JPS6242548A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6242548A JPS6242548A JP60182268A JP18226885A JPS6242548A JP S6242548 A JPS6242548 A JP S6242548A JP 60182268 A JP60182268 A JP 60182268A JP 18226885 A JP18226885 A JP 18226885A JP S6242548 A JPS6242548 A JP S6242548A
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- Japan
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- pinch
- notch
- bases
- bars
- broken
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ピンチバー破断部が樹脂端面より内側に位置する如く形
成されたモールド型半導体装置である。
成されたモールド型半導体装置である。
本発明は半導体装置に関するもので、さらに詳しく言え
ば、絶縁耐圧を高めるためピンチバーの破断部がモール
ド樹脂の端面から内側に引込んだ部分に位置するモール
ド成型された半導体パッケージに関するものである。
ば、絶縁耐圧を高めるためピンチバーの破断部がモール
ド樹脂の端面から内側に引込んだ部分に位置するモール
ド成型された半導体パッケージに関するものである。
第４図の側断面図に示されるモールド型半導体装置（半
導体パンケージともいう）は知られたものであり、同図
において、１１はモールド樹脂、１２は半導体チップ（
以下単にチップという）、１３はリード、１４はピンチ
バー、１５はリード１３とチップのパッド（電極）とを
接続するワイヤを示す。
導体パンケージともいう）は知られたものであり、同図
において、１１はモールド樹脂、１２は半導体チップ（
以下単にチップという）、１３はリード、１４はピンチ
バー、１５はリード１３とチップのパッド（電極）とを
接続するワイヤを示す。
第４図のパッケージは第５図の平面図に示されるリード
フレームを樹脂封止することによって形成され、図にお
いて、１５はチップ１２が接着されるダイステージを示
し、同図において、右のピンチバー１４ａは左のピンチ
バー１４ｂと共にダイステージを支持する部材であるが
、右のピンチパー１４ａはモールド成型後破断線１６に
沿って破断され、チップ１２にトランジスタが形成され
ている場合、リード１３ａはベース電極、リード１３ｂ
はエミッタ電極にワイヤ１５によって接続され、ピンチ
パー１４ｂはコレクタに接続された状態にあり、リード
とピンチパーはそれぞれ外部回路に接続される。
フレームを樹脂封止することによって形成され、図にお
いて、１５はチップ１２が接着されるダイステージを示
し、同図において、右のピンチバー１４ａは左のピンチ
バー１４ｂと共にダイステージを支持する部材であるが
、右のピンチパー１４ａはモールド成型後破断線１６に
沿って破断され、チップ１２にトランジスタが形成され
ている場合、リード１３ａはベース電極、リード１３ｂ
はエミッタ電極にワイヤ１５によって接続され、ピンチ
パー１４ｂはコレクタに接続された状態にあり、リード
とピンチパーはそれぞれ外部回路に接続される。
前記したピンチパー１４ｂはモールド樹脂１１の端面に
おいて切断されているが、トランジスタの場合、チップ
付けしたダイステージ（基板）とピンチパーとが一体化
されているので、半導体装置をテレビとかラジオの如き
セット本体に組み込んだ場合、セット本体と逆電位とな
りショートすることがある。そこで第６図に示される如
くセット本体の放熱板２１の壁２２からｔの距離をとる
かまたはなんらかの方法で絶縁処理をしなければならな
い。
おいて切断されているが、トランジスタの場合、チップ
付けしたダイステージ（基板）とピンチパーとが一体化
されているので、半導体装置をテレビとかラジオの如き
セット本体に組み込んだ場合、セット本体と逆電位とな
りショートすることがある。そこで第６図に示される如
くセット本体の放熱板２１の壁２２からｔの距離をとる
かまたはなんらかの方法で絶縁処理をしなければならな
い。
一般に１ｆｌの距離で１００ＯＶ程度の耐圧がとれるの
であるが、更に高い電圧（２０００Ｖ〜３０００Ｖ ’
）を要求される場合距離ｔを大きくとれば、耐圧は向上
するがパッケージの規格化、セットの小型化等から実施
できない状況にあり放熱板との間に放電が発生ずること
があった。それ故に、モールド型パッケージの組み込み
に十分注意しなければならないし、パンケージを壁２２
に接して組み込まなければならない場合には特別の絶縁
処理をなす必要がある。
であるが、更に高い電圧（２０００Ｖ〜３０００Ｖ ’
）を要求される場合距離ｔを大きくとれば、耐圧は向上
するがパッケージの規格化、セットの小型化等から実施
できない状況にあり放熱板との間に放電が発生ずること
があった。それ故に、モールド型パッケージの組み込み
に十分注意しなければならないし、パンケージを壁２２
に接して組み込まなければならない場合には特別の絶縁
処理をなす必要がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、絶縁
耐圧に優れた例えばセット本体に接した状態で組み込ん
だときに放電などの発生することのないモールド型パッ
ケージを提供することを目的とする。
耐圧に優れた例えばセット本体に接した状態で組み込ん
だときに放電などの発生することのないモールド型パッ
ケージを提供することを目的とする。
第１図と第２図は本発明実施例の断面図と斜視図である
。
。
第１図と第２図において、モールド樹脂１１には外部回
路に接続されることなく切断されるピンチパー１４ａが
、その幅の２〜５倍の長さ露出するように切欠部１７が
形成され、切欠部の内壁面１８に沿ってピンチパーが切
断され、かつ切欠部１７の底面１９は取付は面（例えば
放熱板）と対向面とすることにより沿面距離を長くとる
。
路に接続されることなく切断されるピンチパー１４ａが
、その幅の２〜５倍の長さ露出するように切欠部１７が
形成され、切欠部の内壁面１８に沿ってピンチパーが切
断され、かつ切欠部１７の底面１９は取付は面（例えば
放熱板）と対向面とすることにより沿面距離を長くとる
。
本発明実施例においては、切欠部が設けられその内壁面
１８に沿ってピンチパーが破断されるので破断面から放
熱板までの距離（ｄ）は、放熱板から切欠部底面までの
高さくｈ）に底面のピンチパーの長さ方向の距％３ｔｉ
（ｂ）を加えた長さくｔ＋ｈ）となり、対放熱板の関
係で沿面距離はｂだけ増加し、またセット本体の壁面２
２に対する関係ではｂの距離が破断面と壁面との間に存
在するので、その分だけ絶縁耐圧が高められるものであ
る。
１８に沿ってピンチパーが破断されるので破断面から放
熱板までの距離（ｄ）は、放熱板から切欠部底面までの
高さくｈ）に底面のピンチパーの長さ方向の距％３ｔｉ
（ｂ）を加えた長さくｔ＋ｈ）となり、対放熱板の関
係で沿面距離はｂだけ増加し、またセット本体の壁面２
２に対する関係ではｂの距離が破断面と壁面との間に存
在するので、その分だけ絶縁耐圧が高められるものであ
る。
以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。
従来例のモールド樹脂１１は、リードフレームの平面の
第４図に見て上下対称台形部分が合体した形状に形成さ
れていたのに対し、本発明実施例においては、破断され
る方のピンチパー１４ａの上方のモールド樹脂にそれが
ある長さ露出するように切欠部１７が形成される。かか
る切欠部１７は、樹脂封止用のモールド金型の上型に切
欠部１７に対応する突出部を設けることによって形成さ
れる。かかる切欠部】７は、端面とは反対側の内壁面１
８と、露出したピンチパー１４ａの直下の底面１９と、
底面に垂直な側壁面２０とによって限定され、底面１９
は取付は面（例えば放熱板２１の面）に平行になる（対
向面となる）。もっとも側壁面２０は無くとも効果は出
る。底面１９のピンチパーの長手方向の長さは、ピンチ
パーの幅の２〜５倍に設定する。
第４図に見て上下対称台形部分が合体した形状に形成さ
れていたのに対し、本発明実施例においては、破断され
る方のピンチパー１４ａの上方のモールド樹脂にそれが
ある長さ露出するように切欠部１７が形成される。かか
る切欠部１７は、樹脂封止用のモールド金型の上型に切
欠部１７に対応する突出部を設けることによって形成さ
れる。かかる切欠部】７は、端面とは反対側の内壁面１
８と、露出したピンチパー１４ａの直下の底面１９と、
底面に垂直な側壁面２０とによって限定され、底面１９
は取付は面（例えば放熱板２１の面）に平行になる（対
向面となる）。もっとも側壁面２０は無くとも効果は出
る。底面１９のピンチパーの長手方向の長さは、ピンチ
パーの幅の２〜５倍に設定する。
他方、ピンチパー１４ａには、破断すべき部分に■溝を
切って破断線１６を形成しておく。このＶ溝は、リード
フレームをプレス加工によって形成するときプレスによ
って形成する。従来の技術によってピンチパー１４ａを
強く引っ張ると、ピンチパー１４８は■溝（破断線１６
）に沿って破断される（第２図）。
切って破断線１６を形成しておく。このＶ溝は、リード
フレームをプレス加工によって形成するときプレスによ
って形成する。従来の技術によってピンチパー１４ａを
強く引っ張ると、ピンチパー１４８は■溝（破断線１６
）に沿って破断される（第２図）。
第１図を参照すると、ピンチパー１４ａの破断面から取
付は面である放熱Ｆｉ２１の表面までの沿面距離（ｄ）
は、ピンチパー１４ａの放熱板表面からの高さくｈ）に
、底面１９の長手方向の長さくｂ）を加えた長さくｈ＋
ｂ）であるので、第６図に示した従来例の沿面距離がｈ
であったのに比べ長さｂの分だけ絶縁耐圧が高くなる。
付は面である放熱Ｆｉ２１の表面までの沿面距離（ｄ）
は、ピンチパー１４ａの放熱板表面からの高さくｈ）に
、底面１９の長手方向の長さくｂ）を加えた長さくｈ＋
ｂ）であるので、第６図に示した従来例の沿面距離がｈ
であったのに比べ長さｂの分だけ絶縁耐圧が高くなる。
また、第１図のパッケージが取付は部材の壁２２の図に
符号２２ａを付し破線で示す壁面に接して取り付けられ
る場合、従来例では沿面距離はほとんどＯに近いもので
あったのに対し、第１図の実施例ではｂの沿面距離がと
られているから、壁面に対する関係での絶縁耐圧は大幅
に向上される。
符号２２ａを付し破線で示す壁面に接して取り付けられ
る場合、従来例では沿面距離はほとんどＯに近いもので
あったのに対し、第１図の実施例ではｂの沿面距離がと
られているから、壁面に対する関係での絶縁耐圧は大幅
に向上される。
第２図には第５図に示されたピンチパー１４ａが２本あ
るリードフレームのために切欠部１７が２つ設けられた
実施例を示したが、ピンチパー１４ａが１本の場合には
第３図に示す如く切欠部１７は１つだけ設ける。
るリードフレームのために切欠部１７が２つ設けられた
実施例を示したが、ピンチパー１４ａが１本の場合には
第３図に示す如く切欠部１７は１つだけ設ける。
なお、以上はトランジスタを例に参照したが、本発明の
通用範囲はその場合に限定されるものでなく、サイリス
ク、さらにはリード１３が多数形成されたＩＣパフケー
ジの場合にも及ぶものである。
通用範囲はその場合に限定されるものでなく、サイリス
ク、さらにはリード１３が多数形成されたＩＣパフケー
ジの場合にも及ぶものである。
また、側壁面２０が無くても、同一効果を発揮できる。
以上述べてきたように本発明によれば、チップが接着さ
れたダイステージを含むリードフレームをモールド成型
して形成される半導体装置（パッケージ）において、ピ
ンチパーの破断面がモールド樹脂の端面の内部に位置す
るため、半導体装置をセット本体に取り付けた場合の絶
縁耐圧が向上し、パッケージの応用範囲が拡げられる効
果がある。
れたダイステージを含むリードフレームをモールド成型
して形成される半導体装置（パッケージ）において、ピ
ンチパーの破断面がモールド樹脂の端面の内部に位置す
るため、半導体装置をセット本体に取り付けた場合の絶
縁耐圧が向上し、パッケージの応用範囲が拡げられる効
果がある。
第１図は本発明実施例の断面図、
第２図と第３図は本発明実施例の斜視図、第４図は従来
例の断面図、 第５図は従来例の平面図、 第６図は従来例の取付けを示す断面図である・第１図な
いし第６図において、 １１はモールド樹脂、 １２は半導体チップ、 １３、 １３ａ、 １３ｂはリード、１４、１４ａ、
１４ｂはピンチパー、１５はダイステージ、 １６は破断線、 １７は切欠部、 １８は内壁面、 １９は底面、 ２０は側壁面、 ２１は放熱板、 ２２は壁である。 冬発Ｔ３１４喫炙Ｉ°」鵬■ 第１図 本発朗資砲ψ１制匁函 第２図 ８発＠史党卆癩氏 第３図 玖９１欽面図 慎 ７１図 第５図
例の断面図、 第５図は従来例の平面図、 第６図は従来例の取付けを示す断面図である・第１図な
いし第６図において、 １１はモールド樹脂、 １２は半導体チップ、 １３、 １３ａ、 １３ｂはリード、１４、１４ａ、
１４ｂはピンチパー、１５はダイステージ、 １６は破断線、 １７は切欠部、 １８は内壁面、 １９は底面、 ２０は側壁面、 ２１は放熱板、 ２２は壁である。 冬発Ｔ３１４喫炙Ｉ°」鵬■ 第１図 本発朗資砲ψ１制匁函 第２図 ８発＠史党卆癩氏 第３図 玖９１欽面図 慎 ７１図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体チップ（１２）が接着されピンチバー（１４）に
より支持されたダイステージ（１５）を含むリードフレ
ームを樹脂封止してなる半導体装置において、 破断されるべきピンチバー（１４ａ）の位置する上方部
分のモールド樹脂にはピンチバー（１４ａ）の長手方向
にピンチバーの幅より広い幅の切欠部（１７）が形成さ
れ、 ピンチバー（１４ａ）は切欠部のモールド樹脂端面から
最も遠い内壁面（１８）に沿って破断されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182268A JPS6242548A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182268A JPS6242548A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242548A true JPS6242548A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16115284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182268A Pending JPS6242548A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242548A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453426A (en) * | 1987-05-11 | 1989-03-01 | Sanken Electric Co Ltd | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
| US4855807A (en) * | 1986-12-26 | 1989-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| GB2451189A (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-21 | Deepstream Technologies Ltd | An electrical circuit that contains apertures that allow supporting tie bars to be cut |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182268A patent/JPS6242548A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4855807A (en) * | 1986-12-26 | 1989-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JPS6453426A (en) * | 1987-05-11 | 1989-03-01 | Sanken Electric Co Ltd | Manufacture of resin sealed semiconductor device |
| GB2451189A (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-21 | Deepstream Technologies Ltd | An electrical circuit that contains apertures that allow supporting tie bars to be cut |
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