JPS6254598B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6254598B2 JPS6254598B2 JP57178892A JP17889282A JPS6254598B2 JP S6254598 B2 JPS6254598 B2 JP S6254598B2 JP 57178892 A JP57178892 A JP 57178892A JP 17889282 A JP17889282 A JP 17889282A JP S6254598 B2 JPS6254598 B2 JP S6254598B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing material
- alloy brazing
- radioactive
- semiconductor device
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400°C
- B23K35/268—Pb as the principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
この発明は、通常のICや、大容量メモリー素
子である64KRAMおよび256KRAM等のメモリ
ー、さらに各種の超LSI等の半導体装置の製造法
に関するものである。 一般に、半導体装置の１つとして、第１図に概
略縦断面図で示されるICセラミツク・パツケー
ジが知られている。このICセラミツク・パツケ
ージは、例えばアルミナ製にして、上面並びにキ
ヤビテイの水平面がメタライズ処理されたセラミ
ツクケース１の上面および底面に、Au−Sn合金
ろう材やAu−Si合金ろう材を用い、Niメツキ層
やAuメツキ層を介して、シリコンチツプ２や、
Fe−42％Ni合金製などの封着板４をろう付け
し、さらにシリコンチツプ２とセラミツクケース
１とに亘つてAl線３でワイヤボンデイングを行
なうことによつて製造されている。 このように半導体装置の組立てには、ろう材と
してAu合金が使用されており、確かにAu合金ろ
う材の使用によつて信頼性の高い半導体装置の製
造が可能である反面、コスト高となるのを避ける
ことができないのが現状である。 この発明は、上述のような観点から、従来、半
導体装置の組立てに使用されているAu合金ろう
材に匹敵する信頼性をもち、かつAu合金ろう材
に比して安価なろう材を用いて半導体装置を製造
する方法を提供するもので、構成部材のろう付け
に、Ag：１〜10重量％を含有し、残りがPbと不
可避不純物からなる組成、並びに放射性α粒子の
カウント数が0.5CPH（カウント／時）／cm2以下
の特性を有するPb合金ろう材を用いて、メモリ
ーエラー発生のない信頼性の高い半導体装置をろ
う付け組立てる方法に特徴を有するものである。 なお、この発明の方法において、Pb合金ろう
材のAg含有量を１〜10重量％と限定したのは、
その含有量が１％未満では所望のすぐれたぬれ性
および接着強度を確保することができず、一方10
％を越えて含有させてもより一層の向上効果が現
われないことにより定めたものであり、また放射
性α粒子のカウント数を0.5CPH／cm2以下とした
のは、以下に示す理由にもとづくものである。す
なわち、通常の製錬法にて製造されたPb中には
放射性同位元素が50ppb以上も含有されており、
これは放射性α粒子のカウント数で、数CPH／
cm2〜数100CPH／cm2に相当する。このように放射
性同位元素の含有量が高いPbを主成分とするPb
合金ろう材を、半導体装置のろう付け組立てに使
用すると、このPb合金ろう材から発する放射性
α粒子がメモリーエラーの原因となるなどの悪影
響を及ぼし、信頼性のないものとなる。したがつ
て、これらの放射性同位元素による悪影響が現わ
れないようにするためには、放射性同位元素の含
有量を50ppb未満として、放射性α粒子のカウン
ト数を0.5CPH／cm2にする必要がある。 つぎに、この発明の方法を実施例により具体的
に説明する。 実施例 通常の溶解法により、原料として放射性同位元
素の含有量が低い、すなわち放射性α粒子のカウ
ント数で0.5CPH／cm2以下の特性を有するPbを使
用して、本発明法１〜４および比較法１のための
それぞれ第１表に示される成分組成を有するPb
合金ろう材をそれぞれ調製し、さらに、通常の製
錬法にて製造され、したがつて放射性α粒子のカ
ウント数で78.8CPH／cm2を示すPbを使用して、
比較法２のための同じく第１表に示される成分組
成
子である64KRAMおよび256KRAM等のメモリ
ー、さらに各種の超LSI等の半導体装置の製造法
に関するものである。 一般に、半導体装置の１つとして、第１図に概
略縦断面図で示されるICセラミツク・パツケー
ジが知られている。このICセラミツク・パツケ
ージは、例えばアルミナ製にして、上面並びにキ
ヤビテイの水平面がメタライズ処理されたセラミ
ツクケース１の上面および底面に、Au−Sn合金
ろう材やAu−Si合金ろう材を用い、Niメツキ層
やAuメツキ層を介して、シリコンチツプ２や、
Fe−42％Ni合金製などの封着板４をろう付け
し、さらにシリコンチツプ２とセラミツクケース
１とに亘つてAl線３でワイヤボンデイングを行
なうことによつて製造されている。 このように半導体装置の組立てには、ろう材と
してAu合金が使用されており、確かにAu合金ろ
う材の使用によつて信頼性の高い半導体装置の製
造が可能である反面、コスト高となるのを避ける
ことができないのが現状である。 この発明は、上述のような観点から、従来、半
導体装置の組立てに使用されているAu合金ろう
材に匹敵する信頼性をもち、かつAu合金ろう材
に比して安価なろう材を用いて半導体装置を製造
する方法を提供するもので、構成部材のろう付け
に、Ag：１〜10重量％を含有し、残りがPbと不
可避不純物からなる組成、並びに放射性α粒子の
カウント数が0.5CPH（カウント／時）／cm2以下
の特性を有するPb合金ろう材を用いて、メモリ
ーエラー発生のない信頼性の高い半導体装置をろ
う付け組立てる方法に特徴を有するものである。 なお、この発明の方法において、Pb合金ろう
材のAg含有量を１〜10重量％と限定したのは、
その含有量が１％未満では所望のすぐれたぬれ性
および接着強度を確保することができず、一方10
％を越えて含有させてもより一層の向上効果が現
われないことにより定めたものであり、また放射
性α粒子のカウント数を0.5CPH／cm2以下とした
のは、以下に示す理由にもとづくものである。す
なわち、通常の製錬法にて製造されたPb中には
放射性同位元素が50ppb以上も含有されており、
これは放射性α粒子のカウント数で、数CPH／
cm2〜数100CPH／cm2に相当する。このように放射
性同位元素の含有量が高いPbを主成分とするPb
合金ろう材を、半導体装置のろう付け組立てに使
用すると、このPb合金ろう材から発する放射性
α粒子がメモリーエラーの原因となるなどの悪影
響を及ぼし、信頼性のないものとなる。したがつ
て、これらの放射性同位元素による悪影響が現わ
れないようにするためには、放射性同位元素の含
有量を50ppb未満として、放射性α粒子のカウン
ト数を0.5CPH／cm2にする必要がある。 つぎに、この発明の方法を実施例により具体的
に説明する。 実施例 通常の溶解法により、原料として放射性同位元
素の含有量が低い、すなわち放射性α粒子のカウ
ント数で0.5CPH／cm2以下の特性を有するPbを使
用して、本発明法１〜４および比較法１のための
それぞれ第１表に示される成分組成を有するPb
合金ろう材をそれぞれ調製し、さらに、通常の製
錬法にて製造され、したがつて放射性α粒子のカ
ウント数で78.8CPH／cm2を示すPbを使用して、
比較法２のための同じく第１表に示される成分組
成
【表】
のPb合金ろう材を調製し、鋳造し、圧延して板
厚：0.05mmの板材とし、この板材から打抜きに
て、縦：15mm×横：10mm×幅：１mmの寸法をもつ
た封着板ろう付け用窓枠状ろう材、並びに縦：３
mm×横：４mmの寸法をもつたシリコンチツプろう
付け用ろう材を製造し、ついで、この結果得られ
た各種のPb合金ろう材を、第１図に示されるIC
セラミツク・パツケージのろう付け組立てに際し
て、封着板およびシリコンチツプのセラミツクケ
ースへのろう付けに使用することによつて本発明
法１〜４および比較法１，２を実施し、接着強度
を測定すると共に、ぬれ性を観察した。ぬれ性
は、ろうが接着面に完全にまわつている場合を◎
印、ろうのまわらない部分が少しでもある場合を
×印で評価した。また、第１表にはろう材のα粒
子カウント数も示した。さらにこの結果のICセ
ラミツク・パツケージのメモリーエラーの有無も
観察した。 第１表に示される結果から、本発明法１〜４に
よれば、いずれもすぐれたぬれ性および接着強度
を有するろう付け組立てを行なうことができ、か
つこれに用いられるPb合金ろう材における放射
性α粒子のカウント数も0.5CPH／cm2以下となつ
ており、ろう材が原因のメモリーエラーの発生が
皆無となることが明らかである。これに対して比
較法１では、Ag含有量がこの発明の範囲から外
れて低いPb合金ろう材を用いているために、接
着強度が低く、かつぬれ性の悪いものになつてい
る。また放射性α粒子のカウント数がこの発明の
範囲から外れて高いPb合金ろう材を使用した比
較法２では、製造された半導体装置にメモリーエ
ラーの発生が見られた。 上述のように、この発明の方法によれば、すぐ
れた接着強度とぬれ性を示すPb合金ろう材を用
いて、メモリーエラー発生のない信頼性の高い半
導体装置を、安価にろう付け組立てすることがで
きるのである。
厚：0.05mmの板材とし、この板材から打抜きに
て、縦：15mm×横：10mm×幅：１mmの寸法をもつ
た封着板ろう付け用窓枠状ろう材、並びに縦：３
mm×横：４mmの寸法をもつたシリコンチツプろう
付け用ろう材を製造し、ついで、この結果得られ
た各種のPb合金ろう材を、第１図に示されるIC
セラミツク・パツケージのろう付け組立てに際し
て、封着板およびシリコンチツプのセラミツクケ
ースへのろう付けに使用することによつて本発明
法１〜４および比較法１，２を実施し、接着強度
を測定すると共に、ぬれ性を観察した。ぬれ性
は、ろうが接着面に完全にまわつている場合を◎
印、ろうのまわらない部分が少しでもある場合を
×印で評価した。また、第１表にはろう材のα粒
子カウント数も示した。さらにこの結果のICセ
ラミツク・パツケージのメモリーエラーの有無も
観察した。 第１表に示される結果から、本発明法１〜４に
よれば、いずれもすぐれたぬれ性および接着強度
を有するろう付け組立てを行なうことができ、か
つこれに用いられるPb合金ろう材における放射
性α粒子のカウント数も0.5CPH／cm2以下となつ
ており、ろう材が原因のメモリーエラーの発生が
皆無となることが明らかである。これに対して比
較法１では、Ag含有量がこの発明の範囲から外
れて低いPb合金ろう材を用いているために、接
着強度が低く、かつぬれ性の悪いものになつてい
る。また放射性α粒子のカウント数がこの発明の
範囲から外れて高いPb合金ろう材を使用した比
較法２では、製造された半導体装置にメモリーエ
ラーの発生が見られた。 上述のように、この発明の方法によれば、すぐ
れた接着強度とぬれ性を示すPb合金ろう材を用
いて、メモリーエラー発生のない信頼性の高い半
導体装置を、安価にろう付け組立てすることがで
きるのである。
第１図はICセラミツク・パツケージの概略縦
断面図である。 図面において、１……セラミツクケース、２…
…シリコンチツプ、３……ボンデイングAl線、
４……封着板。
断面図である。 図面において、１……セラミツクケース、２…
…シリコンチツプ、３……ボンデイングAl線、
４……封着板。
Claims (1)
- １ 構成部材のろう付けに、Ag：１〜10重量％
を含有し、残りがPbと不可避不純物からなる組
成、並びに放射性α粒子のカウント数が
0.5CPH／cm2以下の特性を有するPb合金ろう材を
用いて、メモリーエラー発生のない半導体装置を
ろう付け組立てることを特徴とする半導体装置の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178892A JPS5970491A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178892A JPS5970491A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970491A JPS5970491A (ja) | 1984-04-20 |
| JPS6254598B2 true JPS6254598B2 (ja) | 1987-11-16 |
Family
ID=16056515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178892A Granted JPS5970491A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970491A (ja) |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57178892A patent/JPS5970491A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5970491A (ja) | 1984-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900000169B1 (ko) | 반도체 장치용 Pb 합금납재 | |
| US4487638A (en) | Semiconductor die-attach technique and composition therefor | |
| KR19980018709A (ko) | 수지봉지형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP3227851B2 (ja) | 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 | |
| JP2002530865A (ja) | 低アルファ放出性はんだバンプ | |
| US20040000728A1 (en) | Resin-sealed semiconductor device, and die bonding material and sealing material for use therein | |
| JPS5873904A (ja) | 銀充填ガラス | |
| US4185139A (en) | Filler for a glass-ceramic material comprising CaF2 granules overcoated with a silicon dioxide film | |
| JPS6254597B2 (ja) | ||
| JP3200413B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP3088435B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS626793A (ja) | はんだペ−スト用Ｐｂ合金粉末 | |
| JPH0689112B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS5970491A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH06151662A (ja) | 高放熱性集積回路パッケージ | |
| JP5029133B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS58212150A (ja) | 半導体装置封止用蓋材 | |
| JP3014857B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59125635A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001226565A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0817956A (ja) | 半導体容器及び半導体装置 | |
| JP2778171B2 (ja) | 半導体装置組み立て用Ｐｂ合金はんだ材 | |
| JPH06204359A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01321094A (ja) | 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 | |
| JPS59169955A (ja) | 半導体装置の封着用低融点ガラス |