いえる。しかし例えば10GHz以上のように高い
周波数帯の用途としてはヘリツクスのコイル直径
が２mm、太さが0.2mm、ヘリツクス自体の幅が0.3
mm、ピツチ間隔が0.5mm、全長150mmで、しかも長
さ方向にわたつてピツチ間隔を部分的に変えるよ
うな場合には、その製作上の困難さのため必ずし
も適するとはいえない。

本考案は以上のような事情に鑑みてなされたも
ので、ヘリツクスのピツチ間隔などに無関係にき
わめて容易に固定することができるヘリツクス遅
波回路構造を提供するものである。

以下図面を参照してその実施例を説明する。な
お同一部分は同一符号であらわす。

第７図および第８図に示す実施例は、ヘリツク
スがコイル状をなす構造の例である。同図には例
えば円筒状真空容器の内部に配置する３本の誘電
体支持棒２２のうち１本だけを示しているが、３
本とも同じ構造をなす。まずベリリアBeOのよう
な高熱伝導率の誘電体支持棒２２の一面に、ヘリ
ツクス２３を鑞接するためのモリブデンMo、ニ
ツケルNiのメタライザ層２５を支持棒の長手方
向にわたつて隣り同士を絶縁して多数配列するよ
うに被着する。この各メタライズ層２５は、支持
棒２２の長手方向に対してヘリツクス２３のコイ
ル状の斜め角度と合致する角度θを有する。しか
も各メタライズ層２５のピツチ間隔P₁および幅t₁
は、ヘリツクス２３のピツチ間隔P₂および幅t₂
（支持棒に接する部分の幅）よりもそれぞれ小さ
い寸法をなしている。なおヘリツクスがその長手
方向にわたつてピツチ間隔や幅を部分的に変える
バリピツチ構造の場合は、上記メタライズ層のピ
ツチ間隔や幅をヘリツクスの最小ピツチ間隔、幅
の部分よりもなお小さい寸法とする。各メタライ
ズ層は等間隔に配列されればよい。一方、、ヘリ
ツクス２３は銅Cuからなり、少くとも支持棒に
接合すべきその表面に鑞材として銀Agメツキを
施しておく、なおヘリツクス２３はその断面形状
が矩形でも、あるいは円形、もしくは円形のもの
で支持棒に接合される面を部分的に平坦に切削し
た形状であつてもよい。このヘリツクスを３本の
誘電体支持棒の内側に配置し、高温にして鑞接す
る。

この構造により、ヘリツクスは誘電体支持棒
に、その互いに接する位置のみのメタライズ層で
強固に接合され、同図に示すようにある部分では
隣り合う２つのメタライズ層が１つのヘリツクス
部分の接合に寄与し、またある部分においては１
つのメタライズ層が１つのヘリツクス部分の接合
を受けもつようにして、全体としてヘリツクス部
分はすべて鑞接されるとともに互いに必ず絶縁的
に鑞接されることになる。しかもヘリツクスにあ
らかじめ被着した鑞材の流れによりこのヘリツク
スと支持棒との対接面全体が鑞接され良好な熱伝
導接合面が得られる。つまり隣り合うヘリツクス
部分はその間に存在するメタライズ層間の清浄な
支持棒表面により絶縁が保たれる。したがつて、
この構造によればヘリツクスの短絡がなく、また
ヘリツクスのピツチ間隔に無関係に単にヘリツク
スと誘電体支持棒とを組み合わせて接合してもよ
く、製作がきわめて容易となる。これはとくに寸
法が小さくなる高周波数帯用のヘリツクス遅波回
路に好適する。

第９図に示す実施例は、誘電体支持棒２２とし
て、断面がほぼ３角形状をなし、とくにそのヘリ
ツクス接合面２２ａの幅Ｓを小さくして、この面
に点状にメタライズ層２５を配列したものであ
る。これはヘリツクスとの接触面積を極力小さく
する必要のある回路構造に適しており、またこの
場合は前述の実施例と異なり各メタライズ層を斜
めに形成する必要がない。

第１０図に示す実施例は、支持棒２２の頂面に
凹凸を形成し、凹み２２ｂはそのまま清浄な材料
面のままとし、凸部２２ｃの頂部にメタライズ層
２５を被着したものである。凹凸はあらかじめヘ
リツクスのピツチ間隔および幅寸法よりも小さい
寸法で形成しておき、凸部の頂面にのみメタライ
ズ層の材料を塗布すればよい。またこの凹凸の形
状は機械的強度を高めるため同図のように凹凸部
の側面を斜めにする。このほか第１１図あるいは
第１２図に示すように円弧状の凹み２２ｂにして
もよい。これらの実施例は、とくに凹み２２ｂに
より各ヘリツクス部分の間および各メタライズ層
の間の絶縁性が一層高められる。

第１３図および第１４図に示す実施例は、円筒
状の誘電体支持筒２６の中空孔内壁面にヘリツク
ス２３を直接鑞接した構造の場合である支持筒２
６の内周壁面に等間隔で平行に、ヘリツクスのピ
ツチ間隔よりも小さいピツチ間隔および幅寸法で
メタライズ層２５を被着形成してある。つまり各
メタライズ層２５は１個１個が独立したリング状
で、支持筒２６の管軸に垂直な方向に平行に並べ
てある。これの支持筒内に、少くとも外面に鑞材
としてAgメツキしたヘリツクスを挿入し、鑞接
する。これによつてヘリツクスは１回転上の外面
で必ず１箇所以上メタライズ層と接合されること
となり、確実安定な接合固定がなされる。

なお以上の実施例においてヘリツクスはコイル
状のものの場合を示したが、これに限らず、リン
グを連結配列したものなど公知のヘリツクス遅波
回路構造に適用しうる。

以上のように本考案ヘリツクス遅波回路構造に
よれば、ヘリツクスと誘電体支持体との接合がき
わめて容易に、且つ確実に行ないうるもので、実
用上有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来構造を示す横断面図、第２図はそ
の要部斜視図、第３図は他の例を示す横断面図、
第４図ないし第６図は第３図のものの要部斜視
図、第７図は本考案の一実施例を示す要部斜視
図、第８図はその要部縦断面図、第９図は本考案
の他の実施例を示す要部斜視図、第１０図ないし
第１２図は各々さらに他の実施例を示す図、第１
３図はさらに他の実施例を示す要部斜視図、第１
４図はその縦断面図である。２２，２６……誘電体支持体、２３……ヘリツ
クス、２５……メタライズ、２５……メタライズ
（接合用金属化）層、P₁，P₂……ピツチ間隔。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

誘電体支持体にヘリツクスを接合して支持した
ヘリツクス遅波回路構造において、上記支持体に
ヘリツクスのピツチ間隔よりも小さいピツチ間隔
で互いに絶縁して接合用金属化層を被着、配列
し、この接合用金属化層にヘリツクスを接合して
なることを特徴とするヘリツクス遅波回路構造。