JPS6242575A - 非線形抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
非線形抵抗素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6242575A JPS6242575A JP60182066A JP18206685A JPS6242575A JP S6242575 A JPS6242575 A JP S6242575A JP 60182066 A JP60182066 A JP 60182066A JP 18206685 A JP18206685 A JP 18206685A JP S6242575 A JPS6242575 A JP S6242575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resistance element
- nonlinear resistance
- electrode
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性スイッチングのような機能を備えた非
線形抵抗素子に関するものである。
線形抵抗素子に関するものである。
従来の技術
導電性スイッチングを行うような非線形抵抗素子はオボ
ニック(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されて
いるが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するの
が有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の
素子ではほとんどが薄膜型である。
ニック(OVONIC)素子として知られ、主にカルコ
ゲン元素からなる非晶質半導体をその材料として用いる
。また、遷移金属の酸化物においてもこれと同様な電気
的性質の見られることが知られ、ヘマタイト、マグネタ
イト、ニッケルフェライト、ニッケル亜鉛フェライト、
酸化ニッケルなどが報告されている。これら従来の非線
形抵抗素子では、材料が薄膜や焼結体の形で利用されて
いるが、閾値電圧の低さなどの点から薄膜で構成するの
が有利であり、比較的安定な特性を示す非晶質半導体の
素子ではほとんどが薄膜型である。
これの基本的な構造を第2図と第3図に示す。
なお、図において1は基体、2はアクティブ層、3.4
は電極である。
は電極である。
このように、形成した膜を膜厚の方向で使用するサンド
インチ型(第2図)と膜をその表面方向で使用するプレ
ーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場合
も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成されるの
が普通である。
インチ型(第2図)と膜をその表面方向で使用するプレ
ーナ型(第3図)に分けることができる。いずれの場合
も、アクティブ層は真空蒸着やスパッタで形成されるの
が普通である。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、従来のスイッチング特性を示す非線形抵
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するだめ、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなく
、例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要のあ
るような用途に対してはコストが高くなるなどの理由で
これに対応することができない。
抗素子ではそのアクティブ層を真空法で形成するだめ、
製造上の歩留や生産性において不利であるばかりでなく
、例えば非常に大きな基体上に素子を構成する必要のあ
るような用途に対してはコストが高くなるなどの理由で
これに対応することができない。
本発明の目的は、このような問題点を解決したスイッチ
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
ング特性を持つ非線形抵抗素子とその製造方法を提供し
、これらの素子を生産性良く安価に製造できるようにす
ることである。
問題点を解決するだめの手段
上記目的を達成するため本発明では、アクティブ層を形
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性を呈する化合物として酸化マンガンと酸化スズの混
合物を見出し、これをアクティブ層に用いた。
成するのに金属化合物の溶液の塗布、熱分解という手法
を取入れた。金属化合物としては、適当な溶媒に溶け、
溶液を塗布乾燥した時に膜状になるものであればよく、
例えば硝酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩、
錯体および金属にアルキル基の付いた有機金属などを用
いることができる。このような方法で薄膜を形成できる
化合物は多いが、発明者らはこのなかからスイッチング
特性を呈する化合物として酸化マンガンと酸化スズの混
合物を見出し、これをアクティブ層に用いた。
作用
酸化マンガンと酸化スズの混合物薄膜は、マンガンとス
ズの化合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布、熱分解
させることにより容易に得られる。
ズの化合物を溶媒に混合溶解して基体上に塗布、熱分解
させることにより容易に得られる。
この際、化合物と溶媒の組合せを考慮することにより非
常に安定な溶液とすることができ、インキとして長期間
の保存が可能である。このような形成法の導入により、
ディップ、スプレー、印刷などの工法を用いることがで
きるため、大面積にわたって均一な膜を生産性良く安価
に製造することができる。また、熱分解によって得られ
た薄膜は、その膜厚、電極間距離、組成などに依存して
閾値電圧や維持電流が変化するスイッチング特性を示し
、この特性の安定性は非常に良好である。
常に安定な溶液とすることができ、インキとして長期間
の保存が可能である。このような形成法の導入により、
ディップ、スプレー、印刷などの工法を用いることがで
きるため、大面積にわたって均一な膜を生産性良く安価
に製造することができる。また、熱分解によって得られ
た薄膜は、その膜厚、電極間距離、組成などに依存して
閾値電圧や維持電流が変化するスイッチング特性を示し
、この特性の安定性は非常に良好である。
実施例
以下に実施例をあげて本発明を説明する。
(実施例1)
第2図に示したサンドイッチ型の素子を作るため、第1
表に示すような組成で酸化マンガンと酸化スズの混合物
薄膜形成用塗布液を調製した。マンガンとスズの化合物
として、成膜の非常に容易な2−エチルヘキサン酸塩を
使用し、溶媒はメチルインブチルケトンを使用した。電
極として金の薄膜を形成したガラス基板上に、これら塗
布液をスピンコードしたのち常温で乾燥し、大気中65
0°Cで60分間加熱焼成してアクティブ層を形成し、
さらにこの薄膜上に金の薄膜を形成した。これらの素子
の電圧印加時のI−4特性をカーブトレーサーで測定す
ると、第1図に示したよりなI −4曲線が得られる。
表に示すような組成で酸化マンガンと酸化スズの混合物
薄膜形成用塗布液を調製した。マンガンとスズの化合物
として、成膜の非常に容易な2−エチルヘキサン酸塩を
使用し、溶媒はメチルインブチルケトンを使用した。電
極として金の薄膜を形成したガラス基板上に、これら塗
布液をスピンコードしたのち常温で乾燥し、大気中65
0°Cで60分間加熱焼成してアクティブ層を形成し、
さらにこの薄膜上に金の薄膜を形成した。これらの素子
の電圧印加時のI−4特性をカーブトレーサーで測定す
ると、第1図に示したよりなI −4曲線が得られる。
測定結果を第1表中に示すが、この表では第1図におけ
るvth(閾値電圧)と工th(閾値電流)及びVh
(維持電圧)と工h(維持電流)を数値として示した。
るvth(閾値電圧)と工th(閾値電流)及びVh
(維持電圧)と工h(維持電流)を数値として示した。
これらの値はすべて50t4zの周波数で掃引した時の
数値である。
数値である。
また、アクティブ層の厚みは、この薄膜の一部をエツチ
ングして段差を形成し、接触式の表面粗さ計で測定した
ものである。
ングして段差を形成し、接触式の表面粗さ計で測定した
ものである。
さらに、これら素子に対し、5田で±157の鋸波を印
加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても連
続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当す
る)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に±
5チ以上の変動は認められず、その特性の安定性は実用
上充分であると考えられた。
加し特性の安定性を調べたところ、いずれにおいても連
続で10日間(400万回以上のスイッチングに相当す
る)の動作を行わせた後でも、第1表に示した数値に±
5チ以上の変動は認められず、その特性の安定性は実用
上充分であると考えられた。
(以下余白)
(実施例2)
実施例1と同様な組成の塗布液を用い、電極をスズをド
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドインチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
なったく同様である。これらのI−y特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲線が
得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル磁は
第1表のそれに対応し、同一の隘のものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数はcs
o)4zである。この表から、若干の変動はあるがほぼ
実施例1と同じ結果の得られることが分る。
ープした酸化インジウム薄膜に置換えてサンドインチ型
の素子を構成した。電極以外の作成方法は、実施例1と
なったく同様である。これらのI−y特性をカーブトレ
ーサで測定すると、同様に第1図のようなI−V曲線が
得られ、この結果を第2表に示す。表中のサンプル磁は
第1表のそれに対応し、同一の隘のものは同じ塗布液で
アクティブ層を形成したことを示す。掃引周波数はcs
o)4zである。この表から、若干の変動はあるがほぼ
実施例1と同じ結果の得られることが分る。
また、実施例1と同様な安定性の試験を行い、これらに
おいても約400万回以上のスイッチングの後でも特性
は安定していることを確認した。
おいても約400万回以上のスイッチングの後でも特性
は安定していることを確認した。
(実施例3)
ガラス基板上に金の薄膜を形成し、この薄膜を一部エッ
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示した
ブレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、I−V特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなI−4曲線が得られた。この結果を第
3表に示す。同様にサンプル座は実施例1の隘に対応す
る。サンドインチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこと
に対応して閾値電圧が増大していることが分る。これら
においても特性の安定性は実用上充分であることを確認
した。
チングして幅が数十μの間隙を設け、これによって隔て
られた金薄膜を電極とし、この上に実施例1と同様の塗
布液を用いてアクティブ層を形成した。その形成条件は
実施例1と同様である。このようにして第3図に示した
ブレーナ型の素子を作成した。これらに直流電圧を印加
し、I−V特性を測定すると実施例1や2と同様に第1
図に示したようなI−4曲線が得られた。この結果を第
3表に示す。同様にサンプル座は実施例1の隘に対応す
る。サンドインチ型素子に比べ電極間間隔が大きいこと
に対応して閾値電圧が増大していることが分る。これら
においても特性の安定性は実用上充分であることを確認
した。
(以下金 白)
(実施例4)
直径I Illのステンレス線を実施例1の繊4の塗布
液中に浸漬し、約s myt / s、a cの速度で
引きあげたのち乾燥し、500’Cで9o分間加熱焼成
して、ステンレス線表面に酸化マンガンと酸化スズの混
合物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成し
て素子を構成した。このものでは掃引周波数s o H
zにおいてvthが12.8 v 、 IIhが0.3
mム、vhカ8. I V 、 Xhカ4.7 mA
ノ、実施例1〜3と同様なスイッチング特性が見られ
た。
液中に浸漬し、約s myt / s、a cの速度で
引きあげたのち乾燥し、500’Cで9o分間加熱焼成
して、ステンレス線表面に酸化マンガンと酸化スズの混
合物薄膜を形成し、さらにこの膜表面に銀電極を形成し
て素子を構成した。このものでは掃引周波数s o H
zにおいてvthが12.8 v 、 IIhが0.3
mム、vhカ8. I V 、 Xhカ4.7 mA
ノ、実施例1〜3と同様なスイッチング特性が見られ
た。
なお、本実施例1〜4では用いた基体と電極材料の耐熱
性の点から焼成温度は600〜550’Cで行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミ
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
性の点から焼成温度は600〜550’Cで行ったが、
例えばアルミナなどの耐熱性のある基体を用いる際には
この温度を基体の耐熱温度まで上げることができる。用
いる化合物についても、硝酸塩、硫酸塩などの無機酸塩
、酢酸塩などの有機酸塩、錯塩、金属アルコキシドなど
で適当な溶媒に溶解するものであれば、支障なく使用す
ることができる。また、電極材料としては本実施例以外
の銅、アルミニウム、亜鉛などの金属や、スズ酸カドミ
ウム、アンチモンをドープした酸化スズなどの導電性酸
化物、あるいはカーボンなども使用することができる。
発明の効果
以上のように本発明の非線形抵抗素子は、酸化マンガン
と酸化スズの混合物薄膜とこれから電気的リードを取る
ための電極とからなり、酸化マンガンと酸化スズの混合
物薄膜をマンガン化合物とスズ化合物を溶媒に溶解した
溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成する
ことによって形成するという方法で製造されることによ
り、スイッチング特性を有する非線形抵抗素子を生産性
良く安価に提供することができ、大面積にわたっても製
造が容易であるという点においてその実用的な有用性は
大きい。
と酸化スズの混合物薄膜とこれから電気的リードを取る
ための電極とからなり、酸化マンガンと酸化スズの混合
物薄膜をマンガン化合物とスズ化合物を溶媒に溶解した
溶液を基体上に塗布し、乾燥後、大気中で加熱焼成する
ことによって形成するという方法で製造されることによ
り、スイッチング特性を有する非線形抵抗素子を生産性
良く安価に提供することができ、大面積にわたっても製
造が容易であるという点においてその実用的な有用性は
大きい。
第1図は本発明の非線形抵抗素子の電流−電圧特性図、
第2図はサンドインチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 第1図 ■電光
第2図はサンドインチ型非線形抵抗素子の構造を示す断
面図、第3図はプレーナ型非線形抵抗素子の構造を示す
断面図である。 第1図 ■電光
Claims (2)
- (1)酸化マンガンと酸化スズの混合物薄膜と、この薄
膜から電気的リードを取るための電極とからなり、導電
性スイッチング特性を有することを特徴とする非線形抵
抗素子。 - (2)マンガン化合物とスズ化合物を溶媒に溶解した溶
液を基体上に塗布し、乾燥した後、加熱、焼成すること
によって酸化マンガンと酸化スズの混合物薄膜を形成す
ることを特徴とする非線形抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182066A JPS6242575A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182066A JPS6242575A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242575A true JPS6242575A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182066A Pending JPS6242575A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 非線形抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242575A (ja) |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182066A patent/JPS6242575A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0272937B1 (en) | Switching device | |
| Jung et al. | Electrochromic mechanism of IrO2 prepared by pulsed anodic electrodeposition | |
| US4645308A (en) | Low voltage solid-state lateral coloration electrochromic device | |
| KR850006552A (ko) | 전해전극 및 그 제조공정 | |
| Singh et al. | Performance analysis and read voltage optimization of e-beam evaporated amorphous sno 2-based cross-cell resistive switching device | |
| JPS6242582A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242575A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242584A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242579A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242574A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242577A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242578A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242580A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242576A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242583A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| JPS6242581A (ja) | 非線形抵抗素子及びその製造方法 | |
| CN106373998A (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法 | |
| CN108232011B (zh) | 一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法 | |
| KR102233811B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | |
| JPS62242311A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPS62242314A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPS62242313A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPS62242312A (ja) | 非線形抵抗素子およびその製造方法 | |
| KR20190000521A (ko) | 전기변색 소자 및 이의 제조방법 | |
| JPS60220505A (ja) | 透明導電膜およびその形成方法 |