JPS63256959A - ホトマスクの作製方法 - Google Patents
ホトマスクの作製方法Info
- Publication number
- JPS63256959A JPS63256959A JP62091420A JP9142087A JPS63256959A JP S63256959 A JPS63256959 A JP S63256959A JP 62091420 A JP62091420 A JP 62091420A JP 9142087 A JP9142087 A JP 9142087A JP S63256959 A JPS63256959 A JP S63256959A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- resist layer
- mask material
- layer
- cracks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置を製造するためのホトリソグラフ
ィ工程において使用するホトマスクの作製方法に関する
。
ィ工程において使用するホトマスクの作製方法に関する
。
本発明は、ホトマスク層の欠陥を修正する工程を有する
ホトマスクの作製方法において、欠陥部の周囲に形成し
たレジスト層にクラックを発生させながらマスク材の被
着を行うことによシ、不要のマスク材を容易に剥離する
ことができるようにしたものである。
ホトマスクの作製方法において、欠陥部の周囲に形成し
たレジスト層にクラックを発生させながらマスク材の被
着を行うことによシ、不要のマスク材を容易に剥離する
ことができるようにしたものである。
半導体装置を製造するためのホトリソグラフィ工程にお
いて使用するホトマスクは、作製中の諸問題によシホト
マスク層にピンホール、欠は等のいわゆる白欠陥が生じ
ることがある。従来第２図に示すように、このような白
欠陥を有するホトマスク（１）に対して、リフトオフ法
を用いた修正工程を行っている。この修正方法によれば
、先ずクロムＣｒよシ成るホトマスク層（２）に白欠陥
部（３）が生じている透明基板（４）（第２図Ａ）に対
して全面にポジ型のホトレジスト層（５）を形成した後
（第２図Ｂ）、白欠陥部（３）を含むその周囲に紫外線
（６）でスポット露光を行い（第２図Ｃ）、現像するこ
とによ如白欠陥部（３）の周囲のレジスト層（５）に開
口部（力を形成する（第２図Ｄ）。その後、スパッタリ
ング又ハ蒸着によシ全面に修正用のクロムＣｒ （８１
を被着しく第２図Ｅ）、不要のＣｒ（８）をレジスト層
（５）と共に有機系の剥離液で除去（リフトオフ）する
ことによシ白欠陥部（３）の修正を行っている（第２図
Ｆ）。
いて使用するホトマスクは、作製中の諸問題によシホト
マスク層にピンホール、欠は等のいわゆる白欠陥が生じ
ることがある。従来第２図に示すように、このような白
欠陥を有するホトマスク（１）に対して、リフトオフ法
を用いた修正工程を行っている。この修正方法によれば
、先ずクロムＣｒよシ成るホトマスク層（２）に白欠陥
部（３）が生じている透明基板（４）（第２図Ａ）に対
して全面にポジ型のホトレジスト層（５）を形成した後
（第２図Ｂ）、白欠陥部（３）を含むその周囲に紫外線
（６）でスポット露光を行い（第２図Ｃ）、現像するこ
とによ如白欠陥部（３）の周囲のレジスト層（５）に開
口部（力を形成する（第２図Ｄ）。その後、スパッタリ
ング又ハ蒸着によシ全面に修正用のクロムＣｒ （８１
を被着しく第２図Ｅ）、不要のＣｒ（８）をレジスト層
（５）と共に有機系の剥離液で除去（リフトオフ）する
ことによシ白欠陥部（３）の修正を行っている（第２図
Ｆ）。
上述した従来のホトマスク（１）の欠陥の修正方法によ
れば、第２図Ｅに示すように、全面が修正用のＣｒ（８
）で覆われているため、レジスト層（５）中に剥離液が
侵入しにくく、これによシレジスト層（５）を溶解して
上層の不要のＣｒ（３）と共に除去（リフトオフ）する
のが非常に困難であった。また、完全に除去されない不
要のＣｒ （８１が修正を要しないホトマスク層（２）
上に残ることによって二次的な欠陥が生じる虞れもあっ
た。
れば、第２図Ｅに示すように、全面が修正用のＣｒ（８
）で覆われているため、レジスト層（５）中に剥離液が
侵入しにくく、これによシレジスト層（５）を溶解して
上層の不要のＣｒ（３）と共に除去（リフトオフ）する
のが非常に困難であった。また、完全に除去されない不
要のＣｒ （８１が修正を要しないホトマスク層（２）
上に残ることによって二次的な欠陥が生じる虞れもあっ
た。
本発明は、上記問題点を解決することができるホトマス
クの作製方法を提供するものである。
クの作製方法を提供するものである。
本発明は、透明基板（４）上に形成されたホトマスク層
（２）の欠陥を修正する工程を有するホトマスク（１）
の作製方法において、ホトマスク層（２）の欠１Ｂの周
囲に開口部（７）を有するレジスト層（５）を形成する
工程と、全面への修正用マスク材（８）の柚着を行い、
欠陥部（３）内に修正用マスク材（８）を被着すると共
に、レジスト層（５）とその上のマスク材（８）にクラ
ック（９）を発生させる工程と、レジスト層（５）をそ
の上のマスク材（８）と共に除去する工程を有する。
（２）の欠陥を修正する工程を有するホトマスク（１）
の作製方法において、ホトマスク層（２）の欠１Ｂの周
囲に開口部（７）を有するレジスト層（５）を形成する
工程と、全面への修正用マスク材（８）の柚着を行い、
欠陥部（３）内に修正用マスク材（８）を被着すると共
に、レジスト層（５）とその上のマスク材（８）にクラ
ック（９）を発生させる工程と、レジスト層（５）をそ
の上のマスク材（８）と共に除去する工程を有する。
レジスト層（５）Ｋクラック（９）を発生させることは
、スフぐツタリング、蒸着等で形成するレジスト層（５
）と修正用マスク材（８）の膜厚比、装置内のアルゴン
Ａｒガスの流量、透明基板とＣｒのターグットとの距離
等の条件を適当に選ぶことＫより可能である。
、スフぐツタリング、蒸着等で形成するレジスト層（５
）と修正用マスク材（８）の膜厚比、装置内のアルゴン
Ａｒガスの流量、透明基板とＣｒのターグットとの距離
等の条件を適当に選ぶことＫより可能である。
本発明によれば、修正用マスク材（８）の全面への被着
を行った後、レジスト層（５）とその上のマスク材（８
）にはクラック（９）が生じているため、不要のマスク
材（８）を除去するために透明基板（４）を剥離液に浸
漬した際、剥離液がレジスト層（５）中に容易に侵入す
ることができる。この結果、レジスト層（５）トその上
の修正用マスク材（８）の除去を短時間且つ良好に行う
ことができるため、リフトオフ効果を大幅に向上させる
ことが可能になる。
を行った後、レジスト層（５）とその上のマスク材（８
）にはクラック（９）が生じているため、不要のマスク
材（８）を除去するために透明基板（４）を剥離液に浸
漬した際、剥離液がレジスト層（５）中に容易に侵入す
ることができる。この結果、レジスト層（５）トその上
の修正用マスク材（８）の除去を短時間且つ良好に行う
ことができるため、リフトオフ効果を大幅に向上させる
ことが可能になる。
第１図を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図Ａは、通常の工程によシホ）−ｒスフ（１）を作
製した後、Ｃｒよシ成るホトマスク層（２）にピンホー
ル等の白欠陥部（３）が生じている状態を示す。そして
、このホトマスク（１１に対して修正を施すために、先
ず透明なガラス基板（４）の洗浄を行う。
製した後、Ｃｒよシ成るホトマスク層（２）にピンホー
ル等の白欠陥部（３）が生じている状態を示す。そして
、このホトマスク（１１に対して修正を施すために、先
ず透明なガラス基板（４）の洗浄を行う。
次に第１図Ｂに示すように、白欠陥部（３）内も含めて
全面にポジ型のホトレジスト層（５）を形成する。
全面にポジ型のホトレジスト層（５）を形成する。
次に第１図Ｃに示すように、白欠陥部（３）も含めてそ
の周囲に紫外線（６）等の光エネルギーをスポット照射
して露光する。
の周囲に紫外線（６）等の光エネルギーをスポット照射
して露光する。
次に第１図りに示すように、現像することによシ白欠陥
部（３）の周囲のホトレジスト層（５）に開口部（７）
を形成する。
部（３）の周囲のホトレジスト層（５）に開口部（７）
を形成する。
次に第１図Ｅに示すように、スフぐツタリング（又は蒸
着等）によって全面に修正用マスク材となるクロム０ｒ
（８）を被着させる。このＣｒ（８）のス／ぐツタリン
グの際、ホトレジスト層（５）及びこの上のＣｒｆ８）
にクラック（９）が発生するようにホトレジスト層（５
）とＣｒ（８）の膜厚比、装置内のＡｒガスの流量、真
空度、ガラス基板（４）と０ｒ（８）のターグットとの
距離、スパッタリングパワー等を適当な値に制御する必
要がある。このような条件に設定した場合、第１図Ｅに
示す被着の初期状態から第１図Ｆに示す、Ｃｒ（８）が
約８５０ Ｘ被着した状態に到ると、Ｃｒ（８）の内部
応力によってホトレジスト層（５）の表面に引張り応力
が生じ、この結果金属であるＣｒ（８）と樹脂であるレ
ジスト層（５）との間に微妙な厄力差が生じる。このた
め、第１図Ｆに示すように、Ｃｒ （８）が８５０Ｘの
厚さに被着された後、ホトレジスト層（５）及びこの上
のＣｒ（８）にミクロン単位の微小なりラック（９）が
発生する。なお、白欠陥部（３）においては、Ｃｒ膜８
）の下にホトレジスト層（５）が形成されていないため
、クラック（９）は発生せず、通常のリフトオフ法によ
る場合と同様に安定したＣｒ膜を形成することができる
。
着等）によって全面に修正用マスク材となるクロム０ｒ
（８）を被着させる。このＣｒ（８）のス／ぐツタリン
グの際、ホトレジスト層（５）及びこの上のＣｒｆ８）
にクラック（９）が発生するようにホトレジスト層（５
）とＣｒ（８）の膜厚比、装置内のＡｒガスの流量、真
空度、ガラス基板（４）と０ｒ（８）のターグットとの
距離、スパッタリングパワー等を適当な値に制御する必
要がある。このような条件に設定した場合、第１図Ｅに
示す被着の初期状態から第１図Ｆに示す、Ｃｒ（８）が
約８５０ Ｘ被着した状態に到ると、Ｃｒ（８）の内部
応力によってホトレジスト層（５）の表面に引張り応力
が生じ、この結果金属であるＣｒ（８）と樹脂であるレ
ジスト層（５）との間に微妙な厄力差が生じる。このた
め、第１図Ｆに示すように、Ｃｒ （８）が８５０Ｘの
厚さに被着された後、ホトレジスト層（５）及びこの上
のＣｒ（８）にミクロン単位の微小なりラック（９）が
発生する。なお、白欠陥部（３）においては、Ｃｒ膜８
）の下にホトレジスト層（５）が形成されていないため
、クラック（９）は発生せず、通常のリフトオフ法によ
る場合と同様に安定したＣｒ膜を形成することができる
。
次に第１図Ｇに示すように、このガラス基板（４）をレ
ジストを溶解することができる剥離液中に浸漬（又は吹
き付ける）してホトレジスト層（５）をその上のＣｒ（
８）と共に除去する。この浸漬の際、剥離液はクラック
（９）からレジスト層（５）中に容易に侵入することが
できるため、レジスト層（５）をその上の不要なＣｒ（
８）と共に短時間で除去（リフトオフ）することができ
る。
ジストを溶解することができる剥離液中に浸漬（又は吹
き付ける）してホトレジスト層（５）をその上のＣｒ（
８）と共に除去する。この浸漬の際、剥離液はクラック
（９）からレジスト層（５）中に容易に侵入することが
できるため、レジスト層（５）をその上の不要なＣｒ（
８）と共に短時間で除去（リフトオフ）することができ
る。
本発明によれば、ホトマスクの修正工程におけるレジス
ト層の剥離性が良好になるため、不要なりロムＣｒの除
去を容易に、且つ短時間で行うことができる。これによ
シ、クロムが残って二次的に発生する欠陥がなくなるた
め、ホトマスクの品質が大幅に向上する。また、このよ
うにリフトオフ工程が簡単になるため、自動化も容易に
なる。
ト層の剥離性が良好になるため、不要なりロムＣｒの除
去を容易に、且つ短時間で行うことができる。これによ
シ、クロムが残って二次的に発生する欠陥がなくなるた
め、ホトマスクの品質が大幅に向上する。また、このよ
うにリフトオフ工程が簡単になるため、自動化も容易に
なる。
第１図Ａ−Ｇは実施例の工程図、第２図Ａ−Ｆは従来例
の工程図である。 （１）ハホトマスク、（２）はホトマスク層、（３）は
白欠陥部、（４）はガラス基板、（５）はホトレジスト
層、（６）は紫外線、（７）は開口部、（８）はＣｒ、
（９）はクラックである。
の工程図である。 （１）ハホトマスク、（２）はホトマスク層、（３）は
白欠陥部、（４）はガラス基板、（５）はホトレジスト
層、（６）は紫外線、（７）は開口部、（８）はＣｒ、
（９）はクラックである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板上に形成されたホトマスク層の欠陥を修正する
工程を有するホトマスクの作製方法において、 上記ホトマスク層の欠陥部の周囲に開口部を有するレジ
スト層を形成する工程と、 全面へのマスク材の被着を行い、上記欠陥部内にマスク
材を被着すると共に、レジスト層とその上のマスク材に
クラックを発生させる工程と、上記レジスト層をその上
のマスク材と共に除去する工程 を有するホトマスクの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091420A JPS63256959A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | ホトマスクの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091420A JPS63256959A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | ホトマスクの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256959A true JPS63256959A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=14025876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62091420A Pending JPS63256959A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | ホトマスクの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63256959A (ja) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62091420A patent/JPS63256959A/ja active Pending
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