JPS6252978A - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPS6252978A JPS6252978A JP60192532A JP19253285A JPS6252978A JP S6252978 A JPS6252978 A JP S6252978A JP 60192532 A JP60192532 A JP 60192532A JP 19253285 A JP19253285 A JP 19253285A JP S6252978 A JPS6252978 A JP S6252978A
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- Japan
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- resin
- light emitting
- epoxy resin
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- emitting device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子と受光素子とを光学的に連結して信
号を伝達する装置すなわち、光結合装置に関し、特に発
光素°子と受光素子とをほぼ同一平面上配置し、かつ信
号の媒体となる光を受光素子に到達させる光連結部を樹
脂によシ形成し、外装を樹脂モールドして成る光結合装
置に関する。
号を伝達する装置すなわち、光結合装置に関し、特に発
光素°子と受光素子とをほぼ同一平面上配置し、かつ信
号の媒体となる光を受光素子に到達させる光連結部を樹
脂によシ形成し、外装を樹脂モールドして成る光結合装
置に関する。
光結合装置は、入力側、すなわち発光素子側と出力側、
すなわち、受光素子側とを電気的に完全に分離できる利
点がある為、入出力間に高い絶縁耐圧が要求される場合
に用いられる。現在、光結合装置には発光素子と受光素
子とをほぼ同一平面上に配置した方式と、両素子を対向
配置した方式とがあるが、小型モールドパッケージにお
いては対向配置は、両素子を必然的に接近して配置しな
ければならず、入出方間絶縁耐圧が低くなる。コンパク
ト化が要求されて、電子デバイスも小型パッケージ化が
進んでいる現在においては、入出方間絶縁耐圧に関する
限シ、発光素子と受光素子とをほぼ同一平面上に配置し
た方式の光結合装置の重要度が増している。
すなわち、受光素子側とを電気的に完全に分離できる利
点がある為、入出力間に高い絶縁耐圧が要求される場合
に用いられる。現在、光結合装置には発光素子と受光素
子とをほぼ同一平面上に配置した方式と、両素子を対向
配置した方式とがあるが、小型モールドパッケージにお
いては対向配置は、両素子を必然的に接近して配置しな
ければならず、入出方間絶縁耐圧が低くなる。コンパク
ト化が要求されて、電子デバイスも小型パッケージ化が
進んでいる現在においては、入出方間絶縁耐圧に関する
限シ、発光素子と受光素子とをほぼ同一平面上に配置し
た方式の光結合装置の重要度が増している。
従来のほぼ同一平面上に発光素子と受光素子とを配置し
た光結合装置の構造を第３図の断面図に示す。ほぼ同一
平面上にそれぞれ素子載置部１ａおよび２ａを有する１
対のリード端子１と２の該素子載置部の上に１発光素子
３と受光素子４をそれぞれ配置し、透明樹脂９で包覆し
、その外側を表面反射率の高い樹脂１０でおおい、さら
にその外周を樹脂１１でモールドした構造となっている
。
た光結合装置の構造を第３図の断面図に示す。ほぼ同一
平面上にそれぞれ素子載置部１ａおよび２ａを有する１
対のリード端子１と２の該素子載置部の上に１発光素子
３と受光素子４をそれぞれ配置し、透明樹脂９で包覆し
、その外側を表面反射率の高い樹脂１０でおおい、さら
にその外周を樹脂１１でモールドした構造となっている
。
この構造での光伝達機能は、第３図に示す透明樹脂９と
表面反射率の高い樹脂１０との界面で発光素子３から発
せられた光を反射させることによって受光素子４に到達
させ、信号を伝達させる。従って、通常は光を反射させ
る樹脂界面ははがれが発生しない様に透明樹脂９と表面
反射率の高い樹脂１０には熱膨張係数の極めて近い同一
系統の樹脂が用いられる。透明樹脂９と表面反射率の高
い樹脂１０にはおもにシリコン系樹脂が用いられ、通常
はボッティング婢の方法で樹脂を滴下し、キエアさせる
ことＫよって光連結部９が形成される。
表面反射率の高い樹脂１０との界面で発光素子３から発
せられた光を反射させることによって受光素子４に到達
させ、信号を伝達させる。従って、通常は光を反射させ
る樹脂界面ははがれが発生しない様に透明樹脂９と表面
反射率の高い樹脂１０には熱膨張係数の極めて近い同一
系統の樹脂が用いられる。透明樹脂９と表面反射率の高
い樹脂１０にはおもにシリコン系樹脂が用いられ、通常
はボッティング婢の方法で樹脂を滴下し、キエアさせる
ことＫよって光連結部９が形成される。
また外装樹脂１１には一般にエポキシ系樹脂が用いられ
、トランスファーモールド等の方法によって成形される
。
、トランスファーモールド等の方法によって成形される
。
前述の様に、光結合装置の重要な特性の１つに入出方間
絶縁耐圧があるが、第３図に示す従来の光結装置の場合
、光連結部を形成するシリコン系樹脂と、外装樹脂であ
るエポキシ系樹脂とは熱膨張係数が著しく異なる為、そ
の界面における両樹脂の密着性は極めて悪く、入力側導
電部から出力側導電部に至るはがれが発生しやすく、そ
のはがれ界面を通して絶縁破壊が発生する。従って、こ
の構造で入出方間絶縁耐圧を向上させるにはシリコン系
の樹脂の量を多くして、エポキシ系樹脂トの界面距離を
長くすればよいが、これは以下に述べる様な不具合を引
き起こし、本質的な解決にはならなかった。すなわち、
光結合装置は光連結部が必要不可欠な為、モールドパッ
ケージ内にシリコン樹脂等を包含することになり、モー
ルドパッケージ内にシリコン樹脂等を含む必要のないＩ
Ｃなどと比べると、同形状同寸法であっても、光結合装
置はＩＣよシも耐湿性が劣る。このことは、とシもなお
さず、光連結部のシリコン系樹脂は量が少ない方が耐湿
性が向上することを示す。従って、界面距離を長くする
為に、シリコン系樹脂の量を多くすることは耐湿性の劣
化を招くことになる。
絶縁耐圧があるが、第３図に示す従来の光結装置の場合
、光連結部を形成するシリコン系樹脂と、外装樹脂であ
るエポキシ系樹脂とは熱膨張係数が著しく異なる為、そ
の界面における両樹脂の密着性は極めて悪く、入力側導
電部から出力側導電部に至るはがれが発生しやすく、そ
のはがれ界面を通して絶縁破壊が発生する。従って、こ
の構造で入出方間絶縁耐圧を向上させるにはシリコン系
の樹脂の量を多くして、エポキシ系樹脂トの界面距離を
長くすればよいが、これは以下に述べる様な不具合を引
き起こし、本質的な解決にはならなかった。すなわち、
光結合装置は光連結部が必要不可欠な為、モールドパッ
ケージ内にシリコン樹脂等を包含することになり、モー
ルドパッケージ内にシリコン樹脂等を含む必要のないＩ
Ｃなどと比べると、同形状同寸法であっても、光結合装
置はＩＣよシも耐湿性が劣る。このことは、とシもなお
さず、光連結部のシリコン系樹脂は量が少ない方が耐湿
性が向上することを示す。従って、界面距離を長くする
為に、シリコン系樹脂の量を多くすることは耐湿性の劣
化を招くことになる。
本発明は、光連結部も外装樹脂と同系統のエポキシ系樹
脂で形成することにより、入力側導電部から出力側導電
部に至る樹脂界面はがれを発生しにくくさせて入出方間
絶縁耐圧の向上を図るものである。
脂で形成することにより、入力側導電部から出力側導電
部に至る樹脂界面はがれを発生しにくくさせて入出方間
絶縁耐圧の向上を図るものである。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２因は第１図の
光結合装置の工程途中の平面図である。
光結合装置の工程途中の平面図である。
第１図と第２図において、１および２は一対のリード端
子であって、それぞれの素子載置部１ａおよび２ａはｔ
ｌぼ同一平面上に並んでいる。そして、素子載置部１ａ
には発光素子３が、素子載置部２ａには受光素子４がそ
れぞれマウントされた後、金線５でワイヤボンデ“イン
グが行われ、それから、発光素子３の表面をシリコン系
樹脂６で薄くコーティングを行った後、発光素子３と受
光素子４は共に光結合部を形成する透明エポキシ樹脂７
で一体的にモールドされ、さらにその外側を、光反射剤
を含ませた不透明エポキシ樹脂８で外装モールドが行な
われ、さらに、リード端子１および２の曲げ加工で第１
図の完成品となっている。
子であって、それぞれの素子載置部１ａおよび２ａはｔ
ｌぼ同一平面上に並んでいる。そして、素子載置部１ａ
には発光素子３が、素子載置部２ａには受光素子４がそ
れぞれマウントされた後、金線５でワイヤボンデ“イン
グが行われ、それから、発光素子３の表面をシリコン系
樹脂６で薄くコーティングを行った後、発光素子３と受
光素子４は共に光結合部を形成する透明エポキシ樹脂７
で一体的にモールドされ、さらにその外側を、光反射剤
を含ませた不透明エポキシ樹脂８で外装モールドが行な
われ、さらに、リード端子１および２の曲げ加工で第１
図の完成品となっている。
なお、上述のシリコン系樹脂６のコーティングは、通電
劣化防止のためであるが、このコーティング樹脂６と透
明エポキシ樹脂７との界面’＆Ｉれは入力導電部から出
力導電部に達する剥れではないので、入出力間の絶縁低
下を招く原因とはなシ得ない。また、外装樹脂８と透明
樹脂７との界面で、発光素子３からの光を反射させて受
光素子４に到達させるためには、反射光が効率よく受光
素子に集るように、透明樹脂７を例えば回転楕円体にす
ることが望ましい。
劣化防止のためであるが、このコーティング樹脂６と透
明エポキシ樹脂７との界面’＆Ｉれは入力導電部から出
力導電部に達する剥れではないので、入出力間の絶縁低
下を招く原因とはなシ得ない。また、外装樹脂８と透明
樹脂７との界面で、発光素子３からの光を反射させて受
光素子４に到達させるためには、反射光が効率よく受光
素子に集るように、透明樹脂７を例えば回転楕円体にす
ることが望ましい。
以上説明した様に、本発明による光結合装置においては
、光連結部を形成する樹脂に、外装樹脂と同じエポキシ
系樹脂を用いているので、外装樹脂との熱膨張係数が近
似しており、その間の密着性は極めてよく、界面におけ
る剥れが発生しにくく、従来と比べて入出方間絶縁耐圧
が極めて高くなる。また、樹脂界面に剥れが発生しにく
いことは、その経路による水分の浸入が少ないことを意
味し、よって、従来と同じ絶縁耐圧を得るのに界面距離
を短かくすることができる。
、光連結部を形成する樹脂に、外装樹脂と同じエポキシ
系樹脂を用いているので、外装樹脂との熱膨張係数が近
似しており、その間の密着性は極めてよく、界面におけ
る剥れが発生しにくく、従来と比べて入出方間絶縁耐圧
が極めて高くなる。また、樹脂界面に剥れが発生しにく
いことは、その経路による水分の浸入が少ないことを意
味し、よって、従来と同じ絶縁耐圧を得るのに界面距離
を短かくすることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図の
製品を得るまでの工程途中の平面図、第３図は従来の光
結合型置の断面図である。 １．２・・・・・・リード端子、ｌａ、２ａ・・・・・
・素子載置部、３・・・・・・発光素子、４・・・・・
・受光素子、５・・・・・・金線、６・・・・・・コー
ティングシリコン樹脂、７・・・・・・透明エポキシ樹
脂、８・・・・・・反射材を含む外装エポキシ樹脂。
製品を得るまでの工程途中の平面図、第３図は従来の光
結合型置の断面図である。 １．２・・・・・・リード端子、ｌａ、２ａ・・・・・
・素子載置部、３・・・・・・発光素子、４・・・・・
・受光素子、５・・・・・・金線、６・・・・・・コー
ティングシリコン樹脂、７・・・・・・透明エポキシ樹
脂、８・・・・・・反射材を含む外装エポキシ樹脂。
Claims (1)
- ほぼ同一平面上に素子載置部を設けた１対のリード端子
と、前記素子載置部に配置した発光素子及び受光素子と
、前記両素子を共に包含し光学的に連結する樹脂と、そ
の外側を包む外装樹脂とから成る光結合装置において、
前記光学的に連結する樹脂に透明エポキシ系樹脂を用い
、かつ、前記外装樹脂に光反射剤を含有した不透明エポ
キシ系樹脂を用いたことを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192532A JPS6252978A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60192532A JPS6252978A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252978A true JPS6252978A (ja) | 1987-03-07 |
Family
ID=16292844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60192532A Pending JPS6252978A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252978A (ja) |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60192532A patent/JPS6252978A/ja active Pending
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