JPS624877A - 無電解銅めつき液 - Google Patents
無電解銅めつき液Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
- C23C18/405—Formaldehyde
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は無電解銅めりき液に関する。
（従来の技術）
絶縁性であるセラミック基板に無電解銅めっきをおこな
い、このめっき皮膜を導体としたセラミック配線板があ
る。
い、このめっき皮膜を導体としたセラミック配線板があ
る。
このセラミック配線板では、セラミック基板とめっき皮
膜を強固に接着させる方法が重要な技術である。
膜を強固に接着させる方法が重要な技術である。
従来、この目的のためにセラミック基板表面を粗化する
技術が開発されてきた。例えば、セラミック基板をアル
カリ金属水酸物溶液で処理し、引き続き加熱する方法（
特開昭５８−１０４０７９）、セラミック基板にアルカ
リ金属水酸化物を付着させ、次いで、アルカリ金属水酸
化物の溶融温度以上で加熱する方法（特開昭−４７−１
１６５２）、およびフッ化水素酸−硝酸混合液で処理す
るなどの方法である。
技術が開発されてきた。例えば、セラミック基板をアル
カリ金属水酸物溶液で処理し、引き続き加熱する方法（
特開昭５８−１０４０７９）、セラミック基板にアルカ
リ金属水酸化物を付着させ、次いで、アルカリ金属水酸
化物の溶融温度以上で加熱する方法（特開昭−４７−１
１６５２）、およびフッ化水素酸−硝酸混合液で処理す
るなどの方法である。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のセラミック基板表面を粗化する方法においても、
公知の光沢のある無電解銅めっき液でめっき厚さを４μ
ｍ以上にめっきすると、めっき時間中又はめっき後の加
熱処理でめっき皮膜がセラくツク基板から部分的に剥離
し、ふくれの発生することがあった。
公知の光沢のある無電解銅めっき液でめっき厚さを４μ
ｍ以上にめっきすると、めっき時間中又はめっき後の加
熱処理でめっき皮膜がセラくツク基板から部分的に剥離
し、ふくれの発生することがあった。
本発明は、公知の方法でセラミック基板表面を粗化した
後、無電解銅めっき液でめっき淳さを４μｍ以上にめっ
きしても、ふくれの発生がない無電解銅めっき液を提供
するものである。
後、無電解銅めっき液でめっき淳さを４μｍ以上にめっ
きしても、ふくれの発生がない無電解銅めっき液を提供
するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明はａ）銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、田
調整剤および水、ｂ）モノエタノールアミン、Ｃ）ポリ
エチレングリコールを含む無電解銅めっき液である。
調整剤および水、ｂ）モノエタノールアミン、Ｃ）ポリ
エチレングリコールを含む無電解銅めっき液である。
本発明で用いるモノエタノールアミンの添加量はｎｏ
１ ｇ／ｌ〜５０ ｇ／ｌである。添加量が少い場合は
、めっき膜のふくれが発生すること、又めっき膜の光沢
が少なくなる欠点がある。
１ ｇ／ｌ〜５０ ｇ／ｌである。添加量が少い場合は
、めっき膜のふくれが発生すること、又めっき膜の光沢
が少なくなる欠点がある。
添加量が多い場合は、めっき析出速度が低下すること、
又ぬっき外観が褐色になる欠点がある。
又ぬっき外観が褐色になる欠点がある。
更に好ましい添加量は０．５ｇ／ｌ〜５ｇ／Ｉである。
ポリエチレングリコールの分子量は２００〜数百万のも
のが用いられる。分子量が６００未満の場合はめっき膜
にピンホールが発生し易すくなる。したがって更に好ま
しい分子量は６００以上である。
のが用いられる。分子量が６００未満の場合はめっき膜
にピンホールが発生し易すくなる。したがって更に好ま
しい分子量は６００以上である。
添加量は０．０１ｇ／Ｊ〜３０ ｇ／ｌである。
最適添加量は分子量によって異なる。一般１Ｃは分子量
が高くなるにつれて、添加量を下げる必要がある。分子
１ｌｋ２，０００の場合を例にとって、好ましい添加量
を示すと、０．０５ｇ／Ｊ〜１０ｇ／ｌである。
が高くなるにつれて、添加量を下げる必要がある。分子
１ｌｋ２，０００の場合を例にとって、好ましい添加量
を示すと、０．０５ｇ／Ｊ〜１０ｇ／ｌである。
銅イオンは、硫酸鋼、硝酸銅、塩化第２銅、臭化第２鋼
、酢酸銅等の有機、無機酸の第２銅塩より供給される。
、酢酸銅等の有機、無機酸の第２銅塩より供給される。
鋼イオンの濃度は、０．００４〜α２モル／ｌが好まし
い。
い。
銅イオンの錯化剤は、第２銅イオンと錯体を形成しアル
カリ水溶液に可溶とするもので、エチレンジアミン四酢
酸及びそのナトリウム塩、ロッシェル塩、Ｎ、Ｎ、Ｎ′
、Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシプロピル）−エ
チレンジアミン、トリエタノールアミン、エチレンニト
リロテトラエタノール等が使用される。錯化剤の濃度は
、ａ００４〜１モル／ｌが好ましい。
カリ水溶液に可溶とするもので、エチレンジアミン四酢
酸及びそのナトリウム塩、ロッシェル塩、Ｎ、Ｎ、Ｎ′
、Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシプロピル）−エ
チレンジアミン、トリエタノールアミン、エチレンニト
リロテトラエタノール等が使用される。錯化剤の濃度は
、ａ００４〜１モル／ｌが好ましい。
還元剤としては、ホルムアルデヒド、バラホルムアルデ
ヒドが使用される。還元剤の濃度はｌ１０１〜α２５゛
モル／ｌが好ましい。
ヒドが使用される。還元剤の濃度はｌ１０１〜α２５゛
モル／ｌが好ましい。
…調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
等の水酸化アルカリが使用される。
等の水酸化アルカリが使用される。
Ｆ！１ｖＩ４整剤ｈＦＩ（ｔ １１．０〜Ｉ Ａ ５
［フル量使用ｇれる。
［フル量使用ｇれる。
無電解銅めっき液の基本組成としては、硫酸鋼５ｇ／ｌ
〜１５ｇ／ｌ、めっき液温６０−８０℃、Ｊｌｌｌ、６
〜１五〇、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸では１
５ ｇ／Ｉ〜６０ ｇ／ｌ、また還元剤としてはホルム
アルデヒドの５７％水溶液として２ｍ＋１／Ｊのものが
好ましい。
〜１５ｇ／ｌ、めっき液温６０−８０℃、Ｊｌｌｌ、６
〜１五〇、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸では１
５ ｇ／Ｉ〜６０ ｇ／ｌ、また還元剤としてはホルム
アルデヒドの５７％水溶液として２ｍ＋１／Ｊのものが
好ましい。
一般的には、銅イオン０．００４〜Ｇ、２モル／１、銅
イオンの錯化剤ｌ１００４〜１モル／ｌ、還元剤［１Ｌ
０１〜α２５モル／ｌおよびＩ８を１１゜０〜１五５に
するに必要な量のＦ４（調整剤が使用される。
イオンの錯化剤ｌ１００４〜１モル／ｌ、還元剤［１Ｌ
０１〜α２５モル／ｌおよびＩ８を１１゜０〜１五５に
するに必要な量のＦ４（調整剤が使用される。
セラミック材料としては、アルミナ、ステアタイト、７
オルステライト、シリコンカーバイドおよびチタン酸バ
リウムなどが好ましい。
オルステライト、シリコンカーバイドおよびチタン酸バ
リウムなどが好ましい。
セラミック材料の粗化方法としては水酸化カリウム、水
酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の単独又は
混合物の水溶液ＶＣ浸漬し、次いで５００℃〜８００℃
で加熱処理する方法、溶融アルカリ金属水酸化物に浸漬
する方法、アルミナ粉末を分散させたアルカリ金属水酸
化物水溶液に浸漬し、次いで６００℃〜８００℃加熱処
理する方法、フッカ水素酸硝酸混合液で処理するなどの
公知の方法が用いられる。
酸化ナトリウムなどのアルカリ金属水酸化物の単独又は
混合物の水溶液ＶＣ浸漬し、次いで５００℃〜８００℃
で加熱処理する方法、溶融アルカリ金属水酸化物に浸漬
する方法、アルミナ粉末を分散させたアルカリ金属水酸
化物水溶液に浸漬し、次いで６００℃〜８００℃加熱処
理する方法、フッカ水素酸硝酸混合液で処理するなどの
公知の方法が用いられる。
無電解銅めっきの前処理としてはパラジウムを含有する
液１／（浸漬することによって無電解銅めっき反応を開
始させるための触媒を付与する。
液１／（浸漬することによって無電解銅めっき反応を開
始させるための触媒を付与する。
英施例１〜４、比較例１〜５
純度９６％のアルミナ基板（８０ｗ度）を４６０℃の溶
融水酸化ナトリウム液ＶＣｌ５分間没潰する。次に水洗
した後、１０％硫酸水溶液に１０分間浸漬する。次に水
洗金おこなうという工程によって粗化をおこなった。次
に無電解銅めっき反応開始剤であるパラジウムを粗化表
面に付着させた後、第１表に示す組成のめっき液と温度
を用いてめっき膜厚１０μｍまでめっきをおこなった。
融水酸化ナトリウム液ＶＣｌ５分間没潰する。次に水洗
した後、１０％硫酸水溶液に１０分間浸漬する。次に水
洗金おこなうという工程によって粗化をおこなった。次
に無電解銅めっき反応開始剤であるパラジウムを粗化表
面に付着させた後、第１表に示す組成のめっき液と温度
を用いてめっき膜厚１０μｍまでめっきをおこなった。
得らｎためっき膜の特性を表２に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ａ）銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤、ｐＨ調
整剤、および水、 ｂ）モノエタノールアミン ｃ）ポリエチレングリコール を含む無電解銅めつき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14341885A JPS624877A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 無電解銅めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14341885A JPS624877A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 無電解銅めつき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624877A true JPS624877A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15338291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14341885A Pending JPS624877A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 無電解銅めつき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624877A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856031A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | Fujitsu Ltd | 最小作業リレ−シヨンの決定方式 |
| JPS5953349A (ja) * | 1982-06-21 | 1984-03-28 | ダナ・コ−パレイシヤン | 引張装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14341885A patent/JPS624877A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856031A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-02 | Fujitsu Ltd | 最小作業リレ−シヨンの決定方式 |
| JPS5953349A (ja) * | 1982-06-21 | 1984-03-28 | ダナ・コ−パレイシヤン | 引張装置 |
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