JPS6239022A - プロ−ブテスト方法 - Google Patents
プロ−ブテスト方法Info
- Publication number
- JPS6239022A JPS6239022A JP60178732A JP17873285A JPS6239022A JP S6239022 A JPS6239022 A JP S6239022A JP 60178732 A JP60178732 A JP 60178732A JP 17873285 A JP17873285 A JP 17873285A JP S6239022 A JPS6239022 A JP S6239022A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- wafer
- needle
- pointer
- contact resistance
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はプローブテスト方法に係わり、特にプローブテ
ストのオーバドライブ量の自動設定方法に関する。
ストのオーバドライブ量の自動設定方法に関する。
従来、半導体集積回路（ＩＣという）のウニノ・状態で
行なわれるＩＣチッグ毎の特性の良、不良を判定するプ
ローブテストにおいて、プローブカードが用いられてお
シ、プローブテストの際針先がウェハを押し付けるオー
・譬ドライブ量を下記方法で設定している。
行なわれるＩＣチッグ毎の特性の良、不良を判定するプ
ローブテストにおいて、プローブカードが用いられてお
シ、プローブテストの際針先がウェハを押し付けるオー
・譬ドライブ量を下記方法で設定している。
（ｆ）ｆｌ：Ｉ−プカードの針がウェハのアルミニウム
／９．ドに接触した瞬間（オーバドライブ量中Ｏμｍ）
を人間が観察し、その点から規定のオーバドライブ量に
設定する方法。
／９．ドに接触した瞬間（オーバドライブ量中Ｏμｍ）
を人間が観察し、その点から規定のオーバドライブ量に
設定する方法。
（ロ）針先がウェハに接触したことを判断するセフｆ針
ＶＣよシ、オーバドライブ量を設定する方法。
ＶＣよシ、オーバドライブ量を設定する方法。
しかしながら上記（イ）の問題点は、針がウニノ・に接
触する瞬間を人間が観察する方法では、熟練を要し、作
業者の個人差がでるため、プローブテストの精度が下が
る。また上記（ロ）の方法では、センナ針によりＩＣＣ
タッグへ傷を与えるトラブルがあシ、またセンサ針の位
置決定等（他の針と高さを一致させる必要あり）のセン
サ針の管理が困難である。
触する瞬間を人間が観察する方法では、熟練を要し、作
業者の個人差がでるため、プローブテストの精度が下が
る。また上記（ロ）の方法では、センナ針によりＩＣＣ
タッグへ傷を与えるトラブルがあシ、またセンサ針の位
置決定等（他の針と高さを一致させる必要あり）のセン
サ針の管理が困難である。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、プローブテスト前に定期的（例えば１回
／１ウエノ・）に、またはプローブテスト異常となった
場合、プロー７ぐからグローブカードを取シ外すことな
く、自動的にオーバドライブ量が設定でき、ｆａ−ブチ
ストの精度が向上し、センサ針の使用が不要となるなど
の利点を有したプローブテスト方法を提供しようとする
ものである。
するところは、プローブテスト前に定期的（例えば１回
／１ウエノ・）に、またはプローブテスト異常となった
場合、プロー７ぐからグローブカードを取シ外すことな
く、自動的にオーバドライブ量が設定でき、ｆａ−ブチ
ストの精度が向上し、センサ針の使用が不要となるなど
の利点を有したプローブテスト方法を提供しようとする
ものである。
本発明は、チ、グ領域に金属族が設けられたウェハをス
テージ上に載置して該ステージを除徐に上昇し、グロー
ブカードの全部の針先と前記金属膜が導通したら、前記
ステージを規定のオーバドライｆ量だけ上昇し、６針と
金属膜間の接触抵抗を測定し、該接触抵抗が良であれば
プローブテストを行なうようＫしたものである、。
テージ上に載置して該ステージを除徐に上昇し、グロー
ブカードの全部の針先と前記金属膜が導通したら、前記
ステージを規定のオーバドライｆ量だけ上昇し、６針と
金属膜間の接触抵抗を測定し、該接触抵抗が良であれば
プローブテストを行なうようＫしたものである、。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する◎本発
明は第１図、第２図に示すプローブテストシステムにお
いて適用可能であシ、図中１はテスタ、２は！ローパ、
３はグローブカード、４はウェハ、５はステージ、６は
ＣＰＵ （中央処理装置）、７は親コンピータである・
ＣＰＵ ＃はプロー・々の制御、及び針先とウェハ間の
接触抵抗の算出、及び針先高さのばらつきを算出する。
明は第１図、第２図に示すプローブテストシステムにお
いて適用可能であシ、図中１はテスタ、２は！ローパ、
３はグローブカード、４はウェハ、５はステージ、６は
ＣＰＵ （中央処理装置）、７は親コンピータである・
ＣＰＵ ＃はプロー・々の制御、及び針先とウェハ間の
接触抵抗の算出、及び針先高さのばらつきを算出する。
親コンピユータ７はテスタ１で算出した上記接触抵抗及
び針先高さのばらつきの経時変化を管理し、グローブカ
ード３の交換の指示、グローブカードの異常を通知する
。
び針先高さのばらつきの経時変化を管理し、グローブカ
ード３の交換の指示、グローブカードの異常を通知する
。
次に本発明のテスト条件を説明する。第３図において８
は全面アルミニウム蒸着したチッグ領域９〜１２を有す
るウェハである。第４図のＪ 、９はグローブカードで
、１４は針を表わす。
は全面アルミニウム蒸着したチッグ領域９〜１２を有す
るウェハである。第４図のＪ 、９はグローブカードで
、１４は針を表わす。
第５図葎）はウェハ８をプローパのステージノ５上に置
き、本発明のテストを実施している様子を示す。第５図
（ｂ）は第５図（＆）の構成を９０°方向を変えて見た
様子を示す。１６はステージ１５を数ミクロン単位で上
下させるステージ制御部分である。ステージの上下量は
前記ＣＰＵ ｔ；で算出する。
き、本発明のテストを実施している様子を示す。第５図
（ｂ）は第５図（＆）の構成を９０°方向を変えて見た
様子を示す。１６はステージ１５を数ミクロン単位で上
下させるステージ制御部分である。ステージの上下量は
前記ＣＰＵ ｔ；で算出する。
前述の条件下で、第７図の７０−ｆヤ ｈを適宜参照し
て第６図の実施例を説明する。第６図において１７はリ
レー、１８はテスタ内部の測定系、１９はグローブカー
ド、２０〜２４は針、２５はステージ、２６はウェハで
あるｃｋ第６図（、）〜（６）はステージ２５を上昇さ
せ（例えば５μｍステ、グ）、針先が徐々にウェハ２６
に接触している様子を示す。まず第６図（１）において
ステージ２５を５μｍステ、ｆで上昇させ、その都度リ
レー１２を針２０〜２４に切り換え、テスタ１８よシミ
圧を供給するつ第６図（、）では針２２のみに電流が流
れ、テスタ１８で電流を測定することによシ、針２２が
ウェハ２６に接触したことが確認できる。更にステージ
２５を５μｍμｍステツブ昇させることにより、第６図
（ｂ）は針２０．２２がウェハ２６に接触したことを示
す６第６図（Ｃ）は針２０〜２４全部がウェハ２６に接
触したことｔ示している。第６図（ａ）の最初に針２２
がクエ・・２６に接触した時のステージ２５の高さと、
第６図（ｃ）で最後に針２１がウェハ２６に接触した時
のステー／／２５の高さの差が、針の高さばらつきの最
大値である。上記のようにステージ２５の移動量で針先
高さのばらつきを求め、このばらつきが規定外でおれば
プローブテストを中止する。規定内でちれば、針の高さ
の平均値よ）規定のオーバドライブ量（例えば７０μｍ
）だけステー−）２５を上昇させ、オーバドライブを設
定する。
て第６図の実施例を説明する。第６図において１７はリ
レー、１８はテスタ内部の測定系、１９はグローブカー
ド、２０〜２４は針、２５はステージ、２６はウェハで
あるｃｋ第６図（、）〜（６）はステージ２５を上昇さ
せ（例えば５μｍステ、グ）、針先が徐々にウェハ２６
に接触している様子を示す。まず第６図（１）において
ステージ２５を５μｍステ、ｆで上昇させ、その都度リ
レー１２を針２０〜２４に切り換え、テスタ１８よシミ
圧を供給するつ第６図（、）では針２２のみに電流が流
れ、テスタ１８で電流を測定することによシ、針２２が
ウェハ２６に接触したことが確認できる。更にステージ
２５を５μｍμｍステツブ昇させることにより、第６図
（ｂ）は針２０．２２がウェハ２６に接触したことを示
す６第６図（Ｃ）は針２０〜２４全部がウェハ２６に接
触したことｔ示している。第６図（ａ）の最初に針２２
がクエ・・２６に接触した時のステージ２５の高さと、
第６図（ｃ）で最後に針２１がウェハ２６に接触した時
のステー／／２５の高さの差が、針の高さばらつきの最
大値である。上記のようにステージ２５の移動量で針先
高さのばらつきを求め、このばらつきが規定外でおれば
プローブテストを中止する。規定内でちれば、針の高さ
の平均値よ）規定のオーバドライブ量（例えば７０μｍ
）だけステー−）２５を上昇させ、オーバドライブを設
定する。
次に針先とウェハ間の接触抵抗測定につい−〔説明する
。第６図（ｄ）は上記規定のオーバドライブ量で、針が
ウェハ２６に全部接触した状態であゐことを示す。この
状態で、リレー１１を針２０．２１．２２，２４と切り
換え、それぞれテスタ１８よシミ圧を供給し、その流れ
た電流により針２０，２１ａ２２．２４と針２３間の接
触抵抗が算出される。上記算出した接触抵抗が規定外で
あれば、プローブテストを中止する。
。第６図（ｄ）は上記規定のオーバドライブ量で、針が
ウェハ２６に全部接触した状態であゐことを示す。この
状態で、リレー１１を針２０．２１．２２，２４と切り
換え、それぞれテスタ１８よシミ圧を供給し、その流れ
た電流により針２０，２１ａ２２．２４と針２３間の接
触抵抗が算出される。上記算出した接触抵抗が規定外で
あれば、プローブテストを中止する。
表お本発明は上記実施例のみに限られることなく種々の
応用が可能である。例えば実施例では、フローチャート
に示される如くグローブカードの針の高さのばらつきが
規定外であればプローブテストを中止する判断は、接触
抵抗測定後に行なりたが、接触抵抗測定前に行なりても
よい、ｔた本発明においては、ステージを例えば数μｍ
単位で上昇させ、最初にウェハとコンタクトした針から
最後にコンタクトするまでのステージの移動量で針先高
さのばらつきを算出しかつ上記同様にウェハと各針量の
接触抵抗を算出し、これらの算出結果より適切なオーバ
ドライブ全ｆ、算出すること（（より、良好なプローブ
テストを行なうようにしてもよい。
応用が可能である。例えば実施例では、フローチャート
に示される如くグローブカードの針の高さのばらつきが
規定外であればプローブテストを中止する判断は、接触
抵抗測定後に行なりたが、接触抵抗測定前に行なりても
よい、ｔた本発明においては、ステージを例えば数μｍ
単位で上昇させ、最初にウェハとコンタクトした針から
最後にコンタクトするまでのステージの移動量で針先高
さのばらつきを算出しかつ上記同様にウェハと各針量の
接触抵抗を算出し、これらの算出結果より適切なオーバ
ドライブ全ｆ、算出すること（（より、良好なプローブ
テストを行なうようにしてもよい。
以上説明した如く本発明によれば、針先高さのばらつき
及び接触抵抗を管理し、自動的にオーバドライブ量を設
定するため、プローブテストの精度が向上する。また従
来のセンサ針が不要となるため、センサ針の管理が不要
化され、グローブカー ドの管理作業が削減される。
及び接触抵抗を管理し、自動的にオーバドライブ量を設
定するため、プローブテストの精度が向上する。また従
来のセンサ針が不要となるため、センサ針の管理が不要
化され、グローブカー ドの管理作業が削減される。
図は本発明の詳細な説明するためのもので、第１図、第
２図はグローブシステムの概略構成図、第３図はウェハ
平面図、第４図はグローブカードの概略構成図、第５図
、第６図は上記システムの動作説Ｆ！Ａ図、第７図はそ
の動作を示すフローチャートである。 １・・・テスタ、２・・・プローパ、３・・・グローブ
カ、 −ド、４・・・ウェハ、５・・・ステージ、６
・・・ＣＰＵ ％７・・・親コンピユータ、８・・・ウ
ェハ、ｇ〜１２・・・チップ領域、１３・・・プ′ロー
プカード、５１４・・・針、ズ５・・・ステージ、１６
・・・ステージ制御部分、１７・・・リレー、１８・・
・測定系、１９・・・７ｎｏ −ｆカード、２０〜２４
・・・針、２５・・・ステージ、２６…ウエハ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 第７図 ／”％
／−鴨−、Ω
２図はグローブシステムの概略構成図、第３図はウェハ
平面図、第４図はグローブカードの概略構成図、第５図
、第６図は上記システムの動作説Ｆ！Ａ図、第７図はそ
の動作を示すフローチャートである。 １・・・テスタ、２・・・プローパ、３・・・グローブ
カ、 −ド、４・・・ウェハ、５・・・ステージ、６
・・・ＣＰＵ ％７・・・親コンピユータ、８・・・ウ
ェハ、ｇ〜１２・・・チップ領域、１３・・・プ′ロー
プカード、５１４・・・針、ズ５・・・ステージ、１６
・・・ステージ制御部分、１７・・・リレー、１８・・
・測定系、１９・・・７ｎｏ −ｆカード、２０〜２４
・・・針、２５・・・ステージ、２６…ウエハ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 第７図 ／”％
／−鴨−、Ω
Claims (1)
- チップ領域に金属膜が設けられたウェハをステージ上に
載置して該ステージを徐々に上昇し、プローブカードの
全部の針先と前記金属膜が導通したら、前記ステージを
規定のオーバドライブ量だけ上昇し、各針と金属膜間の
接触抵抗を測定し、該接触抵抗が良であればプローブテ
ストを行なうことを特徴とするプローブテスト方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178732A JPS6239022A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | プロ−ブテスト方法 |
| US06/893,712 US4780836A (en) | 1985-08-14 | 1986-08-06 | Method of testing semiconductor devices using a probe card |
| KR1019860006704A KR900001040B1 (ko) | 1985-08-14 | 1986-08-14 | 프루브 검사방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178732A JPS6239022A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | プロ−ブテスト方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239022A true JPS6239022A (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=16053610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60178732A Pending JPS6239022A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | プロ−ブテスト方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6239022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310129A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置の探針先端位置検出方法 |
| JP2018185153A (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54112174A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Nec Corp | Testing method for semiconductor device |
| JPS5839025A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Nec Home Electronics Ltd | 半導体装置の特性測定方法 |
| JPS5982739A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Telmec Co Ltd | 自動半導体ウエハ−プロ−バ−のオ−バ−ドライブ装置 |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP60178732A patent/JPS6239022A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54112174A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Nec Corp | Testing method for semiconductor device |
| JPS5839025A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Nec Home Electronics Ltd | 半導体装置の特性測定方法 |
| JPS5982739A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Telmec Co Ltd | 自動半導体ウエハ−プロ−バ−のオ−バ−ドライブ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310129A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置の探針先端位置検出方法 |
| JP2018185153A (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 検査装置 |
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