JPS6242859A - 薄膜集積回路の製造方法 - Google Patents
薄膜集積回路の製造方法Info
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- JPS6242859A JPS6242859A JP60182553A JP18255385A JPS6242859A JP S6242859 A JPS6242859 A JP S6242859A JP 60182553 A JP60182553 A JP 60182553A JP 18255385 A JP18255385 A JP 18255385A JP S6242859 A JPS6242859 A JP S6242859A
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Links
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業−４−の利用分野）
この発明は、サーマルヘッド等の製造に用いて好適な、
薄膜集積回路の製造方法に関する。
薄膜集積回路の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来より、下地層Ｈに金属薄膜、薄膜抵抗及び絶縁膜等
を形成し、微細加工技術を駆使してこれらの薄膜を加Ｅ
して、下地層上に集積回路を形成する種々の製造方法が
提案されている。
を形成し、微細加工技術を駆使してこれらの薄膜を加Ｅ
して、下地層上に集積回路を形成する種々の製造方法が
提案されている。
集積回路の一例としては、サーマルヘッドが挙げられる
。以丁、この発明の薄膜集積回路の製造方法を、サーマ
ルへ・ンドの製造に用いた例により説明する。
。以丁、この発明の薄膜集積回路の製造方法を、サーマ
ルへ・ンドの製造に用いた例により説明する。
サーマルヘッドは、感熱紙を発色させて感熱紙にドツト
のモザイクを作ることにより絵、文字等の印字をするた
めの微細な発熱抵抗体を多数有した構造の電子部品であ
る。このようなサーマルヘッドは、用いている発熱抵抗
体の種類により、薄膜型と厚膜型との二つに大別出来る
。しかしながら、厚膜型のサーマルヘッドは低価格化は
ｒｊ７能であるが、高精細化が困難であるため、最近で
は、高精細化、高性能化が可能な薄膜型サーマルヘッド
が主流となりつつある。従って、サーマルヘッドの製造
において薄膜集積回路の製造方法は重要な技術となる。
のモザイクを作ることにより絵、文字等の印字をするた
めの微細な発熱抵抗体を多数有した構造の電子部品であ
る。このようなサーマルヘッドは、用いている発熱抵抗
体の種類により、薄膜型と厚膜型との二つに大別出来る
。しかしながら、厚膜型のサーマルヘッドは低価格化は
ｒｊ７能であるが、高精細化が困難であるため、最近で
は、高精細化、高性能化が可能な薄膜型サーマルヘッド
が主流となりつつある。従って、サーマルヘッドの製造
において薄膜集積回路の製造方法は重要な技術となる。
このようなサーマルヘッドは例えば特開昭５４−１９７
５６吟公報に開示されている。
５６吟公報に開示されている。
第２図は薄膜型サーマルヘッドの一般的な構造を示すサ
ーマルヘッドの要部を示す断面図であり、この場合、絶
縁基板」−に多数設けられた発熱抵抗体のうちの一つの
発熱抵抗体に着「ｌ して示した断面図である。
ーマルヘッドの要部を示す断面図であり、この場合、絶
縁基板」−に多数設けられた発熱抵抗体のうちの一つの
発熱抵抗体に着「ｌ して示した断面図である。
この薄膜型サーマルヘッドの構造につき図面を参照して
簡単に説明する。
簡単に説明する。
第２図において、１１は下地層である絶縁基板を示し、
この絶縁基板１１上に薄膜の発熱抵抗体１３が設けられ
ている。この発熱抵抗体＋３ｂの離間した位置に給電体
１５及び１７が設けられていて、これら給電体１５及び
１７の間の発熱抵抗体１３の部分（図中、斜線で示す部
分）が発熱部１９となる。さらに、給電体１５及び１７
と発熱部１９との上には順次に、耐酸化膜２１と耐摩耗
１１９２３とが設けられて、薄膜型サーマルヘッドは構
成されている。
この絶縁基板１１上に薄膜の発熱抵抗体１３が設けられ
ている。この発熱抵抗体＋３ｂの離間した位置に給電体
１５及び１７が設けられていて、これら給電体１５及び
１７の間の発熱抵抗体１３の部分（図中、斜線で示す部
分）が発熱部１９となる。さらに、給電体１５及び１７
と発熱部１９との上には順次に、耐酸化膜２１と耐摩耗
１１９２３とが設けられて、薄膜型サーマルヘッドは構
成されている。
このような構造の薄膜型サーマルヘッドの従来の製造方
法につき第３図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造工程図を参
照して説明する。
法につき第３図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造工程図を参
照して説明する。
下地層としてのグレーズドアルミナ基板ｌ１ｌ−にスパ
ッタリング法等により窒化タンクル（Ｔａ２ Ｎ）等の
薄膜抵抗体層２５を形成する（第３図（Ａ））。次に、
フォトリソグラフ工程及びエツチングによりＴａｚＮ台
膜を所定の大きさにバターニングして発熱抵抗体１３を
得る（第３図（Ｂ））。次に、スパッタリング法或は蒸
着法によりニクロ１、（Ｎ ｉ Ｃｒ）膜２７と金（Ａ
ｕ）膜２８とを、パターニングした発熱抵抗体を含もり
１（板１１上に、連続的に成膜し、その後、このＡｕ膜
上にさらに電解めっきによりＡｕｌ！２３＋を所望とす
る厚さで形成する（第３図（Ｃ））。次に、先に所定の
大きさにバターニングした発熱抵抗体１３−１−に給電
体１５及び１７と発熱部１９とを形成するため、電解め
っきで成膜したＡｕ膜上にフォトリンクラフ技術を用い
てし・シストパターンを形成する。このパターンにより
Ａｕ膜及びＮｉＣｒ膜の不要部分を除去して、給電体１
５Ｅｌひ１７と発熱部１９とを形成する（第３図（Ｄ）
）。続いて、スパッタリング法笠により、給電体１５及
び１７と発熱部１９とのにに、耐酸化膜２１としての５
ｉ０２１９等と、耐摩耗膜２３としてのＴａ２０５膜等
とを順次に形成して、第２図に示す薄膜型サーマルヘッ
ドを製造していた。
ッタリング法等により窒化タンクル（Ｔａ２ Ｎ）等の
薄膜抵抗体層２５を形成する（第３図（Ａ））。次に、
フォトリソグラフ工程及びエツチングによりＴａｚＮ台
膜を所定の大きさにバターニングして発熱抵抗体１３を
得る（第３図（Ｂ））。次に、スパッタリング法或は蒸
着法によりニクロ１、（Ｎ ｉ Ｃｒ）膜２７と金（Ａ
ｕ）膜２８とを、パターニングした発熱抵抗体を含もり
１（板１１上に、連続的に成膜し、その後、このＡｕ膜
上にさらに電解めっきによりＡｕｌ！２３＋を所望とす
る厚さで形成する（第３図（Ｃ））。次に、先に所定の
大きさにバターニングした発熱抵抗体１３−１−に給電
体１５及び１７と発熱部１９とを形成するため、電解め
っきで成膜したＡｕ膜上にフォトリンクラフ技術を用い
てし・シストパターンを形成する。このパターンにより
Ａｕ膜及びＮｉＣｒ膜の不要部分を除去して、給電体１
５Ｅｌひ１７と発熱部１９とを形成する（第３図（Ｄ）
）。続いて、スパッタリング法笠により、給電体１５及
び１７と発熱部１９とのにに、耐酸化膜２１としての５
ｉ０２１９等と、耐摩耗膜２３としてのＴａ２０５膜等
とを順次に形成して、第２図に示す薄膜型サーマルヘッ
ドを製造していた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の薄膜集積回路の製造方法を用いた
サーマルヘッドの製造では、その製造工程中にフォトリ
ソグラフ工程を多く設けであるため、マスク合わせの手
間や高価な設備が必要となる。又、真空機器による成膜
工程も多用しているため、真空排気時間や真空機器への
基板の収容能力等の真空機器の処理能力により、サーマ
ルヘッドの生産性は制約を受けていた。従って、製造コ
ストの安い、低価格のサーマルヘッドを提供することが
出来ないという問題点があった。
サーマルヘッドの製造では、その製造工程中にフォトリ
ソグラフ工程を多く設けであるため、マスク合わせの手
間や高価な設備が必要となる。又、真空機器による成膜
工程も多用しているため、真空排気時間や真空機器への
基板の収容能力等の真空機器の処理能力により、サーマ
ルヘッドの生産性は制約を受けていた。従って、製造コ
ストの安い、低価格のサーマルヘッドを提供することが
出来ないという問題点があった。
この発明の目的は、上述した問題点を解決し、サーマル
ヘッド等の薄膜集積回路の製造コストを低減することが
出来る薄膜集積回路の製造方法を提供することにある。
ヘッド等の薄膜集積回路の製造コストを低減することが
出来る薄膜集積回路の製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明によれば、薄膜抵
抗体−にに無電解めっき析出触媒を旧Ｉｊ−する王、程
と、この薄膜抵抗体及び析出触りｖを同時にバターニン
グする工程と、この触媒を有するこの薄膜抵抗体表面に
急電解めっきを用いて導′市性金属を被着するＬ程とを
含むことを特徴とする。
抗体−にに無電解めっき析出触媒を旧Ｉｊ−する王、程
と、この薄膜抵抗体及び析出触りｖを同時にバターニン
グする工程と、この触媒を有するこの薄膜抵抗体表面に
急電解めっきを用いて導′市性金属を被着するＬ程とを
含むことを特徴とする。
（作用）
このような構成によれば、Ｆ地層表面の無電解めっき析
出触媒が＋Ｊ句、された領域に、無電解めっきにより導
電性金属を被着することが出来る。
出触媒が＋Ｊ句、された領域に、無電解めっきにより導
電性金属を被着することが出来る。
従って、蒸着法又はスパッタが、等により導電性金属を
被着しなくて良く、このため、真空機器の使用回数を少
なく出来る。
被着しなくて良く、このため、真空機器の使用回数を少
なく出来る。
さらに、無電解めっきによれば必要な個所のみに厚い膜
厚でも金属な被着させることが出来る。
厚でも金属な被着させることが出来る。
従って、蒸着法等により同じ膜厚の金属薄膜を得る場合
より、材料費の節約が出来る。
より、材料費の節約が出来る。
（実施例）
以下、この発明の薄膜集積回路の製造方０：をサーマル
ヘッドの製造に用いた場合を例とし、て、この発明の−
・実施例につき説明する。尚、以下゛の実施例の説明に
用いる第１図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造工程図及び第
２図は、この発明が理解出来る程度に概略的に示しであ
るにすぎず、各構成成分の寸法、形状及び配置関係は図
示例に限定されるものではない。又、従来と同一の構成
成分については同一の符号を付して示しである。
ヘッドの製造に用いた場合を例とし、て、この発明の−
・実施例につき説明する。尚、以下゛の実施例の説明に
用いる第１図（Ａ）〜（Ｄ）に示した製造工程図及び第
２図は、この発明が理解出来る程度に概略的に示しであ
るにすぎず、各構成成分の寸法、形状及び配置関係は図
示例に限定されるものではない。又、従来と同一の構成
成分については同一の符号を付して示しである。
先ず、スパッタリング法により、下地層としてのグレー
ズドアルミナ基板ｌｌ上に、薄膜抵抗体層２５であるＴ
ａ２Ｎ薄膜と、無電解めっき析出触媒４１であるパラジ
ウム（Ｐ ｄ）とをスパッタ装置の真空破壊をせずに連
続的に成膜する（第１図（Ａ））。尚、ここで成膜する
Ｐｄの膜厚は無電解めっき析出触媒として付与するから
、Ｐｄ薄膜が島状構造となる程度の充分に薄い膜厚で良
い（第１図（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｐｄ薄膜４１は発
熱抵抗体１３の表面の太い実線により示しである）。次
に、フォトリソグラフ技術とＣＦ４ ガスによるドライ
エツチングとにより、その表面にＰｄを有するＴａ２Ｎ
薄膜を選択的に除去して、所定形状の発熱抵抗体１３を
形成する（第１図（Ｂ））。続いて、スクリーン印刷に
より、給電体１５及び１７を形成する以外の発熱抵抗体
１３の部分領域にｌ／シスト膜４３を形成し、この１／
シスト膜４３によりこの領域を覆う。次に、レジスト膜
で覆われていないＰｄを有する発熱抵抗体１３の領域−
Ｖ。
ズドアルミナ基板ｌｌ上に、薄膜抵抗体層２５であるＴ
ａ２Ｎ薄膜と、無電解めっき析出触媒４１であるパラジ
ウム（Ｐ ｄ）とをスパッタ装置の真空破壊をせずに連
続的に成膜する（第１図（Ａ））。尚、ここで成膜する
Ｐｄの膜厚は無電解めっき析出触媒として付与するから
、Ｐｄ薄膜が島状構造となる程度の充分に薄い膜厚で良
い（第１図（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｐｄ薄膜４１は発
熱抵抗体１３の表面の太い実線により示しである）。次
に、フォトリソグラフ技術とＣＦ４ ガスによるドライ
エツチングとにより、その表面にＰｄを有するＴａ２Ｎ
薄膜を選択的に除去して、所定形状の発熱抵抗体１３を
形成する（第１図（Ｂ））。続いて、スクリーン印刷に
より、給電体１５及び１７を形成する以外の発熱抵抗体
１３の部分領域にｌ／シスト膜４３を形成し、この１／
シスト膜４３によりこの領域を覆う。次に、レジスト膜
で覆われていないＰｄを有する発熱抵抗体１３の領域−
Ｖ。
に、急電解めっきにより１．５ｇｍの膜厚のＣｕを、０
．４ｐｍの膜厚のＮｉを、０．８メＬｍの膜厚のＡｕを
順次に形成して、給電体１５及び１７を形成する（第１
図（Ｃ））。続いて、発熱部１！３１ｍのレジメ）・膜
４３を除去して、発熱部１９となる発熱抵抗体１３の部
分領域を露出する（第１図（Ｄ））。ここで、発熱部１
９上にＰｄが残存してはいるが、このＰｄは前述した通
り非常に薄い膜厚で付グーされているので、そのＰｄ膜
は島状構造となっている。従って、発熱部＋１］１−の
Ｐｄ膜は導電性を有さないから、サーマルヘッドを構成
する際問題とはならない。
．４ｐｍの膜厚のＮｉを、０．８メＬｍの膜厚のＡｕを
順次に形成して、給電体１５及び１７を形成する（第１
図（Ｃ））。続いて、発熱部１！３１ｍのレジメ）・膜
４３を除去して、発熱部１９となる発熱抵抗体１３の部
分領域を露出する（第１図（Ｄ））。ここで、発熱部１
９上にＰｄが残存してはいるが、このＰｄは前述した通
り非常に薄い膜厚で付グーされているので、そのＰｄ膜
は島状構造となっている。従って、発熱部＋１］１−の
Ｐｄ膜は導電性を有さないから、サーマルヘッドを構成
する際問題とはならない。
さらに、従来と同様に、スパッタリング法により、給電
体１５及び１７と発熱部１９との１−に、耐酸化膜２１
としてＳｉＯ２を２ｐｍの膜厚で、耐摩耗膜２３として
Ｔａ２０５を４μｍの膜厚で順次に形成して、第２図に
示す薄膜型サーマルヘッドを製造することが出来る。
体１５及び１７と発熱部１９との１−に、耐酸化膜２１
としてＳｉＯ２を２ｐｍの膜厚で、耐摩耗膜２３として
Ｔａ２０５を４μｍの膜厚で順次に形成して、第２図に
示す薄膜型サーマルヘッドを製造することが出来る。
尚、この発明のサーマルヘッドの製造方法は−Ｌ述した
実施例に限定されるものではない。例えば、実施例では
、Ｔａ２Ｎ及びＰｄの成膜を連続したスパッタ法により
行ったが、各々の成膜を別工程で行っても良く、又、そ
れらの成膜方法もスパッタ法には限定されず、他の好適
な方法、例えば電ｒビーム蒸着法等の方法でも良い。
実施例に限定されるものではない。例えば、実施例では
、Ｔａ２Ｎ及びＰｄの成膜を連続したスパッタ法により
行ったが、各々の成膜を別工程で行っても良く、又、そ
れらの成膜方法もスパッタ法には限定されず、他の好適
な方法、例えば電ｒビーム蒸着法等の方法でも良い。
又、この実施例では、給電体１５及び１７を、Ｃｕ−Ｎ
ｉ−Ａｕの三層からなる積層体で構成した。この構造と
し７た理由は、ワイヤボンディングのために最−Ｌ層を
Ａｕとする構造を得るためであり・従って、ＣｕとＡｕ
との間の相互拡散を防ｌｌ−するためにＣｕとＡｕとの
間にＮｉ層を介在させたのである。このように、この給
電体形成のための無電解めっきの材料は、例えば、Ｃｕ
−Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等、給電体に求められる性能に応じ
て変更することが出来る。
ｉ−Ａｕの三層からなる積層体で構成した。この構造と
し７た理由は、ワイヤボンディングのために最−Ｌ層を
Ａｕとする構造を得るためであり・従って、ＣｕとＡｕ
との間の相互拡散を防ｌｌ−するためにＣｕとＡｕとの
間にＮｉ層を介在させたのである。このように、この給
電体形成のための無電解めっきの材料は、例えば、Ｃｕ
−Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等、給電体に求められる性能に応じ
て変更することが出来る。
さらに、絶縁基板としたグレーズドアルミナ基板は、ガ
ラス基板や樹脂７１根等でも良く、又、膜薄膜抵抗体と
したＴａ；＋Ｎは、例えば、Ｔａ−５ｉ 、 Ｔａ−５
ｉ−０、又は、Ｃｒ−３ｔ−〇等でも良い。さらに、耐
酸化膜及び耐摩耗膜も他の好適な材料、例えば、ＳｉＣ
″ｇ−でも良い。
ラス基板や樹脂７１根等でも良く、又、膜薄膜抵抗体と
したＴａ；＋Ｎは、例えば、Ｔａ−５ｉ 、 Ｔａ−５
ｉ−０、又は、Ｃｒ−３ｔ−〇等でも良い。さらに、耐
酸化膜及び耐摩耗膜も他の好適な材料、例えば、ＳｉＣ
″ｇ−でも良い。
（発明の効果）
−Ｌ述した説明からも明らかなように、この発明によれ
ば、薄膜集積回路を製造するに当り、その製造工程中に
、薄膜抵抗体上に無電解めっき析出触媒を付与する−［
程と、この薄膜抵抗体及びこの触媒を同時にパターニン
グする工程と、この触媒を有する薄１１９抵抗体表面に
無電解めっきを用いて導電性金属を被着する工程とをＡ
えている。
ば、薄膜集積回路を製造するに当り、その製造工程中に
、薄膜抵抗体上に無電解めっき析出触媒を付与する−［
程と、この薄膜抵抗体及びこの触媒を同時にパターニン
グする工程と、この触媒を有する薄１１９抵抗体表面に
無電解めっきを用いて導電性金属を被着する工程とをＡ
えている。
従って、ド地層表面の無電解めっき析出触媒が旧グーさ
れた領域に、■’ｉｌｉ：解めっきにより導電性金属を
被着することが出来る４、このため、蒸着法又はスパッ
タ法等により導電性金属を被着しなくて良いから真−・
ｐ機器の使用回数を従来よりも少なく出来る。
れた領域に、■’ｉｌｉ：解めっきにより導電性金属を
被着することが出来る４、このため、蒸着法又はスパッ
タ法等により導電性金属を被着しなくて良いから真−・
ｐ機器の使用回数を従来よりも少なく出来る。
又、無電解めっきの不要な領域のマスキングはスクリー
ン印刷によりレジスト膜を形成することで行える。従っ
て、従来フォトリソ技術を用いて行っていた作業を、簡
易なスクリーン印刷により行うことが出来る。
ン印刷によりレジスト膜を形成することで行える。従っ
て、従来フォトリソ技術を用いて行っていた作業を、簡
易なスクリーン印刷により行うことが出来る。
さらに、無電解めっきによれば必要な個所のみに厚い膜
厚でも金属を被着させることがｔ］１来る。
厚でも金属を被着させることがｔ］１来る。
従って、蒸着法等により同じ膜厚の金属薄膜を得る場合
より、材料費の節約が出来る。
より、材料費の節約が出来る。
これがため、サーマルヘッド等の薄膜集積回路の製造コ
ストを従来より低減することが出来る薄膜集積回路の製
造方法を提供出来る。
ストを従来より低減することが出来る薄膜集積回路の製
造方法を提供出来る。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の製造方法によりサー
マルヘッドを製造する際の製造工程図、第２図は薄膜型
サーマルヘッドの一般的な構造を示すサーマルヘッドの
要部を示す断面図、第３図（Ａ）〜（Ｄ）はサーマルヘ
ッドの従来の製造方法を説明するための製造工程図であ
る。 １１・・・絶縁基板、 １３・・・発熱抵抗体１
５．１７・・・給電体、 １９・・・発熱部２１・
・・耐酸化１１り、 ２３・・・耐摩耗膜２５
・・・薄膜抵抗体層 ４１・・・爪電解めっき析出触媒 ４３・・・レジスト膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社ｆ／ 紀縛基振
２５薄榎へ抗俸漕／Ｊ 発脅冒氏抗俸 ４Ｊ
ｉｂシスト膜４ｆ μＩり騎、！ｈ７５哲土月式媒 この発８月の製造永久の製遊ニオ星困 この発Ｂ月のＭ ’Ｆｙ ／天ψ製タ竹、工准困第１図 蒲朦型サーマルへ・ンドの尋者と断面ｍ第２図 旋＋、、へ製ｉ方法 第３ の恢遁江蛙図 図
マルヘッドを製造する際の製造工程図、第２図は薄膜型
サーマルヘッドの一般的な構造を示すサーマルヘッドの
要部を示す断面図、第３図（Ａ）〜（Ｄ）はサーマルヘ
ッドの従来の製造方法を説明するための製造工程図であ
る。 １１・・・絶縁基板、 １３・・・発熱抵抗体１
５．１７・・・給電体、 １９・・・発熱部２１・
・・耐酸化１１り、 ２３・・・耐摩耗膜２５
・・・薄膜抵抗体層 ４１・・・爪電解めっき析出触媒 ４３・・・レジスト膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社ｆ／ 紀縛基振
２５薄榎へ抗俸漕／Ｊ 発脅冒氏抗俸 ４Ｊ
ｉｂシスト膜４ｆ μＩり騎、！ｈ７５哲土月式媒 この発８月の製造永久の製遊ニオ星困 この発Ｂ月のＭ ’Ｆｙ ／天ψ製タ竹、工准困第１図 蒲朦型サーマルへ・ンドの尋者と断面ｍ第２図 旋＋、、へ製ｉ方法 第３ の恢遁江蛙図 図
Claims (1)
- （１）薄膜抵抗体上に無電解めっき析出触媒を付与する
工程と、 該薄膜抵抗体及び該析出触媒を同時にパターニングする
工程と、 該触媒を有する該薄膜抵抗体表面に無電解めっきを用い
て導電性金属を被着する工程と を含むことを特徴とする薄膜集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182553A JPS6242859A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 薄膜集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182553A JPS6242859A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 薄膜集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242859A true JPS6242859A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16120286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182553A Pending JPS6242859A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 薄膜集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004517756A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-06-17 | トーンジェット リミテッド | ドロップオンデマンドプリンタのための電極 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182553A patent/JPS6242859A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004517756A (ja) * | 2001-01-18 | 2004-06-17 | トーンジェット リミテッド | ドロップオンデマンドプリンタのための電極 |
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