JPS6252976A - アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルファスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS6252976A JPS6252976A JP60192525A JP19252585A JPS6252976A JP S6252976 A JPS6252976 A JP S6252976A JP 60192525 A JP60192525 A JP 60192525A JP 19252585 A JP19252585 A JP 19252585A JP S6252976 A JPS6252976 A JP S6252976A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、アモルファス太陽電池に関し、特に特性の
光劣化を抑制したアモルファス太陽電池に関するもので
ある。
光劣化を抑制したアモルファス太陽電池に関するもので
ある。
アモルファス太陽電池において、その光劣化特性を抑制
して信輔性を向上させるには、その内部応力を減少させ
ることが重要である（板垣他 第４６回応用物理学会講
演会予稿６０年１０月、中村他第１１回インターナショ
ナル コンファレンス アモルファス アンド リキッ
ド セミコンファレンス予稿６０年９月ローマ（Ｇ、’
Ｎａｋａｍｕｒａ ｅｔａｌ Ｐｒｏｃ。
して信輔性を向上させるには、その内部応力を減少させ
ることが重要である（板垣他 第４６回応用物理学会講
演会予稿６０年１０月、中村他第１１回インターナショ
ナル コンファレンス アモルファス アンド リキッ
ド セミコンファレンス予稿６０年９月ローマ（Ｇ、’
Ｎａｋａｍｕｒａ ｅｔａｌ Ｐｒｏｃ。
１１ｔｈ ＩＣＡＬＳ ）参照）。
従来のアモルファス太陽電池では、１２Ｈ６ａ−Ｓｉ：
Ｈ形成用主成分ガスとしてＳｉＨ４を用い、プラズマＣ
ＶＤ法によってｉ層を形成するようにしている。通常の
ＳｉＨ＊系ａ −Ｓｉ ： Ｈにおいては、比較的ＲＦ
パワー密度が低（、ＳｉＨ，供給量が多く、成膜速度の
小さい条件下で作製した膜で、水素結合状態として５ｉ
−Ｈ結合状態のみになった時に、良好な光導電特性が得
られることが知られているが、アモルファス膜中、圧縮
応力は主としてａ −Ｓｉ −Ｈ結合濃度に比例するた
め、その内部応力が非常に大きくなる。
Ｈ形成用主成分ガスとしてＳｉＨ４を用い、プラズマＣ
ＶＤ法によってｉ層を形成するようにしている。通常の
ＳｉＨ＊系ａ −Ｓｉ ： Ｈにおいては、比較的ＲＦ
パワー密度が低（、ＳｉＨ，供給量が多く、成膜速度の
小さい条件下で作製した膜で、水素結合状態として５ｉ
−Ｈ結合状態のみになった時に、良好な光導電特性が得
られることが知られているが、アモルファス膜中、圧縮
応力は主としてａ −Ｓｉ −Ｈ結合濃度に比例するた
め、その内部応力が非常に大きくなる。
以上のように従来のアモルファス太陽電池では、良好な
光導電特性を得ようとすると、内部応力が非常に大きく
なり、光劣化特性が顕著になるという問題があった。
光導電特性を得ようとすると、内部応力が非常に大きく
なり、光劣化特性が顕著になるという問題があった。
この発明は以上のような従来の問題点を解消するために
なされたもので、光導電特性を損なうことなく、光劣化
特性を抑制できるアモルファス太陽電池を提供すること
を目的としている。
なされたもので、光導電特性を損なうことなく、光劣化
特性を抑制できるアモルファス太陽電池を提供すること
を目的としている。
本願の第１の発明に係るアモルファス太陽電池は、原料
ガスとして５ｉｔＨｂガス又はＳｉＨ，とＳｉ、Ｈ。
ガスとして５ｉｔＨｂガス又はＳｉＨ，とＳｉ、Ｈ。
との混合ガスを用いて形成したｉ層、ｎ形ａ −Ｓｉ：
Ｈ又はｐ形ａ −３ｌ ： Ｈのうちの少なくとも１つ
を設けたものである。
Ｈ又はｐ形ａ −３ｌ ： Ｈのうちの少なくとも１つ
を設けたものである。
本願の第２の発明に係るアモルファス太陽電池は、Ｓｉ
２Ｈ４ガスを用いて形成した第１の層と、ＳｉＨ４系ａ
−３ｔ ： Ｈの第２の層とを交互に積み重ねて作製
されたｉ層、ｎ形ａ −３ｔ ： Ｈ又はｐ形ａ −Ｓ
ｉ：Ｈのうちの少なくとも１つを設けたものである。
２Ｈ４ガスを用いて形成した第１の層と、ＳｉＨ４系ａ
−３ｔ ： Ｈの第２の層とを交互に積み重ねて作製
されたｉ層、ｎ形ａ −３ｔ ： Ｈ又はｐ形ａ −Ｓ
ｉ：Ｈのうちの少なくとも１つを設けたものである。
本願の第３の発明に係るアモルファス太陽電池では、１
層にボロン、リンをドープするようにしたものである。
層にボロン、リンをドープするようにしたものである。
本願の第１の発明においては、Ｓｉ２Ｈｂガス又はこれ
とＳｉＨ，との混合ガスを用いるようにしたことから、
５ｔｌＨ６ガスのプラズマ雰囲気中での分解効率を適宜
選択することにより、膜中の５ｔ−Ｈｌあるいは（Ｓｔ
Ｉｈ） ｎ結合が増大し、５ｔ−Ｈ結合に起因する
圧縮応力と５ｔ−Ｈｌあるいは（Ｓｔ−Ｈ，） ｎ結合
に起因する引張応力とが相殺し合い、内部応力は大幅に
低減される。
とＳｉＨ，との混合ガスを用いるようにしたことから、
５ｔｌＨ６ガスのプラズマ雰囲気中での分解効率を適宜
選択することにより、膜中の５ｔ−Ｈｌあるいは（Ｓｔ
Ｉｈ） ｎ結合が増大し、５ｔ−Ｈ結合に起因する
圧縮応力と５ｔ−Ｈｌあるいは（Ｓｔ−Ｈ，） ｎ結合
に起因する引張応力とが相殺し合い、内部応力は大幅に
低減される。
本願の第２の発明においては、Ｓｉ２Ｈｉガスを用いた
第１の層とＳ ｉ Ｈ４を用いた第２の層を積層したこ
とから、第２の層中の圧縮応力は第１の層中の引張応力
の影響を受け、積層全体の内部応力は低減されるもので
ある。
第１の層とＳ ｉ Ｈ４を用いた第２の層を積層したこ
とから、第２の層中の圧縮応力は第１の層中の引張応力
の影響を受け、積層全体の内部応力は低減されるもので
ある。
本願の第３の発明においては、ｉＮにボロン。
リンをドープしたことから、ドープによって引張応力が
増大し、膜中の圧縮応力は影響を受けて内部応力は低減
されるものである。
増大し、膜中の圧縮応力は影響を受けて内部応力は低減
されるものである。
以下、本発明の基本的原理を述べ、併せて本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
Ｓｉ、Ｈ，系のａ −Ｓｔ ： Ｈ膜では、Ｓｔ ｚＨ
ｂガスのブの差によって、水素結合状態が変化し、分解
効率の高い膜ではその内部応力は５ｉ−Ｈ結合に基づく
圧縮応力であるが、分解効率の低下にともない、５ｉ−
Ｈ２あるいは（Ｓｔ−Ｈｚ） ｎ濃度が増加し、内部応
力は圧縮応力から引張応力まで連続的に変化する。
ｂガスのブの差によって、水素結合状態が変化し、分解
効率の高い膜ではその内部応力は５ｉ−Ｈ結合に基づく
圧縮応力であるが、分解効率の低下にともない、５ｉ−
Ｈ２あるいは（Ｓｔ−Ｈｚ） ｎ濃度が増加し、内部応
力は圧縮応力から引張応力まで連続的に変化する。
第１図にはＲＦパワー密度を一定にしてＳｉ、Ｈ。
流量を変化させた時の膜中応力の変化を、第２図にはＳ
ｉＨ４ガスを用いた時の最適成長条件下でＳｉＪ。
ｉＨ４ガスを用いた時の最適成長条件下でＳｉＪ。
ｍｏｌ比（ＳｉＪ４ ／ ＳｉＨ４＋Ｓｉ２Ｈａ ）を
増加させた時の膜中内部応力の変化、及び５ｉ−Ｈ，あ
るいは（Ｓｉ−Ｈ，） ｎ結合を多（含むような分解効
率が低い条件下で作成した〜４ Ｘ １０”ｄｙｎｅｓ
／ ｃｍ”程度の引張応力を持つａ−Ｓｉ：Ｈ膜（１）
と通常のＳｉＨ４系ａ−３ｔ ： Ｈで最適条件下で作
成した〜ｌ０ＸＩＯ’ ｄｙｎｅｓ／ｃｍｔ程度の圧縮
応力を持つ膜（ｎ）との薄膜積層構造で各積層膜の間隔
を変化させた時の内部応力の変化を示す。これらの多重
積層薄膜では、通常、〔Ｉ〕の膜が大きい光学的ギャッ
プ密度を持つため、そのキャリア伝導は良好な（ｎ）の
膜を通して起きるので、全体としてみた時ＣＩ）の膜中
（Ｓｔ−Ｈ２） ｎ結合状態の増加による膜質の低下は
少ない。
増加させた時の膜中内部応力の変化、及び５ｉ−Ｈ，あ
るいは（Ｓｉ−Ｈ，） ｎ結合を多（含むような分解効
率が低い条件下で作成した〜４ Ｘ １０”ｄｙｎｅｓ
／ ｃｍ”程度の引張応力を持つａ−Ｓｉ：Ｈ膜（１）
と通常のＳｉＨ４系ａ−３ｔ ： Ｈで最適条件下で作
成した〜ｌ０ＸＩＯ’ ｄｙｎｅｓ／ｃｍｔ程度の圧縮
応力を持つ膜（ｎ）との薄膜積層構造で各積層膜の間隔
を変化させた時の内部応力の変化を示す。これらの多重
積層薄膜では、通常、〔Ｉ〕の膜が大きい光学的ギャッ
プ密度を持つため、そのキャリア伝導は良好な（ｎ）の
膜を通して起きるので、全体としてみた時ＣＩ）の膜中
（Ｓｔ−Ｈ２） ｎ結合状態の増加による膜質の低下は
少ない。
第３図（ａｌ、 （ｂ）にＳｔ！Ｈ，流量を変化させた
膜、及び５ｉｔＨ，ｍｏｌｅ比を変化させた膜の赤外吸
収ピークの変化を一例として示すが、圧縮応力の減少、
引張応力の増加は、５ｔ−Ｉｔ結合に対応した２０９０
ｃｒ ’の吸収ピークの増加とよい対応を示しているこ
とが分る。
膜、及び５ｉｔＨ，ｍｏｌｅ比を変化させた膜の赤外吸
収ピークの変化を一例として示すが、圧縮応力の減少、
引張応力の増加は、５ｔ−Ｉｔ結合に対応した２０９０
ｃｒ ’の吸収ピークの増加とよい対応を示しているこ
とが分る。
また第４図に最適なＳｉＨ＆系ａ−Ｓｉ：Ｈ（圧縮応力
、ノンドープ膜で〜１ｏｘｘｏ’ ｄｙｎｅｓ ／ｃｎ
＋” ）及び引張応力（〜４ ＸＩＯ” ｄｙｎｅｓ
７ｃｍ” ）を持つ低い分解効率のＳｉ、Ｈ，系ａ −
３ｔ ： Ｈの各形成条件下でＢｚＨｉ、 Ｐｕｓの各
ドーピングーｏｌｅ比（対５ｉＨ４，対Ｓｉ２Ｈｉ ）
を変化させた時のａ −Ｓｉ ： Ｈ膜中の内部応力の
変化を示す、膜中、ボロン、リン濃度の増加に伴い、圧
縮応力の減少、引張応力の増加が起きることが分る。
、ノンドープ膜で〜１ｏｘｘｏ’ ｄｙｎｅｓ ／ｃｎ
＋” ）及び引張応力（〜４ ＸＩＯ” ｄｙｎｅｓ
７ｃｍ” ）を持つ低い分解効率のＳｉ、Ｈ，系ａ −
３ｔ ： Ｈの各形成条件下でＢｚＨｉ、 Ｐｕｓの各
ドーピングーｏｌｅ比（対５ｉＨ４，対Ｓｉ２Ｈｉ ）
を変化させた時のａ −Ｓｉ ： Ｈ膜中の内部応力の
変化を示す、膜中、ボロン、リン濃度の増加に伴い、圧
縮応力の減少、引張応力の増加が起きることが分る。
以上のことから、ａ −５ｔ ： Ｈ膜中の圧縮応力は
、・・・（１） の関係を持つことが分った。膜中応力は特性の光劣化を
促進し信鎖性の低下を招くが、特にａ −Ｓｉ：Ｈ膜中
の圧縮応力の緩和に有効に作用する５ｉ−Ｈ，結合濃度
そのものは、光導電特性への影響も少なく、又応力の及
ぼす光電特性そのものの低下要因も考えるられることか
ら、上記方法、特に５ｔ−Ｈ，濃度の制御による応力緩
和は高品質、高信頼性アモルファス膜、即ちアモルファ
ス太陽電池の高品質化の可能性を持っている。
、・・・（１） の関係を持つことが分った。膜中応力は特性の光劣化を
促進し信鎖性の低下を招くが、特にａ −Ｓｉ：Ｈ膜中
の圧縮応力の緩和に有効に作用する５ｉ−Ｈ，結合濃度
そのものは、光導電特性への影響も少なく、又応力の及
ぼす光電特性そのものの低下要因も考えるられることか
ら、上記方法、特に５ｔ−Ｈ，濃度の制御による応力緩
和は高品質、高信頼性アモルファス膜、即ちアモルファ
ス太陽電池の高品質化の可能性を持っている。
また（１）式より、ボロン、リン等の各濃度による引張
応力成分と、ＳｉＨ４系５ｔ−Ｓｔ ： Ｈ又はＳｉＨ
４系ａ−Ｓｔ ： Ｈの各プラズマ成膜条件の選択、制
御によって調整可能な圧縮応力成分とを相殺させて、ｐ
−１−ｎ構造、もしくはｐ−１−ｎ／・・・・・・／ｐ
−３−ｎ多層構造のアモルファス太陽電池全体をスト
レスフリーな構造にすることが可能であることが分る。
応力成分と、ＳｉＨ４系５ｔ−Ｓｔ ： Ｈ又はＳｉＨ
４系ａ−Ｓｔ ： Ｈの各プラズマ成膜条件の選択、制
御によって調整可能な圧縮応力成分とを相殺させて、ｐ
−１−ｎ構造、もしくはｐ−１−ｎ／・・・・・・／ｐ
−３−ｎ多層構造のアモルファス太陽電池全体をスト
レスフリーな構造にすることが可能であることが分る。
以上のような本発明の原理に基づき、次のようなアモル
ファス太陽電池を作成することができる。
ファス太陽電池を作成することができる。
（ｉ）アモルファス太陽電池のｔｉを、プラズマＣＶＤ
法による通常の５ｉ）Ｉｔガスを用いた条件下において
、ＳｉＨ４ガスをｉ層ａ −Ｓｔ ： Ｈ形成用主成分
ガスとして用いる代わりにＳｉＨ４と５ｉｚＨ，ガスと
の混合ガス雰囲気中でＳｉ、Ｈ，ガスのモル比（Ｓｔ２
Ｈ６／５ｉ）Ｉｎ ＋Ｓｉ２Ｈ６）を２．５〜１５ ｍ
ｏｌ／％の範囲で作成し、ｉ層の内部応力を低減して、
光劣化特性を抑制する。
法による通常の５ｉ）Ｉｔガスを用いた条件下において
、ＳｉＨ４ガスをｉ層ａ −Ｓｔ ： Ｈ形成用主成分
ガスとして用いる代わりにＳｉＨ４と５ｉｚＨ，ガスと
の混合ガス雰囲気中でＳｉ、Ｈ，ガスのモル比（Ｓｔ２
Ｈ６／５ｉ）Ｉｎ ＋Ｓｉ２Ｈ６）を２．５〜１５ ｍ
ｏｌ／％の範囲で作成し、ｉ層の内部応力を低減して、
光劣化特性を抑制する。
（ｉｉ）ｉ層を、プラズマＣＶＤ法による通常のＳｉＨ
＃ガスを用いた条件下でＳｉＨ＊ガスをＳｉ、Ｈ，ガス
に代えて形成し、その時、ＳｉＨ４ガスと比較してその
流量の減少によりｉ層中の内部応力が最少になるように
作成して、光劣化特性を抑制する。
＃ガスを用いた条件下でＳｉＨ＊ガスをＳｉ、Ｈ，ガス
に代えて形成し、その時、ＳｉＨ４ガスと比較してその
流量の減少によりｉ層中の内部応力が最少になるように
作成して、光劣化特性を抑制する。
（ｉｉｉ） ＳｉＪ＆ガスを用いて低パワー、高流量条
件下で作成したｔｅｎｓｉｌｅな内部応力を持つｉ層（
Ｉ）とＲＦパワー、流量等の最適な条件下で作成したＳ
ｉｎ、系ａ −Ｓｔ ｓ Ｈｉ層（Ｉ［）を１５〜３０
０人ステップで交互に積み重ねてｉ層を作成し、１層主
励起キャリア発生領域を持つアモルファス太陽電池を製
造できる。
件下で作成したｔｅｎｓｉｌｅな内部応力を持つｉ層（
Ｉ）とＲＦパワー、流量等の最適な条件下で作成したＳ
ｉｎ、系ａ −Ｓｔ ｓ Ｈｉ層（Ｉ［）を１５〜３０
０人ステップで交互に積み重ねてｉ層を作成し、１層主
励起キャリア発生領域を持つアモルファス太陽電池を製
造できる。
（ｉｖ）上記（ｉ）〜（ｉｉｉ ）の膜で、ボロン、リ
ンをドーピングする一方、このボロン、リンのドーピン
グによって増加する引張応力成分が上記（ｉ）〜（ｉｉ
ｉ ）で述べた各ｉ層の成長条件の選択によって制御可
能な圧縮応力成分と等しくなるようにｎ形ａ−ｓｔ：）
Ｉ、ｐ形ａ −Ｓｔ ： Ｈ及び微量ボロン。
ンをドーピングする一方、このボロン、リンのドーピン
グによって増加する引張応力成分が上記（ｉ）〜（ｉｉ
ｉ ）で述べた各ｉ層の成長条件の選択によって制御可
能な圧縮応力成分と等しくなるようにｎ形ａ−ｓｔ：）
Ｉ、ｐ形ａ −Ｓｔ ： Ｈ及び微量ボロン。
リンドープｉｌを作製し、これらによってアモルファス
太陽電池を構成する。
太陽電池を構成する。
（ｖ）上記（ｉｖ）で述べたｎ＠ａ −Ｓｉ ： Ｈ，
ｐ形ａ −Ｓｉ ： Ｈあるいは微量ボロン、リンドー
プｌ屡のうちの少なくとも一種類以上のアモルファス層
によってアモルファス太陽電池を構成する。
ｐ形ａ −Ｓｉ ： Ｈあるいは微量ボロン、リンドー
プｌ屡のうちの少なくとも一種類以上のアモルファス層
によってアモルファス太陽電池を構成する。
以上のように、本発明に係るアモルファス太陽電池によ
れば、Ｓｉ、Ｈ，ガスを用いて膜中の５ｉ−Ｈ２又は（
Ｓｉ Ｈり ｎ結合を増大させ、あるいはボロン、リ
ンをドープさせ、これらによって引張応力を増大させて
５ｔ−ｎ結合に起因する圧縮応力と相殺させるようにし
たので、膜中の内部応力を大幅に低減できる効果がある
。
れば、Ｓｉ、Ｈ，ガスを用いて膜中の５ｉ−Ｈ２又は（
Ｓｉ Ｈり ｎ結合を増大させ、あるいはボロン、リ
ンをドープさせ、これらによって引張応力を増大させて
５ｔ−ｎ結合に起因する圧縮応力と相殺させるようにし
たので、膜中の内部応力を大幅に低減できる効果がある
。
第１図ないし第４図は本発明の詳細な説明するための図
で、第１図はＳｉ２Ｈ６流量を変化させた時の内部応力
の変化を示す図、第２図は５ｉｚＨ６／Ｓｉ’ｄａ ＋
ｓｉ！Ｌモル比を変化させた膜の内部応力の変化、及び
Ｓｉ２Ｈ６系ａ −Ｓｔ ： ＨとＳｉＨ４系ａ −Ｓ
ｔ ： Ｈ膜を交互に積み重ね、各厚みを変化させた時
の膜中応力の変化を示す図、第３図（ａ） （ｂｌは各
々第１図及び第２図で示したアモルファス膜の赤外吸収
の測定結果を示す図、第４図はボロン、リンのドーピン
グレベルの及ぼす膜中応力への影響を示した図である。
で、第１図はＳｉ２Ｈ６流量を変化させた時の内部応力
の変化を示す図、第２図は５ｉｚＨ６／Ｓｉ’ｄａ ＋
ｓｉ！Ｌモル比を変化させた膜の内部応力の変化、及び
Ｓｉ２Ｈ６系ａ −Ｓｔ ： ＨとＳｉＨ４系ａ −Ｓ
ｔ ： Ｈ膜を交互に積み重ね、各厚みを変化させた時
の膜中応力の変化を示す図、第３図（ａ） （ｂｌは各
々第１図及び第２図で示したアモルファス膜の赤外吸収
の測定結果を示す図、第４図はボロン、リンのドーピン
グレベルの及ぼす膜中応力への影響を示した図である。
Claims (7)
- （１）アモルファス太陽電池において、Ｓｉ＿２Ｈ６ガ
ス又はＳｉＨ＿４とＳｉ＿２Ｈ＿６との混合ガスを用い
てプラズマＣＶＤ法により作製した１層、ｎ形ａ−Ｓｉ
：Ｈ又はｐ形ａ−Ｓｉ：Ｈのうち少なくとも１つ有する
ことを特徴とするアモルファス太陽電池。 - （２）上記ｉ層は、プラズマＣＶＤ法による通常のＳｉ
Ｈ＿４ガスを用いたｉ層形式条件下において、ＳｉＨ＿
４ガスをｉ層ａ−Ｓｉ：Ｈ形成用主成分ガスとして用い
る代りにＳｉＨ＿４とＳｉ＿２Ｈ＿６との混合ガス雰囲
気中で、Ｓｉ＿２Ｈ＿６ガスのモル比（Ｓｉ＿２Ｈ＿６
／ＳｉＨ＿４＋Ｓｉ＿２Ｈ＿６）が２．５〜１５ｍｏｌ
／％の範囲で作製されたものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のアモルファス太陽電池。 - （３）上記ｉ層は、プラズマＣＶＤ法による通常のＳｉ
Ｈ＿４ガスを用いたｉ層成長条件下でＳｉＨ＿４ガスを
Ｓｉ＿２Ｈ＿６ガスに代えて形成する時に、ＳｉＨ＿４
ガスに比較してその流量の減少によって内部応力が最少
になるように作製されたものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のアモルファス太陽電池。 - （４）アモルファス太陽電池において、Ｓｉ＿２Ｈ＿６
ガスを用いて形成された第１の層と、ＳｉＨ＿４系ａ−
Ｓｉ：Ｈの第２の層とを交互に積み重ねて作製されたｉ
層、ｎ形ａ−Ｓｉ：Ｈ又はｐ形ａ−Ｓｉ：Ｈのうちの少
なくとも１つを有することを特徴とするアモルファス太
陽電池。 - （５）上記ｉ層は、第１の層が低パワー、高流量条件下
で作製されて引張応力を持つものであり、第２の層がＲ
Ｆパワー、流量等の最適条件下で作製されたものであり
、第１、第２の層は１５〜３００Åステップで積み重ね
られていることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
のアモルファス太陽電池。 - （６）アモルファス太陽電池において、ｉ層にボロン、
リンがドーピングされていることを特徴とするアモルフ
ァス太陽電池。 - （７）上記ボロン、リンは、そのドーピングによって増
加する引張応力成分がｎ形ａ−Ｓｉ：Ｈ、ｐ形ａ−Ｓｉ
：Ｈあるいはｉ層の圧縮応力成分と等しくなるようにド
ーピングされていることを特徴とする特許請求の範囲第
６項記載のアモルファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192525A JPH0634404B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192525A JPH0634404B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252976A true JPS6252976A (ja) | 1987-03-07 |
| JPH0634404B2 JPH0634404B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=16292733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192525A Expired - Fee Related JPH0634404B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634404B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60192525A patent/JPH0634404B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634404B2 (ja) | 1994-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |