JPS6239535B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6239535B2 JPS6239535B2 JP54169185A JP16918579A JPS6239535B2 JP S6239535 B2 JPS6239535 B2 JP S6239535B2 JP 54169185 A JP54169185 A JP 54169185A JP 16918579 A JP16918579 A JP 16918579A JP S6239535 B2 JPS6239535 B2 JP S6239535B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- pattern
- central processing
- electron beam
- processing unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線露光システムにおけるデータ処
理方法に関する。
理方法に関する。
IC（Integrated Cicuit）の製造に際し電子線
露光システムが採用されていることは周知であ
る。この電子線露光システムは、一般に、ICウ
エーハ上に塗布されたレジストを所定のパターン
に沿つて露光する電子線放射部と、該電子線放射
部が走査すべき前記所定のパターンに関するデー
タを指示する中央処理部とに大別される。このう
ち本発明は特に後者の中央処理部について言及す
るものである。この中央処理部はさらに中央処理
装置（CPU）とパターン発生器とに区分され
る。中央処理装置は所定のパターンを指示するデ
ータをパターン発生器に供給し、パターン発生器
はその供給されたデータに従つて、前記電子線放
射部に駆動制御する。
露光システムが採用されていることは周知であ
る。この電子線露光システムは、一般に、ICウ
エーハ上に塗布されたレジストを所定のパターン
に沿つて露光する電子線放射部と、該電子線放射
部が走査すべき前記所定のパターンに関するデー
タを指示する中央処理部とに大別される。このう
ち本発明は特に後者の中央処理部について言及す
るものである。この中央処理部はさらに中央処理
装置（CPU）とパターン発生器とに区分され
る。中央処理装置は所定のパターンを指示するデ
ータをパターン発生器に供給し、パターン発生器
はその供給されたデータに従つて、前記電子線放
射部に駆動制御する。
ところで、近年のICは高密度化が進み、電子
線放射部の描画量も、中央処理装置よりパターン
発生器へ供給されるデータ量も膨大なものとなつ
ている。この場合、電子線放射部についてみると
その膨大な描画量にかなり追随する能力を有して
いる。然しながら、中央処理部においては一定の
データ量に対する処理能力はかなり飽和してお
り、データ量の増大はそのまま処理時間の増大へ
つながつてしまい、システム全体の処理能力を向
上し得ないという問題がある。
線放射部の描画量も、中央処理装置よりパターン
発生器へ供給されるデータ量も膨大なものとなつ
ている。この場合、電子線放射部についてみると
その膨大な描画量にかなり追随する能力を有して
いる。然しながら、中央処理部においては一定の
データ量に対する処理能力はかなり飽和してお
り、データ量の増大はそのまま処理時間の増大へ
つながつてしまい、システム全体の処理能力を向
上し得ないという問題がある。
この問題を解決すべく、中央処理装置とパター
ン発生器との間にバツフアメモリを配置するとい
う手法が採られた。然し膨大なデータ量の授受を
許容するためには、大容量のバツフアメモリを必
要とし、結局システムパフオーマンスが悪化する
という欠点を伴つた。
ン発生器との間にバツフアメモリを配置するとい
う手法が採られた。然し膨大なデータ量の授受を
許容するためには、大容量のバツフアメモリを必
要とし、結局システムパフオーマンスが悪化する
という欠点を伴つた。
第１図は一般的な電子線露光システムの概要を
示す模式図である。本図において、１１は中央処
理部の領域を示し、１２は電子線放射部の領域を
示す。電子線放射部１２は、電子銃１２−１、コ
ンデンサレンズ１２−２、縮小レンズ１２−３、
投影レンズ１２−４、偏向器１２−５からなり、
レジストを塗布した半導体基板１３を電子線にて
描画し露光する。一方、中央処理部１１は、中央
処理装置（CPU）１４、バツフアメモリ１５お
よびパターン発生器１６から主としてなり、パタ
ーン発生器１６の出力にはＤ／Ａ変換器１７、偏
向増幅器１８等が付帯する。偏向増幅器１８から
の出力は、電子線を、所定パターンに沿つて、Ｘ
およびＹ方向に走査せしめる。又、パターン発生
器１６から電子銃１２−１に直接供給される出力
はいわゆるブランキング出力であり、露光しては
ならない部分を、電子線が走査される際、該電子
線をブランクする。
示す模式図である。本図において、１１は中央処
理部の領域を示し、１２は電子線放射部の領域を
示す。電子線放射部１２は、電子銃１２−１、コ
ンデンサレンズ１２−２、縮小レンズ１２−３、
投影レンズ１２−４、偏向器１２−５からなり、
レジストを塗布した半導体基板１３を電子線にて
描画し露光する。一方、中央処理部１１は、中央
処理装置（CPU）１４、バツフアメモリ１５お
よびパターン発生器１６から主としてなり、パタ
ーン発生器１６の出力にはＤ／Ａ変換器１７、偏
向増幅器１８等が付帯する。偏向増幅器１８から
の出力は、電子線を、所定パターンに沿つて、Ｘ
およびＹ方向に走査せしめる。又、パターン発生
器１６から電子銃１２−１に直接供給される出力
はいわゆるブランキング出力であり、露光しては
ならない部分を、電子線が走査される際、該電子
線をブランクする。
中央処理装置１４は、描画露光すべき所定パタ
ーンに関するデータを一旦バツフアメモリ１５に
ストアし、パターン発生器１６は、１単位の描画
が完了する毎にエンド信号を上げ、バツフアメモ
リ１５より次のデータを読み出す。
ーンに関するデータを一旦バツフアメモリ１５に
ストアし、パターン発生器１６は、１単位の描画
が完了する毎にエンド信号を上げ、バツフアメモ
リ１５より次のデータを読み出す。
以下説明を分り易くするために、半導体基板１
３上に描画すべき所定パターンを、第２図に例示
する。本図において、半導体基板１３上には例え
ば数1000個の凸形パターンが配列されるものとす
る。２１は第１の種類の凸形パターンであり、２
２は第２の種類の凸形パターンであり、この他に
も多数種類のパターンが配列される。ただし、
ICメモリ等では同一種類のパターンが多数マト
リクス状に配列されることになろう。第１の凸形
パターン２１はそれぞれ矩形パターンＡと矩形パ
ターンＢとを一単位として、第２の凸形パターン
２２はそれぞれ矩形パターンＰと矩形パターンＱ
とを一単位としてなる。これらパターンを中央処
理装置１４（第１図）が指定する場合、従来は例
えば第３図に示すデータ構成を採用していた。本
図に示すデータ構成は、前記凸形パターン２１の
１つを例にとつて示すものであるが、図示すると
おり１ワードのデータ３１〜３８が必要である。
これらは、AX1，AY1…BX2，BY2等の記号で表
示されているが、その意味は、次のとおりであ
る。
３上に描画すべき所定パターンを、第２図に例示
する。本図において、半導体基板１３上には例え
ば数1000個の凸形パターンが配列されるものとす
る。２１は第１の種類の凸形パターンであり、２
２は第２の種類の凸形パターンであり、この他に
も多数種類のパターンが配列される。ただし、
ICメモリ等では同一種類のパターンが多数マト
リクス状に配列されることになろう。第１の凸形
パターン２１はそれぞれ矩形パターンＡと矩形パ
ターンＢとを一単位として、第２の凸形パターン
２２はそれぞれ矩形パターンＰと矩形パターンＱ
とを一単位としてなる。これらパターンを中央処
理装置１４（第１図）が指定する場合、従来は例
えば第３図に示すデータ構成を採用していた。本
図に示すデータ構成は、前記凸形パターン２１の
１つを例にとつて示すものであるが、図示すると
おり１ワードのデータ３１〜３８が必要である。
これらは、AX1，AY1…BX2，BY2等の記号で表
示されているが、その意味は、次のとおりであ
る。
AX1：矩形パターンＡの始点のＸ座標（ただ
し、始点とは矩形の左下の角であるものとす
る、以下同じ） AY1：矩形パターンＡの始点のＹ座標 AX2：矩形パターンＡのＸ方向の一辺の長さ AY2：矩形パターンＡのＹ方向の一辺の長さ BX1：矩形パターンＢの始点のＸ座標 BY1：矩形パターンＢの始点のＹ座標 BX2：矩形パターンＢのＸ方向の一辺の長さ BY2：矩形パターンＢのＹ方向の一辺の長さ つまり、（X1，Y1）は矩形パターンの位置情報
であり、（X2，Y2）はその大きさ情報である。か
くの如く、従来のデータ処理方法によれば、１つ
の凸形パターンを描画するのに８ワードのデータ
３１〜３８が必要であつた。結局、１つの凸形パ
ターンを得るためにはその都度、中央処理装置１
４からパターン発生器１６に８ワードのデータを
送らなければならず、バツフアメモリ１５の容量
が巨大化するのみならず、データ処理時間も膨大
なものとなつてしまつた。
し、始点とは矩形の左下の角であるものとす
る、以下同じ） AY1：矩形パターンＡの始点のＹ座標 AX2：矩形パターンＡのＸ方向の一辺の長さ AY2：矩形パターンＡのＹ方向の一辺の長さ BX1：矩形パターンＢの始点のＸ座標 BY1：矩形パターンＢの始点のＹ座標 BX2：矩形パターンＢのＸ方向の一辺の長さ BY2：矩形パターンＢのＹ方向の一辺の長さ つまり、（X1，Y1）は矩形パターンの位置情報
であり、（X2，Y2）はその大きさ情報である。か
くの如く、従来のデータ処理方法によれば、１つ
の凸形パターンを描画するのに８ワードのデータ
３１〜３８が必要であつた。結局、１つの凸形パ
ターンを得るためにはその都度、中央処理装置１
４からパターン発生器１６に８ワードのデータを
送らなければならず、バツフアメモリ１５の容量
が巨大化するのみならず、データ処理時間も膨大
なものとなつてしまつた。
従つて本発明の目的は、上記欠点を排除し得
る、電子線露光システムにおけるデータ処理方法
を提案することである。
る、電子線露光システムにおけるデータ処理方法
を提案することである。
上記目的に従い本発明は、中央処理部内におい
て取り扱われるべきデータのうち、頻繁に繰り返
し使用されるデータについて予め複数個の群に分
類してパターン発生器内に収容しておき、一方、
中央処理装置がパターン発生器にデータを供給す
る場合には、当該データを含む群の番号を指定し
て該データを構成するようにしたことを特徴とす
るものである。
て取り扱われるべきデータのうち、頻繁に繰り返
し使用されるデータについて予め複数個の群に分
類してパターン発生器内に収容しておき、一方、
中央処理装置がパターン発生器にデータを供給す
る場合には、当該データを含む群の番号を指定し
て該データを構成するようにしたことを特徴とす
るものである。
以下図面に従つて本発明を説明する。
本発明は次の様なデータ処理方法を提案し、１
パターンを指定するデータ量を従来の略1/2にす
ると共に、さらにその他の必要情報をも含み得る
ようにする。この方法の基本的な考え方は、少な
くとも頻繁に繰り返し使用されるデータ、例えば
前記大きさ情報Ａ（X2，Y2）、Ｂ（X2，Y2）…
…Ｐ（X2，Y2）、Ｑ（X2，Y2）を予めそれぞれ
の群に分類し、詳細なビツトデータに代えて群の
番号で当該データを指定することである。これを
図解的に示すと第４図の如くなる。第４図におい
て、Ga，Gb…Gp，Gqが前述した群を示す。各
群の内容は矩形パターンＡ，Ｂ…Ｐ，Ｑの大きさ
情報Ａ（X2，Y2）、Ｂ（X2，Y2）……Ｐ（X2，
Y2）、Ｑ（X2，Y2）である。これら群情報は、
第１図のパターン発生器１６内に予め収納されて
いる。具体的には、第４図の群Ga，Gb…Gp，
Gqのそれぞれに対応するレジスタ群がパターン
発生器１６内に設けられている。そして一方、中
央処理装置１４（第１図）は、第５図に示す如き
データ構成のデータ５１，５２，５３および５４
を送出するものとする。データ５１〜５４はそれ
ぞれ１ワードであるから、実に従来の1/2である
４ワードから１単位の凸形パターンを表現するこ
とが可能となる。１ワードの各データ５１〜５４
はそれぞれコントロールブロツクＣとデータブロ
ツクＤに区分され、コントロールブロツクＣには
前記群(G)の番号Ga，Gb…Gp，Gq等の１つを書
き込み、又、データブロツクＤには前記始点座標
（X1，Y1）を書き込む。従つて、第２図における
凸形パターン２１の１つを指定するデータの構成
は第５図のとおり、各１ワードのデータ５１〜５
４となる。すなわち、各データのコントロールブ
ロツクＣは大きさ情報を群番号で指定し、その具
体的内容はパターン発生器１６内の対応するレジ
スタ（第４図）から取り出す。又、データブロツ
クＤはＸ又Ｙの位置情報を指定する。
パターンを指定するデータ量を従来の略1/2にす
ると共に、さらにその他の必要情報をも含み得る
ようにする。この方法の基本的な考え方は、少な
くとも頻繁に繰り返し使用されるデータ、例えば
前記大きさ情報Ａ（X2，Y2）、Ｂ（X2，Y2）…
…Ｐ（X2，Y2）、Ｑ（X2，Y2）を予めそれぞれ
の群に分類し、詳細なビツトデータに代えて群の
番号で当該データを指定することである。これを
図解的に示すと第４図の如くなる。第４図におい
て、Ga，Gb…Gp，Gqが前述した群を示す。各
群の内容は矩形パターンＡ，Ｂ…Ｐ，Ｑの大きさ
情報Ａ（X2，Y2）、Ｂ（X2，Y2）……Ｐ（X2，
Y2）、Ｑ（X2，Y2）である。これら群情報は、
第１図のパターン発生器１６内に予め収納されて
いる。具体的には、第４図の群Ga，Gb…Gp，
Gqのそれぞれに対応するレジスタ群がパターン
発生器１６内に設けられている。そして一方、中
央処理装置１４（第１図）は、第５図に示す如き
データ構成のデータ５１，５２，５３および５４
を送出するものとする。データ５１〜５４はそれ
ぞれ１ワードであるから、実に従来の1/2である
４ワードから１単位の凸形パターンを表現するこ
とが可能となる。１ワードの各データ５１〜５４
はそれぞれコントロールブロツクＣとデータブロ
ツクＤに区分され、コントロールブロツクＣには
前記群(G)の番号Ga，Gb…Gp，Gq等の１つを書
き込み、又、データブロツクＤには前記始点座標
（X1，Y1）を書き込む。従つて、第２図における
凸形パターン２１の１つを指定するデータの構成
は第５図のとおり、各１ワードのデータ５１〜５
４となる。すなわち、各データのコントロールブ
ロツクＣは大きさ情報を群番号で指定し、その具
体的内容はパターン発生器１６内の対応するレジ
スタ（第４図）から取り出す。又、データブロツ
クＤはＸ又Ｙの位置情報を指定する。
この様なデータ構成を採ることができたのは、
通常、Ｘ又はＹの位置座標が12ビツトのデータで
表示されていることにも起因する。というのは、
中央処理装置１４が取り扱うデータは一般に１ワ
ード：16ビツトの構成であるから、16−２＝４ビ
ツトはいわゆる余剰ビツトとなつている。本発明
はこの余剰ビツトをコントロールブロツクとして
有効利用したものといえる。
通常、Ｘ又はＹの位置座標が12ビツトのデータで
表示されていることにも起因する。というのは、
中央処理装置１４が取り扱うデータは一般に１ワ
ード：16ビツトの構成であるから、16−２＝４ビ
ツトはいわゆる余剰ビツトとなつている。本発明
はこの余剰ビツトをコントロールブロツクとして
有効利用したものといえる。
さらに本発明の利点を拳げると、第５図に示す
如く、データ５２および５４の各コントロールブ
ロツクが空きになることである。この空きブロツ
クができたのは、大きさ情報をX2およびY2とし
て指定するのでなく、単に群番号として表示する
ようになつたことに基づく。この結果、これら空
きブロツクにさらに他のコントロール情報も乗せ
ることが可能となる。例えば、電子線露光量の制
御情報としての利用がその１つである。一般に高
密度微細パターンを露光する場合、いわゆる近接
効果を生じることが知られている。これは、近接
する２つのパターンを強く露光すると、露光すべ
きでない、これらの中間パターンまで露光されて
しまうというものである。このような場合、近接
効果排除のために、その空きブロツクに露光量抑
制情報を乗せることができる。具体的には、露光
用クロツクのクロツク速度を低側に切り替えるの
である。もし、そのような近接効果の心配がなけ
れば、これを高側若しくは中側あるいは連続可変
範囲の高側又は中側範囲を指定するようにすれば
良い。
如く、データ５２および５４の各コントロールブ
ロツクが空きになることである。この空きブロツ
クができたのは、大きさ情報をX2およびY2とし
て指定するのでなく、単に群番号として表示する
ようになつたことに基づく。この結果、これら空
きブロツクにさらに他のコントロール情報も乗せ
ることが可能となる。例えば、電子線露光量の制
御情報としての利用がその１つである。一般に高
密度微細パターンを露光する場合、いわゆる近接
効果を生じることが知られている。これは、近接
する２つのパターンを強く露光すると、露光すべ
きでない、これらの中間パターンまで露光されて
しまうというものである。このような場合、近接
効果排除のために、その空きブロツクに露光量抑
制情報を乗せることができる。具体的には、露光
用クロツクのクロツク速度を低側に切り替えるの
である。もし、そのような近接効果の心配がなけ
れば、これを高側若しくは中側あるいは連続可変
範囲の高側又は中側範囲を指定するようにすれば
良い。
以上説明したように本発明によれば、従来に比
して略２倍に処理能力を高め得る、そして他のコ
ントロール情報、例えば露光量制御情報も同時に
取扱い得るデータ処理方法が実現される。
して略２倍に処理能力を高め得る、そして他のコ
ントロール情報、例えば露光量制御情報も同時に
取扱い得るデータ処理方法が実現される。
第１図は一般的な電子線露光システムの概要を
示す模式図、第２図は第１図の半導体基板１３上
に描画すべき所定パターンを例示する平面図、第
３図は従来用いられたデータのデータ構成を説明
するための図、第４図は本発明に用いる群の意味
を説明するための図、第５図は本発明で用いるデ
ータのデータ構成を示す図である。 図において、１１は中央処理部、１２は電子線
放射部、１３は半導体基板、１４は中央処理装
置、１６はパターン発生器、２１，２２はそれぞ
れ例として示した露光パターン、５１〜５４はそ
れぞれ本発明によるデータ、Ga〜Gpはそれぞれ
群である。
示す模式図、第２図は第１図の半導体基板１３上
に描画すべき所定パターンを例示する平面図、第
３図は従来用いられたデータのデータ構成を説明
するための図、第４図は本発明に用いる群の意味
を説明するための図、第５図は本発明で用いるデ
ータのデータ構成を示す図である。 図において、１１は中央処理部、１２は電子線
放射部、１３は半導体基板、１４は中央処理装
置、１６はパターン発生器、２１，２２はそれぞ
れ例として示した露光パターン、５１〜５４はそ
れぞれ本発明によるデータ、Ga〜Gpはそれぞれ
群である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板に所定パターンを描画露光する電
子線放射部と、前記所定パターンに関するデータ
を発生する中央処理装置ならびに該中央処理装置
からの該所定パターンに関するデータを受信して
前記電子線放射部を駆動制御するパターン発生器
を有してなる中央処理部とから構成される電子線
露光システムにおけるデータ処理方法において、 頻繁に用いられる複数の矩形パターンのＸ方向
長さのデータとＹ方向長さのデータの対を、該デ
ータの対の各々を特定する群番号に対応させて前
記パターン発生器に予め記憶させておき、 前記中央処理装置は、前記所定パターンに関す
るデータとして前記所定パターンを構成する矩形
パターンに対応する前記群番号と該矩形パターン
の位置情報とを、前記パターン発生器へ供給する
電子線露光システムにおけるデータ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16918579A JPS5694626A (en) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | Data-processing method in electron-beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16918579A JPS5694626A (en) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | Data-processing method in electron-beam exposure system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5694626A JPS5694626A (en) | 1981-07-31 |
| JPS6239535B2 true JPS6239535B2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=15881805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16918579A Granted JPS5694626A (en) | 1979-12-27 | 1979-12-27 | Data-processing method in electron-beam exposure system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5694626A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386531A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Nec Corp | Display unit of cathode-ray tube |
-
1979
- 1979-12-27 JP JP16918579A patent/JPS5694626A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5694626A (en) | 1981-07-31 |
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