JPS6239054A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS6239054A JPS6239054A JP60179649A JP17964985A JPS6239054A JP S6239054 A JPS6239054 A JP S6239054A JP 60179649 A JP60179649 A JP 60179649A JP 17964985 A JP17964985 A JP 17964985A JP S6239054 A JPS6239054 A JP S6239054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- solid
- charge transfer
- signal
- storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は固体撮像装置の垂直方向の信号電荷の転送の
効率の改善に関する。
効率の改善に関する。
［従来の技１］
近来、イメージセンサにおいては、高集積化が著しく、
それに伴ない高感度化が要求されている。
それに伴ない高感度化が要求されている。
この改善策の１つとして、１９８５年２月のアイニスニ
スシーシー （ｒ ｎｔｅｒｎａｔｌｏｎａｌ ３
ｏｌｉｄ−５ｔａｔ１３ Ｃ＋ｒｃｕ＋ｔｅ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ）のダイジェストオン テクニカル
ペーパー（Ｄ Ｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｐａｐｅｒ） １００頁（Ｍ、 Ｋｉｍａｔａ
ｅｔ ａｌ、）またはテレビジョン学会技術報告ＮＯ，
ＴＥＢＳ１０１−６．ＥＤ８４１ （木股他ンに示され
たＣ８Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｓｗｅｅｐ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ： 電荷帰き寄１ｊ素子）方式のセンサが開発さ
れている。
スシーシー （ｒ ｎｔｅｒｎａｔｌｏｎａｌ ３
ｏｌｉｄ−５ｔａｔ１３ Ｃ＋ｒｃｕ＋ｔｅ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ）のダイジェストオン テクニカル
ペーパー（Ｄ Ｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｐａｐｅｒ） １００頁（Ｍ、 Ｋｉｍａｔａ
ｅｔ ａｌ、）またはテレビジョン学会技術報告ＮＯ，
ＴＥＢＳ１０１−６．ＥＤ８４１ （木股他ンに示され
たＣ８Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｓｗｅｅｐ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ： 電荷帰き寄１ｊ素子）方式のセンサが開発さ
れている。
第３図はＣ３Ｄ方式の従来の固体愁像装置を示すブロッ
ク図である。第３図にΔ５いて、従来の固体！！＠装貢
には、受光素子１およびゲート３により構成される画素
が水平方向８Ｊ、び垂直方向に裕数個配列される、ゲー
ト３はｉ′・ランスフアゲ・−トとＣ３Ｄ（垂直Ｎ間転
＞’Ａ素子）２のグー［−の両方の働きをする。水平方
向ｌこ配ａ１さねたゲート３は垂直′ｙｐｌ査線４で接
続されてＪ３す、各ゲート３には１〜ランスフ？ゲ一ト
走査回路５から１−ランスフアゲ−（・連携信号が供給
さね、ＣＳ Ｄ走舟回路６からＣ３Ｄ駆動信号が供給ざ
ｔする、 Ｃ３Ｄ２と水平ＣＣＤ９との間には、蓄積ゲート７と蓄
積制御ゲート８とが設けられる。、二、二で、蓄積ゲー
ト７はＣ８０２によりＩＭぎ寄せられた信号を一時蓄積
するものであり、蓄積制御グー１−８は蓄積ゲート７か
ら水平ＣＣＤ９への信号の転送を１御するものである。
ク図である。第３図にΔ５いて、従来の固体！！＠装貢
には、受光素子１およびゲート３により構成される画素
が水平方向８Ｊ、び垂直方向に裕数個配列される、ゲー
ト３はｉ′・ランスフアゲ・−トとＣ３Ｄ（垂直Ｎ間転
＞’Ａ素子）２のグー［−の両方の働きをする。水平方
向ｌこ配ａ１さねたゲート３は垂直′ｙｐｌ査線４で接
続されてＪ３す、各ゲート３には１〜ランスフ？ゲ一ト
走査回路５から１−ランスフアゲ−（・連携信号が供給
さね、ＣＳ Ｄ走舟回路６からＣ３Ｄ駆動信号が供給ざ
ｔする、 Ｃ３Ｄ２と水平ＣＣＤ９との間には、蓄積ゲート７と蓄
積制御ゲート８とが設けられる。、二、二で、蓄積ゲー
ト７はＣ８０２によりＩＭぎ寄せられた信号を一時蓄積
するものであり、蓄積制御グー１−８は蓄積ゲート７か
ら水平ＣＣＤ９への信号の転送を１御するものである。
第４図は信号の転送動作順序に従ったボテンシャルを示
す図である１３次に、第３図および第４図を参照して従
来の固体搬像装置における信号の転送動作について簡明
づ′る。
す図である１３次に、第３図および第４図を参照して従
来の固体搬像装置における信号の転送動作について簡明
づ′る。
まず、Ｃ３Ｄ２のすべてのゲートの電位がＨ１ノベルと
なり、ＣＳ Ｄ ２のチャンネル２１内に大きなボテ〕
ノシトル井戸が形成される。この状態でＣ８０２に接続
された１−ランスフアゲ−１−の１つが０トｊさねて、
１つの受光素子の信＠をＣ８Ｄに読出すａｔｓき寄せ四
力作はＣＳ Ｄのゲート電位を順番にＬレベルにするこ
とにＪ、っ′ｉ′：行なわれイ）〈第４ＳＣａ＞〜（６
））。侶＠電荷はボデンシへ一ルの壁の移動に伴なって
空間的（：：拡がりなかｔろ蓄槽グー１−７方向に移動
するうこの間水平ＣＣＤ ９は訟出初作を続けていζ）
。ＣＳ Ｄ走丹回路（−３は、く二の１／Ｆｌき寄せ動
作に必要なタロツク４７号をＣ３Ｄ２のグー１−３に与
える。一本の走査線で選ばイ９．た１ ｔ７の信号電荷
は転送ヂＶネル２１に読出ざ１１、垂直方向に転送され
で、１水平期間に蓄積グー１〜７１、：掃き寄せられる
（第４図（ｅ））。ブランキング期間に蓄積１ｉＩＪ罪
ゲー川−８によりＭ積グート７がら水平ＣＣＤ９に信号
電荷の転送が行なわれる。
なり、ＣＳ Ｄ ２のチャンネル２１内に大きなボテ〕
ノシトル井戸が形成される。この状態でＣ８０２に接続
された１−ランスフアゲ−１−の１つが０トｊさねて、
１つの受光素子の信＠をＣ８Ｄに読出すａｔｓき寄せ四
力作はＣＳ Ｄのゲート電位を順番にＬレベルにするこ
とにＪ、っ′ｉ′：行なわれイ）〈第４ＳＣａ＞〜（６
））。侶＠電荷はボデンシへ一ルの壁の移動に伴なって
空間的（：：拡がりなかｔろ蓄槽グー１−７方向に移動
するうこの間水平ＣＣＤ ９は訟出初作を続けていζ）
。ＣＳ Ｄ走丹回路（−３は、く二の１／Ｆｌき寄せ動
作に必要なタロツク４７号をＣ３Ｄ２のグー１−３に与
える。一本の走査線で選ばイ９．た１ ｔ７の信号電荷
は転送ヂＶネル２１に読出ざ１１、垂直方向に転送され
で、１水平期間に蓄積グー１〜７１、：掃き寄せられる
（第４図（ｅ））。ブランキング期間に蓄積１ｉＩＪ罪
ゲー川−８によりＭ積グート７がら水平ＣＣＤ９に信号
電荷の転送が行なわれる。
第２Ａ図は第３図の蓄積ゲート７と蓄積制御ゲート８の
詳細な構造を示す図であり、第２Ｂ図はその断面を示す
図であり、第２Ｃ図はそのポテンシャルを示す図である
。第２Ａ図において、蓄積ゲート７は蓄積ゲート部２２
と蓄積グー）−電極２３とグー［・制御用アルミニウム
配線２７どを含み、ゲート制御用アルミニウム配線２７
はコンタク１−ホール３０を介１）て蓄積グー１−？［
２３に接続されるａｔ′積制御ゲート８は蓄８１制御ゲ
ー１一部２４ど蓄積ｌ１ＩＪ御ゲーｔ−電ｌ！ｉ２５と
ゲート制御用アル、ミニラム配線２８とを含み、ゲート
制御用アルミニウム配線２８はコノタクトホール２９を
介して蓄積制御グー［・Ｎ極２５に接続さ４１．る。
詳細な構造を示す図であり、第２Ｂ図はその断面を示す
図であり、第２Ｃ図はそのポテンシャルを示す図である
。第２Ａ図において、蓄積ゲート７は蓄積ゲート部２２
と蓄積グー）−電極２３とグー［・制御用アルミニウム
配線２７どを含み、ゲート制御用アルミニウム配線２７
はコンタク１−ホール３０を介１）て蓄積グー１−？［
２３に接続されるａｔ′積制御ゲート８は蓄８１制御ゲ
ー１一部２４ど蓄積ｌ１ＩＪ御ゲーｔ−電ｌ！ｉ２５と
ゲート制御用アル、ミニラム配線２８とを含み、ゲート
制御用アルミニウム配線２８はコノタクトホール２９を
介して蓄積制御グー［・Ｎ極２５に接続さ４１．る。
第２Ｂ図に示すように蓄積ゲート部２２と蓄積制御ゲー
ト部２４とは転送チＡ・ンネル２１と水平ＣＣＤ部２６
とに挾まれた構造である。
ト部２４とは転送チＡ・ンネル２１と水平ＣＣＤ部２６
とに挾まれた構造である。
第２Ａ図に示すように、蓄積ゲート部２２は転送ヂトン
ネル２１から掃き寄せられた信号を蓄積するために、／
、？ −１へ幅夕太クシ１−おり、また答積グーｉ一部
２２と水平ＣＣＤ部２６との境界領域でチャンネル幅を
水平ＣＣＤは；２６の幅に合わせて狭くしている。
ネル２１から掃き寄せられた信号を蓄積するために、／
、？ −１へ幅夕太クシ１−おり、また答積グーｉ一部
２２と水平ＣＣＤ部２６との境界領域でチャンネル幅を
水平ＣＣＤは；２６の幅に合わせて狭くしている。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の固体搬像装置は、以上のようｔ、二棋成されてい
るので、第２Ｃ図に示すように蓄積ゲート部２２と水平
ＣＣＤ部２６との境界部には歿ヂ）・ンネル効果により
ポテンシャル井戸が固定的に形成され４．うので、そこ
に捕獲されたＭ荷は転送に寄与できなくなるため転送効
率が良くないという問題点があった。
るので、第２Ｃ図に示すように蓄積ゲート部２２と水平
ＣＣＤ部２６との境界部には歿ヂ）・ンネル効果により
ポテンシャル井戸が固定的に形成され４．うので、そこ
に捕獲されたＭ荷は転送に寄与できなくなるため転送効
率が良くないという問題点があった。
そｉゆえに、Ｊ、−の発明は上述の問題点を解消するｌ
こめになされたちので２蓄稍ノｆ −１一部と水平ＣＣ
Ｄ部との間にできるポテンシャル井戸をなくづことによ
って、転送損失の小ざい固体Ｗｊ、東装置を一捉（Ｊｔ
りるこにを［］的どする。
こめになされたちので２蓄稍ノｆ −１一部と水平ＣＣ
Ｄ部との間にできるポテンシャル井戸をなくづことによ
って、転送損失の小ざい固体Ｗｊ、東装置を一捉（Ｊｔ
りるこにを［］的どする。
［問題点を解決づ゛るための手段］
この発明にかかる固体を像装置は、複数個の受光素子を
それぞ杓が直交する第１おＪ、び第２の方向（二配列Ｉ
−７、それぞれの受光素子からの１志号電荷を第１の方
向に転ｉ１する第１の電荷転送手段を第１の方向に配列
された受光素子列ごとに設け、さらに第１の電荷転送手
段により転送された信号電荷を一時蓄積する蓄積手段と
蓄積手段により蓄積された信月市荷を第２の方向に転送
する第２の電荷転送手段とを設け、蓄積手段のゲート部
の幅を第２のＮ伺転送手段のチャンネル幅に等しいかま
たはそれよりも狭くしたものである。
それぞ杓が直交する第１おＪ、び第２の方向（二配列Ｉ
−７、それぞれの受光素子からの１志号電荷を第１の方
向に転ｉ１する第１の電荷転送手段を第１の方向に配列
された受光素子列ごとに設け、さらに第１の電荷転送手
段により転送された信号電荷を一時蓄積する蓄積手段と
蓄積手段により蓄積された信月市荷を第２の方向に転送
する第２の電荷転送手段とを設け、蓄積手段のゲート部
の幅を第２のＮ伺転送手段のチャンネル幅に等しいかま
たはそれよりも狭くしたものである。
し作用］
この鑓明における固体踊＠装置は、蓄積手段と第２の電
荷転送手段との間の狭チャンネル効果１．１よるボテン
シＶル井戸がなくなり電荷を捕獲する頭載がなくなるの
で、信号の転送効率が向上する。
荷転送手段との間の狭チャンネル効果１．１よるボテン
シＶル井戸がなくなり電荷を捕獲する頭載がなくなるの
で、信号の転送効率が向上する。
［実施例１
第１Ａ図はこの発明の一実施例の蓄積グー用−と蓄積制
御グー１−の構造を示す平面図であり、第１Ｂ図はその
断面図であり、第１Ｃ図はそのボテンシ−・ルを示づ一
層である。この実施例においては、第１Δ図に示すよう
に、蓄積グー１〜部２２と水平ＣＣＤ部２６のチャンネ
ル幅を同一にしたので、第１Ｃ図に示で−ようにボテ〕
／シャル井戸は存在１゜ない。したがって完全転送が可
能どなる。
御グー１−の構造を示す平面図であり、第１Ｂ図はその
断面図であり、第１Ｃ図はそのボテンシ−・ルを示づ一
層である。この実施例においては、第１Δ図に示すよう
に、蓄積グー１〜部２２と水平ＣＣＤ部２６のチャンネ
ル幅を同一にしたので、第１Ｃ図に示で−ようにボテ〕
／シャル井戸は存在１゜ない。したがって完全転送が可
能どなる。
一般に転送効率ηは
η−１−ｂｅｘＤ（−ｔ／τ）
〈ｂ：定数、τ：時定数。ｔ ：時間）で表わさね、る
。ここで時定数τは τ−１２／ａ Ｄ （シ：電極の中心間距離、ａ：定数。
。ここで時定数τは τ−１２／ａ Ｄ （シ：電極の中心間距離、ａ：定数。
Ｄ：拡散係数）
であるので
７７”−１−ｂ ｅＸ、Ｄ Ｃ−ａＤｔ ／Ｌ’ ）
となる。また、ゲート長を一定にして多数のグー；−電
極を設け、電櫓の中心間距離をｉ−／ ｎに（）たとき
の転送効率をη′ とすると ）７’ −１−ｎｂ ｅｘｐ（−ｎ ’ ａｐｔ ／
Ｌ２）となる。ここで、η′２／ηを考えるとη′７／
η−・ （１−ｎｂ ｅｘｐ（−ｎ ２ａ［）ｔ ／Ｌ２） ）
／（１−ｂ ｅｘｐ （−ａｃｔ 、／Ｌ
２ ） ） ≧ １となるのでゲート電極を多
く設饗づた方が転送効率が良い。
となる。また、ゲート長を一定にして多数のグー；−電
極を設け、電櫓の中心間距離をｉ−／ ｎに（）たとき
の転送効率をη′ とすると ）７’ −１−ｎｂ ｅｘｐ（−ｎ ’ ａｐｔ ／
Ｌ２）となる。ここで、η′２／ηを考えるとη′７／
η−・ （１−ｎｂ ｅｘｐ（−ｎ ２ａ［）ｔ ／Ｌ２） ）
／（１−ｂ ｅｘｐ （−ａｃｔ 、／Ｌ
２ ） ） ≧ １となるのでゲート電極を多
く設饗づた方が転送効率が良い。
したがって、好ましく ｉｔ第１Δ図および第１Ｂ図に
示すように蓄積グー１一部２２に複数のゲート電極を股
４−１でＣＯＤを構成させる。、、、また、蓄積グー１
へ部２２の面積を従来と同等にブるために、ゲート長を
長くしてもよい。この場合には、ゲート電極をｍ数個設
けることにより、転送効率は減少することはない。
示すように蓄積グー１一部２２に複数のゲート電極を股
４−１でＣＯＤを構成させる。、、、また、蓄積グー１
へ部２２の面積を従来と同等にブるために、ゲート長を
長くしてもよい。この場合には、ゲート電極をｍ数個設
けることにより、転送効率は減少することはない。
以上のよう１こ狭チャンネル効果によるポテンシャル１
戸をなくすために蓄積ゲート部のグーｌ−幅を水平ＣＣ
１）部のチャンネル幅と等（）くし、信号蓄積量を従来
と同等にするためにグー１−長を長くし、転送効率の低
下を防ぐためにグー１−雷頂を少数個段けることにより
転送効率を非常ｒ良くすることかできる。
戸をなくすために蓄積ゲート部のグーｌ−幅を水平ＣＣ
１）部のチャンネル幅と等（）くし、信号蓄積量を従来
と同等にするためにグー１−長を長くし、転送効率の低
下を防ぐためにグー１−雷頂を少数個段けることにより
転送効率を非常ｒ良くすることかできる。
なお、蓄積ゲ〜１・７にあける信号の転送において、転
送のｒ：６めのポテンシャル井戸に信＠ ｉｌｔ ｒ、
Ｍが取り残されることがあるが、その場合ｔこは蓄積ゲ
ート７を構成１−るＣＣＩ）を信号を転送するのに必要
と５クロックサイクル数以上駆動することもこよっ下取
り残し電荷を主信号にｂ口えるｉことができるのでさら
に一層転送効率を高めることができる。
送のｒ：６めのポテンシャル井戸に信＠ ｉｌｔ ｒ、
Ｍが取り残されることがあるが、その場合ｔこは蓄積ゲ
ート７を構成１−るＣＣＩ）を信号を転送するのに必要
と５クロックサイクル数以上駆動することもこよっ下取
り残し電荷を主信号にｂ口えるｉことができるのでさら
に一層転送効率を高めることができる。
〔発明の効果］
以上のように、この発明によれば、蓄積手段のゲート部
の幅を第２の電荷転送手段のチャンネル幅と等しいかそ
れよりも狭くし、蓄積手段と第２の電荷転送手段との間
の狭チャネル効果によるポテンシャル井戸をなくしたの
で、電荷を捕獲する（１５４１１１ｆｆｌがなくなるた
め、転送効率を向上させることができる。
の幅を第２の電荷転送手段のチャンネル幅と等しいかそ
れよりも狭くし、蓄積手段と第２の電荷転送手段との間
の狭チャネル効果によるポテンシャル井戸をなくしたの
で、電荷を捕獲する（１５４１１１ｆｆｌがなくなるた
め、転送効率を向上させることができる。
第１Ａ図はこの光間の一実施例の蓄積ゲートおよび蓄積
ｔｉｌ制御ゲートのＩＩＩ造を示す平面図である。 第１８図１よ第１Ａ図の断面を示す図である。第１Ｃ図
は第１Ｂ図のポテンシャルを示す図である。 第２Ａ図は従来の固体撮像＠置における蓄積ゲートおよ
び蓄積制御ゲートの構造を示す平面図である。第２Ｂ図
は第２Ａ図の断面を示す図である。 第２Ｃ図は第２Ｂ図のポテンシャルを示す図である。第
３図）、本従来の固体撮栄装曜の構成を示すブロック図
である。、第４図は従来の固体撮像装置の動作説明する
ためのポテンシャル図である。 図において、２１は転送チャンネル、２２は蓄積ゲート
部、２３は蓄積グー１−電極、２４はＭ＠制御ゲグー一
部、２５は蓄ｌＦｉ ｆｆ１ｌｌ葬ゲー１−電極、２６
は水平ＣＣＤ部、２７および２８はゲートＭ即用アルミ
ニウム配線、２９および３０はコンタク１−ホールを示
す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ｔｉｌ制御ゲートのＩＩＩ造を示す平面図である。 第１８図１よ第１Ａ図の断面を示す図である。第１Ｃ図
は第１Ｂ図のポテンシャルを示す図である。 第２Ａ図は従来の固体撮像＠置における蓄積ゲートおよ
び蓄積制御ゲートの構造を示す平面図である。第２Ｂ図
は第２Ａ図の断面を示す図である。 第２Ｃ図は第２Ｂ図のポテンシャルを示す図である。第
３図）、本従来の固体撮栄装曜の構成を示すブロック図
である。、第４図は従来の固体撮像装置の動作説明する
ためのポテンシャル図である。 図において、２１は転送チャンネル、２２は蓄積ゲート
部、２３は蓄積グー１−電極、２４はＭ＠制御ゲグー一
部、２５は蓄ｌＦｉ ｆｆ１ｌｌ葬ゲー１−電極、２６
は水平ＣＣＤ部、２７および２８はゲートＭ即用アルミ
ニウム配線、２９および３０はコンタク１−ホールを示
す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）それぞれが直交する第１および第２の方向に配列
された複数個の受光素子と、 第１の方向に配列された受光素子列ごとに設けられ、そ
れぞれの受光素子からの信号電荷を第１の方向に転送す
る第１の電荷転送手段と、 前記各々の第１の電荷転送手段により転送された信号電
荷を一時蓄積する蓄積手段と、 前記蓄積手段により蓄積された信号電荷を第２の方向に
転送する第２の電荷転送手段とを備えた固体撮像装置で
あつて、 前記蓄積手段は、前記第２の電荷転送手段のチャンネル
幅に等しいかまたはそれよりも狭い幅のゲート部を有す
ることを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記蓄積手段は信号電荷の転送方向に複数個のゲ
ート電極を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の固体撮像装置。 - （３）前記第１の電荷転送手段の各々は、１水平期間ご
とに、第２の方向に配列された１列の受光素子列におけ
るそれぞれの受光素子からの信号電荷を前記蓄積手段に
転送することを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179649A JPS6239054A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179649A JPS6239054A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239054A true JPS6239054A (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=16069461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179649A Pending JPS6239054A (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6239054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514886A (en) * | 1995-01-18 | 1996-05-07 | Eastman Kodak Company | Image sensor with improved output region for superior charge transfer characteristics |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60179649A patent/JPS6239054A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514886A (en) * | 1995-01-18 | 1996-05-07 | Eastman Kodak Company | Image sensor with improved output region for superior charge transfer characteristics |
| US5583071A (en) * | 1995-01-18 | 1996-12-10 | Eastman Kodak Company | Image sensor with improved output region for superior charge transfer characteristics |
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