JPH01321094A - 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 - Google Patents
半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材Info
- Publication number
- JPH01321094A JPH01321094A JP63156283A JP15628388A JPH01321094A JP H01321094 A JPH01321094 A JP H01321094A JP 63156283 A JP63156283 A JP 63156283A JP 15628388 A JP15628388 A JP 15628388A JP H01321094 A JPH01321094 A JP H01321094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radioactive
- purity
- alpha particles
- radioactive isotopes
- filler metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C11/00—Alloys based on lead
- C22C11/06—Alloys based on lead with tin as the next major constituent
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣは勿論のこと、大容量メモリー素子で
ある６４ＫＲＡＭや２５６ ＫＲＡＭなどのメモリー、
さらに高い信頼性が要求される各種のＬＳＩや超ＬＳＩ
などの半導体装置の組立てに際して、装置部材の接合に
ろう材として使用することが可能なＰｂ合金う材を製造
するのに用いられ。
ある６４ＫＲＡＭや２５６ ＫＲＡＭなどのメモリー、
さらに高い信頼性が要求される各種のＬＳＩや超ＬＳＩ
などの半導体装置の組立てに際して、装置部材の接合に
ろう材として使用することが可能なＰｂ合金う材を製造
するのに用いられ。
特に前記半導体装置には前記Ｐｂ合金う材が原因の放射
性α粒子によるメモリーエラーの発生がなく、かつ経済
的にもメモリーエラーの発生が著しく抑制されるように
なる高純度ｐｂ材に関するものである。
性α粒子によるメモリーエラーの発生がなく、かつ経済
的にもメモリーエラーの発生が著しく抑制されるように
なる高純度ｐｂ材に関するものである。
一般に、半導体装置の１つとして、第１図に概略縦断面
図で示されるＩＣセラミック・パッケージが知られてい
る。
図で示されるＩＣセラミック・パッケージが知られてい
る。
このＩＣセラミック・パッケージは、王として所定のキ
ャビティをもったセラミックケース１と。
ャビティをもったセラミックケース１と。
このキャビティの底部にろう付けされたシリコンチップ
などの半導体素子２と、 ＡｕあるいはＭの極細線から
なるボンディングワイヤ３と、セラミックケース１の上
面にろう付けされた封着板４と。
などの半導体素子２と、 ＡｕあるいはＭの極細線から
なるボンディングワイヤ３と、セラミックケース１の上
面にろう付けされた封着板４と。
セラミックケース１にろう付けされたリード材５で構成
されている。
されている。
このようにＩＣセラミック・パッケージにおいては、半
導体素子のセラミックケースのキャビティ底部へのろう
付け、並びに封着板のセラミックケース上面へのろう付
けに、さらに別の構造を有するＩＣプラスチック・ｌ＜
ツケージにおいては。
導体素子のセラミックケースのキャビティ底部へのろう
付け、並びに封着板のセラミックケース上面へのろう付
けに、さらに別の構造を有するＩＣプラスチック・ｌ＜
ツケージにおいては。
半導体素子のリードフレームへのろう付けに、各種のろ
う材が使用されているが、近年、高価なＡｕ合金ろう材
に代って、安価なＰｂ合金ろう材、すなわち、Ａｇ：
ユ〜１０ ％、 Ｂｂ： ｌ〜１５ ％、ａｎ二ｌ〜６
５チ、およびＩｎ： １〜６５％のうちの１種以上を含
有し、浅シがｐｂと不可避不純物からなる組成（以上型
１−１）を有するＰｂ合金ろう材が注目されているっ 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記の従来Ｐｂ合金ろう材を用いて半導体装置
を組立てた場合、この半導体装置には前記Ｐｂ合金ろう
材が原因の放射性α粒子によるメモリーエラーがしばし
ば発生し、しかもこのメモリーエラーは時間経過につれ
て増加するようになる傾向にあり、信頼性の点で問題が
あって実用に供することができないものである。
う材が使用されているが、近年、高価なＡｕ合金ろう材
に代って、安価なＰｂ合金ろう材、すなわち、Ａｇ：
ユ〜１０ ％、 Ｂｂ： ｌ〜１５ ％、ａｎ二ｌ〜６
５チ、およびＩｎ： １〜６５％のうちの１種以上を含
有し、浅シがｐｂと不可避不純物からなる組成（以上型
１−１）を有するＰｂ合金ろう材が注目されているっ 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、上記の従来Ｐｂ合金ろう材を用いて半導体装置
を組立てた場合、この半導体装置には前記Ｐｂ合金ろう
材が原因の放射性α粒子によるメモリーエラーがしばし
ば発生し、しかもこのメモリーエラーは時間経過につれ
て増加するようになる傾向にあり、信頼性の点で問題が
あって実用に供することができないものである。
そこで、本発明者等は上述のような観点から。
半導体装置の組立てに用いた場合にメモリーエラーの発
生がなく、かつ経時的にもメモリーエラーの発生が著し
く抑制されたＰｂ合金ろう材全開発すべく研究を行なっ
た結果、半導体装置の組立てに用いたＰｂ合金ろう材が
原因のメモリーエラーの発生は、 Ｐｂ合金ろう材を構
成するｐｂ酸成分あり、このｐｂ酸成分ろう材の溶製時
に原料として用いた高純度ｐｂ材によって構成されるも
のであり、この従来高！４度ｐｂ材を、純度、ＵやＴｈ
などの放射性同位元素の含有量、この放射性同位元素に
よる放射能。
生がなく、かつ経時的にもメモリーエラーの発生が著し
く抑制されたＰｂ合金ろう材全開発すべく研究を行なっ
た結果、半導体装置の組立てに用いたＰｂ合金ろう材が
原因のメモリーエラーの発生は、 Ｐｂ合金ろう材を構
成するｐｂ酸成分あり、このｐｂ酸成分ろう材の溶製時
に原料として用いた高純度ｐｂ材によって構成されるも
のであり、この従来高！４度ｐｂ材を、純度、ＵやＴｈ
などの放射性同位元素の含有量、この放射性同位元素に
よる放射能。
および放射性α粒子のカウント数、さらに前記放射性同
位元素のうちの２１０ｐｂが２°’ｐｂＫ原子壊変する
際に放射性α粒子の発生を伴なうことから２１０Ｐｂが
示す放射能の面から調査したところ。
位元素のうちの２１０ｐｂが２°’ｐｂＫ原子壊変する
際に放射性α粒子の発生を伴なうことから２１０Ｐｂが
示す放射能の面から調査したところ。
純度：９９．９９９％以上。
放射性同位元素の含有ｆ：ｌｏ〜５０ ｐｐｂ 。
放射性同位元素による放射能： ２ ｐｃｉ／、＠以上
。
。
放射性同位元素のうちの２１ｔ′Ｐｂが示す放射能：１
．５ ｐｃｉｌｉ以上。
．５ ｐｃｉｌｉ以上。
放射性α粒子のカウント数＝０．１〜Ｏ−５０ＰＨ／（
ＭＬ２゜を示したが、この従来高純度ｐｂ材に１例えば
複数回の真空蒸留処理を施して。
ＭＬ２゜を示したが、この従来高純度ｐｂ材に１例えば
複数回の真空蒸留処理を施して。
純度：９９．９９９チ以上。
放射性同位元素の含有量： ５ ｐｐｂ未満。
放射性同位元素による放射能：０．２ｐｃｉ／Ｊ以下。
放射性同位元素のうちの２１０ｐｂが示す放射能＝０、
１５ ｐｃ１７１１以下。
１５ ｐｃ１７１１以下。
放射性α粒子のカウント数： ０．ｌ ＣＰＨ／ｃ！ｌ
Ｌ２以下。
Ｌ２以下。
の条件を満足するまで精製し、この精製した高純度ｐｂ
材を、 Ｐｂ合金ろう材の原料こして尻い、この結果の
Ｐｂ合金ろう材を半導体装置の組立てに用いると、この
Ｐｂ合金ろう材が原因の放射性α粒子によるメモリーエ
ラーの発生がなくなシ、このメモリーエラーは時間経過
後もその発生が著しく抑制された状態を維持するという
知見を得なのである。
材を、 Ｐｂ合金ろう材の原料こして尻い、この結果の
Ｐｂ合金ろう材を半導体装置の組立てに用いると、この
Ｐｂ合金ろう材が原因の放射性α粒子によるメモリーエ
ラーの発生がなくなシ、このメモリーエラーは時間経過
後もその発生が著しく抑制された状態を維持するという
知見を得なのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、半導体装置の組立てに用いられるＰｂ合金ろう材の
製造に原料として使用される高純度ｐｂ材を。
て、半導体装置の組立てに用いられるＰｂ合金ろう材の
製造に原料として使用される高純度ｐｂ材を。
純度：９９．９９９−以上。
放射性同位元素の含有量：５ｐｐｂ未満。
放射性同位元素による放射能： Ｏ−２ｐｃｌ ／Ｊ／
以下。
以下。
放射性同位元素のうちの２１０ｐｂが示す放射能：０．
１５ｐｃｉ７Ｊ以下。
１５ｐｃｉ７Ｊ以下。
放射性α粒子のカウント数： Ｏ，ｌ ＣＰＨ／α２以
下、の条件をすべて満足するものとすることによって。
下、の条件をすべて満足するものとすることによって。
これから製造されるＰｂ合金ろう材が原因の半導体装置
におけるメモリーエラーの発生を経時的にも抑制した点
に特徴を有するものである。
におけるメモリーエラーの発生を経時的にも抑制した点
に特徴を有するものである。
したがって、この発明の高純度ｐｂ材において。
上記の条件のうちのいずれかの条件でもこの発明の範囲
から外れると、これを用いて製造されたｐｂ合金ろう材
は、半導体装置において放射性α粒によるメモリーエラ
ーを発生するようＫなるのである。
から外れると、これを用いて製造されたｐｂ合金ろう材
は、半導体装置において放射性α粒によるメモリーエラ
ーを発生するようＫなるのである。
つぎに、この発明の高純度ｐｂ材を実施例によシ具体的
に説明する。
に説明する。
それぞれ第１表に示される特性を有する４種の従来高純
ｉｐｂ材１〜４を用意し、これに通常の真空蒸留装置を
用い、真空度：５Ｘ１０ 〜ｌ Ｘ Ｉ Ｏ−’ｔｏｒ
ｒ、 温度： ９００〜ｌ ＯＯ０℃の範囲内の所定の
真空度および温度にてそれぞれ３〜６回の所定回数の真
空蒸留処理を繰り返し施すことにより。
ｉｐｂ材１〜４を用意し、これに通常の真空蒸留装置を
用い、真空度：５Ｘ１０ 〜ｌ Ｘ Ｉ Ｏ−’ｔｏｒ
ｒ、 温度： ９００〜ｌ ＯＯ０℃の範囲内の所定の
真空度および温度にてそれぞれ３〜６回の所定回数の真
空蒸留処理を繰り返し施すことにより。
同じく第１表に示される特性を有する本発明高純度ｐｂ
材１〜４をそれぞれ製造した。
材１〜４をそれぞれ製造した。
なお１本発明高純度ｐｂ材１は従来高純度ｐｂ材１゜同
じく本発明高純度ｐｂ材２，３．および４はそれぞれ従
来尚純匿ｐｂ材２，３．および４を精製することによシ
得られたものである。
じく本発明高純度ｐｂ材２，３．および４はそれぞれ従
来尚純匿ｐｂ材２，３．および４を精製することによシ
得られたものである。
ついで、この結果得られた各種の高純度ｐｂ材について
、放射性α粒子のカウント数を精製後６０日経過後から
、３０日経過毎に３６０日経過まで測定した。この測定
結果も第１表に示した。
、放射性α粒子のカウント数を精製後６０日経過後から
、３０日経過毎に３６０日経過まで測定した。この測定
結果も第１表に示した。
第１表に示される結果から１本発明高純度ｐｂ材１−４
は、いずれも放射性α粒子の経時的発生が著しく抑制さ
れるようになって長期間経過後も安定しているのに対し
て、従来高純度ｐｂ材１〜４においては、経時的に放射
性α粒子の発生が増加するようになることが明らかであ
る。
は、いずれも放射性α粒子の経時的発生が著しく抑制さ
れるようになって長期間経過後も安定しているのに対し
て、従来高純度ｐｂ材１〜４においては、経時的に放射
性α粒子の発生が増加するようになることが明らかであ
る。
また、これらの高純度ｐｂ材を用いて、 ａｎ： ５５
ｋｈＰｂ：残りからなる組成を有するＰｂ合金う材を製
造し、このＰｂ合金う材を用いて半導体装置の組立てを
行なったところ１本発明高純度ｐｂ材１〜４を用いて製
造されたＰｂ合金う材の場合には、放射性α粒子による
メモリーエラーの発生がなく。
ｋｈＰｂ：残りからなる組成を有するＰｂ合金う材を製
造し、このＰｂ合金う材を用いて半導体装置の組立てを
行なったところ１本発明高純度ｐｂ材１〜４を用いて製
造されたＰｂ合金う材の場合には、放射性α粒子による
メモリーエラーの発生がなく。
このメモリーエラーの発生は１組立後１年ｌ過後も測定
されないのに対して、従来高純度ｐｂ材１〜番を用いて
製造したＰｂ合金う材の場合には、メモリーエラーが組
立て直後の半導体装置に測定され、かつこのメモリーエ
ラーの発生は時間が経過するＫつれて増大するものであ
った。
されないのに対して、従来高純度ｐｂ材１〜番を用いて
製造したＰｂ合金う材の場合には、メモリーエラーが組
立て直後の半導体装置に測定され、かつこのメモリーエ
ラーの発生は時間が経過するＫつれて増大するものであ
った。
上述のように、この発明の高純度ｐｂ材は、放射性α粒
子の発生がなく、この状態は長期間に亘って保持される
ので、これを半導体装置の組立てに用いられるＰｂ合金
う材の製造に用いれば、組立て後の半導体装置にＰｂ合
金ろう材が原因の放射性α粒子によるメモリーエラーが
長期間に亘って発生することがなくな勺、高い信頼性が
得られるようになるなど工業上有用な特性を有するので
ある。
子の発生がなく、この状態は長期間に亘って保持される
ので、これを半導体装置の組立てに用いられるＰｂ合金
う材の製造に用いれば、組立て後の半導体装置にＰｂ合
金ろう材が原因の放射性α粒子によるメモリーエラーが
長期間に亘って発生することがなくな勺、高い信頼性が
得られるようになるなど工業上有用な特性を有するので
ある。
第１図は半導体装置の１例としてのＩＣセラミック・パ
ッケージを示す概略断面図である。 ｌ・・・セラミックケース、 ２・・・半導体素子。 ３・・・ボンディングワイヤ、４・・・封着板。 ５・・・リード材。 出願人 三菱金１７Ａ株式会社
ッケージを示す概略断面図である。 ｌ・・・セラミックケース、 ２・・・半導体素子。 ３・・・ボンディングワイヤ、４・・・封着板。 ５・・・リード材。 出願人 三菱金１７Ａ株式会社
Claims (1)
- （１）純度：９９．９９９％以上、 放射性同位元素の含有量：５ｐｐｂ未満、 放射性同位元素による放射能：０．２ｐｃｉ／ｇ以下、 放射性同位元素のうちの２１０Ｐｂが示す放射能：０．
１５ｐｃｉ／ｇ以下。 放射性α粒子のカウント数：０．１ＣＰＨ／ｃｍ＾２以
下、 の条件を満足せしめることにより放射性α粒子の経時的
増加を抑制したことを特徴とする半導体装置組立て用Ｐ
ｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156283A JPH01321094A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156283A JPH01321094A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321094A true JPH01321094A (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=15624435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156283A Pending JPH01321094A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01321094A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03207596A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置組み立て用Ｐｂ合金はんだ材 |
| JPH09115957A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Sanken Electric Co Ltd | 電子部品及びこれを使用した電子回路装置の製造方法 |
| JP2009233686A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | ペースト用Ｐｂ−Ｓｎはんだ合金粉末およびＰｂ−Ｓｎはんだ合金ボール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222142A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Mitsubishi Metal Corp | Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63156283A patent/JPH01321094A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222142A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Mitsubishi Metal Corp | Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03207596A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置組み立て用Ｐｂ合金はんだ材 |
| JPH09115957A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Sanken Electric Co Ltd | 電子部品及びこれを使用した電子回路装置の製造方法 |
| JP2009233686A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Mitsubishi Materials Corp | ペースト用Ｐｂ−Ｓｎはんだ合金粉末およびＰｂ−Ｓｎはんだ合金ボール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100958652B1 (ko) | 고순도 주석 또는 주석 합금 및 고순도 주석의 제조방법 | |
| KR900000169B1 (ko) | 반도체 장치용 Pb 합금납재 | |
| KR20120106889A (ko) | α 선량이 적은 주석 또는 주석 합금 및 그 제조 방법 | |
| JP5822250B2 (ja) | α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法 | |
| JP3227851B2 (ja) | 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜 | |
| JPH01321094A (ja) | 半導体装置組立て用Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 | |
| US4185139A (en) | Filler for a glass-ceramic material comprising CaF2 granules overcoated with a silicon dioxide film | |
| JPS61222142A (ja) | Ｐｂ合金ろう材の製造に用いられる高純度Ｐｂ材 | |
| JPH09260427A (ja) | 半導体装置、回路基板及び電子回路装置 | |
| JPS5964791A (ja) | 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法 | |
| JPS626793A (ja) | はんだペ−スト用Ｐｂ合金粉末 | |
| JP2778171B2 (ja) | 半導体装置組み立て用Ｐｂ合金はんだ材 | |
| JPS6159760A (ja) | 半導体装置の結線用Ａｌ合金極細線 | |
| JPH0367970B2 (ja) | ||
| JPS59169955A (ja) | 半導体装置の封着用低融点ガラス | |
| EP2987892A1 (en) | Method for producing low -emitting bismuth and low -emitting bismuth | |
| JPS6254598B2 (ja) | ||
| JPS6254597B2 (ja) | ||
| JP2005175089A (ja) | 低放射性ボンディングワイヤ | |
| JPS59125635A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5931045A (ja) | 樹脂封止形半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63133540A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS58207658A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0714819B2 (ja) | 低α線微粒三酸化アンチモン | |
| JPS62176940A (ja) | 半導体装置封着用低融点ガラス用ホウ酸鉛およびその製造方法 |