JPH0564224B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0564224B2 JPH0564224B2 JP60219594A JP21959485A JPH0564224B2 JP H0564224 B2 JPH0564224 B2 JP H0564224B2 JP 60219594 A JP60219594 A JP 60219594A JP 21959485 A JP21959485 A JP 21959485A JP H0564224 B2 JPH0564224 B2 JP H0564224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- ppm
- weight
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は半導体のチツプ電極と外部リード部と
を接続するために使用するタイヤボンデイング用
銅線に関するものである。 （従来の技術とその問題点） 従来、ボンデイング用線としては、Au線及び
Al線等が使用されてきた。 しかしながら、Au線は極めて高価な上に、シ
リコンチツプのAl電極との間に脆い金属間化合
物を形成しやすく、ワイヤーの剥離を起す欠点が
あつた。 一方、Al線はボール形状の不安定やループ形
状の不良及びボンデイング時にキヤピラリーが詰
りやすいため、ボンデイング特性の低下をきたす
という不具合があつた。 （発明が解決しようとする技術的課題） 以上の問題を解決するための本発明の技術的課
題は、低価格であると共にボール形状が安定し、
且つネツク切れ及びシリコン（Si）のチツプ割れ
等を起さない引張強度の強いボンデイング用線を
提供することである。 （技術的課題を達成するための技術的手段） 以上の技術的課題を達成するための本発明の技
術的手段は、99.99wt％以上の高純度無酸素銅に、
第３周期元素中よりマグネシウム（Mg）、アル
ミニウム（Al）、リン（Ｐ）の１種又は２種以上
を３〜40重量ppm含有せしめたことであり、その
添加量が３重量ppm未満だと効果が認められず、
40重量ppmを越えると電気抵抗が増大すると共
に、硬くなつてチツプ割れ等を生ずる。 （発明の効果） 本発明は以上の様な構成にしたことにより、下
記の効果を有する。 低価格のボンデイング用Cu線を提供するこ
とができる。 添加元素のMg，Al，Ｐが銅の脱酸作用をす
るので、ボール作製時における酸化を防止し、
清浄な真球形状が得られ、且つボンデイング作
業中におけるチツプ割れやネツク切れを防止し
て引張強度の向上を図ることが出来る。依つ
て、ボンデイング特性大なるCu線を提供し得
る。 （実施例） 表(1)−ａ〜ｃに示す試料No.１〜130は99.99wt％
以上の高純度無酸素銅（Cu）に、マグネシウム
（Mg）、アルミニウム（Al）、リン（Ｐ）、シリコ
ン（Si）、カルシウム（Ca）の１種又は２種以上
を表中記載量含有せしめたCu合金を溶解鋳造し、
線引加工により直径30μの極細線ボンデイング用
Cu線としたものである。 表(2)−ａ〜ｃに示す試料No.１〜130は99.99wt％
以上の高純度無酸素銅（Cu）に、マグネシウム
（Mg）、アルミニウム（Al）、リン（Ｐ）、シリコ
ン（Si）、カルシウム（Ca）の１種又は２種以上
を表中記載量含有せしめたCu合金を溶解鋳造し、
線引加工により直径30μの極細線ボンデイング用
Cu線としたものである。 ここにいう、高純度無酸素銅とは、99.99％以
上の純度で且つ酸素濃度５重量ppm以下の銅をい
う。各試料の添加元素及び添加量は表中に示す通
りである。 また、比較品は99.99wt％または99.995wt％の
Alに1wt％のSiを含有せしめたAl合金を溶解鋳造
し、線引加工により所定径の極細ボンデイング用
Al線としたものである。 これら各試料及び比較品について、ボール作製
の際のボール形状及びボンデイング時のチツプ割
れ、ネツク切れについて試験を行つた。結果を表
中に示す。
を接続するために使用するタイヤボンデイング用
銅線に関するものである。 （従来の技術とその問題点） 従来、ボンデイング用線としては、Au線及び
Al線等が使用されてきた。 しかしながら、Au線は極めて高価な上に、シ
リコンチツプのAl電極との間に脆い金属間化合
物を形成しやすく、ワイヤーの剥離を起す欠点が
あつた。 一方、Al線はボール形状の不安定やループ形
状の不良及びボンデイング時にキヤピラリーが詰
りやすいため、ボンデイング特性の低下をきたす
という不具合があつた。 （発明が解決しようとする技術的課題） 以上の問題を解決するための本発明の技術的課
題は、低価格であると共にボール形状が安定し、
且つネツク切れ及びシリコン（Si）のチツプ割れ
等を起さない引張強度の強いボンデイング用線を
提供することである。 （技術的課題を達成するための技術的手段） 以上の技術的課題を達成するための本発明の技
術的手段は、99.99wt％以上の高純度無酸素銅に、
第３周期元素中よりマグネシウム（Mg）、アル
ミニウム（Al）、リン（Ｐ）の１種又は２種以上
を３〜40重量ppm含有せしめたことであり、その
添加量が３重量ppm未満だと効果が認められず、
40重量ppmを越えると電気抵抗が増大すると共
に、硬くなつてチツプ割れ等を生ずる。 （発明の効果） 本発明は以上の様な構成にしたことにより、下
記の効果を有する。 低価格のボンデイング用Cu線を提供するこ
とができる。 添加元素のMg，Al，Ｐが銅の脱酸作用をす
るので、ボール作製時における酸化を防止し、
清浄な真球形状が得られ、且つボンデイング作
業中におけるチツプ割れやネツク切れを防止し
て引張強度の向上を図ることが出来る。依つ
て、ボンデイング特性大なるCu線を提供し得
る。 （実施例） 表(1)−ａ〜ｃに示す試料No.１〜130は99.99wt％
以上の高純度無酸素銅（Cu）に、マグネシウム
（Mg）、アルミニウム（Al）、リン（Ｐ）、シリコ
ン（Si）、カルシウム（Ca）の１種又は２種以上
を表中記載量含有せしめたCu合金を溶解鋳造し、
線引加工により直径30μの極細線ボンデイング用
Cu線としたものである。 表(2)−ａ〜ｃに示す試料No.１〜130は99.99wt％
以上の高純度無酸素銅（Cu）に、マグネシウム
（Mg）、アルミニウム（Al）、リン（Ｐ）、シリコ
ン（Si）、カルシウム（Ca）の１種又は２種以上
を表中記載量含有せしめたCu合金を溶解鋳造し、
線引加工により直径30μの極細線ボンデイング用
Cu線としたものである。 ここにいう、高純度無酸素銅とは、99.99％以
上の純度で且つ酸素濃度５重量ppm以下の銅をい
う。各試料の添加元素及び添加量は表中に示す通
りである。 また、比較品は99.99wt％または99.995wt％の
Alに1wt％のSiを含有せしめたAl合金を溶解鋳造
し、線引加工により所定径の極細ボンデイング用
Al線としたものである。 これら各試料及び比較品について、ボール作製
の際のボール形状及びボンデイング時のチツプ割
れ、ネツク切れについて試験を行つた。結果を表
中に示す。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
表(1)、(2)の結果から、99.99wt％以上の高純度
無酸素銅に、Mg，Al，Ｐの１種又は２種以上
を３〜40重量ppm含有せしめた、Ca，Siの何
れか１種とMg，Al，Ｐの１種又は２種以上とを
３〜40重量ppm含有せしめた、Ca及びSiと、
Mg，Al，Ｐの１種又は２種以上とを３〜40重量
ppm含有せしめた各々の本発明実施品が、所望の
効果を奏することを確認できた。
無酸素銅に、Mg，Al，Ｐの１種又は２種以上
を３〜40重量ppm含有せしめた、Ca，Siの何
れか１種とMg，Al，Ｐの１種又は２種以上とを
３〜40重量ppm含有せしめた、Ca及びSiと、
Mg，Al，Ｐの１種又は２種以上とを３〜40重量
ppm含有せしめた各々の本発明実施品が、所望の
効果を奏することを確認できた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 99.99wt％以上の高純度無酸素銅に、第３周
期元素中よりマグネシウム（Mg）、アルミニウ
ム（Al）、リン（Ｐ）の１種又は２種以上を３〜
40重量ppm含有せしめたことを特徴とする半導体
素子のボンデイング用銅線。 ２ 99.99wt％以上の高純度無酸素銅に、カルシ
ウム（Ca）、シリコン（Si）の何れか１種と、マ
グネシウム（Mg）、アルミニウム（Al）、リン
（Ｐ）の１種又は２種以上とを３〜40重量ppm含
有せしめたことを特徴とする半導体素子のボンデ
イング用銅線。 ３ 99.99wt％以上の高純度無酸素銅に、カルシ
ウム（Ca）及びシリコン（Si）と、マグネシウ
ム（Mg）、アルミニウム（Al）、リン（Ｐ）の１
種又は２種以上を３〜40重量ppm含有せしめたこ
とを特徴とする半導体素子のボンデイング用銅
線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219594A JPS6280241A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219594A JPS6280241A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280241A JPS6280241A (ja) | 1987-04-13 |
| JPH0564224B2 true JPH0564224B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16737979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219594A Granted JPS6280241A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280241A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159338A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Fujikura Ltd | 極細線用銅線材 |
| US8610291B2 (en) | 2006-08-31 | 2013-12-17 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Copper alloy bonding wire for semiconductor device |
| JP5109881B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2012-12-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅ボンディングワイヤ |
| JP4482605B1 (ja) * | 2009-01-23 | 2010-06-16 | 田中電子工業株式会社 | 高純度Ｃｕボンディングワイヤ |
| CN102884615A (zh) * | 2010-04-14 | 2013-01-16 | 大自达电线株式会社 | 焊线 |
| US20150336216A1 (en) * | 2013-01-11 | 2015-11-26 | Senju Metal lndustry Co., Ltd. | Cu BALL |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5678357U (ja) * | 1979-11-09 | 1981-06-25 | ||
| JPS5929093A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-16 | Power Reactor & Nuclear Fuel Dev Corp | スケ−ルの除去方法 |
| JPS59139663A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-10 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用Ｃｕ合金細線 |
| JPS6120693A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | ボンデイングワイヤ− |
| JPS61163194A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-23 | Toshiba Corp | 半導体素子用ボンデイング線 |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP60219594A patent/JPS6280241A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6280241A (ja) | 1987-04-13 |
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