JPS6248801A - 高周波発振回路 - Google Patents
高周波発振回路Info
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- JPS6248801A JPS6248801A JP18929285A JP18929285A JPS6248801A JP S6248801 A JPS6248801 A JP S6248801A JP 18929285 A JP18929285 A JP 18929285A JP 18929285 A JP18929285 A JP 18929285A JP S6248801 A JPS6248801 A JP S6248801A
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- circuit
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 16
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、弾性表面波共振子を用いた高周波発振回路の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
（従来の技術）
スーパーヘテロダイン受信機の信頼性を決定する重要な
回路部分として局部発振器があり、受信機の選択度特性
を高いものとするほど局部発振器から出力される局部発
振４３号の周波数が安定していなければならない。
回路部分として局部発振器があり、受信機の選択度特性
を高いものとするほど局部発振器から出力される局部発
振４３号の周波数が安定していなければならない。
近年微細加工技術の急速な発達に伴ないＵＨＦ帯の共振
周波数を有する弾性表面波共振子の製造が可能となって
いる。そこで、弾性表面波共振子の極めて優れた周波数
安定度を活用した局部発振回路が昔及している。
周波数を有する弾性表面波共振子の製造が可能となって
いる。そこで、弾性表面波共振子の極めて優れた周波数
安定度を活用した局部発振回路が昔及している。
ここで、第３図に局部発振回路として使用される弾性表
面波共振子を用いた従来の高周波発振回路の一例を示す
。
面波共振子を用いた従来の高周波発振回路の一例を示す
。
第３図において、高周波発振回路１は、電界効果トラン
ジスタ（以下ＦＥＴと称す）？、りｉ性表面波共振子（
以下ＳＡＷと称す）３．バイパスコンデンサ４，５，６
、バイアス抵抗７，８，９゜１０、位相補正フィル１１
．１２からなる。 １３は、電源供給端子である。そし
て、高周波発振回路１より注入コンデンサ１４を介して
局部発振信号が混合回路のミキサートランジスタ１５に
与えられ、信号入力端子１６の信号と混合される。
ジスタ（以下ＦＥＴと称す）？、りｉ性表面波共振子（
以下ＳＡＷと称す）３．バイパスコンデンサ４，５，６
、バイアス抵抗７，８，９゜１０、位相補正フィル１１
．１２からなる。 １３は、電源供給端子である。そし
て、高周波発振回路１より注入コンデンサ１４を介して
局部発振信号が混合回路のミキサートランジスタ１５に
与えられ、信号入力端子１６の信号と混合される。
上記の高周波発振回路１は、ＦＥＴ２で構成された増幅
回路と、この増幅回路の帰還回路に５ＡＷ３が直列に介
装されてなり、５ＡＷ３の共振周波数が強く帰なされる
ために５ＡＷ３の共振周波数で発振する。そして、５Ａ
Ｗ３は選択度Ｑが数千〜数万と極めてシャープな特性を
有するために、高周波発振回路１からシャープな周波数
特性を有する発振波が出力され１選択度特性の優れたス
ーパーへテロダイン受信機が得られる。
回路と、この増幅回路の帰還回路に５ＡＷ３が直列に介
装されてなり、５ＡＷ３の共振周波数が強く帰なされる
ために５ＡＷ３の共振周波数で発振する。そして、５Ａ
Ｗ３は選択度Ｑが数千〜数万と極めてシャープな特性を
有するために、高周波発振回路１からシャープな周波数
特性を有する発振波が出力され１選択度特性の優れたス
ーパーへテロダイン受信機が得られる。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、５ＡＷ３は微細技術を用いて製作され、その
励振電極は極めて細い。そこで、励振電力によって励振
された定在波が大き過ぎて励振電極が破壊され易い。
励振電極は極めて細い。そこで、励振電力によって励振
された定在波が大き過ぎて励振電極が破壊され易い。
従来の高周波発振回路ｌにあっては、確実な発振起動を
得るためにループ利得を大きくすべく高いバイアスでＦ
ＥＴ２を動作させており、励振電力がＦＥＴ２の飽和に
よる振幅制限特性によって制限されるまで増大し、限界
を越えた励振電力が５ＡＷ３に与えられて５ＡＷ３が破
壊され易く信頼性に欠けるといる問題点があった。この
励振電力を制限すべくＦＥＴ２を低いバイアスで動作さ
せると、ループ利得が低下し、起動特性が悪化するとと
もに十分な発振出力レベルが得られないという問題点を
生ずる。したがって、信頼性と発振起動特性の双方が同
時に十分満足できるようなものではなかった。
得るためにループ利得を大きくすべく高いバイアスでＦ
ＥＴ２を動作させており、励振電力がＦＥＴ２の飽和に
よる振幅制限特性によって制限されるまで増大し、限界
を越えた励振電力が５ＡＷ３に与えられて５ＡＷ３が破
壊され易く信頼性に欠けるといる問題点があった。この
励振電力を制限すべくＦＥＴ２を低いバイアスで動作さ
せると、ループ利得が低下し、起動特性が悪化するとと
もに十分な発振出力レベルが得られないという問題点を
生ずる。したがって、信頼性と発振起動特性の双方が同
時に十分満足できるようなものではなかった。
本発明の目的は、Ｊ：、記の従来の高周波発振回路の問
題点を解決すべくなされたもので、確実な発振起動特性
を有し、しかも信頼性の高い発振動作が得られるように
した高周波発振回路を提供することにある。
題点を解決すべくなされたもので、確実な発振起動特性
を有し、しかも信頼性の高い発振動作が得られるように
した高周波発振回路を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
かかる目的を達成するために、本発明の高周波発振回路
は、トランジスタを増幅素子とし、帰還回路に弾性表面
波共振子を直列に介装した高周波発振回路において、前
記帰還回路と接地との間に、逆極性に並列接続された２
個のダイオードを介装して構成されている。
は、トランジスタを増幅素子とし、帰還回路に弾性表面
波共振子を直列に介装した高周波発振回路において、前
記帰還回路と接地との間に、逆極性に並列接続された２
個のダイオードを介装して構成されている。
（作用）
弾性表面波共振子を直列に介装した帰還回路と接地との
間に、逆極性に並列接続された２個のダイオードを介装
したので、発振起動時にあってはダイオードの等価抵抗
が大きく等価容量は小さく十分に高いインピーダンスで
あるためループ利得が大きく確実な発振起動特性が得ら
れ、しかも発振起動後は弾性表面波共振子への励振電力
によりダイオードの等価抵抗が小さく等価容量は大きく
なり低いインピーダンスとなって帰還回路の損失が増加
してループ利得が低下し、励振電力が一定となり、信頼
性のある発振動作が得られる。
間に、逆極性に並列接続された２個のダイオードを介装
したので、発振起動時にあってはダイオードの等価抵抗
が大きく等価容量は小さく十分に高いインピーダンスで
あるためループ利得が大きく確実な発振起動特性が得ら
れ、しかも発振起動後は弾性表面波共振子への励振電力
によりダイオードの等価抵抗が小さく等価容量は大きく
なり低いインピーダンスとなって帰還回路の損失が増加
してループ利得が低下し、励振電力が一定となり、信頼
性のある発振動作が得られる。
（実施例の説明）
以下、本発明の実施例を第１図および第２図を参照して
詳細に説明する。第１図は、局部発振回路として使用さ
れる弾性表面波共振子を用いた本発明の高周波発振回路
の一実施例の回路図であり、第２図は、第１図の高周波
発振回路の等価回路図である。第１図において、第３図
と同一回路素子については同一符号を付して重複する説
明を省略する。
詳細に説明する。第１図は、局部発振回路として使用さ
れる弾性表面波共振子を用いた本発明の高周波発振回路
の一実施例の回路図であり、第２図は、第１図の高周波
発振回路の等価回路図である。第１図において、第３図
と同一回路素子については同一符号を付して重複する説
明を省略する。
まず、第１図において、第３図と相違するところは、帰
還回路で５ＡＷ３の両側に結合コンデンサ１７．１８を
直列に介装し、また帰還回路と接地との間に、逆極性に
並列接続された２個のダイオ−Ｆ １９，２０を介装し
たことにある。
還回路で５ＡＷ３の両側に結合コンデンサ１７．１８を
直列に介装し、また帰還回路と接地との間に、逆極性に
並列接続された２個のダイオ−Ｆ １９，２０を介装し
たことにある。
次に、第２図において等価回路を説明すれば、２１はＦ
ＥＴ２の出力側の等価回路、２２は混合回路の等個入力
回路、２３はダイオード１９．２０の等価回路、２４は
５ＡＷ３の等価回路、２５はＦＥＴ２の入力側の等価回
路であり、ＥＤはＦＥＴ出力開放端子電圧、ＲＤはＦＥ
Ｔ出力等価抵抗、ＣＤはＦＥＴ出力等価容量、ＬＤは出
力側位相補正コイル［２のインダクタタンス、ＣＭは混
合回路等価入力抵抗、ＲＭは混合回路等価入力抵抗、
Ｃ１は出力側結合コンデンサ１７の容量、Ｒｄはダイオ
ード等価抵抗、Ｃｄはダイオード等価古漬、Ｃｐｌ、
Ｃｐ２はＳＡＷ等価並列容量、ＣｓはＳＡＷ等価直列容
量、ＬｓはＳＡＷ等価直列インダクタンス、ＲｓはＳＡ
Ｗ等価直列抵抗、Ｃ２は入力端結合コンデンサ１８の容
量、ＬＧは入力側位相補正コイル１１のインダクタンス
、ＣＧはＦＥＴ等価人力容量、ＲＧはＦＥＴ等価入力抵
抗、ＥＧはＦＥＴ帰還電圧である。
ＥＴ２の出力側の等価回路、２２は混合回路の等個入力
回路、２３はダイオード１９．２０の等価回路、２４は
５ＡＷ３の等価回路、２５はＦＥＴ２の入力側の等価回
路であり、ＥＤはＦＥＴ出力開放端子電圧、ＲＤはＦＥ
Ｔ出力等価抵抗、ＣＤはＦＥＴ出力等価容量、ＬＤは出
力側位相補正コイル［２のインダクタタンス、ＣＭは混
合回路等価入力抵抗、ＲＭは混合回路等価入力抵抗、
Ｃ１は出力側結合コンデンサ１７の容量、Ｒｄはダイオ
ード等価抵抗、Ｃｄはダイオード等価古漬、Ｃｐｌ、
Ｃｐ２はＳＡＷ等価並列容量、ＣｓはＳＡＷ等価直列容
量、ＬｓはＳＡＷ等価直列インダクタンス、ＲｓはＳＡ
Ｗ等価直列抵抗、Ｃ２は入力端結合コンデンサ１８の容
量、ＬＧは入力側位相補正コイル１１のインダクタンス
、ＣＧはＦＥＴ等価人力容量、ＲＧはＦＥＴ等価入力抵
抗、ＥＧはＦＥＴ帰還電圧である。
ここで、ＦＥＴ２の帰還回路の挿入損失をＩＬとすれば
。
。
であり、ＦＥＴ２の相互コンダクタンスをｇｍ。
ＦＥＴ２の入力電圧をＥＧ ′、ＦＥＴの電圧増幅度を
Ｇとすれば。
Ｇとすれば。
ＥＤ ＝ ｇｍ １ＩＲＤ １ＩＥＧ ・−・・−（２
）である。したがって、（１）、（３）式よりループ利
得をＧＬ とすれば、 ・・・・・・・・・・・・（４） である。
）である。したがって、（１）、（３）式よりループ利
得をＧＬ とすれば、 ・・・・・・・・・・・・（４） である。
発振起動時には、このループ利得ＧＬがＧＬ＞〉■であ
れば確実な発振起動特性が得られ、発振起動後は励振電
力が増幅してＦＥＴ２が飽和する市にループ利得ＧＬを
１に制御すれば、励振電力が一定となり安定した発振出
力が得られるとともに過大な励振電力によって５ＡＷ３
が破壊されるようなことがない。
れば確実な発振起動特性が得られ、発振起動後は励振電
力が増幅してＦＥＴ２が飽和する市にループ利得ＧＬを
１に制御すれば、励振電力が一定となり安定した発振出
力が得られるとともに過大な励振電力によって５ＡＷ３
が破壊されるようなことがない。
そこで、本発明にあっては１発振起動時は、ダイオード
１９．２０に電流は流れず、ダイオード等価抵抗Ｒｄは
大きくダイオード等価容借Ｃｄは小さく十分高いインピ
ーダンスであるために、ダイオード１９．２０による損
失は少ない。そして、このダイオード１９．２０の十分
高いインピーダンスでＦＥＴ２に加えるバイアスを調整
して帰還回路の挿入損失ＩＬが最小で相互コンダクタン
スｇｍが最大となるようにする。したがって、ループ利
得ＧＬは極めて大きく確実な発振起動がなされる。
１９．２０に電流は流れず、ダイオード等価抵抗Ｒｄは
大きくダイオード等価容借Ｃｄは小さく十分高いインピ
ーダンスであるために、ダイオード１９．２０による損
失は少ない。そして、このダイオード１９．２０の十分
高いインピーダンスでＦＥＴ２に加えるバイアスを調整
して帰還回路の挿入損失ＩＬが最小で相互コンダクタン
スｇｍが最大となるようにする。したがって、ループ利
得ＧＬは極めて大きく確実な発振起動がなされる。
さらに、発振起動されて励振電力の増加にともなって、
ダイオード１９．２０に流れる電流が増加する。このた
めに、ダイオード等価抵抗Ｒｄは減少しダイオード等価
容ｌｃｄは増大してインピーダンスが低下し、ダイオー
ド１９．２０による損失が増大する。このために、励振
電力の増加に対してＦＥＴ２を飽和させる以前に負帰還
作用でループ利得ＧＬが１に制御される。この結果、高
周波発振回路１の発振出力は一定となり、しかも過大な
励振電力の増大もないため５ＡＷ３を破壊することなく
信頼性に富んだものとなる。
ダイオード１９．２０に流れる電流が増加する。このた
めに、ダイオード等価抵抗Ｒｄは減少しダイオード等価
容ｌｃｄは増大してインピーダンスが低下し、ダイオー
ド１９．２０による損失が増大する。このために、励振
電力の増加に対してＦＥＴ２を飽和させる以前に負帰還
作用でループ利得ＧＬが１に制御される。この結果、高
周波発振回路１の発振出力は一定となり、しかも過大な
励振電力の増大もないため５ＡＷ３を破壊することなく
信頼性に富んだものとなる。
ここで、結合コンテナ１７は、ダイオードｌθ、２０の
インピーダンス変化に対して、帰還回路に大きなりアク
タンスを与えてＦＥＴ２を含む増幅回路に与える影響を
軽減させるとともに、ミキサートランジスタ１５への注
入電圧への影響を軽減させるアイソレータとして作用す
る。
インピーダンス変化に対して、帰還回路に大きなりアク
タンスを与えてＦＥＴ２を含む増幅回路に与える影響を
軽減させるとともに、ミキサートランジスタ１５への注
入電圧への影響を軽減させるアイソレータとして作用す
る。
なお、上記実施例では、増＠妻子としてＦＥＴ２を使用
したがこれに限られることなく、電界効果トランジスタ
以外のトランジスタであっても良いことは勿論である。
したがこれに限られることなく、電界効果トランジスタ
以外のトランジスタであっても良いことは勿論である。
また、上記実施例のごとく、逆極性に並列接続された２
個のダイオードの１組を、帰還回路と接地との間に介装
するものに限られず。帰還回路と接地との間に前記ダイ
オードの組を複数組直列若しくは並列に介装させても良
い。
個のダイオードの１組を、帰還回路と接地との間に介装
するものに限られず。帰還回路と接地との間に前記ダイ
オードの組を複数組直列若しくは並列に介装させても良
い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の高周波発振回路は、弾性
表面波共振子を直列に介装した帰還回路と接地との間に
、逆極性に並列接続された２個のダイオードを介装した
ので、発振起動時にあってはダイオードの等価抵抗が大
きく等価容量は小さく上方に高いインピーダンスである
ためループ利得が大きく確実な発振起動特性が得られ、
しかも発振起動後は弾性表面波共振子への励振電力によ
りダイオードの等価抵抗が小さく等価容敬は大きくなり
低いインピーダンスとなって帰還回路の損失が増加して
ループ利得が低下し、励振電力が一定となり、信頼性の
ある発振動作が得られるという優れた効果を奏する。
表面波共振子を直列に介装した帰還回路と接地との間に
、逆極性に並列接続された２個のダイオードを介装した
ので、発振起動時にあってはダイオードの等価抵抗が大
きく等価容量は小さく上方に高いインピーダンスである
ためループ利得が大きく確実な発振起動特性が得られ、
しかも発振起動後は弾性表面波共振子への励振電力によ
りダイオードの等価抵抗が小さく等価容敬は大きくなり
低いインピーダンスとなって帰還回路の損失が増加して
ループ利得が低下し、励振電力が一定となり、信頼性の
ある発振動作が得られるという優れた効果を奏する。
第１図は、局部発振回路として使用される弾性表面波共
振子を用いた本発明の高周波発振回路の一実施例の回路
図であり、第２図は、第１図の高周波発振回路の等価回
路図であり、第３図は９局部発振回路として使用される
弾性表面波共振子を用いた従来の高周波回路の一例の回
路図である。 ｌ：高周波発振回路、 ２：電界効果トランジスタ、 ３：弾性表面波共振子、１９，２０：ダイオード。
振子を用いた本発明の高周波発振回路の一実施例の回路
図であり、第２図は、第１図の高周波発振回路の等価回
路図であり、第３図は９局部発振回路として使用される
弾性表面波共振子を用いた従来の高周波回路の一例の回
路図である。 ｌ：高周波発振回路、 ２：電界効果トランジスタ、 ３：弾性表面波共振子、１９，２０：ダイオード。
Claims (1)
- トランジスタを増幅素子とし、帰還回路に弾性表面波共
振子を直列に介装した高周波発振回路において、前記帰
還回路と接地との間に、逆極性に並列接続された２個の
ダイオードを介装したことを特徴とする高周波発振回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18929285A JPS6248801A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 高周波発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18929285A JPS6248801A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 高周波発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248801A true JPS6248801A (ja) | 1987-03-03 |
Family
ID=16238887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18929285A Pending JPS6248801A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 高周波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6248801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894248A (en) * | 1997-06-11 | 1999-04-13 | Wiltron Company | Controlled loop gain YIG tuned oscillator circuit |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP18929285A patent/JPS6248801A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894248A (en) * | 1997-06-11 | 1999-04-13 | Wiltron Company | Controlled loop gain YIG tuned oscillator circuit |
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