JPS625332B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS625332B2 JPS625332B2 JP54035374A JP3537479A JPS625332B2 JP S625332 B2 JPS625332 B2 JP S625332B2 JP 54035374 A JP54035374 A JP 54035374A JP 3537479 A JP3537479 A JP 3537479A JP S625332 B2 JPS625332 B2 JP S625332B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mask
- silicon
- pattern
- gas plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘ線露光用ブランクマスク及びその
使用方法に関する。
使用方法に関する。
従来、Ｘ線露光用マスク１は、第３図に示すよ
うに、シリコン支持枠２を有しており、支持枠２
の図中下部には金（Au）等からなるエツチング
保護マスク層３，３が部分的に形成されている。
シリコン支持枠２の上部には高濃度にボロン拡散
されたシリコン（P++Si）、有機フイルム等から
なる吸収体パターン支持層５が形成されており、
パターン支持層５上には金（Au）、白金（Pt）等
よりなる吸収体パターン６が搭載されている。こ
のようなマスク１にＸ線透過用の窓を形成する際
には、マスク１の図中下部より水酸化カリウム
（KOH）等のエツチング液により保護マスク層
３，３を介して支持枠２を、第４図に示すよう
に、選択的にエツチングしてパターン支持層５を
残した形で窓７を形成する。しかし、パターン支
持層５は極めて薄く形成されているために、エツ
チング中にエツチング液の撹拌に伴なう振動や水
圧等により支持層５が破れてしまうことが度々あ
り、マスク１製造上の歩留まりが悪化していた。
また、パターン６の形成に際して電子ビームによ
り描画を行なう方法を採用した場合には、描画に
多大の時間と経費を要するために、描画後のエツ
チングで支持層５が破壊されることは経済的にも
大きな損失となつていた。更に、エツチング液に
よりパターン６等が損傷を受けることを防止する
ために、エツチング液のパターン６側への回り込
みを防止するための特殊な治具を用いる必要があ
ることから、マスク１を量産することが困難であ
つた。また、パターン６形成後に窓７を形成する
ために、パターン形成後のエツチングに時間がか
り、マスク１の製作に長時間を要する欠点があつ
た。
うに、シリコン支持枠２を有しており、支持枠２
の図中下部には金（Au）等からなるエツチング
保護マスク層３，３が部分的に形成されている。
シリコン支持枠２の上部には高濃度にボロン拡散
されたシリコン（P++Si）、有機フイルム等から
なる吸収体パターン支持層５が形成されており、
パターン支持層５上には金（Au）、白金（Pt）等
よりなる吸収体パターン６が搭載されている。こ
のようなマスク１にＸ線透過用の窓を形成する際
には、マスク１の図中下部より水酸化カリウム
（KOH）等のエツチング液により保護マスク層
３，３を介して支持枠２を、第４図に示すよう
に、選択的にエツチングしてパターン支持層５を
残した形で窓７を形成する。しかし、パターン支
持層５は極めて薄く形成されているために、エツ
チング中にエツチング液の撹拌に伴なう振動や水
圧等により支持層５が破れてしまうことが度々あ
り、マスク１製造上の歩留まりが悪化していた。
また、パターン６の形成に際して電子ビームによ
り描画を行なう方法を採用した場合には、描画に
多大の時間と経費を要するために、描画後のエツ
チングで支持層５が破壊されることは経済的にも
大きな損失となつていた。更に、エツチング液に
よりパターン６等が損傷を受けることを防止する
ために、エツチング液のパターン６側への回り込
みを防止するための特殊な治具を用いる必要があ
ることから、マスク１を量産することが困難であ
つた。また、パターン６形成後に窓７を形成する
ために、パターン形成後のエツチングに時間がか
り、マスク１の製作に長時間を要する欠点があつ
た。
そこで、本発明は、シリコン支持枠を設け、該
支持枠のＸ線透過窓に対応する部分のシリコン層
を化学エツチングして該シリコン層がある程度残
留するＸ線透過窓を形成し、また前記シリコン支
持枠上にシリコンと選択エツチング性を有する耐
ガスプラズマ層を形成すると共に該耐ガスプラズ
マ層上に吸収体パターンを形成し、その後に前記
窓と耐ガスプラズマ層との間に残留した前記シリ
コン層をガスプラズマによりエツチング除去して
Ｘ線露光用マスクを製作するＸ線露光用ブランク
マスクの製造方法を提供して、上記従来の問題点
を解消したものである。
支持枠のＸ線透過窓に対応する部分のシリコン層
を化学エツチングして該シリコン層がある程度残
留するＸ線透過窓を形成し、また前記シリコン支
持枠上にシリコンと選択エツチング性を有する耐
ガスプラズマ層を形成すると共に該耐ガスプラズ
マ層上に吸収体パターンを形成し、その後に前記
窓と耐ガスプラズマ層との間に残留した前記シリ
コン層をガスプラズマによりエツチング除去して
Ｘ線露光用マスクを製作するＸ線露光用ブランク
マスクの製造方法を提供して、上記従来の問題点
を解消したものである。
以下、図面に示す一実施例に基き、本発明を具
体的に説明する。
体的に説明する。
パターン６が形成されていないＸ線露光用ブラ
ンクマスク９は、第１図ａに示すように、シリコ
ン支持枠２を有するが、既に第３図及び第４図で
説明した部分と同一の部分は同一の符号を付して
その部分の説明を省略する。シリコン支持枠２に
は既に窓７がある程度、例えば残留シリコン層が
100ミクロン程度の厚さＨにまでエツチング形成
されている。支持枠２と吸収体パターン支持層５
との間には耐ガスプラズマ材を配した耐ガスプラ
ズマ層１０が形成されている。
ンクマスク９は、第１図ａに示すように、シリコ
ン支持枠２を有するが、既に第３図及び第４図で
説明した部分と同一の部分は同一の符号を付して
その部分の説明を省略する。シリコン支持枠２に
は既に窓７がある程度、例えば残留シリコン層が
100ミクロン程度の厚さＨにまでエツチング形成
されている。支持枠２と吸収体パターン支持層５
との間には耐ガスプラズマ材を配した耐ガスプラ
ズマ層１０が形成されている。
なお、支持枠２に窓７を厚さＨにまで形成する
には、第２図に示す支持枠２に窓７が形成されて
ない状態から、水酸化カリウム（KOH）等のエ
ツチング液により保護マスク層３，３を介して選
択的にエツチングすることにより可能である。
には、第２図に示す支持枠２に窓７が形成されて
ない状態から、水酸化カリウム（KOH）等のエ
ツチング液により保護マスク層３，３を介して選
択的にエツチングすることにより可能である。
Ｘ線露光用ブランクマスク９は、以上のような
構成をするので、ブランクマスク９上にパターン
６を形成するには、第１図ｂに示すように、ニク
ロム（NiCr）、金（Au）等のメツキ下地層１１の
蒸着、超音波洗浄、レジスト１２の塗布、ベー
ク、電子ビーム等による露光及び金（Au）等に
よるパターンメツキ等が行なわれるが、支持枠２
の窓７の残留シリコン層の厚さＨはそれ等の工程
に十分耐えることができる。ブランクマスク９上
にパターン６が形成されると、マスク９をガスプ
ラズマによつてドライエツチングする。すると、
シリコン支持枠２の窓７と耐ガスプラズマ層１０
との間の厚さＨの残留シリコン層はガスプラズマ
により、第１図ｃに示すように、耐ガスプラズマ
層１０が露出するまで完成に除去される。耐ガス
プラズマ材としてはシリコンとの選択エツチング
性があれば何でもよく、例えばフレオン１４
（CF4）ガスプラズマを用いた場合には、酸化アル
ミニウム（Al2O3）、二酸化ケイ素（SiO2）、有機
フイルム、金（Au）、ニクロム（NiCr）等を使用
することができる。しかし、マスクのＸ線露光時
におけるシリコンウエハーとのアライメント上、
透明な材料を用いる方が好ましい。また、ガスプ
ラズマによるエツチングに際して、パターン６及
びメツキ下地層１１は金属性であり、従つて耐ガ
スプラズマ性を有しているので、ガスプラズマに
よつてパターン６等が損傷を受けることはない。
シリコン支持枠２の残留シリコン層が除去される
と、マスクはＸ線露光用マスク１として直ちに使
用することが可能となるが、耐ガスプラズマ材と
して金属等の不透明材料を用いると、Ｘ線露光時
のシリコンウエハーとのアライメント上好ましく
ない場合も生じるので、第１図ｄに示すように、
耐ガスプラズマ層１０を化学エツチングにより除
去することも可能である。
構成をするので、ブランクマスク９上にパターン
６を形成するには、第１図ｂに示すように、ニク
ロム（NiCr）、金（Au）等のメツキ下地層１１の
蒸着、超音波洗浄、レジスト１２の塗布、ベー
ク、電子ビーム等による露光及び金（Au）等に
よるパターンメツキ等が行なわれるが、支持枠２
の窓７の残留シリコン層の厚さＨはそれ等の工程
に十分耐えることができる。ブランクマスク９上
にパターン６が形成されると、マスク９をガスプ
ラズマによつてドライエツチングする。すると、
シリコン支持枠２の窓７と耐ガスプラズマ層１０
との間の厚さＨの残留シリコン層はガスプラズマ
により、第１図ｃに示すように、耐ガスプラズマ
層１０が露出するまで完成に除去される。耐ガス
プラズマ材としてはシリコンとの選択エツチング
性があれば何でもよく、例えばフレオン１４
（CF4）ガスプラズマを用いた場合には、酸化アル
ミニウム（Al2O3）、二酸化ケイ素（SiO2）、有機
フイルム、金（Au）、ニクロム（NiCr）等を使用
することができる。しかし、マスクのＸ線露光時
におけるシリコンウエハーとのアライメント上、
透明な材料を用いる方が好ましい。また、ガスプ
ラズマによるエツチングに際して、パターン６及
びメツキ下地層１１は金属性であり、従つて耐ガ
スプラズマ性を有しているので、ガスプラズマに
よつてパターン６等が損傷を受けることはない。
シリコン支持枠２の残留シリコン層が除去される
と、マスクはＸ線露光用マスク１として直ちに使
用することが可能となるが、耐ガスプラズマ材と
して金属等の不透明材料を用いると、Ｘ線露光時
のシリコンウエハーとのアライメント上好ましく
ない場合も生じるので、第１図ｄに示すように、
耐ガスプラズマ層１０を化学エツチングにより除
去することも可能である。
なお、上述の実施例では、耐ガスプラズマ層１
０と吸収体パターン支持層５が別個に形成されて
いる場合について述べたが、これは必ずしも別固
に形成する必要はなく、有機フイルムのように耐
ガスプラズマ性を有する材料をパターン支持層５
に使用して耐ガスプラズマ層１０とパターン支持
層５を一層で兼ねるようにしてもよいことは勿論
である。
０と吸収体パターン支持層５が別個に形成されて
いる場合について述べたが、これは必ずしも別固
に形成する必要はなく、有機フイルムのように耐
ガスプラズマ性を有する材料をパターン支持層５
に使用して耐ガスプラズマ層１０とパターン支持
層５を一層で兼ねるようにしてもよいことは勿論
である。
以上説明したように、本発明によれば、シリコ
ン支持枠２のシリコン層をある程度残留させて形
成された窓７と支持枠２上に形成された耐ガスプ
ラズマ層１０を有するブランクマスク９を使用
し、マスク９上へパターン６を形成した後にガス
プラズマによつてドライエツチングすることによ
り、窓７と耐ガスプラズマ層１０の間の残留シリ
コン層を除去してＸ線露光用マスク１を製造する
ことができるので、エツチング液の撹拌等に伴な
うパターン支持層５の破壊が生じることはなく、
露光用マスク１製造上の歩留りを向上させること
ができる。また、パターン６及びメツキ下地層１
１は金属性であり、従つて耐ガスプラズマ性を有
しているので、パターン形成後のガスプラズマに
よるエツチングに際して特別の治具は不要であ
り、露光用マスク１を大量に生産することが可能
である。更に、ブランクマスク９には既に窓７が
ある程度形成されており、パターン６の形成後の
エツチングはガスプラズマによるわずかな残留シ
リコン層の除去のみであるので、パターン６形成
後の露光用マスク１の製作時間を極めて短縮する
ことができる。
ン支持枠２のシリコン層をある程度残留させて形
成された窓７と支持枠２上に形成された耐ガスプ
ラズマ層１０を有するブランクマスク９を使用
し、マスク９上へパターン６を形成した後にガス
プラズマによつてドライエツチングすることによ
り、窓７と耐ガスプラズマ層１０の間の残留シリ
コン層を除去してＸ線露光用マスク１を製造する
ことができるので、エツチング液の撹拌等に伴な
うパターン支持層５の破壊が生じることはなく、
露光用マスク１製造上の歩留りを向上させること
ができる。また、パターン６及びメツキ下地層１
１は金属性であり、従つて耐ガスプラズマ性を有
しているので、パターン形成後のガスプラズマに
よるエツチングに際して特別の治具は不要であ
り、露光用マスク１を大量に生産することが可能
である。更に、ブランクマスク９には既に窓７が
ある程度形成されており、パターン６の形成後の
エツチングはガスプラズマによるわずかな残留シ
リコン層の除去のみであるので、パターン６形成
後の露光用マスク１の製作時間を極めて短縮する
ことができる。
第１図ａは本発明によるＸ線露光用ブランクマ
スクの一実施例を示す正断面図、ｂ乃至ｄは本発
明によるＸ線露光用ブランクマスクからＸ線露光
用マスクを製作する工程を示す正断面図、第２図
は本発明によるＸ線露光用ブランクマスクの加工
前の素材状態を示す正断面図、第３図及び第４図
は従来のＸ線露光用マスクを示す正断面図であ
る。 １……Ｘ線露光用マスク、２……シリコン支持
枠、６……吸収体パターン、７……窓、９……Ｘ
線露光用ブランクマスク、１０……耐ガスプラズ
マ層。
スクの一実施例を示す正断面図、ｂ乃至ｄは本発
明によるＸ線露光用ブランクマスクからＸ線露光
用マスクを製作する工程を示す正断面図、第２図
は本発明によるＸ線露光用ブランクマスクの加工
前の素材状態を示す正断面図、第３図及び第４図
は従来のＸ線露光用マスクを示す正断面図であ
る。 １……Ｘ線露光用マスク、２……シリコン支持
枠、６……吸収体パターン、７……窓、９……Ｘ
線露光用ブランクマスク、１０……耐ガスプラズ
マ層。
Claims (1)
- １ シリコン支持枠を設け、該支持枠のＸ線透過
窓に対応する部分のシリコン層を化学エツチング
して該シリコン層がある程度残留するＸ線透過窓
を形成し、また前記シリコン支持枠上にシリコン
と選択エツチング性を有する耐ガスプラズマ層を
形成すると共に該耐ガスプラズマスク層上に吸収
体パターンを形成し、その後に前記窓と耐ガスプ
ラズマ層との間に残留した前記シリコン層をガス
プラズマによりエツチング除去してＸ線露光用マ
スクを製作するＸ線露光用ブランクマスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3537479A JPS55127559A (en) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Blank mask for x-ray exposure and using method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3537479A JPS55127559A (en) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Blank mask for x-ray exposure and using method therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55127559A JPS55127559A (en) | 1980-10-02 |
| JPS625332B2 true JPS625332B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=12440118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3537479A Granted JPS55127559A (en) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | Blank mask for x-ray exposure and using method therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55127559A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56132343A (en) * | 1980-03-22 | 1981-10-16 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Mask for x-ray exposure and its manufacture |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313879A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Nec Corp | Silicon mask for x-ray exposure and its production |
| JPS5321576A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Mask for x-ray exposure |
| JPS53134367A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | Xxray mask |
-
1979
- 1979-03-26 JP JP3537479A patent/JPS55127559A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55127559A (en) | 1980-10-02 |
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