JPS61156545A - 情報記録媒体および記録方法 - Google Patents

情報記録媒体および記録方法

Info

Publication number
JPS61156545A
JPS61156545A JP59275373A JP27537384A JPS61156545A JP S61156545 A JPS61156545 A JP S61156545A JP 59275373 A JP59275373 A JP 59275373A JP 27537384 A JP27537384 A JP 27537384A JP S61156545 A JPS61156545 A JP S61156545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
recording layer
atomic ratio
medium
amorphous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59275373A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0452791B2 (ja
Inventor
Yukio Osaka
大坂　之雄
Takeshi Imura
健 井村
Toshio Nakashita
中下　俊夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP59275373A priority Critical patent/JPS61156545A/ja
Priority to US06/742,303 priority patent/US4629649A/en
Priority to DE8585108961T priority patent/DE3578247D1/de
Priority to EP85108961A priority patent/EP0187191B1/en
Publication of JPS61156545A publication Critical patent/JPS61156545A/ja
Publication of JPH0452791B2 publication Critical patent/JPH0452791B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/165—Thermal imaging composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、情報記録媒体、特にヒートモード情報記録媒
体および記録方法に関する。
先行技術 ヒートモードの情報記録媒体は、媒体と書き込みないし
読み出しヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため、種々のヒートモ
ードの記録媒体の開発研究が行われている。
このヒートモードの情報記録媒体には、大別して、ピ・
ント形成タイプと、いわゆる相転移タイプのものがある
。
相転移タイプのものは、レーザー等の記録光により、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移等を生起させて
情報を記録し、読み出し光で反射率の変化等を検出して
読み出しを行うものである。
このような相転移を利用する記録媒体としては、Ｔｅを
生体とする材料を記録層とするものか大半を占めている
。
しかし、近年、Ｔｅ系材料が人体に有害であることから
　これにかわる他の材料を用いての研究、開発が行われ
ている。
しかしながら、Ｔｅ系にかわり、より低毒性の物質系で
の実用化については、未だ報告がされていない。
ＩＩ　　発明の目的 本発明の目的は、記録層を従来のＴｅ系の有害物質の系
から、新規な低毒性物質の系で形成し、しかもこの記録
層に、例えば記録光を照射して照射部の記録層に非晶質
−結晶質の相転移ないし結晶の状態の変化を生起さとて
記録を行う情報記録媒体および記録方法を提供すること
にある。
■　発明の開示 このようなｌ」的は、ド記の本発明によって達成される
。
すなわち第１の発明は、 ＧｅおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原子比
が０．９５以下の記録層を基体ヒに有することを特徴と
する情報記録媒体である。
また、第２の発明は、 ＧｅおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原子比
が０．９５以下の記録層を基体とに有する情報記録媒体
に非晶質−結晶質相転移または結晶状態の変化を生起さ
せて記録を行うことを特徴とする情報記録方法である。
ＩＶ　　発明の具体的構成 以下、未発明の具体的構成について、詳細に説明する。
本発明の情報記録媒体は、基体の上に記録層を設層する
ことによって形成される。
また、このようなものを２つ用い、互いの記録層を対口
させて一体化することによって構成してもよい。
ここで、基体としては、カラス、樹脂等からなる平板状
のものである。　記録手段として光を用いる場合は、光
透過率の良いガラスまたは樹脂を用いるのが好ましい。
これにより、基体裏面側からの書き込み、読み出しなど
が可能となる。
また、基体の記録層形成面には、トラッキング用の溝が
形成されていることが好ましい。
基体上には記録層が設層される。
記録層は、ＧｅおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ
）の原子比は０．９５以下であり、より好ましくは０．
０５〜０．９５である。
Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原子比が０．９５をこえると、
Ｇｅ−３ｎからなる記録層は非晶質化しにくい。　その
ため、例えば光照射などによって記録層に熱を加えても
、非晶質−結晶質の相転移や粒径変化等の結晶状態の変
化による記録を行うことができない。
また、Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）の原子比が０゜０５より小
ざくなると、結晶化温度が高く、記録に際し、多くのエ
ネルギーが必要となる。
つまり、０，０５以上となると、結晶化温度か低くなり
、記録に際し、より少ない熱エネルギーで相転移状態変
化が生じ、実用上好ましい。　ざらに好ましくは、０．
１５〜０．５となると、結晶化温度と安定性の両者が好
ましいものとなる。
このような記録層は、法肩法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。
記録層の厚さは２０ｎｍ”ｌｐｍ程度である。
また、必要に応じて基体と記録層の間および／または記
録層上に、公知の種々の安定化層や熱吸収層を設層して
もよい。
これにより、記録層の劣化を防止でき、さらに記録のた
めの熱効率を向上させることができる。
また、基体の他面上には、各種保護層を設けてもよい。
このような記録層を基体上に有する情報記録媒体に記録
を行うには、光ないし熱エネルギーを付与する。
一般的には、記録光としては、半導体レーザー等を用い
ればよい。
記録光の照射により、照射部の記録層に非晶質−結晶質
の相転移を生起させ、記録が行われる。　すなわち、非
晶質から結晶質への相転移、あるいは結晶質から非晶質
への相転移を利用して記録を行う。
さらに、このような相転移の他、記録は、結晶状態の変
化によってもよい。　結晶状態の変化としては、微結晶
の粒径の変化、結晶形の種類、配向性や結晶化率の変化
などがある。
記録後の読みとりは、読みとり光を照射するなどして、
記録層の反射率の変化等を利用して検出すれは゛よい。
このような場合、８３０　ｎｍの波長においては、非晶
質状態にて約６０％程度の反射率か、結晶化することに
より、５〜２０％程度変化する。
■　発明の具体的効果 本発明の情報記録媒体は、Ｇｅ−５ｎ系の物質から形成
される。
この記録層は、記録光などを照射することによって、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移や結晶状態の変
化が生起する。　従って、この現象を利用することによ
って、情報を記録することができる。
このため、従来のＴｅ系の有害物質系に比べ、低毒性で
同等の記録特性をもつ媒体が実現する。　また、本発明
の媒体はＴｅに比べ耐候性も良好である。
■　発明の具体的実施例 以五、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。
実施例 ガラス基板上に、Ｇｅ−５ｎからなる薄膜層をスパッタ
法により膜厚１８０ｎｍに設層し、記録層とじた。
記録層のＳｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原子比は、ＸＰＳで測
定した結果、０．３５であった。
また、このＧｅ−５ｎ記録層を設層後、および２００℃
、１０分のアニール後にＸ線回折を行って、Ｇｅ−５ｎ
の非晶質−結晶質の相転移を確認した。
設層直後のＸ線回析の結果を第１図に、アニール後のも
のを第２図に示した。
また、設層直後の電子線回折の写真を第３図に、またア
こ−ル後のそれを第４図に示す。
これらの結果から、このＧ　ｅ　−Ｓ　ｎ　ｌｌｆｆ１
では、熱エネルギーにより非晶質−結晶質転移を生じて
いることがわかる。
さらに、第５図には、波長８３０ｎｍにおけるアニール
温度と反射率の関係が示される。
第５図から、８３０ｒＩＩ１１の反射率は設層直後の状
態から相転移により約２０％変化していることかわかる
。　　゛ これとは別に、比較として、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原
子比が０．９８のときのＸ線回折結果を第６図に、また
１９０℃でアニールしたときのそれを第７図に示した。
　この場合、Ｇｅ−５ｎは非晶質化しておらず、すでに
結晶化しており、相転移は生じない。
なお、このサンプルの７二−ル前の電子線回折写真は第
８図に示される。
さらに、上記の場合と同様に、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の
原子比が０．０３で設層したときの電子線回折の結果を
第９図、また３００°Ｃで７ニールしたときのそれを第
１０図に示した。
この組成では、設層直後もアニール後もＧｅ−５ｎは非
晶質であることが確認された。
なお、上記に準じ、各組成のサンプルを設層し、その結
晶化温度を測定した。　結果を第１１図に示す。
第１１図から、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）が０゜９５をこえ
ると非晶質化せず、また０、０５未満となると４００　
’Ｏの７ニール後も非晶質のままであることかわかる。
これら各サンプルにつき、８３０ｎｍの半導体レーザー
で記録を行い、８３０ｎｍの半導体レーザーで再生を行
ったところ、良好な記録再生を行うことができた。
なお、Ｓ　ｎ／　（Ｇｅ＋Ｓ　ｎ）＝０．０３および０
．９８のものでは記録再生はできなかった。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、それぞれ本発明のＧｅ−３ｎ記
録層の設層直後およびアニール後のＸ線回折のチャート
である。 第３図および第４図は、結晶の構造を示す図面代用写真
であって、それぞれ、この本発明のＧｅ−５ｎ記録層の
設層直後およびアニール後の電子線回折写真である。 第５図は　この本発明のＧｅ−３ｎ記録層の設層＋Ｉ′
Ｉ後およびアニール温度による反射率の変化を示すグラ
フである。 第６図および第７図は　それぞれ本発明外のＳｎ／（Ｇ
ｅ＋Ｓｎ）原子比からなる記録層の設層直後およびアニ
ール後のＸ線回折のチャートである。 第８図は、結晶の構造を示す図面代用写真であって、こ
の本発明外の記録層の電子線回折写真である。 第９図および第１０図は、それぞれ他のＧｅ−３ｎ記録
層の設層直後およびアニール後のＸ線回折のチャートで
ある。 第１１図は、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）と結晶化温度との関
係を示すグラフである。 出願人　　ティーディーケイ株式会社 ＦＩＧ、１ ２ｅ（ｏ） ＦＩＧ、２ ２θ（０） ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４ ＦＩＧ、５ ７二一ル温度Ｔａ（’ｃ） ＦＩＧ、６ ２θ　（０） ＦＩＧ、７ ２θ（０） ＦＩＧ、８ ＦＩＧ、９ ２θ（０） ＦＩＧ、１０ ２θ（０）

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＧｅおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の
    原子比が０．９５以下の記録層を基体上に有することを
    特徴とする情報記録媒体。
  2. （２）Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原子比が０． ０５〜０．９５である特許請求の範囲第１項に記載の情
    報記録媒体。
  3. （３）ＧｅおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の
    原子比が０．９５以下の記録層を基体上に有する情報記
    録媒体に非晶質−結晶質相転移または結晶状態の変化を
    生起させて記録を行うことを特徴とする情報記録方法。
  4. （４）Ｓｎ／（Ｇｅ＋Ｓｎ）の原子比が０． ０５〜０．９５である特許請求の範囲第３項に記載の情
    報記録方法。
JP59275373A 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法 Granted JPS61156545A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59275373A JPS61156545A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法
US06/742,303 US4629649A (en) 1984-12-28 1985-06-07 Information recording medium and method
DE8585108961T DE3578247D1 (de) 1984-12-28 1985-07-17 Medium und verfahren zur informationsaufzeichnung.
EP85108961A EP0187191B1 (en) 1984-12-28 1985-07-17 Information recording medium and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59275373A JPS61156545A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61156545A true JPS61156545A (ja) 1986-07-16
JPH0452791B2 JPH0452791B2 (ja) 1992-08-24

Family

ID=17554577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59275373A Granted JPS61156545A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4629649A (ja)
EP (1) EP0187191B1 (ja)
JP (1) JPS61156545A (ja)
DE (1) DE3578247D1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7081289B2 (en) 2003-03-24 2006-07-25 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Phase-change recording material and information recording medium
US7105217B2 (en) 2003-04-30 2006-09-12 Mitsubishi Chemical Corporation Phase-change recording material and information recording medium
US7166415B2 (en) 2002-03-05 2007-01-23 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it
JP2007294778A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Japan Science & Technology Agency ＧｅＳｎ半導体デバイスの製造方法
US7313070B2 (en) 2002-02-13 2007-12-25 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Rewritable optical recording medium and optical recording method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61133065A (ja) * 1984-12-03 1986-06-20 Hitachi Ltd 光情報記録装置
US4981777A (en) * 1987-11-20 1991-01-01 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Process for preparation of optical recording medium
JP2512087B2 (ja) * 1988-06-24 1996-07-03 株式会社日立製作所 光記録媒体および光記録方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59185048A (ja) * 1983-04-01 1984-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材及び記録方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2522928C2 (de) * 1974-05-25 1984-04-05 Canon K.K., Tokyo Aufzeichnungsträger, Verfahren zu dessen Herstellung und Aufzeichnungsverfahren
US4357616A (en) * 1979-03-26 1982-11-02 Hitachi, Ltd. Recording medium
DE3170922D1 (en) * 1980-04-22 1985-07-18 Agfa Gevaert Nv Recording material for storage of digital information and a recording method for storage of digital information
JPS5764596A (en) * 1980-10-06 1982-04-19 Fuji Photo Film Co Ltd Heat mode recording material
JPS57189894A (en) * 1981-05-20 1982-11-22 Fuji Photo Film Co Ltd Thermal recording material
JPS57208299A (en) * 1981-06-19 1982-12-21 Fuji Photo Film Co Ltd Recording method of optical information
EP0142968B1 (en) * 1983-11-15 1989-10-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium and method of producing same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59185048A (ja) * 1983-04-01 1984-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材及び記録方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7313070B2 (en) 2002-02-13 2007-12-25 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Rewritable optical recording medium and optical recording method
US7609603B2 (en) 2002-02-13 2009-10-27 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Rewritable optical recording medium and optical recording method
US7858167B2 (en) 2002-02-13 2010-12-28 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Rewritable optical recording medium and optical recording method
US7166415B2 (en) 2002-03-05 2007-01-23 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it
US7659049B2 (en) 2002-03-05 2010-02-09 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it
US7081289B2 (en) 2003-03-24 2006-07-25 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Phase-change recording material and information recording medium
US7105217B2 (en) 2003-04-30 2006-09-12 Mitsubishi Chemical Corporation Phase-change recording material and information recording medium
JP2007294778A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Japan Science & Technology Agency ＧｅＳｎ半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0187191B1 (en) 1990-06-13
JPH0452791B2 (ja) 1992-08-24
DE3578247D1 (de) 1990-07-19
EP0187191A2 (en) 1986-07-16
US4629649A (en) 1986-12-16
EP0187191A3 (en) 1987-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4889746A (en) Process for manufacturing an optical recording medium
JPS61156545A (ja) 情報記録媒体および記録方法
JPS6253886A (ja) 情報記録媒体
JPS63237990A (ja) 光記録媒体
JPS61205186A (ja) 情報記録媒体および記録方法
JPS6119749A (ja) 分光反射率可変合金及び記録材料
JPH0582838B2 (ja)
JPS6025278B2 (ja) 光学的情報記録媒体
JPS6240647A (ja) 情報記録媒体および記録方法
JPS63160026A (ja) 情報記録媒体ならびに情報記録および消去方法
JPS63167440A (ja) 情報を記録もしくは記録及び消去する方法
JP2888520B2 (ja) 光情報記録媒体
JPS62283431A (ja) 光記録媒体
JPH0694230B2 (ja) 情報記録用材料
JPH04186538A (ja) 情報記録媒体
JPS6220154A (ja) 光記録媒体の製造方法
JPH02139280A (ja) 光記録媒体およびその製造方法
JPH042437B2 (ja)
JPH1196594A (ja) 追記情報記録媒体
JPS61168147A (ja) 情報記録媒体
JPH01162244A (ja) 光記録媒体
JPS63140435A (ja) 情報記録媒体
JPS61272190A (ja) 光記録媒体
JPH04134642A (ja) 光学的情報記録媒体
JPH0411927B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term