JPS6242514A - 分子線結晶成長装置 - Google Patents
分子線結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS6242514A JPS6242514A JP18227085A JP18227085A JPS6242514A JP S6242514 A JPS6242514 A JP S6242514A JP 18227085 A JP18227085 A JP 18227085A JP 18227085 A JP18227085 A JP 18227085A JP S6242514 A JPS6242514 A JP S6242514A
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- Japan
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- substrate
- light
- hole
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- chamber
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ビューボート（光の透過窓）と基板の間に焦点を結ぶよ
うな光学系をもち、ビューポートから入った光が焦点位
置におかれた遮蔽板の小穴を通り基板に照射する構成と
した分子線結晶成長装置である。
うな光学系をもち、ビューポートから入った光が焦点位
置におかれた遮蔽板の小穴を通り基板に照射する構成と
した分子線結晶成長装置である。
本発明は光を用いる分子線エピタキシャル（ＭＢＥ ）
成長に関するもので、さらに詳しく言えばビューボート
のくもりを抑え光の減衰を防ぐ構成とした分子線結晶成
長装置に関する。
成長に関するもので、さらに詳しく言えばビューボート
のくもりを抑え光の減衰を防ぐ構成とした分子線結晶成
長装置に関する。
光（例えば紫外光）を基板に照射し、光化学反応で結晶
成長や不純物拡散（ドーピング）を促進するＭＢＥ法の
研究が最近活発になってきた。第３図には光を利用する
ガスソースＭＢＩ！装置が模式的に断面図で示されるが
、高真空に保たれるチャンバ３１にはヒータ３３によっ
て加熱される基板３２が配置され、チャンバ３１にはポ
ート３４が連結され、ポート内にはガス導入管３５．３
６を通して成長用ガスとＨ２ガスがそれぞれ供給され、
基板とは反対側にはビューボート３７が設けられ、光源
３８から出る光はレンズ３９、ビューボート３８を通っ
て基板３２上に照射される。成長用ガスは光を吸収し、
光分解を起して例えば結晶が基板上に堆積される。
成長や不純物拡散（ドーピング）を促進するＭＢＥ法の
研究が最近活発になってきた。第３図には光を利用する
ガスソースＭＢＩ！装置が模式的に断面図で示されるが
、高真空に保たれるチャンバ３１にはヒータ３３によっ
て加熱される基板３２が配置され、チャンバ３１にはポ
ート３４が連結され、ポート内にはガス導入管３５．３
６を通して成長用ガスとＨ２ガスがそれぞれ供給され、
基板とは反対側にはビューボート３７が設けられ、光源
３８から出る光はレンズ３９、ビューボート３８を通っ
て基板３２上に照射される。成長用ガスは光を吸収し、
光分解を起して例えば結晶が基板上に堆積される。
前記した如き装置において光を装置内に入れるためには
、光を通過しつつ高真空を保つことのできるビューボー
トが必要であるが、例えばＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ結
晶を成長すると、Ａｓを含むガス（例えばアルシン）が
大量に供給されるので、成長中基板からＡｓが再蒸発し
、このＡｓがビューボートの内側に蒸着され、ビューボ
ートがくもって基板にあたる光が弱められていた。それ
を防止すべくビューボートの近くにシャッタを設けるこ
とが提案されたが、結晶成長中シャッタは開にしておか
なければならないから、シャッタを設けてもビューボー
トの（ちりを抑えるにはさほど効果がない。
、光を通過しつつ高真空を保つことのできるビューボー
トが必要であるが、例えばＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ結
晶を成長すると、Ａｓを含むガス（例えばアルシン）が
大量に供給されるので、成長中基板からＡｓが再蒸発し
、このＡｓがビューボートの内側に蒸着され、ビューボ
ートがくもって基板にあたる光が弱められていた。それ
を防止すべくビューボートの近くにシャッタを設けるこ
とが提案されたが、結晶成長中シャッタは開にしておか
なければならないから、シャッタを設けてもビューボー
トの（ちりを抑えるにはさほど効果がない。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、ＭＢ
ｌｌ＋装置において、ビューボートのくもりを防止しう
る装置を提供することを目的とする。
ｌｌ＋装置において、ビューボートのくもりを防止しう
る装置を提供することを目的とする。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図において、レンズ１２、ビューボート１３を通っ
てボート１４に入る光１１は、レンズＬ２の焦点位置に
配置された遮蔽板１５の穴１５ａを通って基板１６に照
射される構成となっている。
てボート１４に入る光１１は、レンズＬ２の焦点位置に
配置された遮蔽板１５の穴１５ａを通って基板１６に照
射される構成となっている。
本発明の目的は、基板にあてる光をさえぎらず、基板か
らの再蒸発をさえぎり、ビューボートをくもらないよう
にすることにあるので、焦点位置に穴を設けることによ
って光をさえぎらず、また穴が小さいので基板から再蒸
発した分子はほとんどビューボートにあたらないように
したものである。
らの再蒸発をさえぎり、ビューボートをくもらないよう
にすることにあるので、焦点位置に穴を設けることによ
って光をさえぎらず、また穴が小さいので基板から再蒸
発した分子はほとんどビューボートにあたらないように
したものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
本発明の一実施例は第１図の断面図に示され、図におい
て、１１は図示しない光源例えば重水素ランプから出さ
れる光、１２はレンズ、工３はビニ−ボート（光透過窓
）、１４はボート、１５は遮蔽板、１５ａは遮蔽板１５
に形成した小さな穴、１６は基板、１７は基板が載置さ
れるステージ、１８は基板１６を例えば６００℃〜７０
０℃に加熱するヒータ、１９は真空チャンバである。真
空チャンバは例えば始めに１×１０〜” Ｔｏｒｒ程度
の高真空に保たれ、次いで成長用ガスが導入されるとき
にはＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ程度の真空に保たれる。
て、１１は図示しない光源例えば重水素ランプから出さ
れる光、１２はレンズ、工３はビニ−ボート（光透過窓
）、１４はボート、１５は遮蔽板、１５ａは遮蔽板１５
に形成した小さな穴、１６は基板、１７は基板が載置さ
れるステージ、１８は基板１６を例えば６００℃〜７０
０℃に加熱するヒータ、１９は真空チャンバである。真
空チャンバは例えば始めに１×１０〜” Ｔｏｒｒ程度
の高真空に保たれ、次いで成長用ガスが導入されるとき
にはＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ程度の真空に保たれる。
成長用ガスなどを供給するガス導入管は図示しないが、
チャンバ１９に連結された他のボートに連結されている
。
チャンバ１９に連結された他のボートに連結されている
。
遮蔽板１５は例えばタンタル板で作り、直径１ｍｍ程度
の穴１５ａをあけ、穴１５ａの位置はレンズ１２の焦点
位置にくるようにする。遮蔽板１５はチャンバ１９の壁
から若干能して配置し、ボート１４内もチャンバ内と同
程度の真空度に保たれる一方で、基板１６からの再蒸発
による分子流がファーネス内に入ることのないようにす
る。遮蔽板１５は取外し可能に設置し、チャンバを清浄
するとき共に清浄されるようにするとよい。
の穴１５ａをあけ、穴１５ａの位置はレンズ１２の焦点
位置にくるようにする。遮蔽板１５はチャンバ１９の壁
から若干能して配置し、ボート１４内もチャンバ内と同
程度の真空度に保たれる一方で、基板１６からの再蒸発
による分子流がファーネス内に入ることのないようにす
る。遮蔽板１５は取外し可能に設置し、チャンバを清浄
するとき共に清浄されるようにするとよい。
前記した構成により、光は穴１５ａで絞られ、しかる後
に基板１６に照射されるが、基板１６の再蒸発による分
子は、穴１５ａが前記した如く小さいものであるので、
はとんどビューボートに達することがなく、遮蔽板がな
いときは数枚の基板にエビクキシャル成長した段階でビ
ューボートがくもったが、図示の実施例においては、２
０枚の基板に結晶成長させてもくもりはほとんど観測さ
れなかった。
に基板１６に照射されるが、基板１６の再蒸発による分
子は、穴１５ａが前記した如く小さいものであるので、
はとんどビューボートに達することがなく、遮蔽板がな
いときは数枚の基板にエビクキシャル成長した段階でビ
ューボートがくもったが、図示の実施例においては、２
０枚の基板に結晶成長させてもくもりはほとんど観測さ
れなかった。
第２図は本発明の他の実施例の断面図で、この実施例に
おいては、遮蔽板１５に代えて遮蔽ブロック２５を用い
る。ブロック２５は中央部にテーバした開孔部２５ａが
形成されたもので、開孔部２５ａのビューボートに近い
側で小穴を提供する構成とし、この小穴がレンズ１２の
焦点位置にあるようにする。
おいては、遮蔽板１５に代えて遮蔽ブロック２５を用い
る。ブロック２５は中央部にテーバした開孔部２５ａが
形成されたもので、開孔部２５ａのビューボートに近い
側で小穴を提供する構成とし、この小穴がレンズ１２の
焦点位置にあるようにする。
ブロックの形状は直方体または円柱体いずれでもよいが
、それをチャンバ内に固定するときには遮蔽板１５の場
合と同様にチャンバの壁との間に僅かの空隙を残すよう
にする。この実施例では開孔部２５ａがつまり難く、遮
蔽板よりもより長期の使用が可能である。
、それをチャンバ内に固定するときには遮蔽板１５の場
合と同様にチャンバの壁との間に僅かの空隙を残すよう
にする。この実施例では開孔部２５ａがつまり難く、遮
蔽板よりもより長期の使用が可能である。
以上述べてきたように本発明によれば、ＭＢＥ装置にお
いてビューボートのくもりが抑えられ、半導体装置製造
工程の作業性を改善するに有効である。
いてビューボートのくもりが抑えられ、半導体装置製造
工程の作業性を改善するに有効である。
第１図と第２図は本発明実施例の断面図、第３図は従来
例断面図である。 第１図と第２図において、 １１は光、 １２はレンズ、 １３はビューボート、 １４はボート、 １５は遮蔽板、 １５ａは穴、 １６は基板、 １７はステージ、 １８はヒータ、 １９はチャンバ、 ２５は遮蔽ブロック、 ２５ａは開孔部である。
例断面図である。 第１図と第２図において、 １１は光、 １２はレンズ、 １３はビューボート、 １４はボート、 １５は遮蔽板、 １５ａは穴、 １６は基板、 １７はステージ、 １８はヒータ、 １９はチャンバ、 ２５は遮蔽ブロック、 ２５ａは開孔部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チャンバ（１９）に連結されたファーネスのチャンバ内
の基板（１６）とは反対側に光透過窓（１３）を設け、 前記窓（１３）の外方には光（１１）を絞るレンズ（１
２）を配置し、 チャンバ（１９）のポート（１４）に近い部分には穴（
１５ａ）が形成された遮蔽板（１５）を配置し、前記穴
（１５ａ）の位置はレンズ（１２）の焦点位置に合致せ
しめ、 光（１１）をレンズ（１２）、窓（１３）、穴（１５ａ
）を通して基板（１６）に照射する構成としたことを特
徴とする分子線結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18227085A JPS6242514A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 分子線結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18227085A JPS6242514A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 分子線結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242514A true JPS6242514A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16115322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18227085A Pending JPS6242514A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 分子線結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6306246B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual window optical port for improved end point detection |
| US6712927B1 (en) * | 1998-06-11 | 2004-03-30 | Applied Materials Inc. | Chamber having process monitoring window |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18227085A patent/JPS6242514A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6712927B1 (en) * | 1998-06-11 | 2004-03-30 | Applied Materials Inc. | Chamber having process monitoring window |
| US6835275B1 (en) * | 1998-06-11 | 2004-12-28 | Michael N. Grimbergen | Reducing deposition of process residues on a surface in a chamber |
| US6306246B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual window optical port for improved end point detection |
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