JPS6248032A - 太陽電池用ウエ−ハ - Google Patents
太陽電池用ウエ−ハInfo
- Publication number
- JPS6248032A JPS6248032A JP60190626A JP19062685A JPS6248032A JP S6248032 A JPS6248032 A JP S6248032A JP 60190626 A JP60190626 A JP 60190626A JP 19062685 A JP19062685 A JP 19062685A JP S6248032 A JPS6248032 A JP S6248032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrodes
- solder
- back surface
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
- Y02P60/12—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries using renewable energies, e.g. solar water pumping
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、太陽電池用ウェーハに関する。
〈従来技術〉
一般に、太陽電池用ウェーハは、例えば、ノリコンウェ
ーハに活性不純物が拡散されて表面近くにＰＮ接合が形
成され、太陽光の反射を防止するために表面に反射防止
膜が形成され、さらに、両面に複数の太陽電池用の表面
電極および裏面電極が個別に、かつ、所定間隔ごとにそ
れぞれ形成されている。前記両電極は、焼成電極である
ために、ポーラス（多孔質）であり、水分の影響を受け
やすく、信頼性に劣る。この信頼性を向上させるために
、前記両電極に半田かディップ付着されろ。このように
して形成された太陽電池用ウェーハを角形にダイシング
して複数の太陽電池を得ている。
ーハに活性不純物が拡散されて表面近くにＰＮ接合が形
成され、太陽光の反射を防止するために表面に反射防止
膜が形成され、さらに、両面に複数の太陽電池用の表面
電極および裏面電極が個別に、かつ、所定間隔ごとにそ
れぞれ形成されている。前記両電極は、焼成電極である
ために、ポーラス（多孔質）であり、水分の影響を受け
やすく、信頼性に劣る。この信頼性を向上させるために
、前記両電極に半田かディップ付着されろ。このように
して形成された太陽電池用ウェーハを角形にダイシング
して複数の太陽電池を得ている。
前記半田ディツプは、表面電極および裏面電極が形成さ
れたウェーハをダイシングした後、一枚ずつ行なうか、
あるいは、ウェーハをダイシングする前に行なっている
。この後者の方法、すなわち、半田ディツプを行なった
後に太陽電池用ウェーハをダイシングする方が、作業効
率を高め、コストを低減する上では好ましい。
れたウェーハをダイシングした後、一枚ずつ行なうか、
あるいは、ウェーハをダイシングする前に行なっている
。この後者の方法、すなわち、半田ディツプを行なった
後に太陽電池用ウェーハをダイシングする方が、作業効
率を高め、コストを低減する上では好ましい。
第４図ないし第６図はこの後者の方法を説明するための
図であり、第４図は太陽電池用ウエーハの一部を拡大し
て示す表面図、第５図はその裏面図、第６図は半田ディ
ツプを行なったときの側面図である。これらの図におい
て、ｌは拡散層（図示せず）が形成された太陽電池用ウ
エーノ＼としてのノリコンウェーハ、２は表面電極、３
は拡散層の抵抗を低減するためのグリッド電極、４は裏
面電極である。これらの電極２．３．４は、金属ペース
ト材料を印刷・焼成して形成される。
図であり、第４図は太陽電池用ウエーハの一部を拡大し
て示す表面図、第５図はその裏面図、第６図は半田ディ
ツプを行なったときの側面図である。これらの図におい
て、ｌは拡散層（図示せず）が形成された太陽電池用ウ
エーノ＼としてのノリコンウェーハ、２は表面電極、３
は拡散層の抵抗を低減するためのグリッド電極、４は裏
面電極である。これらの電極２．３．４は、金属ペース
ト材料を印刷・焼成して形成される。
このように表面電極２、グリッド電極３および裏面電極
４が形成されたシリコンウェーハ１を第６図の矢符Ａで
示されるように半田槽（図示せず）に浸漬して半田ディ
ツプを行ない、その後、シリコンウェーハ１の裏面をグ
イサーのステージに真空吸着して第４図および第５図の
破線で示されるように角形にダイシングを行なって複数
の太陽電池６を得ている。
４が形成されたシリコンウェーハ１を第６図の矢符Ａで
示されるように半田槽（図示せず）に浸漬して半田ディ
ツプを行ない、その後、シリコンウェーハ１の裏面をグ
イサーのステージに真空吸着して第４図および第５図の
破線で示されるように角形にダイシングを行なって複数
の太陽電池６を得ている。
このような従来例のシリコンウェーハ１では、半田ディ
ツプの際に、過剰の半田５が第６図に示されるように裏
面電極４の下部に溜まり、裏面が凹凸となる。このため
、ダイシングの際に、前記真空吸着か円滑にてきないと
いう難点がある。
ツプの際に、過剰の半田５が第６図に示されるように裏
面電極４の下部に溜まり、裏面が凹凸となる。このため
、ダイシングの際に、前記真空吸着か円滑にてきないと
いう難点がある。
〈発明の目的〉
本発明は、上述の点に鑑みて成されたものであって、太
陽電池用ウェーハに形成された電極に半田ディツプする
際に、半田が局部的に溜まって太陽電池用ウェーハの裏
面に凹凸かできるのを抑制してグイソングを円滑に行な
えるようにすることを目的とする。
陽電池用ウェーハに形成された電極に半田ディツプする
際に、半田が局部的に溜まって太陽電池用ウェーハの裏
面に凹凸かできるのを抑制してグイソングを円滑に行な
えるようにすることを目的とする。
〈発明の構成〉
本発明では、上述の目的を達成するために、当該表裏面
それぞれに複数の太陽電池用の表面電極と裏面電極とが
個別にかつ、所定間隔ごとに形成され、また前記両電極
上に半田がディップ付着される太陽電池用ウェーハにお
いて、前記太陽電池ウェーハの裏面には、前記ディップ
付着のときに過剰に付着した半田を逃がして均一にする
ための細線が、隣合う太陽電池の裏面電極間に連続する
ように同一方向に延びて形成されている。
それぞれに複数の太陽電池用の表面電極と裏面電極とが
個別にかつ、所定間隔ごとに形成され、また前記両電極
上に半田がディップ付着される太陽電池用ウェーハにお
いて、前記太陽電池ウェーハの裏面には、前記ディップ
付着のときに過剰に付着した半田を逃がして均一にする
ための細線が、隣合う太陽電池の裏面電極間に連続する
ように同一方向に延びて形成されている。
〈実施例〉
以下、図面によって本発明の実施例について詳細に説明
する。第１図は本発明の一実施例の太陽電池用ウェーハ
としてのシリコンウェーハ８の一部を拡大して示す裏面
図であり、第２図は第１図のシリコンウェーハを半田デ
ィツプした後ダイシングして得られた太陽電池の斜視図
であり、第３図は第１図の側面図である。
する。第１図は本発明の一実施例の太陽電池用ウェーハ
としてのシリコンウェーハ８の一部を拡大して示す裏面
図であり、第２図は第１図のシリコンウェーハを半田デ
ィツプした後ダイシングして得られた太陽電池の斜視図
であり、第３図は第１図の側面図である。
この実施例の太陽電池７は、シリコンウェーハ８に活性
不純物を拡散してＰＮ接合を形成し、表面側に太陽光の
反射を防止するためのＴｉＯ２などから成る反射防止膜
（図示せず）をＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ ａ
ｐｏｒ Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの手法によって
形成する。さらに、この反射防止膜上に、第２図に示さ
れるように矩形の表面電極９および拡散層の抵抗を低減
するだめのグリッド電極ＩＯを印刷する。
不純物を拡散してＰＮ接合を形成し、表面側に太陽光の
反射を防止するためのＴｉＯ２などから成る反射防止膜
（図示せず）をＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ ａ
ｐｏｒ Ｄ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの手法によって
形成する。さらに、この反射防止膜上に、第２図に示さ
れるように矩形の表面電極９および拡散層の抵抗を低減
するだめのグリッド電極ＩＯを印刷する。
次に、シリコンウェーハ８の裏面には、第１図に示され
るように矩形の裏面電極１１とともに、隣合う太陽電池
７の裏面電極１１間に連続して同一方向（第１図の上下
方向）に平行に延びる複数（この実施例では３つ）の細
線１２がそれぞれ形成される。これらの細線１２は、裏
面電極１１と同一の金属ペースト材料から成り、裏面電
極１１と同時に、スクリーン印刷された後、焼成されて
形成される。これらの細線１２は、例えば、０．２ｍｍ
程度の幅に形成されている。
るように矩形の裏面電極１１とともに、隣合う太陽電池
７の裏面電極１１間に連続して同一方向（第１図の上下
方向）に平行に延びる複数（この実施例では３つ）の細
線１２がそれぞれ形成される。これらの細線１２は、裏
面電極１１と同一の金属ペースト材料から成り、裏面電
極１１と同時に、スクリーン印刷された後、焼成されて
形成される。これらの細線１２は、例えば、０．２ｍｍ
程度の幅に形成されている。
このようにシリコンウェーハ８の裏面には、細線１２が
裏面電極１１間に連続して同一方向に延びて形成されて
いるので、第３図の矢符Ｂで示されるように、シリコン
ウェーハ８を半田槽に浸漬して半田ディツプを行なう際
に、過剰に付着した半田は、前記細線１２に沿って鉛直
下方（第３図の下方）に逃げて均一となり、従来例のよ
うに裏面電極の下部に溜まることがなく、シリコンウェ
ーハ８の裏面は均一となる。
裏面電極１１間に連続して同一方向に延びて形成されて
いるので、第３図の矢符Ｂで示されるように、シリコン
ウェーハ８を半田槽に浸漬して半田ディツプを行なう際
に、過剰に付着した半田は、前記細線１２に沿って鉛直
下方（第３図の下方）に逃げて均一となり、従来例のよ
うに裏面電極の下部に溜まることがなく、シリコンウェ
ーハ８の裏面は均一となる。
このようにして複数の太陽電池７用の表面電極９、グリ
ッド電極ｌＯおよび裏面電極１１が個別にかつ所定間隔
ごとに形成され、また前記両電極９．１１上に半田がデ
ィップ付着されたシリコンウェーハ８の裏面をダイザ−
のステージに真空吸着して該ウェーハ８を山形にグイソ
ングして第２図の太陽型／Ｉｈ７を得ている。
ッド電極ｌＯおよび裏面電極１１が個別にかつ所定間隔
ごとに形成され、また前記両電極９．１１上に半田がデ
ィップ付着されたシリコンウェーハ８の裏面をダイザ−
のステージに真空吸着して該ウェーハ８を山形にグイソ
ングして第２図の太陽型／Ｉｈ７を得ている。
本発明では、シリコンウェーハ８の裏面に細線１２を形
成したので、上述のように半田ディツプの際の過剰の半
田は前記細線１２に沿って逃げてシリコンウェーハ８の
裏面は均一となっているので、ノリコンウェーハ８の裏
面をダイサーのステージに円滑に真空吸着させることが
でき、グイソングが円滑に行なえる。
成したので、上述のように半田ディツプの際の過剰の半
田は前記細線１２に沿って逃げてシリコンウェーハ８の
裏面は均一となっているので、ノリコンウェーハ８の裏
面をダイサーのステージに円滑に真空吸着させることが
でき、グイソングが円滑に行なえる。
上述の実施例では、ＰＮ接合型の太陽電池用ウェーハに
ついて述べたけれども、本発明は、これに限るものでは
なく、その他の太陽電池用ウェーハに適用できるのは勿
論である。
ついて述べたけれども、本発明は、これに限るものでは
なく、その他の太陽電池用ウェーハに適用できるのは勿
論である。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、当該表裏面それぞれに複
数の太陽電池用の表面電極と裏面電極とが個別にかつ所
定間隔ごとに形成され、また前記両電極上に半田がディ
ップ付着される太陽電池用ウェーハにおいて、前記太陽
電池ウェーハの裏面には、前記ディップ付着のときに過
剰に付着した半田を逃がして均一にするための細線が、
隣合う太陽電池の裏面電極間に連続するように同一方向
に延びて形成されたので、半田ディツプの際の過剰の半
田か従来例のように裏面電極の下部に溜まることかなく
、太陽電池用ウェーハの裏面か均一となるので、ダイソ
ングのときに、該ウェーハの裏面をダイザ−のステージ
に円滑に真空吸着させることが可能となり、グイソング
を円滑に行なうことができる。
数の太陽電池用の表面電極と裏面電極とが個別にかつ所
定間隔ごとに形成され、また前記両電極上に半田がディ
ップ付着される太陽電池用ウェーハにおいて、前記太陽
電池ウェーハの裏面には、前記ディップ付着のときに過
剰に付着した半田を逃がして均一にするための細線が、
隣合う太陽電池の裏面電極間に連続するように同一方向
に延びて形成されたので、半田ディツプの際の過剰の半
田か従来例のように裏面電極の下部に溜まることかなく
、太陽電池用ウェーハの裏面か均一となるので、ダイソ
ングのときに、該ウェーハの裏面をダイザ−のステージ
に円滑に真空吸着させることが可能となり、グイソング
を円滑に行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例のシリコンウェーハの一部を
拡大して示す裏面図、第２図は第１図のシリコンウェー
ハを半田ディツプした後ダイシングして得られる太陽電
池の斜視図、第３図は第１図の側面図、第４図は従来例
のシリコンウェーハの一部を拡大して示す表面図、第５
図は第４図の裏面図、第６図は従来例の側面図である。 ７・・・太陽電池、８・・・シリコンウェーハ（太陽電
池用ウェーハ）、１１・・裏面電極、（２・・細線。
拡大して示す裏面図、第２図は第１図のシリコンウェー
ハを半田ディツプした後ダイシングして得られる太陽電
池の斜視図、第３図は第１図の側面図、第４図は従来例
のシリコンウェーハの一部を拡大して示す表面図、第５
図は第４図の裏面図、第６図は従来例の側面図である。 ７・・・太陽電池、８・・・シリコンウェーハ（太陽電
池用ウェーハ）、１１・・裏面電極、（２・・細線。
Claims (2)
- （１）当該表裏面それぞれに複数の太陽電池用の表面電
極と裏面電極とが個別にかつ所定間隔ごとに形成され、
また前記両電極上に半田がディップ付着される太陽電池
用ウェーハにおいて、 前記太陽電池ウェーハの裏面には、前記ディップ付着の
ときに過剰に付着した半田を逃がして均一にするための
細線が、隣合う太陽電池の裏面電極間に連続するように
同一方向に延びて形成されることを特徴とする太陽電池
用ウェーハ。 - （２）前記細線は、裏面電極と同一材料から成る特許請
求の範囲第１項に記載の太陽電池用ウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190626A JPS6248032A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 太陽電池用ウエ−ハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60190626A JPS6248032A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 太陽電池用ウエ−ハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248032A true JPS6248032A (ja) | 1987-03-02 |
| JPH0581055B2 JPH0581055B2 (ja) | 1993-11-11 |
Family
ID=16261198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60190626A Granted JPS6248032A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 太陽電池用ウエ−ハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6248032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272639A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Rohm Co Ltd | ダイボンディング用半田層の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239067A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Hitachi Ltd | 太陽電池素子 |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP60190626A patent/JPS6248032A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239067A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Hitachi Ltd | 太陽電池素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272639A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Rohm Co Ltd | ダイボンディング用半田層の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581055B2 (ja) | 1993-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |