JPS6251497B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6251497B2 JPS6251497B2 JP56207580A JP20758081A JPS6251497B2 JP S6251497 B2 JPS6251497 B2 JP S6251497B2 JP 56207580 A JP56207580 A JP 56207580A JP 20758081 A JP20758081 A JP 20758081A JP S6251497 B2 JPS6251497 B2 JP S6251497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- copper
- silver
- gold
- metal part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/098—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
Landscapes
- Contacts (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電
子部品の改良に関するものである。 金はその優れた物理的性質により各種の電子部
品に広く利用されている。例えば半導体収納用セ
ラミツクパツケージに於いては、半導体チツプを
取着するダイアタツチ部、半導体チツプの電極と
外部リードとを接続するためのワイヤを取着する
ワイヤボンデイング部あるいは外部リード等があ
る。これらはセラミツクにメタライズを施こすこ
とにより形成された金属部上に、あるいは該メタ
ライズ金属上にロウ材を介し取着された外部リー
ドの表面にメツキ、蒸着、スパッタリング等によ
り金の層が形成されている。この金の層を形成す
る理由としては(i)高導電性、(ii)耐酸化性が良いこ
と、(iii)耐変色性（退腿色性）が高いこと、(iv)半導
体チツプのシリコン（Si）と容易に合金化しAu
−Si共晶合金を作つて堅固な接合強度を発揮する
こと等の金の特性が評価されているからである
が、下地の金属部に銀が含まれている場合、該銀
が金の層内を拡散して外表面に折出し、これが大
気中に含まれる硫化物と反応して灰黒色の硫化銀
を形成してしまい、その結果、金の層の表面が灰
黒色に変色するという欠点を有していた。 本発明者等は上記欠点に鑑み種々実験した結
果、銀が銅と容易に固溶体を形成することを利用
し、金の導電層の下地として銅を主成分とする層
を形成し、該銅に拡散する銀を反応させて固溶体
を形成させることにより、銀が金の層中に拡散す
ることを防止し、その結果、金の層表面における
変色が有効に防止されることを知見した。 本発明は上記知見に基づき金の層に変色が生じ
ず、金の層の輝かしい美感が損われない電子部品
を提供することをその目的とするものである。 本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電
子部品において、該金属部上に金の不地層として
銅を主成分とする金属層を形成したことを特徴と
するものである。 本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電
子部品であればいずれにも適用でき、例えばセラ
ミツク基板上に銀を含むメタライズ層が形成さ
れ、その上に金の層が形成されるような電子部
品、あるいは金属板表面に銀メツキ層が施され、
その上に金の層が形成されるような電子部品にも
適用できる。具体的にはハイブリツドIC用配線
基板、ICパツケージ基板、LED用基板、コンデ
ンサ、抵抗、マイクロスイツチ、コネクタープラ
グ等種々のものが挙げられる。 銀を含む金属部としては、銀層、銀−パラジウ
ム等の合金層があり、従来周知の薄膜手法、厚膜
手法、メツキ法を適宜選択して形成されている。 本発明においては、前記銀を含む金属部上に銅
を主成分とする下地層を形成することが重要であ
る。 銅を主成分とする下地層の形成方法としては、
銅の電解もしくは無電解メツキ法、銅、銅−スズ
合金、銅−亜鉛等の銅合金の厚膜手法或いは薄膜
手法が用いられるが、銀の金層への拡散防止の充
分な効果を期待するには銅合金よりも銅単独の下
地層の方が好ましい。 本発明の電子部品は前記下地層の上に金の層が
形成されることにより完成する。この形成方法は
従来品と同様に例えば金メツキであればよい。 次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する。 実施例 未ずアルミナ粉末に適当な溶媒を添加してセラ
ミツクグリーン（生）シートを形成し、これを約
1500℃の温度にて焼成してセラミツク基板を得、
該セラミツク基板上面にスクリーン印刷法により
銀−パラジウム合金（Ag：90wt％、pd：10wt
％）を印刷塗布し、酸化雰囲気中約850℃の温度
にて焼付け、銀を含む金属部を形成した。 次に前記焼付金属部上に銅の無電解メツキを施
こし、約1.0μの厚みの銅の金属層を形成し、更
に該銅の金属層上に金の無電解メツキを施こし、
約1.5μの厚みの金の層を形成して試料Ａを得
た。 この試料Ａを360個製作し、これらを濃度が
3PPMの硫化水素ガス中に投入し、投入後６時
間、28時間及び187時間を夫々経過した試料につ
いてその金の層表面を観察し、変色の発生度数及
びその発生率を測定した。その結果を表−１に示
す。 尚、試料Ｂは本発明の作用効果を比較するため
の試料であり、上述の製法において銅の金属層を
形成していないものである。
子部品の改良に関するものである。 金はその優れた物理的性質により各種の電子部
品に広く利用されている。例えば半導体収納用セ
ラミツクパツケージに於いては、半導体チツプを
取着するダイアタツチ部、半導体チツプの電極と
外部リードとを接続するためのワイヤを取着する
ワイヤボンデイング部あるいは外部リード等があ
る。これらはセラミツクにメタライズを施こすこ
とにより形成された金属部上に、あるいは該メタ
ライズ金属上にロウ材を介し取着された外部リー
ドの表面にメツキ、蒸着、スパッタリング等によ
り金の層が形成されている。この金の層を形成す
る理由としては(i)高導電性、(ii)耐酸化性が良いこ
と、(iii)耐変色性（退腿色性）が高いこと、(iv)半導
体チツプのシリコン（Si）と容易に合金化しAu
−Si共晶合金を作つて堅固な接合強度を発揮する
こと等の金の特性が評価されているからである
が、下地の金属部に銀が含まれている場合、該銀
が金の層内を拡散して外表面に折出し、これが大
気中に含まれる硫化物と反応して灰黒色の硫化銀
を形成してしまい、その結果、金の層の表面が灰
黒色に変色するという欠点を有していた。 本発明者等は上記欠点に鑑み種々実験した結
果、銀が銅と容易に固溶体を形成することを利用
し、金の導電層の下地として銅を主成分とする層
を形成し、該銅に拡散する銀を反応させて固溶体
を形成させることにより、銀が金の層中に拡散す
ることを防止し、その結果、金の層表面における
変色が有効に防止されることを知見した。 本発明は上記知見に基づき金の層に変色が生じ
ず、金の層の輝かしい美感が損われない電子部品
を提供することをその目的とするものである。 本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電
子部品において、該金属部上に金の不地層として
銅を主成分とする金属層を形成したことを特徴と
するものである。 本発明は銀を含む金属部上に金の層を有する電
子部品であればいずれにも適用でき、例えばセラ
ミツク基板上に銀を含むメタライズ層が形成さ
れ、その上に金の層が形成されるような電子部
品、あるいは金属板表面に銀メツキ層が施され、
その上に金の層が形成されるような電子部品にも
適用できる。具体的にはハイブリツドIC用配線
基板、ICパツケージ基板、LED用基板、コンデ
ンサ、抵抗、マイクロスイツチ、コネクタープラ
グ等種々のものが挙げられる。 銀を含む金属部としては、銀層、銀−パラジウ
ム等の合金層があり、従来周知の薄膜手法、厚膜
手法、メツキ法を適宜選択して形成されている。 本発明においては、前記銀を含む金属部上に銅
を主成分とする下地層を形成することが重要であ
る。 銅を主成分とする下地層の形成方法としては、
銅の電解もしくは無電解メツキ法、銅、銅−スズ
合金、銅−亜鉛等の銅合金の厚膜手法或いは薄膜
手法が用いられるが、銀の金層への拡散防止の充
分な効果を期待するには銅合金よりも銅単独の下
地層の方が好ましい。 本発明の電子部品は前記下地層の上に金の層が
形成されることにより完成する。この形成方法は
従来品と同様に例えば金メツキであればよい。 次に本発明を実施例に基づき詳細に説明する。 実施例 未ずアルミナ粉末に適当な溶媒を添加してセラ
ミツクグリーン（生）シートを形成し、これを約
1500℃の温度にて焼成してセラミツク基板を得、
該セラミツク基板上面にスクリーン印刷法により
銀−パラジウム合金（Ag：90wt％、pd：10wt
％）を印刷塗布し、酸化雰囲気中約850℃の温度
にて焼付け、銀を含む金属部を形成した。 次に前記焼付金属部上に銅の無電解メツキを施
こし、約1.0μの厚みの銅の金属層を形成し、更
に該銅の金属層上に金の無電解メツキを施こし、
約1.5μの厚みの金の層を形成して試料Ａを得
た。 この試料Ａを360個製作し、これらを濃度が
3PPMの硫化水素ガス中に投入し、投入後６時
間、28時間及び187時間を夫々経過した試料につ
いてその金の層表面を観察し、変色の発生度数及
びその発生率を測定した。その結果を表−１に示
す。 尚、試料Ｂは本発明の作用効果を比較するため
の試料であり、上述の製法において銅の金属層を
形成していないものである。
【表】
上記測定結果からも判るように、本発明の電子
部品によれば、その変色率が187時間経過後でも
3.6％と極めて低く、従来品に比して変色発生率
が大幅に低下している。 尚、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
部品によれば、その変色率が187時間経過後でも
3.6％と極めて低く、従来品に比して変色発生率
が大幅に低下している。 尚、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
Claims (1)
- １ 銀を含む金属部上に金の層を有する電子部品
において、該金属部上に金の下地層として銅を主
成分とする金属層を形成したことを特徴とする金
の層を有する電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207580A JPS58107656A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 金の層を有する電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207580A JPS58107656A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 金の層を有する電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107656A JPS58107656A (ja) | 1983-06-27 |
| JPS6251497B2 true JPS6251497B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=16542104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56207580A Granted JPS58107656A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 金の層を有する電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107656A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60136241U (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | 豊田合成株式会社 | ステアリングホイ−ル |
| JP3423855B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2003-07-07 | 株式会社デンソー | 電子部品搭載用構造体および電子部品の実装方法 |
| JP5367319B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-12-11 | 日本メクトロン株式会社 | キャパシタおよびその製造方法 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56207580A patent/JPS58107656A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107656A (ja) | 1983-06-27 |
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