JPS5970491A - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
- Publication number
- JPS5970491A JPS5970491A JP57178892A JP17889282A JPS5970491A JP S5970491 A JPS5970491 A JP S5970491A JP 57178892 A JP57178892 A JP 57178892A JP 17889282 A JP17889282 A JP 17889282A JP S5970491 A JPS5970491 A JP S5970491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing material
- semiconductor device
- radioactive
- alloy brazing
- alloy
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400°C
- B23K35/268—Pb as the principal constituent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、通常のＩＣは勿論のこと、大容量メモリー
素子である６ ４ＫＲＡＭや２５６ ＫＲＡＭ等のメモ
リーや、各種の超ＬＳＩ等の半導体装置のアッセンブリ
ーに際して、部材接合用ろう材として使用するのに適し
たＰｂ合金に関するものである。
素子である６ ４ＫＲＡＭや２５６ ＫＲＡＭ等のメモ
リーや、各種の超ＬＳＩ等の半導体装置のアッセンブリ
ーに際して、部材接合用ろう材として使用するのに適し
たＰｂ合金に関するものである。
一般に、半導体装置の１つとして、第１図に概略縦断面
図で示されるＩＣセラミック・パック−ソが知られてい
る。このＩＣセラミック・パッケージは、主として所定
のキャビティをもったセラミックケース１と、このキャ
ビティの底部にろう付けされたシリコンチップ２と、ポ
ンディングＡＰ。
図で示されるＩＣセラミック・パック−ソが知られてい
る。このＩＣセラミック・パッケージは、主として所定
のキャビティをもったセラミックケース１と、このキャ
ビティの底部にろう付けされたシリコンチップ２と、ポ
ンディングＡＰ。
線３と、セラミックケースｌの−Ｌ面にろう付けされた
封着板４で構成されている。また、このｉＣセラミック
・パッケージのアッセンブリーに際しては、シリコンチ
ップ２および封着板４のろう付けに、Ａｕ−８ｎ合金ろ
う材やＡｕ−８ｉ合金ろう材が使用されている。
封着板４で構成されている。また、このｉＣセラミック
・パッケージのアッセンブリーに際しては、シリコンチ
ップ２および封着板４のろう付けに、Ａｕ−８ｎ合金ろ
う材やＡｕ−８ｉ合金ろう材が使用されている。
このように半導体装置のアッセンブリーには、ろう材と
してＡｕ合金が使用されており、確かにＡｕ合金ろう材
の使用によって信頼性の高いものとなる反面、コスト高
となるのを避けることができないものである。
してＡｕ合金が使用されており、確かにＡｕ合金ろう材
の使用によって信頼性の高いものとなる反面、コスト高
となるのを避けることができないものである。
そこで、本発明、者等は、」二連のような観点から、従
来、半導体装置のアッセンブリーに使用されているＡｕ
合金ろう材に匹敵する信頼性をもち、かっＡｕ合金ろう
材に比して安価なろう材を得べく研究を行なった結果、
Ａｇ：１〜１０重量係を含有し、残りがｐｂと不可避不
純物からなる組成を有し、かつ放射性α粒子のカウント
数が０．５０ Ｐ Ｈ／ｃＴＬ（カウント／時）ＺＣｒ
＆以下の特性をもったＰｂ合金は、これを半導体装置の
アッセンブリーにろう材として使用した場合、きわめて
すぐれたぬれ性および接着強度を示し、しかもメモリー
エラーなどの発生原因となることもなく、信頼性の高い
ものであるという知見を得たのであり、さらにこのｐｂ
台金ろう材はＡｇの含有量が相対的に低いので、きわめ
て安価なものである。
来、半導体装置のアッセンブリーに使用されているＡｕ
合金ろう材に匹敵する信頼性をもち、かっＡｕ合金ろう
材に比して安価なろう材を得べく研究を行なった結果、
Ａｇ：１〜１０重量係を含有し、残りがｐｂと不可避不
純物からなる組成を有し、かつ放射性α粒子のカウント
数が０．５０ Ｐ Ｈ／ｃＴＬ（カウント／時）ＺＣｒ
＆以下の特性をもったＰｂ合金は、これを半導体装置の
アッセンブリーにろう材として使用した場合、きわめて
すぐれたぬれ性および接着強度を示し、しかもメモリー
エラーなどの発生原因となることもなく、信頼性の高い
ものであるという知見を得たのであり、さらにこのｐｂ
台金ろう材はＡｇの含有量が相対的に低いので、きわめ
て安価なものである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであつ
（て、Ａｇの含有量を１７−４０重量係としたのは、そ
の含有量が１％未満では所望のすぐれたぬれ性および接
着強度を確保することができず、一方１０％を越えて含
有させてもより一層の向上効宋が現われないことにより
定めたものであり、また放射性α粒子のカウント数を０
．５０ Ｐ Ｈ／ｃｒ／Ｌ以下としたのは、以下に示す
理由にもとづくものである。すなわち、通常の製錬法に
て製造されたｐｂ中には放射性同位元素が５ ｏｐｐｂ
以上も含有されており、これは放射性α粒子のカウント
数で、数ＣＰＨ／ｃｒｉＹ〜数１．０ＯＣＰＨ／ｆｆｌ
に相当する。
（て、Ａｇの含有量を１７−４０重量係としたのは、そ
の含有量が１％未満では所望のすぐれたぬれ性および接
着強度を確保することができず、一方１０％を越えて含
有させてもより一層の向上効宋が現われないことにより
定めたものであり、また放射性α粒子のカウント数を０
．５０ Ｐ Ｈ／ｃｒ／Ｌ以下としたのは、以下に示す
理由にもとづくものである。すなわち、通常の製錬法に
て製造されたｐｂ中には放射性同位元素が５ ｏｐｐｂ
以上も含有されており、これは放射性α粒子のカウント
数で、数ＣＰＨ／ｃｒｉＹ〜数１．０ＯＣＰＨ／ｆｆｌ
に相当する。
このように放射性同位元素の含有量が高いｐｂを主成分
とするＰｂ合金ろう拐を、半導体装置のアッセンブリー
に使用すると、このｐｂ金合金う材から発する放射性α
粒子がメモリーエラーの原因と々るなどの悪影響を及ぼ
し、信頼性のないものとなる。
とするＰｂ合金ろう拐を、半導体装置のアッセンブリー
に使用すると、このｐｂ金合金う材から発する放射性α
粒子がメモリーエラーの原因と々るなどの悪影響を及ぼ
し、信頼性のないものとなる。
したがって、これらの放射性同位元素による悪影響が現
われない占うにするためには、放射性同位元素の含有量
を５ ｏｐｐｂ未満として、放射性α粒子のカウント数
を０．５０ＰＨ／ｃＴＬにする必要がある。
われない占うにするためには、放射性同位元素の含有量
を５ ｏｐｐｂ未満として、放射性α粒子のカウント数
を０．５０ＰＨ／ｃＴＬにする必要がある。
つぎに、この発明のｐｂ金合金う材を実施例により具体
的（Ｃ説明する。
的（Ｃ説明する。
実施例
通常の溶解法により、原料として放射性同位元素の含有
量が低い、すなわち放射性α粒子のカウント数で０．５
０ Ｐ Ｈ／ｃＩＬｐ下の特性を有するｐｂを使用して
、それぞれ第１表に示される成分組成を有する本発明ｐ
ｂ金合金〜４およびＡｇ含有量がこの発明の範囲から低
い方に外れた比較ｐｂ金合金をそれぞれ調製し１、さら
に、通常の製錬法にて製造され、したがって放射性α粒
子のカウント数で７８．８ＣＰＨ／ｃｒ！を示すｐｂを
使用して同じく第１表に示される成分組成の比較ｐｂ金
合金を調製し、鋳造し、圧延して板厚：Ｏ，Ｏ’５ｍｍ
の板材とし、この板材から打抜きにて縦：１５ｍ、Ｘ横
：１０ｇＸ幅：ｌ龍の寸法をもった窓枠状ろう材を製造
した。
量が低い、すなわち放射性α粒子のカウント数で０．５
０ Ｐ Ｈ／ｃＩＬｐ下の特性を有するｐｂを使用して
、それぞれ第１表に示される成分組成を有する本発明ｐ
ｂ金合金〜４およびＡｇ含有量がこの発明の範囲から低
い方に外れた比較ｐｂ金合金をそれぞれ調製し１、さら
に、通常の製錬法にて製造され、したがって放射性α粒
子のカウント数で７８．８ＣＰＨ／ｃｒ！を示すｐｂを
使用して同じく第１表に示される成分組成の比較ｐｂ金
合金を調製し、鋳造し、圧延して板厚：Ｏ，Ｏ’５ｍｍ
の板材とし、この板材から打抜きにて縦：１５ｍ、Ｘ横
：１０ｇＸ幅：ｌ龍の寸法をもった窓枠状ろう材を製造
した。
第 １ 表 （※印：本発明範囲外）
５一
ついで、この結果得られた窓枠状の本発明ｐｂ金合金う
材１−４および比較ｐｂ金合金う材１，２を、第１図に
示される丁Ｃセラミック・パッケージのアッセンブリー
に際して、封着板のセラミックケースへのろう付けに使
用し、接着強度を測定すると共に、ぬれ性を観察した。
材１−４および比較ｐｂ金合金う材１，２を、第１図に
示される丁Ｃセラミック・パッケージのアッセンブリー
に際して、封着板のセラミックケースへのろう付けに使
用し、接着強度を測定すると共に、ぬれ性を観察した。
ぬれ性は、ろうが接着面に完全にまわっている場合をＯ
印、ろうのまわらない油分が少しでもある場合をＸ印で
評価した。また、□第１表にはろう材のα粒子カウント
数も示した。さらにこの結果のＩＣセラミック・パッケ
ージのメモリーエラーの有無も観察した。
印、ろうのまわらない油分が少しでもある場合をＸ印で
評価した。また、□第１表にはろう材のα粒子カウント
数も示した。さらにこの結果のＩＣセラミック・パッケ
ージのメモリーエラーの有無も観察した。
第１表に示される結果から、本発明Ｐｂ合金ろう材１〜
４は、いずれもすぐれたぬれ性および接着強度を示し、
また放射性α粒子のカウント数も０、５０’ Ｐ Ｈ／
ｄ！以下となっており、ろう材が原因のメモリーエラー
の発生が皆無となることが明らかである。これに対して
比較Ｐｂ合金ろう材ｌは□、Ａｇ含有量がこの発明の範
囲から外れて低いために、接着強度が低く、かつぬれ性
の悪いものになっている。また放射性α粒子のカウント
数がこの発明 ６− の範囲から外れて高い比較ｐｂ金合金う材２を使用した
場合にはメモリーエラーの発生が見られた。
４は、いずれもすぐれたぬれ性および接着強度を示し、
また放射性α粒子のカウント数も０、５０’ Ｐ Ｈ／
ｄ！以下となっており、ろう材が原因のメモリーエラー
の発生が皆無となることが明らかである。これに対して
比較Ｐｂ合金ろう材ｌは□、Ａｇ含有量がこの発明の範
囲から外れて低いために、接着強度が低く、かつぬれ性
の悪いものになっている。また放射性α粒子のカウント
数がこの発明 ６− の範囲から外れて高い比較ｐｂ金合金う材２を使用した
場合にはメモリーエラーの発生が見られた。
−１−述のように、この発明のｐｂ金合金う材は、すぐ
れた接着強度およびぬれ性を有し、かつ放射性α粒子の
カウント数も０．５０ＰＨ／（７以下なので、半導体装
置のアッセンブリーに使用するのに適するものであり、
しかも安価である。
れた接着強度およびぬれ性を有し、かつ放射性α粒子の
カウント数も０．５０ＰＨ／（７以下なので、半導体装
置のアッセンブリーに使用するのに適するものであり、
しかも安価である。
第１図はＩＣセラミック・パッケージの概略縦断面図で
ある。図面において、 １・・・セラミックケース、 ２・・・シリコンチップ
、３・・・ポンディングＡｌ線、４・・・封着板。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １） 和 夫 はが１名 ７− 第１図
ある。図面において、 １・・・セラミックケース、 ２・・・シリコンチップ
、３・・・ポンディングＡｌ線、４・・・封着板。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １） 和 夫 はが１名 ７− 第１図
Claims (1)
- Ａｇ：１〜１０重量係を含有し、残りがｐｂと不可避不
稗物からなる組成を有し、かつ放射性α粒子のカウント
数が０．５０ Ｐ Ｈ／ｃｒ！以下の特性を有すること
を特徴とする半導体装置用ｐｂ金合金う材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178892A JPS5970491A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178892A JPS5970491A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970491A true JPS5970491A (ja) | 1984-04-20 |
| JPS6254598B2 JPS6254598B2 (ja) | 1987-11-16 |
Family
ID=16056515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178892A Granted JPS5970491A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970491A (ja) |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57178892A patent/JPS5970491A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254598B2 (ja) | 1987-11-16 |
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