JPS62502341A - シクロヘキサン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 シクロヘキサン誘導体 本発明は次式Ｉで示されるシクロヘキサン誘導体に関する： Ｒ１−ＡＩ−Ｚｌ　−Ａ２−Ｒ２１ 〔式中Ｒ１およびＲ２はそれぞれ１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基であり 、これらの基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個のＣＨ２基 は０原子および（または）−ＣＯ−基および（または）　−ＣＯ−〇−基および （または）　−ＣＨ＝ＣＨ−基により置き換えられていてもよく、基Ｒ１および Ｒ２ノ一方は、また、Ｈ，Ｆ、　ＣＬ、　Ｂｒ、　ＣＮまたはＲ５−Ａ５−Ｚ２ −　テあり、Ａ１は−Ａ−１Ａ４−Ａ−または−Ａ−Ａ４−であり、Ａはトラン ス−１，４−シクロヘキシレン基であり、この基は２−１３−１５−および（ま たは）６−位置に置換基として１個または２個以上のＦおよび（または）Ｃｔお よび（または）　Ｂｒおよび（！または）ＣＮおよび（または）それぞれ１〜１ ０個のＣ原子を有するアルキル基またはフッ素化されたアルキル基で、それらの 基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個のＣＨ２基はＣ原子お よび（または）−〇〇−基および（または）　−ＣＯ−０−基により置き換えら れていてもよいアルキル基またはフッ素化アルキル基を有することができ、そし て１−および（または）４−位置にもまた置換基を有していてもよく、Ａ２、Ａ ５およびＡ４はそれぞれ１．４−フェニレン基であり、この基は置換されていな いかまたは置換基として１個または２個のＦおよび（または）Ｃ２原子および（ または）　ＣＨ３基および（または）ＣＮ基を有し、そしてこの基中に存在する １個のＣＮ基または２個のＣＮ基は、また、Ｎ原子および（または）Ｎｏにより 置き換えられていてもヨ＜；あるいはＡ２、Ａ５およびＡ４は１，４−シクロヘ キシレン基であり、この基は、基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接してい ない２個のＣＨ２基が０原子により置き換えられていてもよく、あるいは、Ａ２ 、Ａ５およびＡ４は、１．３−ジチアン−２，５−ジイル、ビはリジン−１，４ −ジイル、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン、デカヒドロナフタレン −２，６−’、；イルまたは１，２，３．４−テトラヒドロナフタレン−２，６ −ジイル基であり、ｚｌおよびｚ２はそれぞれ−ＣＯ−Ｏ−１−０−ＣＯ−１− ＣＨ２ＣＨ２−１−０ＣＨ２−１−ＣＨ２０−または単結合であり、そしてＲ３ はＨ，１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基であり、この基中に存在する１個 のＣＨ２基または隣接していない２個のＣＨ２基はまたＣ原子および（または） −ＣＯ−基および（または）　−ＣＯ−Ｏ−基および（または）　−ＣＨ＝ＣＨ −基により置き換えられていてもよく、あるいはＦ、　ＣＬ、　ＢｒまたはＣＮ であり、但しＺ１＝−ＣＯ−０−の場合に、Ａ１は一〇〇−〇−架橋に対しての β−位置に赤道結合の置換基は有しない〕。

下記の記載において、Ｐｈｅは１，４−フェニレン基であり、Ｃｙは１，４−シ クロヘキシレン基であり、Ｄｉｏは１．３−ジオキサン−２，５−ジイル基であ り、Ｂ１はビシクロ−（２，２，２）−オクチレン基であり、Ｐｉｐはピはリジ ン−１，４−ジイル基であり、Ｐｙｒはピリミジン−２，５−ジイル基であり、 Ｐｙｎはピリダジン−３，６−ジイル基であり、この基は場合により、またＮ− オキシドの形であることができ、Ｄｉｔは１，３−ジチアン−２，５−ジイル基 であり、そしてＤｅｃはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基である。

類似化合物は、たとえば西ドイツ国特許第２，６５６，６８４号明細書から既知 である。しかしながら、この特許に特定されている化合物は３個の置換基を有す るシクロヘキサン環を有するものではない。トランス−４−置換ｒ−２−メチル シクロヘキサンカルボン酸の誘導体はヨーロツノξ公開特許出願第０．０６３， ００３号公報から知られている。

しかしながら、本発明によるーＣ○−〇−架橋に対してβ−位置に軸方向メチル 基を有する２−メチルシクロヘキサンカルボン酸の誘導体はさらに好ましい相挙 動を有することが証明された。

式ｌで示される化合物は液晶誘電体、特にねじれセルの原則、ゲスト−ホスト効 果、整列相の変形の効果または動的散乱の効果にもとづく表示用の液晶誘電体の 構成成分として類似化合物と同様に使用できる。

本発明は液晶誘電体の構成成分として使用するのに適する新規で安定な液晶また はメソーゲン性化合物を見い出すという目的にもとづいていた。

式ｌで示される化合物が液晶相の構成成分として使用するのに格別に適すること が見い出された。特に、これらの化合物は非常に低い光学異方性および比較的低 い粘度を有する安定な液晶相の調製に使用できる。種々の適用上の観点からネマ チック混合物の調製に適する液晶物質の範囲が式Ｉで示される化合物を提供する ことにより非常に一般的に格別に拡大される効果が得られる。

式！で示される化合物は広い用途分野を有する。置換基を選択することによって 、これらの化合物は液晶相を主として構成する基材として使用できる；しかしな がら、式Ｉで示される化合物をその他の群の化合物よりなる液晶基材に添加して 、たとえばこのような誘電体の誘電および（または）光学異方性を減少させ、そ して（または）干渉性スメクチック相範囲を抑えることができる。式■で示され る化合物はまた液晶相の構成成分として使用できる別の物質を製造するための中 間生成物として使用するのにも適している。

式Ｉで示される化合物は純粋な状態で無色でちり、そしてこれらの化合物は電気 光学用途に有利に適する温度範囲内で液晶メゾフェースを形成する。これらは化 学的に、熱的におよび光に対して非常に安定である。

従って、本発明は式ｌで示される化合物およびそれらの製造方法を提供し、この 製造方法は式ｌに相当するがＨ原子の代りに１個または２個以上の還元できる基 および（または）　Ｃ−Ｃ結合を有する化合物を還元剤で処理するか、または式 ！で示されるエステル化合物を製造するために、相当するカルボン酸化合物ある いはその相当する反応性誘導体の一種を相当するアルコール化合物あるいはその 反応性誘導体と反応させるか、または式Ｉで示されるジオキサン誘導体を製造す るために、相当するアルデヒド化合物を相当するジオール化合物と反応させるか 、または式Ｉで示されるニトリル化合物を製造するために、相当するカルボキシ アミド化合物を脱水させるが、あるいは相当するハライド化合物をスルファミド と反応させることを特徴とする方法である。

本発明はまた式■で示される化合物を液晶相の構成成分として使用することに関 する。本発明はまた式■で示される化合物の少なくとも一種を含有する液晶相お よびこのタイプの相を含有する液晶表示素子、特に電気光学表示素子を提供する 。

本明細書全体をとおして、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、ＡＩ　、Ａ２　、　Ａ５、Ａ４、 Ａ、ＺｌおよびＺｌはいづれか相反する意味が特に記載されていないかぎり指定 されている意味の１つを有する。

従って、式Ｉで示される化合物は、特に部分式１ａおよびＩｂ（２個の環を有す る）： Ｒ１−Ａ−Ａ２−Ｒ２１ａ Ｒ１−Ａ−Ｚｌ−Ａ２−Ｒ２１ｂ ｌｃ〜Ｉｉ　（３個の環を有する）： Ｒ’−Ａ’−Ａ−Ａ２−Ｒ２１ｃ Ｒ１−Ａ−Ａ４−Ａ２−Ｒ２１ｄ Ｒ１−Ａ４−Ａ−Ｚｌ−Ａ２−Ｒ２１ｅＲ１−Ａ−Ａ４−Ｚｌ−Ａ２−Ｒ２１ｆ Ｒ１−Ａ−Ｚｌ−Ａ２−Ａ５−Ｒ’　１ｇＲ５−Ａ５−Ｚｌ−Ａ−Ｚｌ−Ａ２− Ｒ２１ｈＲ１−Ａ−Ｚ’　−Ａ２−Ｚｌ−Ａ’−Ｒ’　ＩｉおよびＩｊ〜Ｉｔ（ ４個の環を有する）：Ｒ１−Ａ’−Ａ−Ａ２−Ａ５−Ｒ’　１ｊＲ１−Ａ−Ａ４ −Ａ２−Ａ５−Ｒ”　ＩｋＲ５−Ａ’−Ｚｌ−Ａ４−Ａ−Ａ２−Ｒ２１１Ｒ５− ＡＳ−Ａ’−Ａ−Ｚｌ−Ａ２−Ｒ２１ｍＲ’−Ａ−Ａ’−Ａ２−Ｚ２−Ａ’−Ｒ ５ＩｎＲ１−Ａ−Ａ’−Ｚｌ−Ａ２−ＡＳ−Ｒ５ｌ。

Ｒ１−Ａ’−Ａ−Ｚｌ−Ａ２−Ａ５−Ｒ５１ｐＲ１−Ａ’−Ａ−Ｚ’−Ａ２−Ｚ ｌ−Ａ’−Ｒ５１ｑＲ１−Ａ−Ａ’−Ｚｌ−Ａ２−Ｚｌ−Ａ５−Ｒ５１ｒＲ’− Ａ５−Ｚｌ−Ａ’−Ａ−Ｚ’　−Ａ２−Ｒ２ｌ５Ｒｊ−Ａ５−Ｚｌ−Ａ−Ａ’− Ｚｌ　−Ａ２−Ｒ２Ｉｔで示される化合物を包含する。

これらの化合物の中で式１ａ　、　Ｉｂ　、Ｉｃ　、Ｉｄ　、　Ｉｓ　、　Ｉｆ 　。

Ｉｇ　、　ＩｊおよびＩｋで示される化合物が特に好ましい。

式１ａで示される好ましい化合物は部分式＋ａ１〜Ｉａ３：Ｒ１−Ａ−Ｐｈ−Ｒ ２１ａ　１ で示される化合物を包含する。

これらの化合物の中で、部分式１ａ１およびＩＣ２で示される化合物が特に好ま しい。

式Ｔｏで示される好ましい化合物は部分式１ｂ１〜Ｉｂ３　：Ｒ１−Ａ−Ｚｌ　 −Ｐｈ−Ｒ２Ｈ：＋１Ｒ１−Ａ−Ｚｌ−Ｃｙ−Ｒ２１ｂ２ Ｈ１−Ａ−−Ｚ　１−Ｂｉ−Ｒ２１ｂ３で示される化合物を包含する。

これらの化合物の中で、部分式１ｂ１および１ｂ２で示される化合物、特に式中 Ｚ１が−ＣＯ−０−、−０−Ｃｏ−または−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物が特に 好ましい。

式１ｃで示される好ましい化合物は部分式１ｃ１およびＩＣ２：Ｒ’−Ｃｙ−Ａ −Ｃｙ−Ｒ２１ｃ　Ｉ Ｒｌ−Ｃｙ−Ａ−Ｐｈ−Ｒ２１ｃ２ で示される化合物を包含する。

式１ｄで示される好ましい化合物は部分式１ｄｌ〜Ｉｄ４　：Ｒ’−Ａ−Ｃｙ− Ｃｙ−Ｒ２１ｄＩ Ｒ１−Ａ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ２１ｄ２ Ｒ１−Ａ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ２１ｄ３ Ｒ１−Ａ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ２１ｄ４ で示される化合物を包含する。

式１ｅで示される好ましい化合物は部分式１ｅ１〜ｌｅ３：Ｒ１−Ｃｙ−Ａ−Ｚ ｌ−Ｃｙ−Ｒ２１ｅＩＲ１−Ｃｙ−Ａ−Ｚｌ−Ｐｈ−Ｒ２１ｅ２Ｒ１−Ｐｈ−Ａ −Ｚｌ　−Ｃｙ−Ｒ２１ｅ３で示される化合物を包含する。

これらの化合物の中で、部分式１ｅ１、％に式中２１が−ＣＯ−０−１−〇−〇 〇−または−ＣＨ２ＣＨ２−である化合物が特に好ましい。

式Ｉｆで示される好ましい化合物は部分式１ｆ１〜Ｉｆ４　：Ｒ１−Ａ−ＣＭ− Ｚｌ　−ＣＭ−Ｒ２１ｆＩＲ１−Ａ−Ｐｈ−Ｚｌ　−Ｐｈ−Ｒ２１ｆ２Ｒ１−Ａ −Ｐｈ−Ｚｌ−Ｃｙ−Ｒ２１ｆ３Ｆ、１−Ａ−ＣＹ−Ｚｌ　−Ｐｈ−Ｒ２１ｆ４ で示される化合物を包含する。

これらの化合物の中で、部分式１ｆ１　、Ｉｆ２およびＩｆ３、特に式中Ｚ１が −ＣＯ−０−、−０−Ｃｏ−または−ＣＨ２ＣＨ２−１特に−ＣＯ−〇−である 化合物が特別に好ましい。

式１ｇで示される好ましい化合物は部分式１ｇ１〜Ｉｇ５　：Ｒ’−Ａ−Ｚ’− ＣＹ−ＣＹ−Ｒ５１ｇＩＲ’　−Ａ−Ｚ’　−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ２１ｇ２Ｒ１−Ａ −Ｚｌ　−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ２１ｇ３で示される化合物を包含する。

これらの化合物の中で、ｚｌが一○−ＣＯ−、−Ｃｏ−０−または−ＣＨ２ＣＨ ２−である化合物が特に好ましい。

式１ｊで示される好ましい化合物は部分式１ｊｌおよび！Ｊ２：Ｒ１−Ｃｙ−Ａ −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ’　Ｉｊ　ＩＲｌ　−Ｃｙ−Ａ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ’　Ｉｊ　２ で示される化合物を包含する。

式！にで示される好ましい化合物は部分式１ｋｌおよびＩｋ２　：Ｒ’−Ａ−Ｐ ｈ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ５１ｋｌ　’Ｒ１−Ａ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｒ５１に２で示 される化合物を包含する。

前記のおよび後記する式で示される化合物において、Ｒ１、Ｒ２およびＲ５は好 ましくはアルキルであり、およびまたアルコキシまたはもう一種のオキサアルキ ル基である。

前記のおよび後記する式で示される好ましい化合物はまた、式中に存在する基Ｒ １、Ｒ２およびＲ５の一つが−ＣＯ−アルキル、−０−ＣＯ−アルキル、−ＣＯ −０−アルキルまたはＣＮであり、そして他の一つがアルキルである化合物であ る。

前記のおよび後記する式で示される好ましい化合物において、その基中に存在す るＣＨ２基が０原子で置き換えられていてもよい（アルコキシまたはオキサアル キル）アルキル基は直鎖状または分枝鎖状であることができる。

好ましくは、これらの基は直鎖状であって、２．３．４．５．６または７個のＣ 原子を有し、従って、好ましくはエチル、フロビル、ブチル、はメチル、ヘキシ ル、ヘプチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、はメトキシ、ヘキソキシ、ヘ プトキシ、２−オキサプロピル（＝２−メトキシメチル）、２−（＝エトキシメ チル）マたは３−オキサブチル（＝２−メトキシペンチル）、２−１３−または ４−オキサペンチル、２−１３−１４−または５−オキサヘキシル、２−１３− １４−１５−または６−オキサヘプチル、およびまたメチル、オクチル、ノニル 、メトキシ、オクトキシまたはツノキシでおる。

Ａ２、Ａ３およびＡ４は好ましくはＣｙまたはｐｈである。

Ｚｌおよび＝２は好ましくは単結合または２番目に好ましいものとして、−０− ＣＯ−、−Ｃｏ−０−または−〇Ｈ２ＣＨ２−基である。

Ａは好ましくは式（４）〜（Ｇ）から選ばれる基である：　、〔各式中ｘ１、Ｘ ２、Ｘ５およびｘ４は相互に独立して、それぞれＦ％ＣＬ、　Ｂｒ％ＣＮ　、Ｓ るいはそれぞれ１〜１０個の炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、オキサア ルキル、アルカノイル、アルカノイルオキシまたはアルコキシカルボニルである 〕。

Ａはまた式に）〜（Ｇ）の鏡像基を包含する。

式（ト）〜（Ｇ）で示される基は１−位置または４−位置に追加の軸方向置換基 Ｑを有することができる。Ｑは好ましくはＦ、　ＣＮまたはＣＨ３である。特に 好ましいものとしてはＣＮがあげられる。

ｘｌ、ｘ２、ｘ５オよびｘ４ノ好まシイ意味はＦ、　Ｃ２，ＣＮ。

−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３および一０ＣＨ４である。

Ｆ、ＣＮおよびＣＨ３が特に好ましく、さらに、特にＣＮおよびＣＨ３が好まし い・ 分枝鎖状基Ｒ１、Ｒ２またはＲ５を有する前記のおよび後記する式で示される化 合物は慣用の液晶基材に改善された溶解性を有することから場合により重要であ るが、これらが光学活性である場合にはカイラルドーピング物質として特に重要 であることができる。この種の分枝鎖状基は一般に、多くて一つの鎖分枝を有す る。この種の化合物は強誘電性物性を有するスメクチック混合物の構成成分とし て使用できる。

好適な分枝鎖状基はイソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルゾロピル）、イソ ブチル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチル、インペンチル（＝３−メ チルブチル）、２−メチルペンチル、３−メチルはメチル、２−エチルヘキシル 、　２−−１／ロピルペンチル、インフロポキシ、２−メチルプロポキシ、２− メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、２−メチルはメトキシ、５−メチルはメ トキシ、２−エチルヘキシルシ、１−メチルヘキソキシ、１−メチルへブトキシ 、２−オキサ−３−メチルブチルおよび３−オキサ−４−メチルペンチルである 。

式ＩおよびまたＩａ〜ｒｔで示される化合物の中で、好ましい化合物はその中に 含まれている基の少なくとも−換されていてもよい）を含有する化合物があげら れる。

Ｘｌは好ましくはＣＨ３である。

前記式で示される化合物の中で好ましい立体異性体はＥＪＡの１−位置および４ −位置に存在する置換基Ｒ１−１Ｒ１−Ａ４−　、Ｒ２−Ａ２−Ｚｌ−またはＲ ２−Ａ２−Ｚｌ−Ａ４−がトランス配置にあって、赤道位置を占めておりしかも Ａの１−位置または４−位置に場合により存在する別の置換基Ｑが軸方向位置を 占めている化合物である。これらの化合物は一般にさらに安定である；かなりの 場合に、シス−化合物（または混合物）は塩基で、たとえばに第３ブチレートで 、ジメチルスルホキシドのような不活性溶媒中において処理することによりトラ ンス化合物に交換できる。

Ｘ２、ｘ５およびｘ４は赤道位置または軸方向位置を占めることができる。

１個または２個以上のＤｉｏ、Ｄｉｔ、　Ｐｉｐおよび（または）Ｐｙｒ基を有 する前記式で示される化合物はそれぞれ２種の可能な２．５−位置異性体（Ｄｌ ｏ、ｏｉｔ、　Ｐｙｒの場合）あるいは１．４−位置異性体（Ｐｉｐの場合）を 包含する。

式■の化合物は、文献〔たとえばＨｏｕｂｅｎ　−ＷｅｙｌによるＭｅｔｈｏｄ ｅｎ　ｄｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ　Ｃｈｅｍｉｅ　（ｒ有機化学の方法」 ）、Ｇｅｏｒｇ　−Ｔｈｉｅｍｅ出版社、Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ市のような標準的 学術書〕に記載されているようなそれら自体既知の方法により、特に既知でろっ て、あげられている反応に適する反応条件下に製造する。これらの反応の実施に 際してはそれら自体既知であるが、ここには詳細に記載されていない変法も有利 に使用できる。

原料物質は所望により、これらを反応混合物から単離することなく、直ちにさら に反応させて式■で示される化合物を生成させるような方法でその場で生成させ ることもできる。

一例として、式ｌで示される化合物はＨ原子の代りに１個または２個以上の還元 できる基および（または）Ｃ−Ｃ結合を有することを除いて式Ｉに和尚する化合 物を還元することにより製造できる。

適当な還元できる基は好ましくはカルボニル基、特にケト基、およびまた、たと えば遊離のまたはエステル化されているヒドロキシ基あるいは芳香族核に結合し ているハロゲン原子である。還元に好適な原料化合物は式！に相当するが、シク ロヘキサン環の代りにシクロヘキセン環またはシクロヘキサノン環を有すること ができ、および（または）　−ＣＨ２ＣＨ２−基の代りに−ＣＨ咲■−基を有し 、および（または）−ＣＨ２−基の代りに−Ｃ〇−基を有し、および（または） Ｈ原子の代りに遊離のあるいは官能性に修飾されている（たとえばそのｐ−）ル エンスルホネートの形）ＯＨ基を有する化合物でおる。

還元は、たとえば約０°〜約２００°の温度および約１〜２００パールの圧力下 に、不活性溶媒、たとえばメタノール、エタノールまたはインプロノノールのよ うなアルコール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）またはジオキサンのようなエー テル、酢酸エチルのようなエステル、酢酸のようなカルボン酸あるいはシクロヘ キサンのような炭化水素中で接触水素添加により実施できる。適当な触媒は好ま しくはｐｔまたは・Ｐｄのような貴金属であり、これらは酸化物の形で（たとえ ばｐｔｏ２、Ｐｄ０２）、支持体上で（たとえば木炭炭酸カルシウムまたは炭酸 ストロンチウム上のＰｄ）＠るいは微細に粉砕された形で使用できる。

ケトン化合物はまたフレメンセンの方法（アニン、アマルガム化アニンまたはス ズと塩酸を好ましくは水性アルコール性溶液中であるいは水／トルエンを含有す る不均質相中で約８０〜１２０°の温度において使用する）、あるいはウオルフ ＝キツシュナーの方法（ヒドラジンを好ましくはＫＯＨまたはＮａＯＨのような アルカリの存在下に、ジエチレングリコールまたはトリエチレングリコールのよ うな高沸点溶媒中で、約１００〜２００°の温度で使用する）により還元でき、 アルキル基および（または）−ＣＨ２ＣＨ２−架橋を有する式■で示される相当 する化合物が得られる。

複合水素化物を用いる還元もまた可能である一例として、了り−ルスルホニルオ キシ基はＬｉＡＬＨａを用いて還元的に除去でき、特にｐ−）ルエンスルホニル オキシメチル基は、好ましくはジエチルエーテルまたはＴＨＦのような不活性溶 媒中で約０〜１００°の温度においてメチル基に還元できる。二重結合は（ＣＮ 基の存在下においてさえも）ＮａＢＨａ　ｉたはメタノール中のトリブチルスズ 水素化物を用いて水素添加できる１この方法で、たとえば、相当するシクロヘキ サン誘導体が１−シアノシクロヘキセン誘導体から生成される。

式ｌで示される化合物はまた、相当するシクロヘキサン誘導体（この化合物は式 Ｉに相当するが、基Ａの代りに、１個または２個のＦ、　ＣＬまたはＢｒ原子お よび（または）ＣＮ基を有することができる１−シクロヘキセン−１，４−ジイ ル基を有する、に式ｑ１ｑ２で示される化合物（たとえばＨＢｒ１ＢｒＣＮ、　 ＢｒＦ、　ＢｒＣｔまたはＢｒ２　）を遊離基付加することにより得ることがで きる。

この付加は、たとえば不活性溶媒、たとえばＣＨ２Ｃｌ２またはＣＨＣＬ３のよ うなハロゲン化炭化水素の存在下に、約−１０〜＋１５０°の温度および約１〜 １００パールの圧力下に実施できる。遊離基開始剤を添加するか、あるいは光反 応として反応を行うことがすすめられる。

式Ｉで示されるエステル化合物はまた相当するカルボン酸化合物（またはその反 応性誘導体）をアルコール化合物またはフェノール化合物（あるいはそれらの反 応性誘導体）でエステル化することにより得ることもできる。

前記カルボン酸化合物の適当な反応性誘導体は、特に酸ハライド、中でもクロリ ドおよびプロミド、およびまた、たとえば混合無水物を含む酸無水物、アジドま たはエステル、特にアルキル基に１〜４個のＣ原子を有するアルキルエステルで ある。

前記アルコール化合物またはフェノール化合物の適当な反応性誘導体は、特に相 当する金属アルコレートおよびフエノラート、好ましくはＮａ　’！−たはＫの ようなアルカリ金属のアルコレートまたはフエノラートである。

エステル化は不溶性溶媒の存在下に行なうと有利である。非常に適する溶媒には 、特にジエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ＴＨＦ、ジオキサンまたは アニソールのようなエーテル、アセトン、ブタノンまたはシクロヘキサノンのよ りなケトン、ＤＭＦまたはへキサメチルリン酸アミド９ようなアミド、ベンゼン 、トルエンまたはキシレンのような炭化水素、四塩化炭素またはテトラクロルエ チレンのようなノ・ロゲン化炭化水素およびジメチルスルホキシドまたはスルホ ランのようなスルホキシドがある。水不混和性溶媒を同時的に有利に使用でき、 かくしてエステル化中に生成される水を共沸蒸留により除去できる。場合により 、エステル化用の溶媒としてはまた過剰の有機塩基、たとえばピリジン、キノリ ンまたはトリエチルアミンもまた使用できる。エステル化はまた溶媒の不存在下 に、たとえば反応成分を酢酸ナトリウムの存在下に単に加熱することにより行な うこともできる。反応温度は通常、−５０°〜＋２５０°、好ましくは−２０゜ 〜＋８０°である。これらの温度で、エステル化反応は一般に１５分〜４８時間 後に完了する。

詳細には、エステル化の反応条件は使用する原料化合物の性質にほとんど依存し て変わる。たとえば、遊離のカルボン酸化合物は一般に遊離のアルコールまたは フェノール化合物と強酸、たとえば塩酸または硫酸のような鉱酸の存在下（（反 応させる。好適な反応は酸無水物、または特に酸クロリドをアルコールと、好ま しくは塩基性媒質中で反応させる方法である。この場合に重要な塩基には、特に 水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物、炭酸ナ トリウム、炭酸カリウムまたは炭酸水素カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩ま たは炭酸水素塩、酢酸ナトリウムまたは酢酸カリウムのようなアルカリ金属酢酸 塩、水酸化カルシウムのようなアルカリ土類金属水酸化物、あるいはトリエチル アミン、ビリジ／、ルチジン、コリジンまたはキノリンのような有機塩基がある 。エステル化のもう一つの好適態様はアルコールまたはフェノール化合物を、た とえばエタノール性水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム溶液で処理すること により、ナトリウムまたはカリウムアルコレートあるいはナトリウムまたはカリ ウムフェルレートに先ず変換し、このアルコレートまたはフエノラートを単離し 、次いで生成物を炭酸水素ナトリウムまたは炭酸カリウムとともに、アセトンま たはジエチルエーテル中に攪拌により懸濁し、次いでこの懸濁液にジエチルエー テル、アセトンまたはＤＭＦ中の酸クロリドまたは無水物の溶液を、好ましくは 約−２５°〜＋２０°の温度で加えることよりなる。

式ｌで示されるジオキサン誘導体およびジチアン誘導体は好ましくは相当するア ルデヒド化合物（またはその反応性誘導体の一種）を相当する１、３−ジオール または相当する１、３−ジチオール化合物（あるいはそれらの反応性誘導体の一 種）と好ましくはベンゼンまたはトルエンのような不活性溶媒の存在下に、およ び（または）触媒、たとえば硫酸、ベンゼンスルホン酸あるいはｐ−）ルエンス ルホ／酸のような強酸の存在下に、２０°〜約１５００、好ましくは８０°〜１ ２０°の温度でそれぞれ反応させることにより製造する。適当な原料化合物の反 応性誘導体は主としてアセタール化合物である。

前記のアルデヒド化合物および１，３−ジオール化合物または１，３−ジチオー ル化合物並びにそれらの反応性誘導体は一部分が既知である；これらの全部が文 献から既知の化合物から有機化学の標準的方法に従い難なく製造できる。たとえ ば、アルデヒド化合物は相当するアルコール化合物を酸化することにより、また は相当するカルボン酸化合物またはその誘導体を還元することにより得ることが でき、ジオール化合物は相当するジエステル化合物を還元することにより得るこ とができ、そしてジチオール化合物は相当するシバライド化合物をＮａ５Ｈと反 応させることにより得ることができる。

式！で示されるニトリル化合物を製造するためには、相当する酸アミド化合物、 たとえばＣＯＮＨ２基が基Ｘの場所に存在するアミド化合物を脱水させることが できる。

このアミド化合物は、たとえば相当するエステル化合物または酸ハライド化合物 からアンモニアとの反応により得ることができる。適当な脱水剤には、たとえば ５ＯＣ２２、ＰＣ２３、ＰＣｌ３、ＰＯＣｌ２．５Ｏ２ＣＬ２、Ｃ０Ｃｔ２　の ような酸クロリド、およびＰ２Ｏ５、Ｐ２Ｓ５および＊ｔ、ｃｔｓ　（この化合 物は、たとえばＮａＣ２との複合イし合物の形で用いる）、芳香族スルホン酸お よびスルホニルハライドがある。この反応は不活性溶媒の存在または不存在下に 、約０°〜１５０°の温度で実施できる；適当な溶媒は、たとえばピリジンまた はトリエチルアミンのような塩基、ベンゼン、トルエンまたはキシレンのような 炭化水素あるいはＤＭＦのようなアミドである。

前記の式Ｉで示されるニトリル化合物を製造するためにはまた、相当する酸ハラ イド化合物、好ましくはクロリド化合物をスルファミドと、好ましくはテトラメ チレンスルホンのような不活性溶媒中で約８０°〜１５０°、好ましくは１２０ °の温度で反応させることができる。ニトリル化合物は慣用の方法で仕上げた後 に、さらに処理することなく単離できる。

式！で示されるエーテル化合物は相当するヒドロキシ化合物、好ましくは相当す るフェノール化合物をエーテル化することにより得ることができ、好ましくはヒ ドロキシ化合物を先ず相当する金属誘導体に、たとえば相当するアルカリ金属ア ルコレートまたはアルカリ金属フエルレートにＮａＨ、ＨａＮＨ２，ＮａＯＨ、 ＫＯＨ、Ｎａ、２ＣＯ５またはに２ＣＯ５で処理することにより変換する。この アルコレートまたはフェルレート化合物は次いで相当するアルキルハライド、ア ルキルスルホネートあるいはジアルキルスルフェートと、好ましくはアセトン、 １，２−ジメトキシエタン、ＤＭＦまたはジメチルスルホキシドのような不活性 溶媒あるいは過剰の水性または水性アルコール性ＮａＯＨまたはＫＯＨ中で、約 ２０°〜１００°の温度において反応させることができる。

ＡがＦ−置換されている１、４−シクロヘキシレン基（この基はさらに追加の置 換基を有することができる）である式！で示されるフッ素化合物は相当するヒド ロキシ化合物あるいは臭素または塩素化合物をフッ素化剤で処理することにより 得ることができる。適当なフッ素化剤はこれらの再置換反応用の既知の化合物の 全部、たとえばジエチルアミンスルファートリフルオリド（Ｊ　、　Ｏｒｇ。

Ｃｈｅｍ、　４０　（５）、５７４〜８頁（１９７５年）〕である。ヒドロキシ 、臭素および塩素化合物は、たとえば相当するシクロヘキセン化合物からＨ２Ｏ ，ＨＢｒ　ｉたはＨＣｌの添加により得られる。

式Ｉで示されるニトリル化合物を製造するためにはまた、式ｌで示される相当す る塩素または臭素化合物をシアニド化合物、好ましくはＮａＣＮ　、　ＫＣＮま たはＣｕ２（ＣＮ）２のような金属シアニド化合物と、たとえばピリジンの存在 下に、ＤＭＦまたはＮ−メチルピロリドンのような不活性溶媒中で、２０°〜２ ００°の温度において反応させることができる。

本発明による液晶相は式Ｉで示される化合物の少なくとも一種を包含する２〜２ ０種、好ましくは３〜１５種の成分よりなる。その他の構成成分はネマチックま たはネマトゲニツク物質、特にアゾキシベンゼン化合物、ベンジリデンアニリン 化合物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合物、フェニルまたはシクロヘキシ ルベンゾエート化合物、フェニルまたはシクロヘキシルシクロヘキサンカルボキ シレート化合物、フェニルシクロヘキサン化合物、シクロヘキシルビフェニル化 合物、シクロヘキシルシクロヘキサン化合物、シクロヘキシルナフタレン化合物 、１，４−ビスシクロヘキシルベンゼン化合物、４，４′−ビスシクロヘキシル ビフェニル化合物、フェニルピリミジン化合物、シクロヘキシルピリミジン化合 物、フェニルピリダジン化合物、シクロヘキシルジオキサン化合物およびそのＮ −オキシド化合物、フェニルジオキサン化合物、シクロヘキシルジオキサン化合 物、フェニル−１，３−ジチアン化合物、　シクロヘキシル−１，３−’；チア ン化合物、１．２−：）フェニルエタン化合物、１，２−ジシクロヘキシルエタ ン化合物、１−フェニル−２−シクロヘキシルエタン化合物、場合ニよりハロゲ ン化されているスチルベン化合物、ベンジルフェニルエーテル化合物、トラン　 化合物および置換されているケイ皮酸化合物の群に属する既知物質から選択する と好ましい。

このような液晶相の構成成分として適当である最も重要な化合物は式！′で示す ことができる特徴を有する：Ｒ′−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ″Ｉ′ （式中りおよびＥはそれぞれ１，４−ジ置換ベンゼンおよびシクロヘキサン環、 ４．４’−ｕ置換ビフェニル、フェニルシクロヘキサンおよびシクロヘキシルシ クロヘキサン系、２，５−ジ置換ピリミジン環および１，３−ジオキサン環、２ ，６−ジ置換ナフタレン、ジヒドロナフタレンおよびテトラヒドロナフタレン、 キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾリンから形成される群に属する炭素環また は複素環系であり、Ｇは −ＣＨ＝ＣＨ−−Ｎ（０）＝Ｎ− −ＣＨ＝ＣＹ−−ＣＨ＝Ｎ（０）− −ＣミＣ−−ＣＨ２−ＣＨ２− −ＣＯ−０−−ＣＨ２−０− 一〇〇−８−−ＣＨ２−３− −ＣＨ＝Ｎ−−ＣＯＯ−Ｐｈｅ−ＣＯＯ−またはＣ−Ｃ単結合であり、Ｙはハロ ゲン、好ましくは塩素または一〇Ｎであり、そしてＲ′およびＹは１８個まで、 好ましくは８個までの炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、アルカノイルオ キシ、アルコキシカルボニルまたはアルコキシカルボニルオキシであるか、ある いはこれらの基の一つはまたＣＮ、ＮＣ、ＮＯ２、ＣＦ３　、Ｆ、　ＣＬまたは Ｂｒである。

これらの化合物の大部分において、Ｒ′および２′は相互に異なり、これらの基 の一方は大部分の場合にアルキルまたはアルコキシ基である。しかしながら、包 含されるその他の種々の置換基も慣用である。このような物質またはその混合物 のかなりは市販されている。これらの物質の全部は文献から既知の方法により得 ることができる。

本発明による相は式Ｉで示される化合物の一種または二種以上を約０．１〜９９ チ、好ましくは１０〜９５％の量で含有する。式Ｉで示される化合物の一種また は二種以上を０．１〜４０％、好ましくは０．５〜３０％の量で含有する本発明 による液晶相がまた好ましい。

本発明による相は慣用の方法で製造する。一般Ｋ、構成成分を相互に、好ましく は高められた温度で溶解する。

本発明による液晶相は適当な添加剤を用いることにより、これらの相を従来開示 されている全゛Ｃの方式の液晶表示素子に使用できるような方法で変性すること ができる。

この種の添加剤は当業者にとって知られており、文献に詳細に記載されている。

−例として導電性を改善するためＫ、導電性塩、好ましくはエチルジメチルドデ シルアンモニウム４−へキシルオキシベンゾエート、テトラブチルアンモニウム テトラフェニルボラネートまたはクラウンエーテルの錯塩〔この化合物について は、たとえば１．　Ｈａｌｌｅｒ他によるＭｏ１．　Ｃｒｙｓｔ、、　Ｌｉｑ、 　Ｃｒｙｓｔ、　２４巻、２４９〜２５８頁（１９７３年）を参照〕を、および 着色ゲスト−ホスト系を調製するために多色性染料を、あるいは誘電異方性、粘 度および（または）ネマチック相の配向を変えるための物質を添加できる。この 種の物質は、たとえは西ドイツ国公開特許出願公報２．２０９，１２７．２，２ ４０，８６４．２，３２１，６３２．２，３３８，２８１．２，４５０，０８８ ．２．６３７．４３０　。

２．８５５，７２８および２，９０２，１７７に記載されている。

次側は本発明を制限することなく説明しようとするものである。ｍ、ｐ　＝＝融 点であり、そしてｃ、ｐ　＝透明点である。本明細書全体をとおして、パーセン チ−シバ重量パーセントである；全ての温度は摂氏度（Ｃ）で示す。「慣用の方 法で仕上げる」の用語は次の意味を有する：水を加え、混合物を塩化メチレンで 抽出し、相を分離させ、有機相を乾燥させ、蒸発乾燥させ、そして生成物を結晶 化および（または）クロマトグラフィにより精製する。

例　１ ＴＩ（Ｆ２Ｏ３−中の２−メチｐｖ　−１−（ｐ　−ｎ−ペンチルフェニル）− ４−ｎ−プロピルシクロヘキセン５６り〔コの化合物は２−メチル−４−プロピ ルシクロヘキサノン（この化合物は４−プロピルシクロヘキサノンをＮａＨおよ び炭酸ジエチルと反応させ、生成するシクロヘキサンカルボン酸エステルをヨウ 化メチル／　Ｎａ０Ｅｔ　／　ＥｔＯＨでメチル化し、このエステル化合物を加 水分解し、次いで脱カルボキシル化することにより得られる）をｐ−ｎ−”？メ チルブロモベンゼンにもとづくグリニヤール化合物と反応させ、次いで加水分解 し、そしてｐ−）ルエンスルホン酸／トルエ／で水除去することにより得られる 〕の溶液を４０６および１パールにおいて、１０％Ｐｄ／ｃＢｔ上テＨ２０，２ モルが吸収されるまで水素添加する。これを次いで濾過し、蒸発させ、次いて分 解し、生成する異性体混合物をクロマトグラフィおよび結晶化処理することによ り分離する。このようにして、ｒ−２−メチル−ｔ−１−（ｐ−ｎ−はブチルフ ェニル）−ｃ−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンおよびｒ−２−メチル−（−１ −（ｐ−ｎ−−ｅ７チル７　ｘ　二Ａ　）　−ｔ−４−ｎ−プロピルシクロヘキ サンを生成する。

この方法を使用して、下記の化合物を製造する：２−メチルー１−（ｐ−ブチル フェニル）−４−プロピルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−プロピルフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−エチルフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−メトキシフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−エトキシフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−プロポキシフェニル）−４−プロビルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−シアノフェニル）−４−プロピルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−へブチルフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−ペンチルフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−プチルフエニ／Ｌ／）−４−はブチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−プロピルフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−エチルフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−メトキシフェニル）−４−はブチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−エトキシフェニル）−４−はブチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−プロホキとフェニル）−４−ペンチルシクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−シアノフェニル）　−４−Ａ、ブチルシクロヘキサン ５−メチル−１−（ｐ−へブチルフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−はブチルフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−ブチルフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ５−メチル−１−（ｐ−プロピルフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−エチルフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−メトキシフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−エトキシ７エール）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−プロポキシフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン ３−メチル−１−（ｐ−シアノフェニル）−４−ブチルシクロヘキサン 例　２ ＴＨＦ５００ｒｎｌ中の２−メチル−１−（ｐ−ｎ−はブチルフェニル）−４− （）　ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサン７２？〔こ の化合物は２−メチル−４−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）− フクロヘキサノンをＮａＨおよび炭酸ジエチルエステルと反応させ、生成するシ クロヘキサンカルボン酸エステル化合物をヨウ化メチル／　Ｎａ０Ｅｔ　／　Ｂ ｔＯＨでメチル化し、このエステル化合物を加水分解し、次いで脱カルボキシル 化する）、ｐ−ｎ−ペンチルブロモベンゼンにもとづくグリニヤール化合物と、 次いで加水分解し、そして水除去することにより得られる〕の溶液を４０℃およ び１バールにおいて、１０％ｐｄ／Ｃ８ｆ上でＨ２Ｏ，２モルが吸収されるまで 水素添加する。これを次いで濾過し、蒸発させ、生成する異性体の混合物をクロ マトグラフィにより分離し、次いで結晶化させる。このようにして、ｒ−２−メ チル−ｔ−１−（ｐ−ｎ−ペンチルフェニル）−ｃ　−４−（トランス−４−ｎ −プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサンおよびｒ−２−メチル−ｃ−１− （ｐ−ｎ−ペンチルフェニル）−ｔ−４−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロ ヘキシル）−シクロヘキサンを得る。

同一方法をまた使用して、下記の化合物を製造する：２−メチルー１−（ｐ−ブ チルフェニル）−４−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキ サン２−メチル−１−（ｐ−プロピルフェニル）−４−（）ランス−４−プロピ ルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−エチルフェニル） −４−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル −１−（ｐ−メトキシフェニル）−４−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシ ル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−エトキシフェニル）−４−（）ラ ンス−４−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ− プロポキシフェニル）−４−（）う／スー４−プロピルシクロヘキシル）−シク ロヘキサ２−メチル−１−（ｐ−シアノフェニル）−４−（）ランス−４−プロ ピルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−エチルフェニル ）−４−（）ランス−４−ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル −１−（ｐ−プロピルフェニル）−４−（）ランス−４−ブチルシクロヘキシル ）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−ブチルフェニル）−４−（）ランス −４−ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−ペンチ ルフェニル）−４−（）ランス−４−ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−メトキシフェニル）−４−（）ランス−４−ブチルシク ロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−エトキシフェニル）−４ −（）ランス−４−ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１− （ｐ−プロポキシフェニル）−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）− シクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−ブトキシフェニル）−４−（）ランス−４−ブチルシク ロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−シアノフェニル）−４− （）ランス−４−ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ ｐ−エチルフェニル）−４−（）ランス−４−はブチルシクロヘキシル）−シク ロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−プロピルフェニル）−４−（）ランス−４− はブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−ブチルフェ ニル）−４−（）ランス−４−Ａ：ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２ −メチル−１−（ｐ−ペンチルフェニル）−４−（）ランス−４−Ａ：ブチルシ クロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−メトキシフェニル）− ４−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル− １−（ｐ−エトキシフェニル）−４−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル ）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−プロポキシフェニル）−４−（トラ ンス−４−はブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン ２−メチル−１−（ｐ−ブトキシフェニル）−４−（）ランス−４−ペンチルシ クロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−（ｐ−シアノフェニル）−４ −（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン例　３ ４−（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−２−メチルシクロヘキサ ノール２３．Ｅｌ（この化合物は相当するケトン化合物（例２の化合物）を水素 化リチウムアルミニウムで還元することにより得られる〕、ＮａＨ２，４２およ びジメトキシエタン１５０ｒｎｌの混合物をＮ２雰囲気下に約１６℃に加熱し、 硫酸ジエチルエステル１６ｔを次いで激しく攪拌しながら加える。前記温度で１ ２時間攪拌をつづけ、冷却した後に、反応混合物を次いで水性ＴＨＦにより加水 分解する。慣用の方法で仕上げ、ｒ−２−メチル−ｔ　−１−二トキシ−ｃ−４ −（）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサンおよびｒ− ２−メチル−ｃ−１−エトキシ−ｔ−４−（）、ランス−４−ｎ−プロピルシク ロヘキシル）−シクロヘキサンを得る。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：２−メチルー１−メトキシー４ −（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１ −プロポキシ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキサ ン２−メチル−１−ブトキシ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル） −シクロヘキサン２−メチル−１−メトキシ−４−（トランス−４−ブチルシク ロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−エトキシ−４−（トランス−４ −ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−プロポキシ−４− （トランス−４−プチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−ブ トキシ−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メ チル−１−メトキシ−４−（トランス−４−ぼブチルシクロヘキシル）−シクロ ヘキサン２−メチル−１−エトキシ−４−（トランス−４−Ａ：ブチルシクロヘ キシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−プロポキシ−４−（トランス−４− ペンチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−メチル−１−ブトキシ−４−（ トランス−４−Ａ′ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２−エチル−１− メトキシ−４−（トランス−４−はブチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン２ −エチル−１−エトキシ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−シ クロヘキサン２−エチル−１−プロポキシ−４−（トランス−４−はンチルゾク ロヘキシル）−シクロヘキサン２−エチル−１−ブトキシ−ｊ−（）ランス−４ −はンチルシクロヘキクル）−シクロヘキサン例　４ ＤＭＦ　５００−中のｐ−（２−メチに−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）− ベンズアミド２２９（この化合物は酸クロライドからＮ１（己を用いて得られる ；相当する酸化合物はフェニルマグネシウムプロミドを２−メチル−４−ｎ−プ ロピルシクロヘキサノン（例１）と反応させ、水を除去し、生成する二重結合を 水素添加し、塩化アセチルでフリーデル−クラフッアシル化し、次いでノ１０ホ ルム反応させることにより得られる〕の溶液にＰａｃｔｓ６５２を５０°で攪拌 しながら滴下して加えた。１時間さらに攪拌した後に、パッチを氷上に注ぎ入れ 、慣用の方法で仕上げ、ｐ−（２−メチル−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル） −ベンゾニトリルを得ル。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：ｐ−（２−メチル−４−エチル シクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（２−メチル−４−はメチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（２−メチ／Ｌ−−４−ヘキシルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル １）−（２−メーＦ−ルー４−へブチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（２−メチル−４−オクチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メチル−４−エチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メチル−４−ペンチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メチル−４−へキシルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メｆルー４−へブチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル ｐ−（３−メチル−４−オクチルシクロヘキシル）−ｐ−（２−メチル−４−ｎ −プロピルシクロヘキシル）−安息香酸（例５の化合物）　２０　ｔ　’ｒ：　 ５ＯＣ２２２４ｆとともに１時間沸とうさせ、混合物を蒸発乾燥させ、生成する 粗製酸クロリド化合物をトルエン１５０−に溶解し、ここにピリジン８ｔｎＩ！ 、およびエチルフェノールＬ５．２ｆを加え、混合物を２時間沸とうさせる。冷 却し、慣用の方法で仕上げ、ｐ−エチルフェニルｐ−（２−メチル−４−ｎ−プ ロビルシクロヘキシル）−ヘンシェードを得る。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：ｐ−−／ロピルフェニルｐ−（ ２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゾエート ′　ｐ−ブチルフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ハ ンゾエート ｐ−パンチルフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ヘン シェード ｐ−メトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ヘン シェード ｐ−エトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ベン ゾエート ｐ−プロポキシフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ヘ ンシェード ｐ−７’）キシフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ベ ンゾエート ｐ−シアノフェニルｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ハンゾ エート ｐ−プロピルフェニルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ヘンシ ェード ｐ−ブチルフェニルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ベンゾエ ート ｐ　−Ｒンチルフェニルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ベン ゾエート ｐ−メトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−７’、チルシクロヘキシル）−ベ ンゾエート ｐ−エトキシフェニルｐ−（２−メチル−ブチルシクロヘキシル）−（ンゾエー ト ｐ−プロポキシフェニルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ヘン シェード ｐ−ブトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ヘンシ ェード ｐ−シアノフェニルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ベンゾエ ート ｐ−プロピルフェニルｐ−（２−メチル−４−Ａ：メチルシクロヘキシル）−ヘ ンシェード ｐ−ブチルフェニルｐ−（２−メチル−４−インチルシクロヘキシル）−ヘンシ ェード ｐ−ペンチルフェニルｐ−（２−メチル−４−／’！：ンチルシクロヘキシル） −ベンゾエート ｐ−メトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−オクチルシクロヘキシル）−ベン ゾエート ｐ−エトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−／Ｚンチルシクロヘキシル）−ヘ ンシェード ｐ−プロポキシフェニルｐ−（２−メチル−４−ペンチルシクロヘキシル）−ヘ ンシェード ｐ−ブトキシフェニルｐ−（２−メチル−４−はメチルシクロヘキシル）−ヘン シェード ｐ−シアノア壬ニルｐ−（２−メチル−４−ベンチルシクロヘキシル）−ベンゾ エート トランス−４−エチルシクロヘキシルｐ−（２−メチル−４−インチルシクロヘ キシル）−ヘンシェードトランス−４−プロピルシクロヘキシルｐ−（２−メチ ル−４−Ａ：メチルシクロヘキシル）−ベンゾエートトランス−４−ブチルシク ロヘキシルｐ−（２−メチル−４−はメチルシクロヘキシル）−ヘンシェードト ランス−４−はメチルシクロヘキシルｐ−（２−メチル−４−−′２ンチルシク ロヘキシル）−ベンゾエート トランス−４−エチルシクロヘキシルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキ シル）−ヘンシェードトランス−４−プロピルシクロヘキシルｐ−（２−メチル −４−ブチルシクロヘキシル）−ヘンシェードトランス−４−ブチルシクロヘキ シルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル）−ヘンシェードトランス− ４−−？ンチルシクロヘキシルｐ−（２−メチル−４−ブチルシクロヘキシル） −ヘンシェードトランス−４−エチルシクロヘキシルｐ−（２−メチル−４−プ ロピルシクロヘキシル）−にンゾエートトランスー４−プロピルシクロヘキシル ｐ−（２−メチル−４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゾエートトランス−４ −ブチルシクロヘキシルｐ−＜２−メｆルー４−プロピルシクロヘキシル）−ベ ンゾエートトランス−４−ペンチルシクロヘキシルｐ−（２−メチル−４−プロ ピルシクロヘキシル）−ベンゾエート例　７ トランスー４−（４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキ サンカルボキシアミド１７７．５２〔この化合物は相当するカルボン酸化合物（ この化合物は順に、例１１の化合物からハロホルム分解および後続の水素添加に より得られる）から標準的方法により得られる〕をＣＨ２Ｃ２２１５０Ｔｎｔに 懸濁し、次いでＤＭＦ　１−を加える。塩化チオニル７．６−を沸とうしている 懸濁物に滴下して加え、パッチを４時間攪拌する。室温に冷却させた後に、反応 混合物を氷−水上にあけ、次いで慣用の方法で仕上げ、トランス−４−（４−ｎ −プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボニトリルを得 る。

同一方法を用いて、下記の化合物を製造するニドランス−４−（トランス−４− エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボニトリルトランス −４−（トランス−４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン カルボニトリルトランス−４−（トランス−４−ペンチルー２−メチルシクロヘ キシル）−シクロヘキサンカルボニトリルトランス−４−（トランス−４−へブ チル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボニトリル例　８ トランス−４−（４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキ サンカルボン酸２６．６９およびトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサノー ル１４．２９の混合物をトルエン中で、触媒量のｐ−）ルエンスルホン酸ととも に水分離器下に２時間加熱沸とうさせる。冷却後に、トルエン溶液なＮａ２ＣＯ ３溶液中で洗浄し、慣用の方法で仕上げ、トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘ キシルトランス−４−（、）ランス−４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキ シル）−シクロヘキサンカルボキシレートを得る。

同一方法を用いて、下記の化合物を製造するニドランス−４−エチルシクロヘキ シルトランス−４−（トランス−４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）− シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−ブチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−プロピル −２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トラ：ｙｘ−４−Ａ？ンチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−プ ロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレートトラン ス−４−エチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−エチル−２−メ チルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−プロピルシクロヘキシルトランス−４−（）ランス−４−エチル −２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−ブチルシクロヘキシルトランス−４−（）ランス−４−エチル− ２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−はメチルシクロヘキシルトランス−４−（）ランス−４−エチル −２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−エチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−ブチル− ２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−−１０ピルシクロヘキシルトランス−４−（）ランス−４−ブチ ル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−ブチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−ブチル− ２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−はメチルシクロヘキシルトランス−４−（）ランス−４−７’チ ル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−エチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−ペンチル ー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−プロピルシクロヘキシルトランス−４−（）ランス−４−、、＋ フチルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレートトラン ス−４−ブチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−ペンチル−２− メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−ｏｌチンシクロヘキシルトランス−４−（）：ｌｙンスー４−ペ ンチルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレートトラン ス−４−エチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−へブチル−２− メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−プロピルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−ヘプチ ル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート）　ランス −４−ブチルシクロヘキシルトランス−４−（トランス−４−ヘプチル−２−メ チルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレート トランス−４−／−！ｌｌｌチンシクロヘキシルトランス−４−（）：ＩＦンス ー４−ヘプチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサンカルボキシレー ト例　９ トルエン６００ｄ中のトランス−４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシ ル）−シクロヘキサンカルボニトリル１０８，７り（例７の化合物）の溶液をエ ーテル５０〇−中のＭｇ片１０．７ｆおよび１−ブロモペンタン６６．４９のグ リニヤール溶液にＮ２雰囲気下に加える。反応混合物からエーテルを留去し、反 応混合物を次いで８時間還流させる。冷却後に、パッチを半濃縮ＨＣ１で加水分 解し、次いで慣用の方法で仕上げて、トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロ ピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルｎ−はｌチンケトンを得る 。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：４−（４−７’ロピルー２−メ チルシクロヘキシル）−シクロヘキシルメチルケトン ４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルエチルケト ン ４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルプロピルケ ト／ ４−（４−プｏピルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルブチルケト ン ４−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシ〃メチルケトン ４−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルエチルケトン ４−（４−Ｌｆシル−−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルゾロビルケト ン ４−（４−ｃ−７−ルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルブチルケ トン ４−（４−’７’チルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルメチルケ トン ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルエテルケトン ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルプロピルケト ン ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルブチルケトン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルメチルケト ン ４−　（４−ヘンチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルエチルケ トン ４−（４−ａｙメチル２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシルプロピルケ トン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロベキシ／Ｉ／）−シクロヘキシルブチル ケトン 例　１０ ケトン化合物（例９の化合物）３２２、ヒドラジンヒトレート３Ｏ−１ＫＯＨ５ ３？およびジグリコール３０〇−の混合物を攪拌しながら沸とうするまで加熱し 、揮発性成分をフラスコ中の温度が約２００℃に達するまで反応混合物から留去 し、次いでヒドラジンを分解させる。反応混合物を次いで水上に注ぎ入れ、慣用 の方法で仕上げて、トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピル−２−メチル シクロヘキシル）−１−ｎ−へキシルシクロヘキサンを得る。

同一方法を用いて、下記の化合物を製造する：４−（４−プロピル−２−メチル シクロヘキシル）−１−エチルシクロヘキサン ４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−１−プロピルシクロヘキサ ン ４（４−プｏピルー２−メチルシクロヘキシル）−１−ブチルシクロヘキサン ４−（４−−／ロビルー２−メチルシクロヘキシル）−１−ペンチルシクロヘキ サン ４−（４−７’チル−２−メチルシクロヘキシル）−１−エチルシクロヘキサン ４−（４−’チルー２−メチルシクロヘキシル）−１−フロビルシクロヘキサン ４−（４−７’チル−２−メチルシクロヘキシル）−１−ブチルシクロヘキサン ４−（４−７’チル−２−メチルシクロヘキシル）−１−、＜ｌチンシクロヘキ サン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−エチルシクロヘキサン ４−（４−−？フチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−プロピルシクロヘキ サン ４−（４−−？フチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−ブチルシクロヘキサ ン ４−”（４−はンテルー２−メチルシクロヘキシル）−１，２−ジクロルエタン ４ｏｏｒｎｌ中（Ｄ　ＡＬｃｔｓ　１６Ｏｆの激しく攪拌されている懸濁液に塩 化アセチル８２ｆを水冷却しながら、水の不存在下に、滴下して加え、次いで２ ０Ｃにおいて、４−プロピル−２−メチルシクロヘキシルベンゼン２１４ｆ（こ の化合物は６−ブロビルー２−メチルシクロヘキサノンおよびブロモ〈ンゼンか らグリニヤール反応、後続の水除去および水素添加により得られる）を加える。

反応混合物を次いでさらに１時間攪拌し、次いで一夜にわたり放置する。ケトン ／塩化アルミニウム複合化合物を分解させるために、反応混合物を氷約５００− 上に注ぎ入れ、ここに・濃塩酸を次いで加える。有機層を分離採取し、慣用の方 法で仕上げ、４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−アセトフェノ ンを得る。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する＝４−（４−エチル−２−メチル シクロヘキシル）−アセトフェノン ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−アセトフェノン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−アセトフェノン ４−（４−へブチル−２−メチルシクロヘキシル）−４−（４−−／ロビルー２ −メチルシクーロヘキシル）−フエノーＡ？２３．２ｒ（この化合物は４−プロ ピル−２−メチルシクロヘキシルばンゼン（この化合物はブロモベンゼンと４− ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキサノンとのグリニヤール反応、後続の水除 去および二重結合の水素添加により得られる）から、ニトロ化、ニトロ基のアミ ンへの還元および後続の沸とう下におけるフェノールによるジアゾ化により得ら れる〕、Ｋ２Ｃ○ｓ６．９ｆｔ、ヨウ化ブチル１９７およびＤＭＦ２００−の混 合物を攪拌しながら８０℃で１６時間加熱し、次いで冷却させ、慣用の方法で仕 上げ、ｒ−１−ｐ−ブトキシフェニル−２−メチル−トランス−４−ｎ−プロピ ルシクロ、キサンを得る。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−ｐ−メトキシフェニルー２ −メチル−４−−ＩＯピルシクロヘキサン １−ｐ−エトキシフェニル−２−メチル−４−プロピルシクロヘキサン １−ｐ−プロポキシフェニル−２−メチル−４−プロピルシクロヘキサン １−ｐ−メトキシフェニル−２−メチル−４−エチルシクロヘキサン １−ｐ−エトキシフェニル−２−メチル−４−エチルシクロヘキサン １−ｐ−−／ツボキシフェニル−２−メチル−４−エチルシクロヘキサン １−ｐ−１’トキシフェニル−２−メチル−４−エチルシクロヘキサン １−ｐ−メトキシフェニル−２−メチル−４−ブチルシクロヘキサン １−ｐ−エトキシフェニル−２−メチル−４−ブチルシクロヘキサン １−ｐ−プロポキシフェニル−２−メチル−４−ブチルシクロヘキサン １−ｐ−ブ）キ、ジフェニルー２−メチルー４−ブチルシクロヘキサン １−ｐ−メトキシフェニル−２−メチル−４−ば７ｆルシクロヘキサン １−ｐ−エトキシフェニル−２−メチル−４−はメチルシクロヘキサン １−ｐ−プロポキシフェニル−２−メチル−４−ペンチルシクロヘキサン １−ｐ−ブトキシフェニル−２−メチル−４−ペンチルシクロヘキサン 例　１３ ４−トランス−（４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキ サノール２５．８ｔ＜この化合物は例１２からのフェノール化合物から水素添加 により製造される）、ＮａＨ２，４ｆおよびジメトキシエタン１５０ｍの混合物 をＮ２雰囲気下に約６００に加熱する。硫酸ジメチル１４９を次いで激しく攪拌 しながら滴下して加えた。

反応混合物を６０℃で１２時間攪拌し、次いで慣用の方法で仕上げ、トランス− ４−（トランス−４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−１−メトキ シシクロヘキサンを得る。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する＝４−（４−プロピル−２−メチ ルシクロヘキシル）−１−エトキシシクロヘキサン ４−（４−−／コピルー２−メチルシクロヘキシル）−１−プロポキシシクロヘ キサン ４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−１−ブトキシシクロヘキサ ン ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−１−メトキシシクロヘキサン ４−（４−７’チル−２−メチルシクロヘキシル）−１−エトキシシクロヘキサ ン ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−１−プロポキシシクロヘキサ ン ４−（４−２’チル−２−メチルシクロベキシルニー１−ブトキシシクロヘキサ ン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−メトキシシクロヘキサ ン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−！）キシシクロヘキサ ン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−プロポキシシクロヘキ サン ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−１−ブトキシシクロヘキサ ン 例　１４ ＴＨＦ５００−中の１−（ｐ−ペンチルフェニル）−４−（トランス−４−ｎ− プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキシ−１−二ン７２９（こ） 化合物は４−トランス−（４−トランス−ｎ−プロピル−２＝メチルシクロヘキ シル）−シクロヘキサノールから、ケトン化合物への酸化および４−ペンチルプ ロそベンゼンとのグリニヤール反応および後続の水除去により得られる〕の溶液 を１０％強度Ｐｄ／Ｃ８Ｐ上で４０℃および１バールにおいて、Ｈ２Ｏ，２モル が吸収されるまで水素添加する。反応を次いで濾過し、ｐ液を蒸発乾燥させ、生 成する異性体混合物をクロマトグラフィおよび結晶化によす分離し、トランス− １−ｐ−ｎ−ｇメチルフェニルー４−（）ランス−４−ｎ−プロピル−２−メチ ルシクロヘキシル）−シクロヘキサンを得ル。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−ｐ−ブチルフェニルー４− （４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−プロピ ルフェニル−４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサ ン１−ｐ−エチルフェニル−４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル） −シクロヘキサン１−ｐ−メトキシフェニル−４−（４−プロピル−２−メチル シクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−エトキシフェニル−４−（４−プロ ピル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−プロポキシフェニ ル−４−（４−−１／ロビル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１ −ｐ−ブトキシフェニル−４−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）− シクロヘキサン１−ｐ−シアノフェニル−４−（４−プロピル−２−メチルシク ロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−ブチルフェニル−４−（４−エチル−２ −メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−プロピルフェニル−４−（ ４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−エチルフェ ニル−４−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ −メトキシフェニル−４−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロ ヘキサン１−ｐ−エトキシフェニル−４−（４−エチル−２−メチルシクロヘキ シル）−シクロヘキサン１−ｐ−プロポキシフェニル−４−（４−エチル−２− メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−ブトキシフェニル−４−（４ −エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−シアノフェニ ル−４−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ− ブチルフェニル−４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキ サン・１−ｐ−プロピルフェニル−４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシ ル）−シクロヘキサン１−ｐ−エチルフェニル−４−（４−ブチル−２−メチル シクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−メトキシフェニル−４−（４−ブチ ル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−エトキシフェニル− ４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−プロ ポキシフェニル−４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキ サン１−ｐ−ブトキシフェニル−４−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル ）−シクロヘキサン１−ｐ−シアノフェニル−４−（４−ブチル−２−メチルシ クロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−ブチルフェニル−４−（４−Ａ？ンチ ルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−プロピルフェニル− ４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−エ チルフェニル−４−（４−＜ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキ サン１−ｐ−メトキシフェニル−４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシ ル）−シクロヘキサン１−ｐ−エトキシフェニル−４−（４−ペンチルー２−メ チルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−−／リボキシフェニル−４−（ ４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン１−ｐ−ブトキシ フェニル−４−（４−ベンチルー２−メチルシクロヘキシル）−シクロヘキサン １−ｐ−シアノフェニル−４−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）− シクロヘキサン例　１５ ４−はブチル−４’−（）う／ニー４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキシ ルアセチル）−ビフェニル４５グ〔この化合物は４−はブチルビフェニルのフリ ーデル−クラフッアシル化によるトランス−４−ｎ−プロピル−２−メチルシク ロヘキシルアセチルクロリドから得らレル。トランス−４−ｎ−プロピル−２− メチルシクロベキシル酢酸は４−プロピル−２−メチル安息香酸から接触水素添 加により、４−プロピル−２−メチルシクロヘキサンカルボン酸を生成させるこ とにより得られる。

次いで塩化チオニルと沸とうさせることにより異性体化し、Ｌ　ｉ　ＡＡＨ４で 速写すると、トランス−４−ｎ−プロピル−２−メチルシクロヘキシルメタノー ルが得られ、このトシレート化合物なＮａＣＮと反応させて、トランス−４−ｎ −プロピル−２−メチルシクロヘキシルアセトニトリルを生成させる。このニト リル化合物を加水分解すると、所望のカルボン酸化合物が得られる〕、８０％強 度ヒドラジンヒドレー）２０ｍｌおよびＫＯＨ２０りの混合物をジエチレングリ コール２４０ｄ中で２時間還流させる。還流凝縮器を次いで蒸留器具と取り替え 、温度を１９５〜２００℃に上げ、水を留去する。冷却後に、混合物を酸性の水 ３００−で稀釈し、トルエンで抽出する。有機相を水で繰返し洗浄し、次いで溶 媒を減圧で除去する。残留物をクロマトグラフィおよび結晶化により精製し、１ −（トランス−４−ｎ−７０ビル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’− ｎ−ペンチルビフェニル−４−イル）−二タンを得る。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する＝１−（４−−／コピルー２− メチルシクロベキヅル）−２−（４’−フチルビフェニル−４−イル）−エタン １−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−フロビルビフ ェニル−４−イル）−エタン１−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル） −２−（４’−エチルビフェニル−４・−イル）　−ｘ　ｐ　：ｙｌ−（４−プ ロピル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−メトキシビフェニル−４− イル）−エタン１−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’ −エトキシビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−プロピル−２−メチルシ クロヘキシル）−２−（４’−７’）キシビフェニル−４−イル）−エタン１− （４−／ロビルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−シアノビフェニル −４−イル）−エタン１−（４−−［−チル−２−メチルシクロヘキシル）−２ −（４’−７’チルビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−エチル−２−メ チルシクロヘキシル）−２−（４’−−／ロビルビフェニルー４−イル）−エタ ン１−（４−！チルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４′−エチルビフェ ニル−４−イル）−エタン１−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−２ −（４’−メ）キシビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−−１１−ルー２ −メチルシクロヘキシル）−２−（４／−エトキシビフェニル−４−イル）−二 タン１−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−ブトキシビ フェニル−４−イル）−二タン１−（４−エチル−２−メチルシクロヘキシル） −２−（４’−−７’チルビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−ブチル− ２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−１’ロピルビフェニル−４−イル） −エタン１−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−２＋　（４／−エチ ルビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−）−ＩＦ−ルー２−メチルシクロ ヘキシル）−２−（４／−メトキシビフェニル−４−イル）−二タン１−（４− ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−！）キシビフェニル−４− イル）−二タン１−（４−ブチル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’− −７’トキシビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−ブチル−２−メチルシ クロヘキシル）−２−（４１−シアノビフェニル−４−イル）−エタン１−（４ −ペンチル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−フチルビフ二二ルー４ −イル）−二タン１−（４−ば／チルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４ ’−−／コピルビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−−？フチルー２−メ チルシクロヘキシル）−２−（４’−エチルビフェニル−４−イル）　−ｘ　ｐ 　７１−＜ａ−＜フチルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−メトキシ ビフェニル−４−イル）−エタン１−（４−ぺ／チルー２−メチルシクロヘキシ ル）−２−（４’−エトキシビフェニル−４−イル）　−ｘ、　ｐ　７ｌ−（４ −−＜フチルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−））キシビフェニル −４−イル）−エタン１−（４−ペンチルー２−メチルシクロヘキシル）−２− （４’−シアノビフェニル−４−イル）−エタン例　１６ ＴＨＦ２００−中の４−はフチルー２−フルオル−４′−（トランス−４−ｎ− プロピル−２−メチルシクロヘキシルアセチル）−ビフェニル４１ｆ（この化合 物は２−フルオル−４−ベンチルービフェニルのフリーデル−クラフッアシル化 によるトランス−４−プロピル−２−メチルアセチルクロリドから得られる〕の 溶液を５０℃で５バールの加圧下に、ｐａ／ｃ　１２　ｒを存在させて水素添加 する。Ｈ２Ｏ０，２モルが吸収された後に、水素添加をやめ、反応混合物を濾過 し、溶媒を次いで減圧で除去する。

残留物をクロマトグラフィおよび結晶化により精製し、１−（）：７ンスー４− ｎ−１ロピルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−ｎ−ペンチルー２′ −フルオルビフェニル−４−イル）−エタンヲ生底すセル。

同一方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−（４−７’ロピルー２−メ チルシクロヘキシル）−２−（４’−ブチル−２′−フルオルビフェニル−４− イル）−エタン １−（４−’ロピルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−フロピルー２ ′−フルオルビフェニル−ａ　−イル）−エタン １−（４−−／ロビルー２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−エチル−２ ′−フルオルビフェニル−４−イル）−二タン １−（４−プロピル−２−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−メチル−２７ −フルオルビフェニル−４−イル）１−（ｐ−ペンチルフェニル）−２−オキソ −トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサン２８．４９［この化合物は１−（ ｐ−ペンチルフェニル）−４−プロビルフクロヘキセンから、ホウ素水素化、ホ ウ素化合物のアルカリ性Ｈ２Ｏ２による開裂および後続のアルコール化合物のピ リジニウムクロルクロメートによるケトン化合物への酸化により得られる〕およ びＤＡＳＴ　（ジエチルアミノサルファートリフルオライド）１３．３ｙの混合 物を８０℃まで除徐に加熱し、この温度で１時間攪拌する。冷却後に、混合物を 氷水上に注ぎ入れ、次いで塩化メチレンで抽出する。有機相を乾燥させた後に、 溶媒を除去し、残留物をクロマトグラフィにより精製して、ｒ−１−（ｐ−ｎ− ペンチルフェニル）−２，２−シアルオル−トランス−４−ｎ−プロピルシクロ ヘキサンを得る。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−（ｐ−ブチルフェニル） 　−２，２−ジノルオル−４−フロビルシクロヘキサン １−（ｐ−プロピルフェニル）　−２，２−ジフルオ今一４−プロピルシクロヘ キサン １−（ｐ−エチルフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−フロビルシクロヘキ サン １−（ｐ−メトキシフェニル）　−２，２−ジフルオルー４−プロピルシクロヘ キサン １−（ｐ−エトキシフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−プロピルシクロヘ キサン １−（ｐ−−／ロボキシフェニル）　−２１２−シアルオル−４−プロピルシク ロヘキサン １−（ｐ−シアノフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−フロビルシクロヘキ サン １−（ｐ−ブチルフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−ブチルシクロヘキサ ン １−（ｐ−−プロピルフェニル）−２，２−シフルオルー４−ブチルシクロヘキ サン １−（ｐ−エチルフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−ブチルシクロヘキサ ン １−（ｐ−メトキシフェニル）　−２，２−シアルオル−４−ブチルシクロヘキ サン １−（ｐ−エトキシフェニル）−２，２−ｕフルオル−４−ブチルシクロヘキサ ン １−（ｐ−プロポキシフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−ブチルシクロヘ キサン １−（ｐ−シアノフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−ブチルシクロヘキサ ン １−（ｐ−ブチルフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−ペンチルシクロヘキ サン １−（ｐ−プロピルフェニル）　−２，２−ジフルオルー４−インチルシクロヘ キサン １−（ｐ−エチルフェニル）　−２，２−ジノルオル−４−ペンチルシクロヘキ サン １−（ｐ−メトキシフェニル）　−２，２−ジフルオル−４−ペンチルシクロヘ キサン １−（ｐ−エトキシフェニル）　−２，２−ジフルオル−４＋　’ンチルシクロ ヘキサン １−（ｐ−プロポキシフェニル）　−２，２−ジフルオルー４−ペンチルシクロ ヘキサン １−（ｐ−シアノフェニル）　−２，２−ジノルオル−４トランスー４−ｎ−プ ロピル−２−ヒドロキシ−１−（ｐ−ペンチルフェニル）−シクロヘキサン２Ｂ 、８ｆ［この化合物は和尚するケトン化合物からＬｉ　ｋｔＨａによる還元によ り得られる〕およびＮａＨ２，４ｆのジメトキシエタン１５０コ中の混合物をＮ ２雰囲気下に６０６に加熱する。硫酸ジメチル１３ｆを激しく攪拌しながら徐々 に加え、攪拌を１２時間続ける。反応生成物を慣用の方法で仕上げ、生成物をク ロマトグラフィにより精製して、ｒ−１−（ｐ−ｎ−ヘンチルフェニル）−２− メトキシ−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンを得ル。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−（ｐ−ブチルフェニル） −２−メトキシ−４−プロピルシクロヘキサン １−（ｐ−プロピルフェニル）−２−メトキシ−４−プロピルシクロヘキサン １−（ｐ−エチルフェニル）−２−メトキシ−４−プロピルシクロヘキサン １−（ｐ−メトキシフェニル）−２−メトキシ−４−プロピルシクロヘキサン １−（ｐ−エトキシフェニル）−２−メトキシ−４−プロピルシクロヘキサン ｔ−（ｐ−プロポキシフェニル）−２−メトキシ−４０ビルシクロヘキサン １−（ｐ−ブチルフェニル）−２−メトキク−４−ブチルシクロヘキサン １−（ｐ−プロピルフェニル）−２−メトキシ−４−プチルシクロヘキサン １−（ｐ−エチルフェニル）−２−メトキシ−４−ブチルシクロヘキサン １−（ｐ−メトキシフェニル）−２−メトキシ−４−ブチルシクロヘキサン １−（ｐ−エトキシフェニル）−２−メトキシ−４−ブチルシクロヘキサン １−（ｐ−／ロボキシフェニル）−２−メトキシ−４−ブチルシクロヘキサン １−（ｐ−シアノフェニル）−２−メトキシ−４−ブチルシクロヘキサン １−（ｐ−ブチルフェニル）−２−メトキシ−４−はンチルシクロヘキサン １−（ｐ−プロピルフェニル）−２−メトキシ−４−ベンチルシクロヘキサン １−（ｐ−エチルフェニル）−２−メトキシ−４−ペンチルシクロヘキサン １−（ｐ−メトキシフェニル）−２−メトキシ−４−ペンチルシクロヘキサン １−（ｐ−エトキシフェニル）−２−メトキシ−４−ペンチルシクロヘキサン １−（ｐ−プロポキシフェニル）−２−メトキシ−４−はンチルシクロヘキサン １−（ｐ−シアノフェニル）−２−メトキシ−４−ぺブチルシクロヘキサン 例　１９ ＰＯＣ４３６５ｆをＤＭ、Ｆ’　５００−中の２−（ｐ−エチルフェニル）−５ −ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボキシアミド２４５′の溶液に５０°で攪拌 しながら滴下して加える。

さらに１時間攪拌した後に、反応混合物を氷上に注ぎ入れ、慣用の方法で仕上げ 、２−（ｐ−エチルフェニル）−５−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボニトリ ルを得る。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する弓２−（ｐ−−／ロビルフェニ ル）−５−−１／ロビルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−ブチルフェニル）−５−プロピルシクロヘキサンカルボ五トリル ２−（ｐ−−’：ンチルフェニル）−５−プロピルシクロヘキサンカルボニトリ ル ２−（ｐ−エチルフェニル）−５−７’チルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−プロピルフェニル）−５−−）’チルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−ブチルフェニル）−５−７’チルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−ペンチルフェニル）−５−７’チルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−エチルフェニル）　−Ｓ　−ヘンチルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−プロピルフェニル）−５−ペンチルシクロヘキサンカルボニトリル ２−（ｐ−ブチルフェニル）−Ｓ−ハフチルシクロヘキサ／カルボニトリル ２−（ｐ−はメチルフェニル’）　−５−−？ンチルシクロヘキサシカルボニト リル 例　２０ ピリジン１５７！中のｐ−シアンフェノール０．０１モルをピリジン１０ゴ中の ｒ＝２−メチル−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサン−シス−１−カル ボニルクロリド０．０１モル〔この化合物は文献の方法（Ｃｈｅｍ、　Ｂｅｒ。

１１６　（５）、１１８０頁［１９８３年］に記載されている）にょリンス−６ −メチル−４−カルボキシシクロヘキサノンから得られる〕の溶液に加え、反応 混合物を００で２０時間攪拌し、慣用の方法で仕上げ、ｐ−シアノフェニルｒ− ２−メチル−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサン−シス−１−カルボキ シレートを得る。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する：ｐ−エチルフフェニルー２− メｆルートランス−４−プロピルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレート ｐ−プロピルフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−フロビルシクロヘキサン −シス−１−カルボキシレート ｐ−ブチルフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−プロピルシクロヘキサン− シス−１−カルボキシレートｐ−ペンチルフェニルｒ−２−メチル−トランス− ４−フロビルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−メトキシフェニ ルｒ−２−メチル−トランス−４−フロビルシクロヘキサン−シス−１−カルボ キシレートｐ−エトキシフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−フロビルシク ロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−プロポキシフェニルｒ−２−メチ ル−トランス−４−プロピルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレート ｐ−ブトキシフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−プロピルシクロヘキサン −シス−１−カルボキシレートｐ−エチルフェニルｒ　−２−メｆルートランス ー４−ブチルシクロヘキサンーシス−１−カルボキシレートｐ−プロピルフェニ ルｒ−２−メチル−トランス−４−プチルシクロヘキサンーシス−１−カルボキ シレートｐ−ブチルフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ブチル７りロヘキ サンーシスー１−カルボキシレートｐ−ペンチルフェニルｒ−２−メチル−トラ ンス−４−ブチルシクロヘキサンーシスー１−カルボキシレートｐ−メトキシフ ェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ブチルシクロヘキサン−シス−１−カル ボキシレートｐ−エトキシフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ブチルシク ロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−プロポキシフェニルｒ−２−メチ ル−トランス−４−ブチルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−メ トキシフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ブチルシクロヘキサン−シス− １−カルボキシレートｐ−シアノフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ブチ ルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−エチルフェニルｒ−２−メ チル−トランス−４−はブチルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ −プロピルフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ペンチルシクロヘキサン− シス−１−カルボキシレートｐ−ブチルフェニルｒ−２−メチル−トランス−４ −ペンチルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−−＜ンチルフェニ ルｒ−２−メチル−トランス−４−ペンチルシクロヘキサン−シス−１−カルボ キシレートｐ−メトキシフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ペンチルシク ロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−エトキシフェニルｒ−２−メチル −トランス−４−ペンチルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレートｐ−プ ロピルフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−ペンチルシクロヘキサン−シス −１−カルボキシレート ｐ−−７’）キシフェニルｒ−２−メチル−トランス−４−はブチルシクロヘキ サン−シス−１−カルボキシレートｐ−シアノフェニルｒ−２−メチル〜トラン ス−４−ペンチルシクロヘキサン−シス−１−カルボキシレート例　２１ ａ）２，４，６−トリインプロビルベンゼンスルホニルヒドラジド１０５２をＴ ＨＦ６３０ｄ中の３−メチルシクロヘキサノン３６？の溶液に加え、混合物を室 温で２時間攪拌する。メタノール４５０−およびＫＣＮ　６５　Ｆを次いで加え 、混合物を２時間加熱還流させる。慣用の方法で仕上げ、次いで分別蒸留して、 ３−メチルシクロヘキサンカルボニトリルを得る。

ｂ）　ＴＨＦ１４０ｒｎｌ中の６−メチルシクロベキサンカルボニトリル１７９ の溶液にリチウムジイソプロピルアミド溶液（この溶液はＴＨＦ１４０ｍ／、ジ イソプロピルアミン１６ｔおよびヘキサ７９１．６モルブチルリチウム溶液１０ 〇−から製造される）を加え、次いで２時間後に、炭酸ジエチルエステル２５２ を加え、攪拌を１時間続ける。室温まで加熱し、氷水３００ｍ１上に注ぎ入れた 後に、混合物を稀塩酸で中性にする。慣用の方法で仕上げ、次いで蒸留して、エ チル３−メチル−１−シアノシクロヘキサンカルボキシレートを得る。

このエステル化合物をエタノール性水酸化カリウム溶液と加熱することにより加 水分解する。中和し、メチル第３ブチルエーテルで抽出し、次いで溶媒を留去し て、１−シアノ−３−メチルシクロヘキサンカルボン酸を得る。

ｃ）　ＣＨ２Ｃｌ２５０−中のジシクロへキシルカルボジイミド２３ｆの溶液を １−シ゛アノー３−メチルーシクロヘキサンカルボン酸１６９．４’−へキシル ビフェニル−４−オール２５グ、４−ジエチルアミノピリジン１．２９および塩 化メチレン２００−の混合物に室温で加え、混合物を２時間攪拌する。慣用の仕 上げを行ない、カラムクロマトグラフィ（シリカゲル／トルエン）および再結晶 により分離して、純粋な生成物４′−へキシルビフェニル−４−イル１−シアノ −３−メチルシクロヘキサンカルボキシレートを得る。ｍ、ｐ　：　ｓ　ｉｏ。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する：４′−エチルビフェニルー４ −イル１−シアノ−３−メチルシクロヘキサンカルボキシレート ４’−−／ロビルビフェニルー４−イル１−シアノ−３−メチルシクロヘキサン カルボキシレート４′−ブチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−メチルシ クロヘキサンカルボキシレート ４′−ハンチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−メチルシクロヘキサンカ ルボキシレート４′−へブチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−メチルシ クロヘキサンカルボキシレート ４′−エトキシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−メチルシクロヘキサンカ ルボキシレート４’−ｉロボキシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−メチル シクロヘキサンカルボキシレート４’−−７’）キシビフェニル−４−イル１− シアノ−３−メチルシクロヘキサンカルボキシレート４′−ペントキシビフェニ ル−４−イル１−シアノ−３−メチルシクロヘキサンカルボキシレート４′−ヘ キソキシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−／チルシクロヘキサンカルボキ シレート４′−へブトキシビフェニル−４−イル１−シアノ−５−メチルシクロ ヘキサンカルボキシレート４′−エチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３− エチルシクロヘキサンカルボキシレート ４’−フロビルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−エチルシクロヘキサンカ ルボキシレート４′−ブチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−エチルシク ロヘキサンカルボキシレート ４′−インチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−エチルシクロヘキサンカ ルボキシレート４′−へキシルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−エチルシ クロヘキサンカルボキシレート４′−へブチルビフェニル−４−イル１−シアノ ル３−ニチルシクロヘキサンカルボキシレート４′−エトキシビフェニル−４− イル１−シアノ−３−エチルシクロヘキサンカルボキシレート４’−−／ロポキ シビフェニルー４−イル１−シアノ−３−エチルシクロヘキサンカルボキシレー ト４′−ブトキシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−エチルシクロヘキサン カルボキシレート４′−ペントキシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−１ｆ ルシクロヘキサンカルボキシレート４′−ヘキソキシビフェニル−４−イル１− シアノ−３−エチルシクロヘキサンカルボキシレート４′−へシトキシビフェニ ル−４−イル１−シアノ−３−エチルシクロヘキサンカルボキシレート４′−エ チルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサンカルボキシレ ート ａ’−−１’ロビルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサ ンカルボキシレート４′−ブチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロル シクロヘキサンカルボキシレート ４′−ペンチルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサンカ ルボキシレート４′−へキクルビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロルシ クロヘキサンカルボキシレート４′−へブチルビフェニル−４−イル１−シアノ −３−クロルシクロヘキサンカルボキシレート４′−エトキシビフェニル−４− イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサンカルボキシレートａ’−ｉロボキシ ビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサンカルボキシレート ４’−７’）キシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサン カルボキシレート４′−ペントキシビフェニル−４−イル１−シアノ−３−クロ ルシクロヘキサンカルボキシレート４′−ヘキソキシビフェニル−４−イル１− シアノ−３−クロルシクロヘキサンカルボキシレート４′−へブトキシビフェニ ル−４−イル１−シアノ−３−クロルシクロヘキサンカルボキシレート例　２２ ３−メチルシクロヘキサンカルボニトリル３．１２およびＴＨＦ　５０　ｍ／の 混合物をリチウムジインプロピルアミドの溶液（この溶液はジイソプロピルアミ ン３．３Ｐ、ＴＨＦ３０ｒｎｌおよびヘキサン中１．６モルブチルリチウム溶液 １９−から製造される）に−７８°で加え、次いでＴＨＦ　３０　ｍｌ中の１− ブロモ−２−（４’−ハンチルビフェニル−４−イル）エタン９７７の溶液を加 える。例１のとおりに仕上げ、１−（ｉ−シアノ−３−メチルシクロヘキシル） −２−（４’−ペンチルビフェニル−４−イル）エタンを得る、ｍ、ｐ　：　７ ３°。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−（ｉ−シアノ−３−メチ ルシクロヘキシル）−２−（４／−エチルビフェニル−４−イル）−エタン１− （１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−フロビルビフェニル −４−イル）−エタン１−（１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２−（ ４’−）ｆルビフェニル−４−イル）−エタン１−（１−シアノ−３−メチルシ クロヘキシル）−２−（４／−ヘキシルビフェニル−４−イル）　−ｘ　ｐ　ｙ ｌ−（１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−ヘ−！＋ルビフ ェニルー４−イル）−二タン１−（１−シアノ−６−メチルシクロヘキシル）− ２−（４／−エトキシビフェニル−４−イル）−エタン１−（１−シアノ−３− メチルシクロヘキシル）−２−（４’−プロポキシビフェニル−４−イル）−エ タン１−（１−シアノ−６−メチルシクロヘキシル）−２−（４’−））キシビ フェニル−４−イル）−エタン１−（１−シアノ−５−メチルシクロヘキシル） −２、−（４／−、Ｊントキシビフェニル−４−イル）−エタン１−（１−シア ノ−６−メチルシクロヘキシル）−２−（４／−ヘキソキシビフェニル−４−イ ル）−エタン１−（１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２＋’　（４／ −へブトキシビフェニル−４−イル）−エタン１−（１−シアノ−３−エチルシ クロヘキシル）−２＋　（４１−エチルビフェニル−４−イル）−エタン１−（ １−シアノ−３−エチルシクロヘキシル）−２−（４’−フロビルビフェニル− ４−イル）−エタン１−（１−シアノ−６−エチルシクロヘキシル）−２−（４ ’−７’チルビフェニル−４−イル）−エタン１−（１−シアノ−６−エチルシ クロヘキシル）−２−（４／−、！：ンチルビフェニルー４−イル）−二タン１ −（１−シアノ−５−エチルシクロヘキシル）−２−（４／−へキシルビフェニ ル−４−イル）−二タン１−（１−シアノ−３−エチルシクロヘキシル）−２、 、、（４／−へブチルビフェニル−４−イル）−二タン１−（１−シアノ−３− エチルシクロヘキシル）−２−（４／−エトキシビフェニル−４−イル）−エタ ン１−（１−シアノ−３−エチルシクロヘキシル）−２−（，４／−、Ｐロボキ シビフェニル−４−イル）−二タン１−（１−シアノ−３−エチルシクロヘキシ ル）−２−（４’−’トキシビフェニルー４−イル）−エタ／１−（１−シアノ −３−エチルシクロヘキシル）−２−（４／−、：ントキシビフェニルー４−イ ル）−二タン１−（１−シアノ−５−エチルシクロヘキシル）−２−（４／−ヘ キソキシビフェニル−４−イル）−エタン１−（ｉ−シアノ−３−エチルシクロ ヘキシル）−２−（４／−ヘットキシビフェニル−４−イル）−エタン例　２３ 例２２の方法を使用し、１−ブロモ−２−（４−（４−はメチルシクロヘキシル ）フェニル−１−イル〕−エタンを３−メチルシクロヘキサンカルボニトリルと 反応させることにより１−（１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２−（ ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル−１−イルツーエタンを得る、ｍ 、ｐ：９２°。

同一の方法を使用して、下記の化合物を製造する：１−（１−シアノ−３−メチ ルシクロヘキシル）−２−（４−（４−、：ｒ−チルシクロヘキシル）−フェニ ル−１−イル〕エタン １−（１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２−（４−（４−プロピルシ クロヘキシル）−フェニル−１−イル〕エタン １−（１−シアノ−３−メチルシクロヘキシル）−２−（：４−（４−ブチルシ クロヘキシル）−フェニルー１−イル〕エタン １−（１−’／７／−５−メチルシクロヘキシル）−２−（４−（４−へキシル シクロヘキシル）−フェニル−１−イル〕エタン １−（１−シアノ−５−メチルシクロヘキシル）−２ここで、次側は式Ｉで示さ れる化合物の少なくとも一種を含有する液晶相の例でらる： 例　Ａ ｐ−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル１７％、 ｐ−（）ランス−４−ブチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル２２％、 ｐ−＜トランス−４−はメチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル２４％、 ｐ−（）ランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル１４％、 ４−エチル−４７−（）ランス−４−，２ンチルシクロヘキシル）−ビフェニル １８％および ２−メチル−１−（ｐ−はメチルフェニル）−４−（）ランス−４−プロピルシ クロヘキシル）−シクロヘキサン１５％、 よりなる液晶相を調製した。

例　Ｂ トランス−１−（ｐ−エトキシフエニ％）−４−−１／’ロピル７りロヘキサン １６％、 トランス−１−（ｐ−ブ）キシフェニル）−４−／ロピルシクロヘキサン１２％ 、 ｐ−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）−ヘンジニトリル１６％、 ｐ−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−にンゾニトリル２３％、 ｐ−（）＝ｌｙンスー４−ヘプチルシクロヘキシル）−にンゾニトリル１５％お よび ２−メチル−１−（ｐ−ペンチルフェニル）−４−（）ランス−４−プロピルシ クロヘキシル）−シクロヘキサン１８％、 よりなる液晶相を製造した。

国際調査報告 国際調査報告 Ａ３１ｉｉＥＸ　Ｔｏ　τニーＥ　ＺＮ丁二Ｒ，’ＪＡＴ：Ｃ’ｉＡＬ　ＳＥＡ ？、Ｃ：　ＲＥ？Ｏ？、τＯ＞１

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. １．式１ Ｒ１−Ａ１−Ｚ１−Ａ２−Ｒ２１ 〔式中Ｒ１およびＲ２はそれぞれ１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基であり 、これらの基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個のＣＨ２基 はＯ原子および（または）−ＣＯ−基および（または）−ＣＯ−Ｏ−基および（ または）−ＣＨ＝ＣＨ−基により置き換えられていてもよく、基Ｒ１およびＲ２ の一方はまたＨ、Ｆ、Ｃｅ、Ｂｒ、ＣＮまたはＲ３−Ａ３−Ｚ２−であり、Ａ１ は−Ａ−、Ａ４−Ａ−または−Ａ−Ａ４−であり、Ａはトランス−１，４−シク ロヘキシレン基であり、この基は２−、３−、５−および（または）６−位置に 置換基として１個または２個以上のＦおよび（または）Ｃｅおよび（または）Ｂ ｒおよび（または）ＣＮおよび（または）それぞれ１〜１０個のＣ原子を有する アルキル基またはフツ素化されたアルキル基で、それらの基中に存在する１個の ＣＨ２基または隣接してい互い２個のＣＨ２基はＯ原子および（または）−ＣＯ −基および（または）−ＣＯ−Ｏ−基により置き換えられていてもよいアルキル 基またはフツ素化アルキル基を有することができ、そして１−および（または） ４−位置にもまた置換基を有していてもよく、Ａ２、Ａ３およびＡ４はそれぞれ １，４−フエニレン基であり、この基は置換されていないかまたは置換基として １個または２個のＦおよび（または）Ｃｅ原子および（または）ＣＨ３基および （または）ＣＮ基を有し、そしてこの基中に存在する１個のＣＨ基または２個の ＣＨ基はまたＮ原子および（または）ＮＯにより置き換えられていてもよく；あ るいはＡ２、Ａ３およびＡ４は１，４−シクロヘキシレン基であり、この基は基 中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個のＣＨ２基がＯ原子によ り置き換えられていてもよく、あるいはＡ２、Ａ３およびＡ４は１，３−ジチア ンー２，５−ジイル、ピペリジン−１，４−ジイル、１，４−ビシクロ（２，２ ，２）オクチレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイルまたは１，２，３， ４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であり、Ｚ１およびＺ２はそれ ぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ Ｏ−または単結合であり、そしてＲ３はＨ、１〜１０個を有するアルキル基であ り、この基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個のＣＨ２基は またＯ原子および（または）−ＣＯ−基および（または）−ＣＯ−Ｏ−基および （または）−ＣＨ＝ＣＨ−基により置き換えられていてもよく、あるいはＦ、Ｃ ｅ、ＢｒまたはＣＮであり、但しＺ１＝−ＣＯ−Ｏ−の場合に、Ａ１は−ＣＯ− Ｏ−架橋に対してのβ−位置に赤道結合の置換基は有しない〕で示されるシクロ ヘキサン誘導体。
2. ２．請求の範囲１に記載の式１で示されるシクロヘキサン誘導体の製造方法であ つて、式１に相当するがＨ原子の代りに１個または２個以上の還元できる基およ び（または）Ｃ−Ｃ結合を有する化合物を還元剤で処理するか、または式１で示 されるエステル化合物を製造するために、相当するカルボン酸化合物あるいはそ の相当する反応性誘導体の一種を相当するアルコール化合物あるいはその反応性 誘導体と反応させるか、または式１で示されるジオキサン誘導体を製造するため に、相当するアルデヒド化合物を相当するジオール化合物と反応させるか、又は 式１で示されるニトリル化合物を製造するために相当するカルボキシアミド化合 物を脱水させるか、あるいは相当するハライド化合物をスルフアミドと反応させ ることを特徴とする製造方法。
3. ３．液晶相の構成成分としての、請求の範囲１に記載の式１で示される化合物の 使用。
4. ４．その中に存在する少なくとも１個のＣＨ２基が−ＣＨＣＮ−または−ＣＨハ ロゲン−基により置き換えられている縦方向に分極されている１，４−シクロヘ キシレン化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする少なくとも二種の 液晶構成成分を含む液晶相。
5. ５．少なくとも一種の構成成分が請求の範囲１に記載の式Ｉで示される化合物で あることを特徴とする請求の範囲４に記載の液晶相。
6. ６．請求の範囲４または５に記載の相を含むことを特徴とする液晶表示素子。
7. ７．誘電体が請求の範囲４または５に記載の相を含むことを特徴とする請求の範 囲６に記載の電気光学表示素子。