JPS6244742A - 修正方法および装置 - Google Patents
修正方法および装置Info
- Publication number
- JPS6244742A JPS6244742A JP60184125A JP18412585A JPS6244742A JP S6244742 A JPS6244742 A JP S6244742A JP 60184125 A JP60184125 A JP 60184125A JP 18412585 A JP18412585 A JP 18412585A JP S6244742 A JPS6244742 A JP S6244742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reticle
- reaction
- disilane
- excitation light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、修正技術、特に半導体装置の製造に用いられ
るレチクルのパターン修正に通用してを効な技術に関す
る。
るレチクルのパターン修正に通用してを効な技術に関す
る。
［背景技術］
一般に、半導体装置の製造においては、たとえばシリコ
ンなどからなる半導体基板すなわちウェハに形成される
半導体素子の配線構造などのパターンを転写する原版と
して、レチクルが用いられる。
ンなどからなる半導体基板すなわちウェハに形成される
半導体素子の配線構造などのパターンを転写する原版と
して、レチクルが用いられる。
このレチクルは、通常透明なガラス板などからなるレチ
クル基板上にクロムなどの遮光膜を全面にわたって被着
させた後、この遮光膜の一部をエツチングによって除去
し、遮光膜に所定のパターンの透光部を形成して製作さ
れる。
クル基板上にクロムなどの遮光膜を全面にわたって被着
させた後、この遮光膜の一部をエツチングによって除去
し、遮光膜に所定のパターンの透光部を形成して製作さ
れる。
この場合、前記エツチングの過程で遮光膜を残存させる
べき部分に被着されるフォトレジストに、たとえばピン
ホールなどの欠陥が存在すると、欠陥に対応する部分の
遮光膜がエツチングによって除去され、露光光線が透過
される欠損部、すなわ］ ち白点不
良を生じることとなる。
べき部分に被着されるフォトレジストに、たとえばピン
ホールなどの欠陥が存在すると、欠陥に対応する部分の
遮光膜がエツチングによって除去され、露光光線が透過
される欠損部、すなわ］ ち白点不
良を生じることとなる。
そして、ウェハなどに対するパターンの転写の際に、前
記白点不良が本来のパターンとともに転写され、ウェハ
に形成される半導体素子の欠陥発生の原因となる。
記白点不良が本来のパターンとともに転写され、ウェハ
に形成される半導体素子の欠陥発生の原因となる。
このため、レチクルの製作過程においては、前記のよう
にして発生された白点不良を補修するぺ（、たとえば白
点不良の部位以外にフォトレジストを被着させ、さらに
白点不良の部位に対応する部分に穴明けを施したフィル
ムを貼付して隠蔽した後、スパッタリングなどによって
白点不良の部位にクロム膜を被着させて補修することが
考えられる。
にして発生された白点不良を補修するぺ（、たとえば白
点不良の部位以外にフォトレジストを被着させ、さらに
白点不良の部位に対応する部分に穴明けを施したフィル
ムを貼付して隠蔽した後、スパッタリングなどによって
白点不良の部位にクロム膜を被着させて補修することが
考えられる。
しかしながら−１白点不良は通常微細なものであり、前
記フィルムの穴明けおよび貼付作業などには熟練を要し
、さらにフィルムの貼付および剥離が手作業となるため
、白点不良の修正に長時間を要するという欠点があるこ
とを本発明者は見いだした。
記フィルムの穴明けおよび貼付作業などには熟練を要し
、さらにフィルムの貼付および剥離が手作業となるため
、白点不良の修正に長時間を要するという欠点があるこ
とを本発明者は見いだした。
なお、レチクルについて説明されている文献としては、
株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発行、「
電子材料Ｊ１９８１年別冊、Ｐ２１４〜Ｐ２２０がある
。
株式会社工業調査会、昭和５６年１１月１０日発行、「
電子材料Ｊ１９８１年別冊、Ｐ２１４〜Ｐ２２０がある
。
［発明の目的コ
本発明の目的は、迅速に修正を行うことが可能な修正技
術を提供することにある。
術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、透明な基板の表面に所定の遮光物質を被着さ
せることによって形成されるパターンの欠損部を補修す
る修正方法で、前記欠損部以外の部分に遮蔽物を被着さ
せた前記基板の表面を所定の反応ガス雰囲気に暴露させ
、該基板の裏面に照射され、前記欠損部を透過して基板
の表面側に到達される励起光線によって前記反応ガスに
よる膜形成反応を促進させ、前記励起光線が透過される
前記欠損部に選択的に所定の物質からなる薄膜を堆積さ
せて前記欠損部分の補修を行うことにより、たとえば手
作業による工程を省略することを可能にして、欠損部分
の迅速な修正を可能にしたちのである。
せることによって形成されるパターンの欠損部を補修す
る修正方法で、前記欠損部以外の部分に遮蔽物を被着さ
せた前記基板の表面を所定の反応ガス雰囲気に暴露させ
、該基板の裏面に照射され、前記欠損部を透過して基板
の表面側に到達される励起光線によって前記反応ガスに
よる膜形成反応を促進させ、前記励起光線が透過される
前記欠損部に選択的に所定の物質からなる薄膜を堆積さ
せて前記欠損部分の補修を行うことにより、たとえば手
作業による工程を省略することを可能にして、欠損部分
の迅速な修正を可能にしたちのである。
［実施例１］
第１図は、本発明の一実施例である修正装置の断面図で
ある。
ある。
有底筒状の基体部ｌには蓋体２が着脱自在に装着されて
いる。
いる。
さらに、前記基体部１の開口部内周にはフランジ状に載
置台３が設けられており、透明なガラスなどで構成され
るレチクル基板４およびレチクル基板４の表面に所定の
パターンをなす遮光膜５が被着されて構成されるレチク
ル６が、基体部１およびこの基体部１の装着される蓋体
２で構成される空間を仕切るように！！２置され、蓋体
１の側には反応室７ （第１の室）が、同様に基体部ｌ
の側には真空室８ （第２の室）が形成されている。
置台３が設けられており、透明なガラスなどで構成され
るレチクル基板４およびレチクル基板４の表面に所定の
パターンをなす遮光膜５が被着されて構成されるレチク
ル６が、基体部１およびこの基体部１の装着される蓋体
２で構成される空間を仕切るように！！２置され、蓋体
１の側には反応室７ （第１の室）が、同様に基体部ｌ
の側には真空室８ （第２の室）が形成されている。
この場合、前記レチクル６は、所定のパターンをなすべ
き遮光膜５の一部が欠損されることに起因する透光部、
すなわち白点不良部６ａ（欠損部）を有するものである
。
き遮光膜５の一部が欠損されることに起因する透光部、
すなわち白点不良部６ａ（欠損部）を有するものである
。
そして、前記基体部１の真空室８の内部には、所定の波
長の紫外線９ａ（励起光線）を放射する光源部９が設け
られ、レチクル６の裏面全体に紫外線が照射されるよう
に構成されている。
長の紫外線９ａ（励起光線）を放射する光源部９が設け
られ、レチクル６の裏面全体に紫外線が照射されるよう
に構成されている。
一方、前記蓋体２には、反応ガス供給ノズル１０が設け
られており、反応ガス源１１から供給される、たとえば
ジシラン１２（反応ガス）などが前記反応室２の内部に
流入されるように構成され、レチクル６の遮光膜５が形
成された表面が暴露される反応室７の内部が所定の反応
ガス１２の雰囲気にされる構造とされている。
られており、反応ガス源１１から供給される、たとえば
ジシラン１２（反応ガス）などが前記反応室２の内部に
流入されるように構成され、レチクル６の遮光膜５が形
成された表面が暴露される反応室７の内部が所定の反応
ガス１２の雰囲気にされる構造とされている。
この場合、前記ジシラン１２は前記光源９から放射され
る所定の波長の紫外線９ａが照射されることによって励
起状態にされ、アモルファスシリコンなどの固相の析出
による膜形成反応が促進されるものである。
る所定の波長の紫外線９ａが照射されることによって励
起状態にされ、アモルファスシリコンなどの固相の析出
による膜形成反応が促進されるものである。
さらに、前記反応室７および真空室８には、それぞれ排
気ノズル１３および排気ノズル１４が設けられ、真空ポ
ンプ１５および真空ポンプ１６に接続されることによっ
て反応室７および真空室８が個別に所定の真空度にされ
るように構成されている。
気ノズル１３および排気ノズル１４が設けられ、真空ポ
ンプ１５および真空ポンプ１６に接続されることによっ
て反応室７および真空室８が個別に所定の真空度にされ
るように構成されている。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、装置の外部において、遮光膜５からなる所定のパ
ターンが形成されたレチクル６の表面は、遮光膜５の白
点不良部６ａの部位をのぞいてフォトレジスト１７ （
遮蔽物）が被着されて隠蔽され、前記紫外線９ａがレチ
クル６の正常な透光部を透過することが阻止される。
ターンが形成されたレチクル６の表面は、遮光膜５の白
点不良部６ａの部位をのぞいてフォトレジスト１７ （
遮蔽物）が被着されて隠蔽され、前記紫外線９ａがレチ
クル６の正常な透光部を透過することが阻止される。
次に、蓋体２が開放され、基体部１の載置台３にレチク
ル６が表面を上向きにして載置され、蓋体２が閉止され
る。
ル６が表面を上向きにして載置され、蓋体２が閉止され
る。
そして、真空ポンプ１５および１６によって反応室７お
よび真空室８からの排気が行われ、反応室７および真空
室８は所定の真空度にされる。
よび真空室８からの排気が行われ、反応室７および真空
室８は所定の真空度にされる。
この時、反応室７および真空室８の内部がほぼ同一の真
空度にされ、反応室７と真空室８との内圧の差に起因し
て反応室７および真空室８を仕切るレチクル６が破損さ
れることが回避される。
空度にされ、反応室７と真空室８との内圧の差に起因し
て反応室７および真空室８を仕切るレチクル６が破損さ
れることが回避される。
そして、反応ガス供給ノズル１０を通じて、ジシラン１
２が反応室７の内部に供給され、反応室７の内部がジシ
ラン１２の雰囲気にされるとともに、真空室８の内部に
設けられた光源９からは所定の波長の紫外Ｌ！１Ａ９ａ
がレチクル６の裏面に照射される。
２が反応室７の内部に供給され、反応室７の内部がジシ
ラン１２の雰囲気にされるとともに、真空室８の内部に
設けられた光源９からは所定の波長の紫外Ｌ！１Ａ９ａ
がレチクル６の裏面に照射される。
このとき、レチクル６の裏面に照射される紫外線９ａは
、レチクル６の遮光膜５が欠損して形成された白点不良
部６ａを通じてのみ反応室７の側の透過されることとな
り、白点不良部６ａを透過し反応室７の内部に入射され
る紫外線９ａの光路の近傍において前記ジシラン１２が
励起されて多結晶シリコンの析出反応が促進され、第２
図に示されるように紫外線９ａが透過される白点不良部
６ａの部位に選択的に多結晶シリコン膜１８が堆積され
、白点不良部６ａが補修される。
、レチクル６の遮光膜５が欠損して形成された白点不良
部６ａを通じてのみ反応室７の側の透過されることとな
り、白点不良部６ａを透過し反応室７の内部に入射され
る紫外線９ａの光路の近傍において前記ジシラン１２が
励起されて多結晶シリコンの析出反応が促進され、第２
図に示されるように紫外線９ａが透過される白点不良部
６ａの部位に選択的に多結晶シリコン膜１８が堆積され
、白点不良部６ａが補修される。
所定の時間経過後、反応室７に対するジシラン１２の供
給が停止され、その後反応室７および真空室８は大気圧
に復帰される。
給が停止され、その後反応室７および真空室８は大気圧
に復帰される。
そして、蓋体２が開放され白点不良部６ａにアモルファ
スシリコン膜１８が堆積されて補修されたレチクル６が
外部に取り出される。
スシリコン膜１８が堆積されて補修されたレチクル６が
外部に取り出される。
このように、補修されるレチクル６の裏面から紫外線９
ａを照射し、レチクル６の白点不良６ａを透過される紫
外線９ａによって励起され膜形成反応が促進されるジシ
ラン１２から析出され白点不良部ｅａに選択的にアモル
ファスシリコン１８を堆積させることによって白点不良
部６ａの補修が行われるため、レチクル６の白点不良部
６ａの補修における、たとえば白点不良部６ａ以外の部
分を隠蔽するなどの目的でレチクル６の表面に所定のフ
ィルムを貼付したり剥離するなどの手作業による工程を
省略でき、補修作業を迅速に行うことができる。
ａを照射し、レチクル６の白点不良６ａを透過される紫
外線９ａによって励起され膜形成反応が促進されるジシ
ラン１２から析出され白点不良部ｅａに選択的にアモル
ファスシリコン１８を堆積させることによって白点不良
部６ａの補修が行われるため、レチクル６の白点不良部
６ａの補修における、たとえば白点不良部６ａ以外の部
分を隠蔽するなどの目的でレチクル６の表面に所定のフ
ィルムを貼付したり剥離するなどの手作業による工程を
省略でき、補修作業を迅速に行うことができる。
上記の一連の抛作を繰り返すことによって、多数のレチ
クル６の白点不良６ａの補修が迅速に行われる。
クル６の白点不良６ａの補修が迅速に行われる。
［効果］
（１）、透明な基板の表面に所定の遮光物質を被着させ
ることによって形成されるパターンの欠損部を補修する
修正方法で、前記欠損部以外の部分に遮蔽物を被着させ
た前記基板の表面を所定の反応ガス雰囲気に暴露させ、
該基板の裏面に照−射され、前記欠損部を透過して基板
の表面側に入射される励起光線によって前記反応ガスに
よる膜形成反応を促進させ、前記励起光線が透過される
前記欠損部に選択的に所定の物質からなる薄膜を堆積さ
せることによって前記欠損部の補修が行われるため、た
とえば欠損部以外の部分を隠蔽するなど目的でレチクル
の表面に所定のフィルムを貼付したり剥離するなどの手
作業による工程を省略でき、前記欠損部の修正作業を迅
速に行うことができる。
ることによって形成されるパターンの欠損部を補修する
修正方法で、前記欠損部以外の部分に遮蔽物を被着させ
た前記基板の表面を所定の反応ガス雰囲気に暴露させ、
該基板の裏面に照−射され、前記欠損部を透過して基板
の表面側に入射される励起光線によって前記反応ガスに
よる膜形成反応を促進させ、前記励起光線が透過される
前記欠損部に選択的に所定の物質からなる薄膜を堆積さ
せることによって前記欠損部の補修が行われるため、た
とえば欠損部以外の部分を隠蔽するなど目的でレチクル
の表面に所定のフィルムを貼付したり剥離するなどの手
作業による工程を省略でき、前記欠損部の修正作業を迅
速に行うことができる。
（２）、前記ｉｌ＋の結果、レチクルの製作における生
産性が向上される。
産性が向上される。
（３）、前記＋１１の結果、レチクルの製作における自
動化が可能となり、半導体装置の製造における生産性が
向上される。
動化が可能となり、半導体装置の製造における生産性が
向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に）
基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない
。
基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない
。
９ たとえば、修正される物品としてはレチクルに限ら
ずフォトマスクなどであっても良い。
ずフォトマスクなどであっても良い。
さらに、反応ガスおよび励起光線の組合せとしては、ジ
シランおよび紫外線の組合せに限らず、他の反応ガスお
よび光線の組合せであっても良い。
シランおよび紫外線の組合せに限らず、他の反応ガスお
よび光線の組合せであっても良い。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるレチクルの修正技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、微細な欠損部を修正することが必要とさ
れる技術に広く適用できる。
をその背景となった利用分野であるレチクルの修正技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではなく、微細な欠損部を修正することが必要とさ
れる技術に広く適用できる。
第１図は、本発明の一実施例である修正装置の断面図、
第２図は、レチクルの修正部位を拡大して示す断面図で
ある。 １・・・基体部、２・・・蓋体、３・・・載置台、４・
・・レチクル基板（基板）、５・・・遮光膜、６・・・
レチクル、６ａ・・・白点不良部（欠損部）、７・・・
反応室（第１の室）、８・・・真空室（第２の室）、９
・・・光源、９ａ・・・紫外線（励起光線）、１０・・
・反応ガス供給ノズル、１１・・・反応ガス源、１２・
・・ジシラン（反応ガス）、１３．１４・・・排気ノズ
ル、１５．１６・・・真空ポンプ（排気手段）。 第 ２ 図
ある。 １・・・基体部、２・・・蓋体、３・・・載置台、４・
・・レチクル基板（基板）、５・・・遮光膜、６・・・
レチクル、６ａ・・・白点不良部（欠損部）、７・・・
反応室（第１の室）、８・・・真空室（第２の室）、９
・・・光源、９ａ・・・紫外線（励起光線）、１０・・
・反応ガス供給ノズル、１１・・・反応ガス源、１２・
・・ジシラン（反応ガス）、１３．１４・・・排気ノズ
ル、１５．１６・・・真空ポンプ（排気手段）。 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明な基板の表面に所定の遮光物質を被着させるこ
とによって形成されるパターンの欠損部を補修する修正
方法であって、前記欠損部以外の部分に遮蔽物を被着さ
せた前記基板の表面を所定の反応ガス雰囲気に暴露させ
、該基板の裏面に照射され、前記欠損部を透過して基板
の表面側に入射される励起光線によって前記反応ガスに
よる膜形成反応を促進させ、前記励起光線が透過される
前記欠損部に選択的に所定の物質からなる薄膜を堆積さ
せることを特徴とする修正方法。 ２、前記基板がレチクル基板であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の修正方法。 ３、前記反応ガスがジシランであり、前記励起光線が紫
外線であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の修正方法。 ４、基板によって仕切られる第１および第２の室と、前
記第２の室内に位置され、前記基板の裏面に励起光線を
照射する光源部と、前記基板の表面が暴露される前記第
１の室内に反応ガスを供給する反応ガス源と、前記第１
および第２の室内の排気を行う排気手段とからなり、前
記光源部から前記基板の裏面に照射され、前記欠損部を
透過して基板の表面側に入射される励起光線によって前
記反応ガスによる膜形成反応を促進させ、前記励起光線
が透過される前記欠損部に選択的に所定の物質からなる
薄膜を堆積させることを特徴とする修正装置。 ５、前記基板がレチクル基板であることを特徴とする特
許請求の範囲第４項記載の修正装置。 ６、前記反応ガスがジシランであり、前記励起光線が紫
外線であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184125A JPS6244742A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 修正方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184125A JPS6244742A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 修正方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244742A true JPS6244742A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16147810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60184125A Pending JPS6244742A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 修正方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244742A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG106643A1 (en) * | 2000-10-19 | 2004-10-29 | Laserfront Technologies Inc | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| JP2011089203A (ja) * | 2010-10-25 | 2011-05-06 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| EP2058614A3 (de) * | 2007-11-09 | 2014-04-02 | Sturm Maschinen- & Anlagenbau GmbH | Vorrichtung zur Bestrahlung von Elementen mit UV/Licht sowie Verfahren zu deren Betrieb |
| JP2020056998A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60184125A patent/JPS6244742A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG106643A1 (en) * | 2000-10-19 | 2004-10-29 | Laserfront Technologies Inc | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| US6890387B2 (en) | 2000-10-19 | 2005-05-10 | Laserfront Technologies, Inc. | Method and device for correcting pattern film on a semiconductor substrate |
| EP2058614A3 (de) * | 2007-11-09 | 2014-04-02 | Sturm Maschinen- & Anlagenbau GmbH | Vorrichtung zur Bestrahlung von Elementen mit UV/Licht sowie Verfahren zu deren Betrieb |
| JP2011089203A (ja) * | 2010-10-25 | 2011-05-06 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP2020056998A (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-09 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板の修正方法、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスク基板の処理方法、フォトマスク基板、フォトマスクの製造方法、及び基板処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4609566A (en) | Method and apparatus for repairing defects on a photo-mask pattern | |
| US4643799A (en) | Method of dry etching | |
| US20070287077A1 (en) | Photomask and exposure method | |
| US6333130B1 (en) | Method and apparatus for correcting defects in photomask | |
| CN107229182A (zh) | 图案修正方法、光掩模及其制造方法以及修正膜形成装置 | |
| CN1328411C (zh) | 激光cvd设备与激光cvd方法 | |
| JPS6244742A (ja) | 修正方法および装置 | |
| JPS5846055B2 (ja) | ホトマスクの欠陥修正法 | |
| US4656107A (en) | Photographic printing plate for use in a vacuum printing frame | |
| JPS6220871A (ja) | 金属薄膜析出装置 | |
| US4588676A (en) | Photoexposing a photoresist-coated sheet in a vacuum printing frame | |
| JPH0458624B2 (ja) | ||
| EP0470784A2 (en) | Method for selectively depositing a thin film | |
| JPS60100667A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS60245135A (ja) | ホトマスク修正方法 | |
| JPS6347769A (ja) | パタン欠陥修正方法 | |
| JP3513730B2 (ja) | レーザーアニール処理装置 | |
| JP2755189B2 (ja) | フォトマスクの欠損欠陥修正方法 | |
| JPS59209642A (ja) | 気相薄膜形成法 | |
| JPH0433329A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH05234975A (ja) | 異物の除去方法 | |
| JP2989809B2 (ja) | エマルジョンマスク等の欠陥修正方法 | |
| JPH03181945A (ja) | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 | |
| JPS63256959A (ja) | ホトマスクの作製方法 | |
| TW202409716A (zh) | 用於euv微影之表膜 |