JPS6010671A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6010671A JPS6010671A JP58118526A JP11852683A JPS6010671A JP S6010671 A JPS6010671 A JP S6010671A JP 58118526 A JP58118526 A JP 58118526A JP 11852683 A JP11852683 A JP 11852683A JP S6010671 A JPS6010671 A JP S6010671A
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- JP
- Japan
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- charge
- output circuit
- junction layer
- circuit
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光電変換素子と、この光′電変換素子の信号
電荷を転送する電荷転送手段と、転送された信号電荷を
′紙圧信号としてとり出す出力回路と、入射光を遮蔽す
るとともに電気遮蔽する導１ｄ性元遮蔽膜とを具えた固
体撮像装置に関する。
電荷を転送する電荷転送手段と、転送された信号電荷を
′紙圧信号としてとり出す出力回路と、入射光を遮蔽す
るとともに電気遮蔽する導１ｄ性元遮蔽膜とを具えた固
体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置を第１図、第２図に示す。
この固体撮像装置は、複数の光電変換素子１と、この光
電変換素子１の信号電荷を転送する電荷転送装置ｆ２と
、この電荷転送装置２により転送された信号電荷を出力
′電圧としてとり出す出力回路３を有しており、光電変
換素子１以外の部分は光シールド膜４で遮蔽されている
。この光シールド膜４はアルミニウム等の４電性物質の
膜として形成され、電磁シールドの役割も果たしている
。信号１荷の転送経路をできるだけ短くする必要がある
ため、出力回路３は光電変換素子１の近くに配されてい
る。このため出力回路３も元シールド膜４でおおわれて
いる。
電変換素子１の信号電荷を転送する電荷転送装置ｆ２と
、この電荷転送装置２により転送された信号電荷を出力
′電圧としてとり出す出力回路３を有しており、光電変
換素子１以外の部分は光シールド膜４で遮蔽されている
。この光シールド膜４はアルミニウム等の４電性物質の
膜として形成され、電磁シールドの役割も果たしている
。信号１荷の転送経路をできるだけ短くする必要がある
ため、出力回路３は光電変換素子１の近くに配されてい
る。このため出力回路３も元シールド膜４でおおわれて
いる。
この固体撮像装置の出力回路３は第２図（ａ）に示すよ
うな断面構造をしている。電荷転送装置２の転送電極８
は半導体基板５の上に酸化膜冴をはさんで形成されてい
る。出力ゲート電極７は転？５１ｉ極８に隣接して形成
され、電荷転送装置２と出力回路３との間に障壁電位を
形成する。リセット電極９は、電荷検出接合層６と所定
−位の接合層１０とを電気的に接続し、電荷検出接合層
６を所定電位にリセットするためのものである。４電ｈ
Ｍ １．１は電荷検出接合層６の電位ソースホロワ回路
の入力ゲートＪ２に接続するものである。ソースホロワ
回路は、この入力ゲート１２と、電源１氏圧に設足され
たドレイン接合層１：３と、負荷トランジスタのソース
接合層１６と、ゲー］・】５と、出力′ぼ圧をとり出す
出力接合層■４とを有している。専′醒１生の光シール
ド膜４は絶縁層２４の上をおおうようにして形成され、
基板’Ｆｔｔ圧に設定されている。
うな断面構造をしている。電荷転送装置２の転送電極８
は半導体基板５の上に酸化膜冴をはさんで形成されてい
る。出力ゲート電極７は転？５１ｉ極８に隣接して形成
され、電荷転送装置２と出力回路３との間に障壁電位を
形成する。リセット電極９は、電荷検出接合層６と所定
−位の接合層１０とを電気的に接続し、電荷検出接合層
６を所定電位にリセットするためのものである。４電ｈ
Ｍ １．１は電荷検出接合層６の電位ソースホロワ回路
の入力ゲートＪ２に接続するものである。ソースホロワ
回路は、この入力ゲート１２と、電源１氏圧に設足され
たドレイン接合層１：３と、負荷トランジスタのソース
接合層１６と、ゲー］・】５と、出力′ぼ圧をとり出す
出力接合層■４とを有している。専′醒１生の光シール
ド膜４は絶縁層２４の上をおおうようにして形成され、
基板’Ｆｔｔ圧に設定されている。
この１δ１体撮１ま装置武の電荷検出の動作を説明する
と、リセット−４勿９をオンすると第２図（ｂ）に示す
ようにリセット電極９下の電位は破線δで示すようにな
り、′ｍ荷＋６ｒ出］嬰合層６の「ｉＬ位は接曾層１０
０１位２７と同じ電位になる。リセット電極９をオフす
るとリセット醒極９下の′（５）位は破線２６で示すよ
うになり、電荷検出接合層６はフローティング状態とな
る。この状態で電荷転送装置２で転送されたｎ荷２９が
出力ゲート箪１勿７の障壁電位３０を超えて流れ込み電
荷検出接合層６の電位を実線あのように変化させる。こ
の−位変化をソースホロワ回路に入力して出力を得る。
と、リセット−４勿９をオンすると第２図（ｂ）に示す
ようにリセット電極９下の電位は破線δで示すようにな
り、′ｍ荷＋６ｒ出］嬰合層６の「ｉＬ位は接曾層１０
０１位２７と同じ電位になる。リセット電極９をオフす
るとリセット醒極９下の′（５）位は破線２６で示すよ
うになり、電荷検出接合層６はフローティング状態とな
る。この状態で電荷転送装置２で転送されたｎ荷２９が
出力ゲート箪１勿７の障壁電位３０を超えて流れ込み電
荷検出接合層６の電位を実線あのように変化させる。こ
の−位変化をソースホロワ回路に入力して出力を得る。
この電荷検出接合層６のぼ位変化Ｖｓは、・１江荷検出
接合ｉ７５の有する全面−谷賦ＣＴ と転送された電荷
量９ｓ で定まり、Ｖｓ＝Ｑｓ／ＣＴであられされる。
接合ｉ７５の有する全面−谷賦ＣＴ と転送された電荷
量９ｓ で定まり、Ｖｓ＝Ｑｓ／ＣＴであられされる。
したがって、Ｔ莢出感度を高くするためには、全静電界
４ｃ管を充分小さくする必要がある。電荷検出接合層６
の有する全静電界１ｈｔｃｔは半得体基４反５との間の
静シ谷量ＣＦｌｉと、出力ゲート１極７との間の静電容
置Ｃカと、リセット電極９との間の静電容量ｃｒｕと、
元シールド膜４との間の静・直答最ＣＦ”ｔ＋と、導電
線■１の対地容１丘２と、入力ゲート１２の対地容量Ｃ
Ｇ＋との聡和で表わされる。 １すなわち、 Ｃｔ ＝ＣＦ’Ｓ＋ＣＦＯ＋ ＣＦＲ＋Ｃｒｎ、 中Ｃ
ｒ１２＋ ＣｃｒＩ川（１）七なる。ここでＣＦＬＩと
（ＪＬ２とＣＧＩの値は大きく、このために電荷検出感
度を十分大きくすることはできなかった。また出力接合
層１４の出力）雰の対地容量ＣＬＯも大きく、等測的に
出力負荷容量が増加し周波数応答か劣化するという問題
があった。
４ｃ管を充分小さくする必要がある。電荷検出接合層６
の有する全静電界１ｈｔｃｔは半得体基４反５との間の
静シ谷量ＣＦｌｉと、出力ゲート１極７との間の静電容
置Ｃカと、リセット電極９との間の静電容量ｃｒｕと、
元シールド膜４との間の静・直答最ＣＦ”ｔ＋と、導電
線■１の対地容１丘２と、入力ゲート１２の対地容量Ｃ
Ｇ＋との聡和で表わされる。 １すなわち、 Ｃｔ ＝ＣＦ’Ｓ＋ＣＦＯ＋ ＣＦＲ＋Ｃｒｎ、 中Ｃ
ｒ１２＋ ＣｃｒＩ川（１）七なる。ここでＣＦＬＩと
（ＪＬ２とＣＧＩの値は大きく、このために電荷検出感
度を十分大きくすることはできなかった。また出力接合
層１４の出力）雰の対地容量ＣＬＯも大きく、等測的に
出力負荷容量が増加し周波数応答か劣化するという問題
があった。
（発明の目的〕
本発明は上記型′１ｋを′４１ハしてなされたもので、
′電荷検出感度が高く、周波数応答のよい固体撮像装置
を提供することを目的とする。
′電荷検出感度が高く、周波数応答のよい固体撮像装置
を提供することを目的とする。
この目的を達成するために本発明による固体撮像装置は
、纏亀注元遮蔽膜の元酸変挨素子上の領域に開口部を設
けるとともに、出力回路上の少なくとも一部の領域に開
口部を設けることを特徴とする。
、纏亀注元遮蔽膜の元酸変挨素子上の領域に開口部を設
けるとともに、出力回路上の少なくとも一部の領域に開
口部を設けることを特徴とする。
本発明の第１の実施例による固体撮像装置を第３図？こ
示す。この固体撮像装置は、被数の光′電変換素子１と
、この光゛眠変侠素子１の信号電荷を転送する電荷転送
装置２と、この電荷転送装置２により転送された信号電
荷を出力電圧としてとり出す出力回路３とを有しており
、九′亀変換索子１上に開口部を有する導電性の元シー
ルド膜４でおおわれている。本実施例では出力回路３上
の領域にも光シールド膜４に開口部３０を設けている点
が特徴である。
示す。この固体撮像装置は、被数の光′電変換素子１と
、この光゛眠変侠素子１の信号電荷を転送する電荷転送
装置２と、この電荷転送装置２により転送された信号電
荷を出力電圧としてとり出す出力回路３とを有しており
、九′亀変換索子１上に開口部を有する導電性の元シー
ルド膜４でおおわれている。本実施例では出力回路３上
の領域にも光シールド膜４に開口部３０を設けている点
が特徴である。
この出力回路３を第４図、第５図に詳細に示す。
第４図はこの出力回路３の平面構成を示し、第５図は断
面構成を示す。たた゛し第５図の断面構成は本実施例を
理解しやすくするため変形しであり、実際の断面とは少
し異なるところがある。本来流側の出力回路３は、フロ
ーテインク接合型の電荷検出回路と、２段構成のソース
ホロワ回路とからなっている。出力ゲート′電極７は転
送電極８に隣接して形成され障壁電位を形成する。リセ
ット電極９は、電荷検出接合層６と所定電位の接合層１
゜とを電気的に接続し、電荷検出接合層６を所定電位に
リセットするためのものである。導電線１１は′電荷検
出接合層６の電位をソースホロワ回路の入力ゲート１．
２に接続するものである。ソースホロワ回路は、２段構
成である。第１段目のソースホロワ回路は、ドレイン接
合層１０と、入力ゲート２と、出力接合層１４と、負荷
トランジスタのソース接合層３２とゲート３１とでｉＪ
’ｉ’成され−こおり、第２段目のソースホロワ回路は
、ドレイン接合層１０と、入力ゲート３４と、出力１妾
合層３５と、負荷トランジスタのソース接合層；３２と
ゲート：３１とでＦｆｉ成されている。
面構成を示す。たた゛し第５図の断面構成は本実施例を
理解しやすくするため変形しであり、実際の断面とは少
し異なるところがある。本来流側の出力回路３は、フロ
ーテインク接合型の電荷検出回路と、２段構成のソース
ホロワ回路とからなっている。出力ゲート′電極７は転
送電極８に隣接して形成され障壁電位を形成する。リセ
ット電極９は、電荷検出接合層６と所定電位の接合層１
゜とを電気的に接続し、電荷検出接合層６を所定電位に
リセットするためのものである。導電線１１は′電荷検
出接合層６の電位をソースホロワ回路の入力ゲート１．
２に接続するものである。ソースホロワ回路は、２段構
成である。第１段目のソースホロワ回路は、ドレイン接
合層１０と、入力ゲート２と、出力接合層１４と、負荷
トランジスタのソース接合層３２とゲート３１とでｉＪ
’ｉ’成され−こおり、第２段目のソースホロワ回路は
、ドレイン接合層１０と、入力ゲート３４と、出力１妾
合層３５と、負荷トランジスタのソース接合層；３２と
ゲート：３１とでＦｆｉ成されている。
第１段目のソースホロワ回路の出力→妾合層１＝１と第
２段目のソースホロワ回路の入力ゲー１−３４は導′醒
線３６で接続されている。尋電緋４５はソースホロワ回
路のソース鼠合層：′３２を基＄電位とするもので、通
常半導体基板５の電位に接地される。砺−一線４６はソ
ースホロワ回１浴の出力、すなわぢ出力回路３の出力を
とりたずものである。導電線４７は・６諒電圧を供給す
るものである。
２段目のソースホロワ回路の入力ゲー１−３４は導′醒
線３６で接続されている。尋電緋４５はソースホロワ回
路のソース鼠合層：′３２を基＄電位とするもので、通
常半導体基板５の電位に接地される。砺−一線４６はソ
ースホロワ回１浴の出力、すなわぢ出力回路３の出力を
とりたずものである。導電線４７は・６諒電圧を供給す
るものである。
４電（′、ｔの光シールド瞑４は、従来のように全面を
おおわずに開口部１００を有している。本実施例では開
口ｉ１：ｊ（１００は、出力回路３のうぢフローティン
ク接合型の′…：而ｊ面出回路と第１段目のソースホロ
ワ回路の一部の領域の上部に設けられている。
おおわずに開口部１００を有している。本実施例では開
口ｉ１：ｊ（１００は、出力回路３のうぢフローティン
ク接合型の′…：而ｊ面出回路と第１段目のソースホロ
ワ回路の一部の領域の上部に設けられている。
具体的には、出力ゲート電極７の一部と、電荷検出接合
層６と、接合層１０と、リセット電極９の一部と、４電
ＭｉＷ１１と、入力ゲート１２の上部である。
層６と、接合層１０と、リセット電極９の一部と、４電
ＭｉＷ１１と、入力ゲート１２の上部である。
このように本実施例では元シールド膜４の一部が除去さ
れているため、電荷検出接合層６の有する全静電容量Ｃ
Ｔは、半導体基板との間の静電芥−敏Ｃｖｓと、出力ゲ
ート・屯、饋７との間の静電容量ＣＦＯと、リセット電
極９との間の静電容量ＣＦＲと、入力ゲート１２が有す
るＦＪ”ｍ 谷ｍ ＣＦＤとの和であられされる。すな
わち、 ＣＴ ＝ ＣＦＳ ＋ ＣＦＯ＋ ＣＦＲ＋ ＣＦＤ
・・・・・・・・・（２）となる。すなわぢ、従来の（
１）式と比較ずれはわがるように、対元シールド膜との
間の静電容量ＣＦ項。
れているため、電荷検出接合層６の有する全静電容量Ｃ
Ｔは、半導体基板との間の静電芥−敏Ｃｖｓと、出力ゲ
ート・屯、饋７との間の静電容量ＣＦＯと、リセット電
極９との間の静電容量ＣＦＲと、入力ゲート１２が有す
るＦＪ”ｍ 谷ｍ ＣＦＤとの和であられされる。すな
わち、 ＣＴ ＝ ＣＦＳ ＋ ＣＦＯ＋ ＣＦＲ＋ ＣＦＤ
・・・・・・・・・（２）となる。すなわぢ、従来の（
１）式と比較ずれはわがるように、対元シールド膜との
間の静電容量ＣＦ項。
ＣＦＩ、２がなくなり、静電容量ＣＴ は小さくなる。
したがって、電荷検出接合層６０電位変化ＶＳ と転送
された電荷量Ｑｓ との比である電荷検出感度Ｖｓ／Ｑ
ｓ ＝ １．／Ｃｒは、非常に旨くなる。
された電荷量Ｑｓ との比である電荷検出感度Ｖｓ／Ｑ
ｓ ＝ １．／Ｃｒは、非常に旨くなる。
本実施例の動作を説明すると、リセット電極９１をオン
すると、リセット′電極９下の′電位は高くなって、電
荷検出接合層６の電位は接合層１０の電位と同（じにな
る。リセット山、・１甑９をオフすると、リセット′Ｈ
ｃ＋１返９Ｆの電位は低くなり、嵯荷検りＪ旧妾合１９
６６はフローティング状態となる。この状態で電荷検出
感度からの転送′１乞荷が出力ゲート＝ｍ極７の障壁電
位を超えて流れ込み′−荷・演出接合層６の電位を変化
させる。この′電位変化Ｖｓを２段構成のソースホロワ
回路で検出する。削述したように本実施例では゛東向・
演出接合層６の全静′直容量Ｃ丁が小さいので、電位変
化Ｖｓ は転送電信Ｑｓ に対して大きくなり、検出感
度が筒くなる。
すると、リセット′電極９下の′電位は高くなって、電
荷検出接合層６の電位は接合層１０の電位と同（じにな
る。リセット山、・１甑９をオフすると、リセット′Ｈ
ｃ＋１返９Ｆの電位は低くなり、嵯荷検りＪ旧妾合１９
６６はフローティング状態となる。この状態で電荷検出
感度からの転送′１乞荷が出力ゲート＝ｍ極７の障壁電
位を超えて流れ込み′−荷・演出接合層６の電位を変化
させる。この′電位変化Ｖｓを２段構成のソースホロワ
回路で検出する。削述したように本実施例では゛東向・
演出接合層６の全静′直容量Ｃ丁が小さいので、電位変
化Ｖｓ は転送電信Ｑｓ に対して大きくなり、検出感
度が筒くなる。
なお、光シールド膜４かないため、入射光により、屯荷
検出叛合層６、接合／’ｊ １（Ｊと半／＃一杯基イ反
５とで何成されるＰｎ接合で九軍変かされ６荷が発生す
るが、転送電荷の恢出とリセットとを例えばＩ Ｍ Ｉ
−１ｚ以上の高速で周期動作さぜれはこの目り荷をほと
んど無祝することができるので四状はない。
検出叛合層６、接合／’ｊ １（Ｊと半／＃一杯基イ反
５とで何成されるＰｎ接合で九軍変かされ６荷が発生す
るが、転送電荷の恢出とリセットとを例えばＩ Ｍ Ｉ
−１ｚ以上の高速で周期動作さぜれはこの目り荷をほと
んど無祝することができるので四状はない。
本発明の第２の実施例による固体撮像装置ａの出力回路
３を第６１２］第７図に示す。本実流例は第１の実施列
と光シールド祠４の開口部１０１の形状が異なる。すな
わち第１の実施例における開口部１０１（９） よりも、広い領域の光シールドＩＮ ４が除去されてい
る。具体的には、出力ゲート７の一部と、電荷検出接合
層６と、接合層１０と、リセット電極９の−６１３と、
導電線１１との上部の領域に加えて、第１段目のソース
ホロワ回路の出力接合層１４と第２段目のソースホロワ
回路の入力ゲート３４とを接続する導電線３６と、第２
段目のソースホロワ回路の入力ゲート３６と出力接合層
３５との上部の領域の元シールド膜４が除去されている
。本実施例では、靜′鑞芥量Ｃｙｔｉ１ 、 ＣＩＰ］
Ｌ２に加えて、出力接合層１４の出力導電線３６の対地
容駐ＣＬＯもなくなることになる。
３を第６１２］第７図に示す。本実流例は第１の実施列
と光シールド祠４の開口部１０１の形状が異なる。すな
わち第１の実施例における開口部１０１（９） よりも、広い領域の光シールドＩＮ ４が除去されてい
る。具体的には、出力ゲート７の一部と、電荷検出接合
層６と、接合層１０と、リセット電極９の−６１３と、
導電線１１との上部の領域に加えて、第１段目のソース
ホロワ回路の出力接合層１４と第２段目のソースホロワ
回路の入力ゲート３４とを接続する導電線３６と、第２
段目のソースホロワ回路の入力ゲート３６と出力接合層
３５との上部の領域の元シールド膜４が除去されている
。本実施例では、靜′鑞芥量Ｃｙｔｉ１ 、 ＣＩＰ］
Ｌ２に加えて、出力接合層１４の出力導電線３６の対地
容駐ＣＬＯもなくなることになる。
したがって電荷検出感度が高くなるとともに、静電容量
１０の存在のために劣化していた周波数応答が改善され
る。
１０の存在のために劣化していた周波数応答が改善され
る。
なお、第８図は、第４図から第７図に示す出力回路の等
価回路である。第１の実施例におけるように開口部を設
ければ、参照番号６１で示す静電容量ＣｖＩ、（＝ ｃ
ｙＬ、、 ＋ ＣＦ鴎）がなくなるため検出感度が向ヒ
することがわかる。また第２の実施例におけるように開
口部を設けれは、さらに参照番号６２で（１０） 示す静軍容ｆｆ１ｃｔｏがなくなるので周波数応答か改
善することがわかる。
価回路である。第１の実施例におけるように開口部を設
ければ、参照番号６１で示す静電容量ＣｖＩ、（＝ ｃ
ｙＬ、、 ＋ ＣＦ鴎）がなくなるため検出感度が向ヒ
することがわかる。また第２の実施例におけるように開
口部を設けれは、さらに参照番号６２で（１０） 示す静軍容ｆｆ１ｃｔｏがなくなるので周波数応答か改
善することがわかる。
以上の実施例は出力回路がフローテインク接合形の検出
回り洛であったが、フローティングゲート形あるいはそ
の他の容量蓄積形検出回路の場合にも適用できる。また
固体撮像装置の他の回路上の光遮、１１に膜を除けば、
その回路の周波数応答を改善できる。
回り洛であったが、フローティングゲート形あるいはそ
の他の容量蓄積形検出回路の場合にも適用できる。また
固体撮像装置の他の回路上の光遮、１１に膜を除けば、
その回路の周波数応答を改善できる。
以上の埋り、本発明によれば専醒性光遮蔽膜の光遮蔽４
炊能を十負うことなく ゛ｍｉ荷検出感度の商い出力回
路を有する固体撮像装置Ｉ′！：を実現できる。また元
遮蔽映を除去する領域により周波数応答を改善すること
ができる。
炊能を十負うことなく ゛ｍｉ荷検出感度の商い出力回
路を有する固体撮像装置Ｉ′！：を実現できる。また元
遮蔽映を除去する領域により周波数応答を改善すること
ができる。
第１図は従来の固体（１ｆ家装置コｊの平面図、第２図
（ａ）は同固体撮１象挟１ｄの出力回路の１□ＩＪｒ
ｍ図、第２図（ｂ）は同出力回路の！助作を示すポテン
シャル図、第３図は本発明の第１の実施例による固体撮
像装置の平［＋′：ｌ□１図、第４図は同固体撮像装置
の出力回路の平面図、第５図は同出力回路の断面図、第
６図は本発明の第２の実施例による固体撮像装置の出力
回路の平面図、第７図は同出力回路の１新面図、第８図
は同出力回路の回路図である。 ■・・・光篭変挨素子、２・・・電荷転送装置、３・・
・出力回路、４・・・光シールド膜、５・・・半導体基
板、６・・・電荷検出段介層、７・・・出力ゲート―極
、８・・・転送′成極、９ ・リセット′亀億、１０・
・接合層、１１・・・導’を綜、１２・・入カゲー１−
１１３・・・ドレイン接合層、１４・・・出力接合層、
１５・・・ゲート、１６・・・ソース接合層、２４・・
絶縁層、３１・・ゲート、３２・・・ソース接合層、３
４・・・入力ゲート、３５・・出力接合層、３６・・・
専′祿畝１００・・・開口部、１０１・・・開口部。 出願人代理人 猪 股 清
（ａ）は同固体撮１象挟１ｄの出力回路の１□ＩＪｒ
ｍ図、第２図（ｂ）は同出力回路の！助作を示すポテン
シャル図、第３図は本発明の第１の実施例による固体撮
像装置の平［＋′：ｌ□１図、第４図は同固体撮像装置
の出力回路の平面図、第５図は同出力回路の断面図、第
６図は本発明の第２の実施例による固体撮像装置の出力
回路の平面図、第７図は同出力回路の１新面図、第８図
は同出力回路の回路図である。 ■・・・光篭変挨素子、２・・・電荷転送装置、３・・
・出力回路、４・・・光シールド膜、５・・・半導体基
板、６・・・電荷検出段介層、７・・・出力ゲート―極
、８・・・転送′成極、９ ・リセット′亀億、１０・
・接合層、１１・・・導’を綜、１２・・入カゲー１−
１１３・・・ドレイン接合層、１４・・・出力接合層、
１５・・・ゲート、１６・・・ソース接合層、２４・・
絶縁層、３１・・ゲート、３２・・・ソース接合層、３
４・・・入力ゲート、３５・・出力接合層、３６・・・
専′祿畝１００・・・開口部、１０１・・・開口部。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入射光に応じた信号電荷を発生する複数の光電変換素子
と、これら光電変換素子により発生された信号電荷を転
送する電荷転送手段と、この電荷転送手段により転送さ
れた信号′電荷を電圧信号としてとり出す出力回路と、
入射光を遮蔽するとともに電気遮蔽する導電性元遮蔽膜
とを備えた固体撮像装置において、 前記導電性元遮蔽膜は、前記光電変換素子上の領域に開
口部を有するとともに前記出力回路上の少なくとも一部
の領域に開口部を有することを特徴とする固体撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118526A JPS6010671A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118526A JPS6010671A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010671A true JPS6010671A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0524671B2 JPH0524671B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=14738784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118526A Granted JPS6010671A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010671A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63292286A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 文字認識装置 |
| JPS63312671A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置 |
| JPH01119884A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 文字認識装置 |
| JPH02285676A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH05304280A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2012019359A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP2017139281A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645086A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Photosensor |
| JPS5869176A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118526A patent/JPS6010671A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645086A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Photosensor |
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| JPH01119884A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 文字認識装置 |
| JPH02285676A (ja) * | 1989-04-27 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子 |
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| JP2012019359A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
| JP2017139281A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524671B2 (ja) | 1993-04-08 |
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