JPS63268663A - サーマルヘッド基板および製造方法 - Google Patents
サーマルヘッド基板および製造方法Info
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- JPS63268663A JPS63268663A JP10507587A JP10507587A JPS63268663A JP S63268663 A JPS63268663 A JP S63268663A JP 10507587 A JP10507587 A JP 10507587A JP 10507587 A JP10507587 A JP 10507587A JP S63268663 A JPS63268663 A JP S63268663A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁基板上に発熱抵抗体や該発熱抵抗体に接
続する配線パターンが膜技術により形成されたサーマル
ヘッド基板およびその製造方法に関し、特にＩｓ導体パ
ターンを有するサーマルヘッド基板およびそのＩｙＪ造
方決方法する。
続する配線パターンが膜技術により形成されたサーマル
ヘッド基板およびその製造方法に関し、特にＩｓ導体パ
ターンを有するサーマルヘッド基板およびそのＩｙＪ造
方決方法する。
従来、この種のサーマルヘッド基板では、印字を行なう
場合、例えばＢ−４サイズ、ドツト密度８ドツト／履、
１ライン４分割印字方式のときは共通電極体に最大２Ｏ
Ａ前後の電流を供給する必要があり、導体抵抗による電
圧降下が問題となる。
場合、例えばＢ−４サイズ、ドツト密度８ドツト／履、
１ライン４分割印字方式のときは共通電極体に最大２Ｏ
Ａ前後の電流を供給する必要があり、導体抵抗による電
圧降下が問題となる。
すなわら、サーマルヘッドの印字位置が電流供給点から
離れるほど発熱抵抗体に印加される電圧が低くなり発熱
量がそれだけ減少するため印字濃度が薄くなる。このよ
うな印字濃度むらを改善するため、従来のり−マルヘッ
ド基板では、共通電極体、駆動用ＩＣグラウンド端子、
および外部接続端子に金や銀等の厚膜が用いられるが、
またはる体層を厚くしている。
離れるほど発熱抵抗体に印加される電圧が低くなり発熱
量がそれだけ減少するため印字濃度が薄くなる。このよ
うな印字濃度むらを改善するため、従来のり−マルヘッ
ド基板では、共通電極体、駆動用ＩＣグラウンド端子、
および外部接続端子に金や銀等の厚膜が用いられるが、
またはる体層を厚くしている。
第７図は前者の例の導体配置を示す部分平面図、第８図
は第７図のＡ−Ａ断面矢視図である。
は第７図のＡ−Ａ断面矢視図である。
第７図に示すように発熱抵抗体２１をはさんで一方に共
通電極体２ｏ１が、他方に個別電極体２０２があり、発
熱抵抗体２１に印字用の電力を供給する。共通電極体２
ｏ１においてはグレーズドアルミナセラミック基゛板１
の上に金や銀等の厚ｌＩＢが形成され、さらにその上に
絶縁体層２、発熱抵抗体図３を介してＡｊ！導体導体配
属２層９成されて、厚膜８とＭ導体配線層８とで電流を
導通する。
通電極体２ｏ１が、他方に個別電極体２０２があり、発
熱抵抗体２１に印字用の電力を供給する。共通電極体２
ｏ１においてはグレーズドアルミナセラミック基゛板１
の上に金や銀等の厚ｌＩＢが形成され、さらにその上に
絶縁体層２、発熱抵抗体図３を介してＡｊ！導体導体配
属２層９成されて、厚膜８とＭ導体配線層８とで電流を
導通する。
外部接続端子２２においては金の厚膜Ｓがそのまま圧着
接続端子として用いられる。グラウンド端子２３には駆
動用１ｃが搭載される。
接続端子として用いられる。グラウンド端子２３には駆
動用１ｃが搭載される。
（発明が解決しようとする問題点）
、上述した従来のサーマルヘッド基板は、前者の厚膜を
用いるものは、金や銀等の厚膜を用いているので、基板
そのもののイニシャルコストが高く、また、厚膜上蔽後
工稈のエツチング時に厚膜を保護するための絶縁体層が
形成されているので、共通電極体と駆動用ＩＣグラウン
ド端子ではそのままでは厚膜と配線導体層との間の電気
の導通が得られず、別途の手段により厚膜と配線導体層
とを接続する必要があり、さらに経時的に厚膜が酸化す
るため信頼性が低いという欠点がある。
用いるものは、金や銀等の厚膜を用いているので、基板
そのもののイニシャルコストが高く、また、厚膜上蔽後
工稈のエツチング時に厚膜を保護するための絶縁体層が
形成されているので、共通電極体と駆動用ＩＣグラウン
ド端子ではそのままでは厚膜と配線導体層との間の電気
の導通が得られず、別途の手段により厚膜と配線導体層
とを接続する必要があり、さらに経時的に厚膜が酸化す
るため信頼性が低いという欠点がある。
また、後者の導体層を厚くする方法は、成膜装置の設備
能力上からも非経済的であり、また、高いドツト密度が
要求きれる場合、パターン形成のときの導体層エツチン
グが膜厚が厚いためサイドエツチングが激しくて所望の
パターンが冑られないという欠点がある。
能力上からも非経済的であり、また、高いドツト密度が
要求きれる場合、パターン形成のときの導体層エツチン
グが膜厚が厚いためサイドエツチングが激しくて所望の
パターンが冑られないという欠点がある。
本発明のサーマルヘッド基板は、その電極導電体層が、
発熱抵抗体図上に成膜されたＣｕめっきをするための下
地金１ｉＡＷ１と、該下地金１！！層上に形成されたＣ
ｕめっぎ層とより構成されている。
発熱抵抗体図上に成膜されたＣｕめっきをするための下
地金１ｉＡＷ１と、該下地金１！！層上に形成されたＣ
ｕめっぎ層とより構成されている。
また、その製造方法のうち特許請求の範囲第２項に記載
の方法は、前記発熱抵抗体図を形成した債、その上面に
スパッタリング法によりＣｕめっき川下地金Ｒ層を形成
する工程と、次に、前記発熱抵抗体図およ゛びＣｕめっ
き用下地金属層に配線パターンを形成後、該パターンの
うち、発熱抵抗体となるべき部分をホトレジスト等でマ
スクし、共通電極体となるべき部分を電流供給源として
、電解Ｃｕめっき法によりＣｕめっき用下地金属層上に
所定の厚さまでＣｕめっきを行う工程を含む。
の方法は、前記発熱抵抗体図を形成した債、その上面に
スパッタリング法によりＣｕめっき川下地金Ｒ層を形成
する工程と、次に、前記発熱抵抗体図およ゛びＣｕめっ
き用下地金属層に配線パターンを形成後、該パターンの
うち、発熱抵抗体となるべき部分をホトレジスト等でマ
スクし、共通電極体となるべき部分を電流供給源として
、電解Ｃｕめっき法によりＣｕめっき用下地金属層上に
所定の厚さまでＣｕめっきを行う工程を含む。
また、製造方法のうち、特許請求の範囲第３項に記載の
方法は、前記発熱抵抗体図を形成した後、その上面にス
パッタリング法によりＣｕめっき川下地金ａ層を形成す
る工程と、次に、前記発熱抵抗体図およびＣｕめっき川
下地金ＩＫ居に配線パターンを形成後、基板全面にＣｕ
めっきを施し、さらに、共通電極体となるべき部分以外
の部分にマスクを施して、共通電極体となるべき部分に
Ｃｕめっきを施す工程と、次に、前記マスクを除去した
後、基板全面にＮｉめつきを施す工程と、次に、発熱抵
抗体となるべき部分のＮｉめつき層とＣＬＩめつき層を
、エツチング法により、すべて除去する工程を含んでい
る。
方法は、前記発熱抵抗体図を形成した後、その上面にス
パッタリング法によりＣｕめっき川下地金ａ層を形成す
る工程と、次に、前記発熱抵抗体図およびＣｕめっき川
下地金ＩＫ居に配線パターンを形成後、基板全面にＣｕ
めっきを施し、さらに、共通電極体となるべき部分以外
の部分にマスクを施して、共通電極体となるべき部分に
Ｃｕめっきを施す工程と、次に、前記マスクを除去した
後、基板全面にＮｉめつきを施す工程と、次に、発熱抵
抗体となるべき部分のＮｉめつき層とＣＬＩめつき層を
、エツチング法により、すべて除去する工程を含んでい
る。
このように、電極体をすべてＣｕめつき層で構成し、か
つその厚さを部分毎に所定のＴｉ流密度に応じる厚みと
することにより、印字部１夷むらが改善される。
つその厚さを部分毎に所定のＴｉ流密度に応じる厚みと
することにより、印字部１夷むらが改善される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明のサーマルヘッド基板の一実施例の断面
図、第２図ないし第５図は第１図のサーマルヘッド基板
の製造方法のうち、特許請求の範囲第２項の一実施例を
工程順に説明するための仕ｌ）基板断面図である。
図、第２図ないし第５図は第１図のサーマルヘッド基板
の製造方法のうち、特許請求の範囲第２項の一実施例を
工程順に説明するための仕ｌ）基板断面図である。
次に、第２図ないし第５図について製造工程を工程順に
説明する。
説明する。
（１）下地処理と発熱抵抗体図および下層導体層の成膜
工程（第２図） グレーズドアルミナセラミック基板１上のグレーズ層を
エツチング工程のとき保護するための絶縁ｉ１１層（Ｔ
ａ２０５ ｌｉ！ ） ２を約３０００転成にスパッタ
リング法により成膜し、その上に発熱抵抗体図３を形成
した後、さらにＣｕ導体１１！４１を同様にスパッタリ
ング法により約数１００人厚転成膜して下層導体層とす
る。
工程（第２図） グレーズドアルミナセラミック基板１上のグレーズ層を
エツチング工程のとき保護するための絶縁ｉ１１層（Ｔ
ａ２０５ ｌｉ！ ） ２を約３０００転成にスパッタ
リング法により成膜し、その上に発熱抵抗体図３を形成
した後、さらにＣｕ導体１１！４１を同様にスパッタリ
ング法により約数１００人厚転成膜して下層導体層とす
る。
（２）導体配線パターン形成工程Ａ（第３図）次に、Ｃ
ｕ導体Ｂ４１に対し、公知のホトレジスト処理技術によ
り沃素・沃化カリウムのエッチャントを用いてエツチン
グを施し、続いて発熱抵抗体図３に対して同様に、フッ
Ｒ−硝酸系のエッチ１１ントを用いてエツチングを施し
て配線パターンを形成する。
ｕ導体Ｂ４１に対し、公知のホトレジスト処理技術によ
り沃素・沃化カリウムのエッチャントを用いてエツチン
グを施し、続いて発熱抵抗体図３に対して同様に、フッ
Ｒ−硝酸系のエッチ１１ントを用いてエツチングを施し
て配線パターンを形成する。
一般にＣｕ導体層は、エツチングの際、サイドエツチン
グが激しくてパターン精度が悪いが、本実施例の場合、
Ｃｕ導体層の厚さは数１００〜１０００人程度であり、
エツチング時間が短いためサイドエツチング量はわずか
で良好なパターン精度が得られる。
グが激しくてパターン精度が悪いが、本実施例の場合、
Ｃｕ導体層の厚さは数１００〜１０００人程度であり、
エツチング時間が短いためサイドエツチング量はわずか
で良好なパターン精度が得られる。
（３）導体配線パターン形成工Ｐｉ！Ｂ（第４図）次に
、同様のホトレジスト処理技術により発熱抵抗体部分の
Ｃｕ３９体層４１をエツチングして発熱抵抗体６を形成
する。
、同様のホトレジスト処理技術により発熱抵抗体部分の
Ｃｕ３９体層４１をエツチングして発熱抵抗体６を形成
する。
（４）電極体形成工程（第５図）
次に、発熱抵抗体６をホトレジスト等でマスキングし、
ｃｕ、１体層４１の共通電極体部を電流供給源として、
公知の電解Ｃｕめっき法によりＣｕ導体層４１上にＣｕ
めつき層４２を共通電極体部で約２０＊）１になるよう
に施す。この場合、Ｃｕ導体層４１のうちの個別電極体
部では、共通電極体部との間の発熱抵抗体が存在するた
め、Ｃｕめつぎ層４２厚さは数１０００人〜数趨となる
。さらにその上に、Ｃｕの酸化を防止する目的でＮｉめ
つき層５（約１０００〜２０００人）を施すことにより
上層導体層を形成する。
ｃｕ、１体層４１の共通電極体部を電流供給源として、
公知の電解Ｃｕめっき法によりＣｕ導体層４１上にＣｕ
めつき層４２を共通電極体部で約２０＊）１になるよう
に施す。この場合、Ｃｕ導体層４１のうちの個別電極体
部では、共通電極体部との間の発熱抵抗体が存在するた
め、Ｃｕめつぎ層４２厚さは数１０００人〜数趨となる
。さらにその上に、Ｃｕの酸化を防止する目的でＮｉめ
つき層５（約１０００〜２０００人）を施すことにより
上層導体層を形成する。
（５）仕上工程（第１図）
次に、ＩＣと個別電極体との接続が、ハンダバンプ接続
で、かつ外部接続端子部の端子接続方法が半田付の場合
は、上述した工程で目的に適合した構成となり得るが、
ＩＣと個別電極体との接続がワイヤーボンディング法で
あったり外部端子の接続方法が圧着である場合は、該当
部分の阻めっぎＭ５上にＡｕめっきを施す。この後、発
熱抵抗体６を耐摩耗１１７でカバーし、ＩＣ搭載のため
のボンディング部分と外部接続端子を除いた部分を絶縁
樹脂（不図示）でコーティングすれば第１図に示す所望
のサーマルヘッド基板ができあがる。なお、本実施例に
おいては、下層導体層はＣｕでなくともよ（、Ｃｕめっ
きされやすい金属であればよい。
で、かつ外部接続端子部の端子接続方法が半田付の場合
は、上述した工程で目的に適合した構成となり得るが、
ＩＣと個別電極体との接続がワイヤーボンディング法で
あったり外部端子の接続方法が圧着である場合は、該当
部分の阻めっぎＭ５上にＡｕめっきを施す。この後、発
熱抵抗体６を耐摩耗１１７でカバーし、ＩＣ搭載のため
のボンディング部分と外部接続端子を除いた部分を絶縁
樹脂（不図示）でコーティングすれば第１図に示す所望
のサーマルヘッド基板ができあがる。なお、本実施例に
おいては、下層導体層はＣｕでなくともよ（、Ｃｕめっ
きされやすい金属であればよい。
第６図は本発明のサーマルヘッド基板の製造方法のうち
の特許請求の範囲第３項の一実施例を示す図である。
の特許請求の範囲第３項の一実施例を示す図である。
上述した実施例の工程（２）（第３図）の次に、Ｃｕめ
っき層４２を基板全面に１〜３趨程度施し、さらに共通
電極体部以外の部分をマスキングし、共通電極体部にＣ
ｕめつきを２０伽程度形成する（第６図）。次にマスキ
ングを剥離し、基板金部に限めっきを施し、さらに発熱
抵抗体６の部分の限層とＣｕ１３をエツチングして除去
して第５図に示す構成とする。
っき層４２を基板全面に１〜３趨程度施し、さらに共通
電極体部以外の部分をマスキングし、共通電極体部にＣ
ｕめつきを２０伽程度形成する（第６図）。次にマスキ
ングを剥離し、基板金部に限めっきを施し、さらに発熱
抵抗体６の部分の限層とＣｕ１３をエツチングして除去
して第５図に示す構成とする。
前実施例で−は共通電極体部を電流供給源どし、個別電
極体部には、発熱抵抗体６を介してＣｕめっきしている
が、発熱抵抗体６の抵抗値により個別ｓｔｍ体上のＣｕ
めつき１１５４２の厚さは変化し、抵抗値が高いと個別
電極体には全くめつきされない場合もありうる。しかし
本実施例では発熱抵抗体６を形成する前にＣｕめつきを
行うので個別電極体上のＣｕめつき厚を自由にｉｑｍで
きるという利点を右している。
極体部には、発熱抵抗体６を介してＣｕめっきしている
が、発熱抵抗体６の抵抗値により個別ｓｔｍ体上のＣｕ
めつき１１５４２の厚さは変化し、抵抗値が高いと個別
電極体には全くめつきされない場合もありうる。しかし
本実施例では発熱抵抗体６を形成する前にＣｕめつきを
行うので個別電極体上のＣｕめつき厚を自由にｉｑｍで
きるという利点を右している。
次に、上述した２つの実施例のいずれかにより製造され
た本発明のサーマルヘッド基板の一実施例を第１図を参
照して説明する。
た本発明のサーマルヘッド基板の一実施例を第１図を参
照して説明する。
本実施例は上述した製造方法より明らかなように、共通
電極体とグラウンド端子および外部接続端子部分を、グ
レーズドアルミナセラミック基板１の上に形成された絶
縁性１膜ＩＩ （ＴａｚＯｓ層）２、発熱抵抗体図３の
上に、Ｃｕめつぎ層４１とＣｕめっきｌｌｌ！４２とＮ
ｉめつき層５を順次めっきすることにより、それぞれ形
成したものである。なお、発熱抵抗体６は耐摩耗Ｍ７で
、また駆動用ＩＣ搭載のためのボンディング部分と外部
接続端子を除く部分は絶縁樹脂で、それぞれ保護されて
いる。このように形成されたＣｕめっき層４２は約２０
鳩の厚みを有しているため、サーマルヘッド動作時に大
電流が流れても回路抵抗差に基づ（電圧降下差が小さく
て、印字＊ｒ＊むらを防止することができる。
電極体とグラウンド端子および外部接続端子部分を、グ
レーズドアルミナセラミック基板１の上に形成された絶
縁性１膜ＩＩ （ＴａｚＯｓ層）２、発熱抵抗体図３の
上に、Ｃｕめつぎ層４１とＣｕめっきｌｌｌ！４２とＮ
ｉめつき層５を順次めっきすることにより、それぞれ形
成したものである。なお、発熱抵抗体６は耐摩耗Ｍ７で
、また駆動用ＩＣ搭載のためのボンディング部分と外部
接続端子を除く部分は絶縁樹脂で、それぞれ保護されて
いる。このように形成されたＣｕめっき層４２は約２０
鳩の厚みを有しているため、サーマルヘッド動作時に大
電流が流れても回路抵抗差に基づ（電圧降下差が小さく
て、印字＊ｒ＊むらを防止することができる。
以上説明したように本発明は、電極導電体層を２層構造
とするため、まずＣｕめっきされやすい下地金属層を発
熱抵抗体図上に積層し、次にその上に電界Ｃｕめっきを
施して上部のＣｕめっき層を形成したもので、共通導体
部等の比較的大きな電流が流れて導体抵抗による電圧降
下が問題となる部分にＣｕめっきを厚く施すことにより
、導体抵抗を下げ印？園度むらを改善することができ、
またエツチング０ＩＩＩが短いため高いパターン１１度
を得ることができる効果がある。
とするため、まずＣｕめっきされやすい下地金属層を発
熱抵抗体図上に積層し、次にその上に電界Ｃｕめっきを
施して上部のＣｕめっき層を形成したもので、共通導体
部等の比較的大きな電流が流れて導体抵抗による電圧降
下が問題となる部分にＣｕめっきを厚く施すことにより
、導体抵抗を下げ印？園度むらを改善することができ、
またエツチング０ＩＩＩが短いため高いパターン１１度
を得ることができる効果がある。
第１図は本発明のサーマルヘッド基板の一実施例の断面
図、第２図ないし第５図は第１図のサーマルヘッド基板
の製造方法のうち特許請求の範囲（２）項の一実施例を
工程順に説明するための仕掛基板断面図、第６図は同様
に、特許請求の範囲（３）項の一実施例を説明するため
−の仕掛基板断面図、第７図はサーマルヘッド基板の従
来例の導体配置を示す部分平面図、第８図は第７図のＡ
−Ａ断面矢視図である。 １・・・グレーズドアルミナセラミック基板、２・・・
絶縁性薄膜層、 ３・・・発熱抵抗体図、 ４１・・・Ｃｕ導体層、。 ４２・・・Ｃｕめつき層、 ５・・・Ｎｉめつき隅、 ６・・・発熱抵抗体、 ７・・・耐摩耗層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図
図、第２図ないし第５図は第１図のサーマルヘッド基板
の製造方法のうち特許請求の範囲（２）項の一実施例を
工程順に説明するための仕掛基板断面図、第６図は同様
に、特許請求の範囲（３）項の一実施例を説明するため
−の仕掛基板断面図、第７図はサーマルヘッド基板の従
来例の導体配置を示す部分平面図、第８図は第７図のＡ
−Ａ断面矢視図である。 １・・・グレーズドアルミナセラミック基板、２・・・
絶縁性薄膜層、 ３・・・発熱抵抗体図、 ４１・・・Ｃｕ導体層、。 ４２・・・Ｃｕめつき層、 ５・・・Ｎｉめつき隅、 ６・・・発熱抵抗体、 ７・・・耐摩耗層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に積層された発熱抵抗体層および電極導
電体層に配線パターンが形成されたサーマルヘッド基板
において、 前記電極導電体層が、前記発熱抵坑体層上に成膜された
Ｃｕめっきをするための下地金属層と、該下地金属層上
に形成されたＣｕめっき層とよりなることを特徴とする
サーマルヘッド基板。 ２、絶縁基板上に積層された発熱抵抗体図および電極導
電体層に配線パターンが形成され、前記電極導電体層が
、前記発熱抵抗体層上に成膜されたＣｕめっきをするた
めの下地金属層と、該下地金属層上に形成されたＣｕめ
っき層とよりなるサーマルヘッド基板の製造方法におい
て、 前記発熱抵抗体層を形成した後、その上面にスパッタリ
ング法によりＣｕめっき用下地金属層を形成する工程と
、 次に、前記発熱抵抗体層およびＣｕめっき用下地金属層
に配線パターンを形成後、該パターンのうち、発熱抵抗
体となるべき部分をホトレジスト等でマスクし、共通電
極体となるべき部分を電流供給源として、電解Ｃｕめっ
き法によりＣｕめっき用下地金属層上に所定の厚さまで
Ｃｕめっきを行う工程を含むことを特徴とするサーマル
ヘッド基板の製造方法。 ３、絶縁基板上に積層された発熱抵抗体層および電極導
電体層に配線パターンが形成され、前記電極導電体層が
、前記発熱抵抗体層上に成膜されたＣｕめっきをするた
めの下地金属層と、該下地金属層上に形成されたＣｕめ
っき層とよりなるサーマルヘッド基板の製造方法におい
て、 前記発熱抵抗体層を形成した後、その上面にスパッタリ
ング法によりＣｕめっき用下地金属層を形成する工程と
、 次に、前記発熱抵抗体層およびＣｕめっき用下地金属層
に配線パターンを形成後、基板全面にＣｕめっきを施し
、さらに、共通電極体となるべき部分以外の部分にマス
クを施して、共通電極体となるべき部分にＣｕめっきを
施す工程と、 次に、前記マスクを除去した後、基板全面にＮｉめつき
を施す工程と、 次に、発熱抵抗体となるべき部分のＮｉめっき層とＣｕ
めっき層を、エッチング法により、すべて除除去する工
程を含むことを特徴とするサーマルヘッド基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10507587A JPS63268663A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | サーマルヘッド基板および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10507587A JPS63268663A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | サーマルヘッド基板および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63268663A true JPS63268663A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14397820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10507587A Pending JPS63268663A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | サーマルヘッド基板および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63268663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008433A (en) * | 1988-05-18 | 1991-04-16 | Marion Laboratories, Inc. | 2-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-3-(2-aminophenylthio)propionic acid, 8'-phenylmenthyl ester, especially for diltiazem |
| JPH0390169U (ja) * | 1989-12-26 | 1991-09-13 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10507587A patent/JPS63268663A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008433A (en) * | 1988-05-18 | 1991-04-16 | Marion Laboratories, Inc. | 2-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-3-(2-aminophenylthio)propionic acid, 8'-phenylmenthyl ester, especially for diltiazem |
| JPH0390169U (ja) * | 1989-12-26 | 1991-09-13 |
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