JPS6255244A - 透明導電性薄膜の電極形成方法 - Google Patents
透明導電性薄膜の電極形成方法Info
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- JPS6255244A JPS6255244A JP60196556A JP19655685A JPS6255244A JP S6255244 A JPS6255244 A JP S6255244A JP 60196556 A JP60196556 A JP 60196556A JP 19655685 A JP19655685 A JP 19655685A JP S6255244 A JPS6255244 A JP S6255244A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は透明導電性薄膜の電極形成方法に関し、詳しく
はガラス等の透明基板−りに形成した透明導電性薄膜に
電極用の端子を形成する方法に関する。
はガラス等の透明基板−りに形成した透明導電性薄膜に
電極用の端子を形成する方法に関する。
近年、自動車の窓ガラスやミラー等に、防曇を目的とす
るヒータ機能や電磁遮蔽機能を具備させるために、ＩＴ
Ｏ膜等の透明導電性薄膜を形成することが考えられてお
杓、この件に関しては本件用１０３１人も何件かの堤案
をしている（例えば、特ＩＪＩ昭５！ｌ−１３５７．７
６号、実暉昭６ｏ−ｔ５ｓ。
るヒータ機能や電磁遮蔽機能を具備させるために、ＩＴ
Ｏ膜等の透明導電性薄膜を形成することが考えられてお
杓、この件に関しては本件用１０３１人も何件かの堤案
をしている（例えば、特ＩＪＩ昭５！ｌ−１３５７．７
６号、実暉昭６ｏ−ｔ５ｓ。
９号、実願昭５９−８４０１３号等）。
ところで、透明導電性薄膜にヒータ機能を発揮させるた
めには、この透明導電性薄膜に電圧を供給することが必
要である。このため、透明基板りの透明導電性ｍ膜、通
常は端部に電極用の端子を形成し、この電極にリード線
を接続している。
めには、この透明導電性薄膜に電圧を供給することが必
要である。このため、透明基板りの透明導電性ｍ膜、通
常は端部に電極用の端子を形成し、この電極にリード線
を接続している。
これを更に詳細に説明すると、透明導電性薄膜に電極を
形成するには、通常第３図に示すような工程で行ってい
た。
形成するには、通常第３図に示すような工程で行ってい
た。
即ち、まず第３図＋８１のように、良く洗浄し乾燥させ
た透明基板としてのガラス板１上に、スパンタリング法
等の真空成膜法によりＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜３を
所定の厚さに形成する。続いて、真空槽内から取り出し
、第３図（ｂｌに示すように、 ゛大気中で透明
導電性薄膜３の電極形成部にマスキング材８を塗布し、
乾燥させる。その後、再び真空槽内で真空成膜法により
絶縁像ｍ膜４を形成する。この結果、第３図（Ｃ１に示
す状態となる。次いで、第３図（ｄ）に示すように、マ
スキング材８を除去し、このマスキング材８を除去した
電極形成部に銀ペースト２等の電極用材料を塗布し、同
時にこの銀ペースト２にリード線５を接続させる。そし
て、熱処理を行い第３図＋８１に示す状態となる。
た透明基板としてのガラス板１上に、スパンタリング法
等の真空成膜法によりＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜３を
所定の厚さに形成する。続いて、真空槽内から取り出し
、第３図（ｂｌに示すように、 ゛大気中で透明
導電性薄膜３の電極形成部にマスキング材８を塗布し、
乾燥させる。その後、再び真空槽内で真空成膜法により
絶縁像ｍ膜４を形成する。この結果、第３図（Ｃ１に示
す状態となる。次いで、第３図（ｄ）に示すように、マ
スキング材８を除去し、このマスキング材８を除去した
電極形成部に銀ペースト２等の電極用材料を塗布し、同
時にこの銀ペースト２にリード線５を接続させる。そし
て、熱処理を行い第３図＋８１に示す状態となる。
最後に、第３図１ｆｌに示すように、電極形成部をシー
リング樹脂６で被覆する。
リング樹脂６で被覆する。
ところで、上記従来の電極形成方法では、透明導電性薄
膜形成後、マスキングを施す必要から一度貫空槽から取
り出し、大気開放を行う。このため、透明導電性薄膜の
表面が酸化されたり、汚染されることがあり、透明導電
性薄膜と絶縁保護膜の密着性が不十分となる場合があっ
た。
膜形成後、マスキングを施す必要から一度貫空槽から取
り出し、大気開放を行う。このため、透明導電性薄膜の
表面が酸化されたり、汚染されることがあり、透明導電
性薄膜と絶縁保護膜の密着性が不十分となる場合があっ
た。
また、銀ペースト塗布後に熱処理を行うため、透明導電
性薄膜の種類によっては、その特性が劣化する場合があ
った。
性薄膜の種類によっては、その特性が劣化する場合があ
った。
そこで、透明導電性薄膜と絶縁保護膜の密着性を確保す
ると共に、透明導電性薄膜を劣化させない電極形成方法
が求められていた。
ると共に、透明導電性薄膜を劣化させない電極形成方法
が求められていた。
上記問題は、次に述べる本発明の透明導電性薄膜の電極
形成方法によって解決される。
形成方法によって解決される。
即ち、本発明は、透明導電性薄膜および絶縁保護膜が形
成された透明基板上の透明導電１４：Ｍ膜に電極用の端
子を形成する方法であって、前記透明基板の電極形成部
に導電性物質を含むペーストを焼き付けた後、このペー
ストを含む透明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜お
よび絶縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜を除去した後、このペ
ースト上にハンダ付け等によ杓リード線を接続１７、最
後に電極形成部をシーリング樹脂で覆うことを特徴とし
ている。−・−一一一一第１の発明また、本発明は、透
明導電性薄膜および絶縁保ＩＩ膜が形成された透明基板
上の透明導電性薄膜に電極用の端子を形成する方法であ
って、前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含むペ
ーストを焼き付けた後、このペーストを含む透明基板上
に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶縁像ｔＩｓをこ
の順で形成し、次いでペースト上の透明導電性薄膜およ
び絶縁像ｌ！膜上に超音波ハンダごてをあて、導電性物
質を用いて超音波ハンダ付けを行ってリード線を接続し
、最後に電極形成部をシーリング樹脂で覆うことを特徴
としている。
成された透明基板上の透明導電１４：Ｍ膜に電極用の端
子を形成する方法であって、前記透明基板の電極形成部
に導電性物質を含むペーストを焼き付けた後、このペー
ストを含む透明基板上に真空成膜法で透明導電性薄膜お
よび絶縁保護膜をこの順で形成し、次いでペースト上の
透明導電性薄膜および絶縁保護膜を除去した後、このペ
ースト上にハンダ付け等によ杓リード線を接続１７、最
後に電極形成部をシーリング樹脂で覆うことを特徴とし
ている。−・−一一一一第１の発明また、本発明は、透
明導電性薄膜および絶縁保ＩＩ膜が形成された透明基板
上の透明導電性薄膜に電極用の端子を形成する方法であ
って、前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含むペ
ーストを焼き付けた後、このペーストを含む透明基板上
に真空成膜法で透明導電性薄膜および絶縁像ｔＩｓをこ
の順で形成し、次いでペースト上の透明導電性薄膜およ
び絶縁像ｌ！膜上に超音波ハンダごてをあて、導電性物
質を用いて超音波ハンダ付けを行ってリード線を接続し
、最後に電極形成部をシーリング樹脂で覆うことを特徴
としている。
−一−−−−−第２の発明
本発明は、自動車のウィンドシールドガラス、バック（
リヤ）ウィンドガラス、サイドウィンドガラス等の窓ガ
ラスやドアミラー等に透明導電性薄膜を形成する際等に
適用することができる。
リヤ）ウィンドガラス、サイドウィンドガラス等の窓ガ
ラスやドアミラー等に透明導電性薄膜を形成する際等に
適用することができる。
本発明において、透明基板としては、ポリアクリロニト
リル、ポリカーボネート等の透明樹脂、ガラス等を用い
ることができる。
リル、ポリカーボネート等の透明樹脂、ガラス等を用い
ることができる。
電極形成部は、透明導電性薄膜に電力を供給する端子で
ある電極を形成する透明基板ヒの部分である。従って、
透明基板上に少なくとも２か所、一般には透明基板表面
の端部に設ける。
ある電極を形成する透明基板ヒの部分である。従って、
透明基板上に少なくとも２か所、一般には透明基板表面
の端部に設ける。
透明導電性薄膜としては、酸化インジウム（Ｉｎｌ Ｏ
ｘ ） 、この酸化インジウムにドーパントとして錫（
Ｓｎ）または弗素（Ｆ）が用いられた酸化インジウム−
描面溶体（ＩＴＯ）、酸化インジウム−弗素固溶体、二
酸化錫（Ｓ ｎ Ｏｘ ） 、この二酸化錫にドーパン
トとして弗素（Ｆ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（ｓ
ｂ）を用いた二酸化錫−弗素固溶体、二酸化錫−リン
固溶体、二酸化錫−アンチモン固溶体を用いることがで
き、更には金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ１１）、ク
ロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ） 、ロジウム（Ｒｈ
）またはこれらの合金からなる金属（合金）薄膜を用い
ることができる。
ｘ ） 、この酸化インジウムにドーパントとして錫（
Ｓｎ）または弗素（Ｆ）が用いられた酸化インジウム−
描面溶体（ＩＴＯ）、酸化インジウム−弗素固溶体、二
酸化錫（Ｓ ｎ Ｏｘ ） 、この二酸化錫にドーパン
トとして弗素（Ｆ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（ｓ
ｂ）を用いた二酸化錫−弗素固溶体、二酸化錫−リン
固溶体、二酸化錫−アンチモン固溶体を用いることがで
き、更には金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ１１）、ク
ロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ） 、ロジウム（Ｒｈ
）またはこれらの合金からなる金属（合金）薄膜を用い
ることができる。
この透明導電性薄膜は真空蒸着法、スパッタリング、イ
オンブレーティング等の真空成膜法により、透明基板」
：に形成される。
オンブレーティング等の真空成膜法により、透明基板」
：に形成される。
電極は、上記透明導電性Ｆ＃膜に電流を供給する端子と
しての機能を有する。電極としては、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）
等の低抵抗の材料を用いることができる。この電穫は導
電性ペーストの焼付等によって形成される。この電極の
膜厚は２００八〜３００人程変がよい。なお、この電極
にはハンダ付け、ロウ付け等によってリード線を増養し
、このリード線は車載のバッテリ電源等にスイッチを介
して接続される。
しての機能を有する。電極としては、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）
等の低抵抗の材料を用いることができる。この電穫は導
電性ペーストの焼付等によって形成される。この電極の
膜厚は２００八〜３００人程変がよい。なお、この電極
にはハンダ付け、ロウ付け等によってリード線を増養し
、このリード線は車載のバッテリ電源等にスイッチを介
して接続される。
また、透明基板上には、透明導電性薄膜の絶縁と保護の
ために、二酸化珪素膜等の絶縁保護膜が形成される。こ
の絶縁保ｌｌｌ！は、透明導電性薄膜と同様に真空成膜
法により形成される。
ために、二酸化珪素膜等の絶縁保護膜が形成される。こ
の絶縁保ｌｌｌ！は、透明導電性薄膜と同様に真空成膜
法により形成される。
本発明の電極形成方法は、まず透明基板−りの電極形成
部に導電性ペーストを印刷あるいは塗布した後、焼き付
ける。続いて、真空成膜処理を行うため真空槽に入れ、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の適宜な真空成膜法を用いて、透明導電性薄膜およ
び絶縁保ｉｔ膜を真空槽から出すことなく連続して形成
する。
部に導電性ペーストを印刷あるいは塗布した後、焼き付
ける。続いて、真空成膜処理を行うため真空槽に入れ、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の適宜な真空成膜法を用いて、透明導電性薄膜およ
び絶縁保ｉｔ膜を真空槽から出すことなく連続して形成
する。
その後、第１の発明では、導電性ペーストドの透明導電
性薄膜と絶縁保護膜をアルミニウム微粉や −１０００
以上の紙やすり等を用いて研磨により除去した後、導電
性ペーストの上に常温乾燥導電性ペーストまたはハンダ
によりリード線を接続し、更にシーリング樹脂で電極形
成部を覆い、絶縁と密封を完全なものとする。
性薄膜と絶縁保護膜をアルミニウム微粉や −１０００
以上の紙やすり等を用いて研磨により除去した後、導電
性ペーストの上に常温乾燥導電性ペーストまたはハンダ
によりリード線を接続し、更にシーリング樹脂で電極形
成部を覆い、絶縁と密封を完全なものとする。
また、第２の発明では、第１の発明と異なり、導電性ペ
ーストドの透明導電性薄膜と絶縁保護膜を除去すること
な（、導電性材料を用いて超音波ハンダごてでリート線
を接続する。このとき、ハンダ付け時に掛かる超音波に
より導電性ペーストドの透明導電性薄膜と絶縁保護膜は
自動的に除去され、導電性ペーストと導電性材料の接続
がおこなわれると共に、リード線の接続がなされる。そ
の後、シーリング樹脂で電極形成部を覆うことにより、
絶縁とシールを行う。
ーストドの透明導電性薄膜と絶縁保護膜を除去すること
な（、導電性材料を用いて超音波ハンダごてでリート線
を接続する。このとき、ハンダ付け時に掛かる超音波に
より導電性ペーストドの透明導電性薄膜と絶縁保護膜は
自動的に除去され、導電性ペーストと導電性材料の接続
がおこなわれると共に、リード線の接続がなされる。そ
の後、シーリング樹脂で電極形成部を覆うことにより、
絶縁とシールを行う。
本発明の透明導電性薄膜の電極形成方法によれば、従来
のようにマスキング材を使用することなく、最初に透明
基板上に導電性ペーストを形成するため、透明導電性薄
膜および絶縁保ｌｌ！膜を真空槽から出すことなく連続
的に形成できる。このため、大気開放による透明導電性
薄膜の酸化や汚染が防止され、透明導電性薄膜と絶縁保
護膜は良好な密着性を維持できることになる。
のようにマスキング材を使用することなく、最初に透明
基板上に導電性ペーストを形成するため、透明導電性薄
膜および絶縁保ｌｌ！膜を真空槽から出すことなく連続
的に形成できる。このため、大気開放による透明導電性
薄膜の酸化や汚染が防止され、透明導電性薄膜と絶縁保
護膜は良好な密着性を維持できることになる。
また、導電性ペーストを塗布あるいは印刷後に焼き付け
（熱処理）を行っているが、本発明の場合は従来法と異
なり、導電性ペーストの焼き付けを行った後に透明導電
性薄膜を形成Ｌ７ているので、熱処理に基づく透明導電
性薄膜の劣化が防ＩＩ−，される。
（熱処理）を行っているが、本発明の場合は従来法と異
なり、導電性ペーストの焼き付けを行った後に透明導電
性薄膜を形成Ｌ７ているので、熱処理に基づく透明導電
性薄膜の劣化が防ＩＩ−，される。
次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明する。
（第１実施例）
第１実施例として第１の発明を第１図を参考にして説明
する。
する。
ここで、第Ｆ図は本発明の第１実施例に係る透明導電性
ｍｓの電極形成方法を示す工程図である。
ｍｓの電極形成方法を示す工程図である。
まず、透明基板として自動車の窓ガラスに用いるガラス
板ｌを準備し、これを有機溶剤と純水で十分に洗浄した
後、電極としてガラスフリットの入った銀ペースト２を
、第１図（ａｌに示すように、ガラス板１の端部の電極
形成部にスクリーン印刷し、１５０℃で２０分間乾燥後
、４５０℃で３０分間焼き付ける。このとき、電極面と
の段差（通常５０μｍ程度）を無くすために、アルミナ
微粉の入った研磨剤を用いて研磨を行い、段差をなくし
てなだらかな傾斜面に仕上げる。
板ｌを準備し、これを有機溶剤と純水で十分に洗浄した
後、電極としてガラスフリットの入った銀ペースト２を
、第１図（ａｌに示すように、ガラス板１の端部の電極
形成部にスクリーン印刷し、１５０℃で２０分間乾燥後
、４５０℃で３０分間焼き付ける。このとき、電極面と
の段差（通常５０μｍ程度）を無くすために、アルミナ
微粉の入った研磨剤を用いて研磨を行い、段差をなくし
てなだらかな傾斜面に仕上げる。
続いて、銀ペースト２を焼付けたガラス板１をスパッタ
リング貞空槽に入れ、スパッタリング法により透明導電
性薄膜としてＩＴＯ膜３を形成し７た。即ち、ガラス板
１をスパッタリング真空槽内の陽極側に設置し、−人陰
極側には蒸発源として酸化インジウム（Ｉｎｋ（’）、
）に１０重量％二酸化錫（ＳｎＯ，）を含むＩＴＯ焼結
ターゲットを設置した。そして、真空槽内を２Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ程度まで排気した後、２ＸＩＯ−Ｔｏｒｒま
でアルゴンガスを導入する。この状態で、ＩＫＷのスパ
ッタ電圧を投入し、透明導電性）１膜としてのＩＴ（’
）膜３を約１μｍ形成した。このときの状態を第Ｆ図＋
ｂ）に示す。
リング貞空槽に入れ、スパッタリング法により透明導電
性薄膜としてＩＴＯ膜３を形成し７た。即ち、ガラス板
１をスパッタリング真空槽内の陽極側に設置し、−人陰
極側には蒸発源として酸化インジウム（Ｉｎｋ（’）、
）に１０重量％二酸化錫（ＳｎＯ，）を含むＩＴＯ焼結
ターゲットを設置した。そして、真空槽内を２Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒ程度まで排気した後、２ＸＩＯ−Ｔｏｒｒま
でアルゴンガスを導入する。この状態で、ＩＫＷのスパ
ッタ電圧を投入し、透明導電性）１膜としてのＩＴ（’
）膜３を約１μｍ形成した。このときの状態を第Ｆ図＋
ｂ）に示す。
次いで、ガラス板１を真空槽から出すことなく、陰極側
の蒸発源を二酸化珪素に変えて、透明導電性薄膜の場合
と略同様にして、ＩＴＯＷｌ！３上に絶縁保護膜として
の二酸化珪素１１４を約１０００人の厚さに形成した。
の蒸発源を二酸化珪素に変えて、透明導電性薄膜の場合
と略同様にして、ＩＴＯＷｌ！３上に絶縁保護膜として
の二酸化珪素１１４を約１０００人の厚さに形成した。
この結果、第１図１ｄｌに示す状態となった。
次に、銀ペースト２上に形成されているＩＴＯ膜３と二
酸化珪素膜４を、アルミナ微粉の入った研磨剤を用いて
研磨することにより除去し、第１図１ｄｌに示す状態と
した。
酸化珪素膜４を、アルミナ微粉の入った研磨剤を用いて
研磨することにより除去し、第１図１ｄｌに示す状態と
した。
その後、露出した銀ペースト２に、常温乾燥銀ペースト
を用いてリード線５を取り付け、最後にシーリング樹脂
６により電極形成部をシールした。
を用いてリード線５を取り付け、最後にシーリング樹脂
６により電極形成部をシールした。
この結果、第１図（ｅｌに示す導電性透明部材が得られ
た。
た。
以上の結果得られた導電性透明部材は、同−真空槽内で
連続してＩＴＯ膜（透明導電性情Ｍ）と二酸化珪素膜（
絶縁保護膜）を形成したため、従来のように透明導電性
薄膜形成後に大気に開放することがなくなり、大気開放
に起因する透明導電性薄膜表面の劣化が防＋１される。
連続してＩＴＯ膜（透明導電性情Ｍ）と二酸化珪素膜（
絶縁保護膜）を形成したため、従来のように透明導電性
薄膜形成後に大気に開放することがなくなり、大気開放
に起因する透明導電性薄膜表面の劣化が防＋１される。
このため、透明導電性薄膜と絶縁保護膜の密着性が向上
する。
する。
まだ、銀ペーストの焼き付け（熱処理）後に透明導電性
薄膜を形成するため、透明導電性薄膜は熱処理の影響を
受けることがなくなり、熱処理に起因する特性の劣化が
防１トされる。
薄膜を形成するため、透明導電性薄膜は熱処理の影響を
受けることがなくなり、熱処理に起因する特性の劣化が
防１トされる。
（第２実施例）
第２実権例として第２の発明を第２図を参考にして説明
する。
する。
ここで、第２図は本発明の第２実施例に係る透明導電性
薄膜の電極形成方法を示す工程図である。
薄膜の電極形成方法を示す工程図である。
第２実施例においζ、第２図＋ａｌ〜第２図ｔｃ＋に示
す工程は第１実施例と同様なため、説明を省略する。
す工程は第１実施例と同様なため、説明を省略する。
ガラス板１上に銀ペースト２、ＩＴＯ膜３および二酸化
珪素膜４を形成した後、第２図（ｄｌに示すように、導
電性物質としての銀合金７を用いて銀ペースト２−ヒの
ＩＴＯ膜３および二酸化珪素膜４の一ヒに、超音波ハン
ダごてでリード線５を接続する。この結果、銀合金７に
リード線５が接続されると共に、超音波により銀ペース
ト２上のＩＴＯ膜３と二酸化珪素膜４が破壊、除去され
て銀ペースト２と銀合金７が接続される。
珪素膜４を形成した後、第２図（ｄｌに示すように、導
電性物質としての銀合金７を用いて銀ペースト２−ヒの
ＩＴＯ膜３および二酸化珪素膜４の一ヒに、超音波ハン
ダごてでリード線５を接続する。この結果、銀合金７に
リード線５が接続されると共に、超音波により銀ペース
ト２上のＩＴＯ膜３と二酸化珪素膜４が破壊、除去され
て銀ペースト２と銀合金７が接続される。
その後、第２図＋８）に示すように、電極形成部の周囲
をシーリング樹脂６で覆うことにより、第２図＋８）に
示す導電性透明部材が得られた。
をシーリング樹脂６で覆うことにより、第２図＋８）に
示す導電性透明部材が得られた。
この結果得られた導電性透明部材は、第１実施例の場合
と同様な効果を奏するのみでなく、銀ペースト上のＩＴ
Ｏ膜と二酸化珪素膜を研磨により除去する必要がないた
め、電極形成工程が一工程省略できるという優れた効果
を奏する。
と同様な効果を奏するのみでなく、銀ペースト上のＩＴ
Ｏ膜と二酸化珪素膜を研磨により除去する必要がないた
め、電極形成工程が一工程省略できるという優れた効果
を奏する。
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、本発
明は」−記実施例に限′定されるものではなく、特許請
求の範囲内において種々の実施態様を包含するものであ
る。
明は」−記実施例に限′定されるものではなく、特許請
求の範囲内において種々の実施態様を包含するものであ
る。
例えば、第１実施例では１ｊ−ド線の取り付けに常温乾
燥銀ペーストを用いたが、ハンダによりリード線を取り
付けてもよい。
燥銀ペーストを用いたが、ハンダによりリード線を取り
付けてもよい。
また、実施例では透明導電性薄膜および絶縁像ｉｌ！膜
の形成法としてスパッタリング法を用いたが、他の真空
蒸着法やイオンブレーティング法でもよい。
の形成法としてスパッタリング法を用いたが、他の真空
蒸着法やイオンブレーティング法でもよい。
以上より、本発明の透明導電性薄膜め電極形成方法によ
れば、以下の効果を奏する。
れば、以下の効果を奏する。
（イ）透明導電性薄膜と絶縁保護膜の密着性が大幅に向
上する。
上する。
（ｎ）ｊ３明導電性薄膜の劣化が防止され、品質の＋ｔ
＋＋トが図れる。
＋＋トが図れる。
第１図は本発明の第１★施例に係る透明導電性薄膜の電
極形成方法を示す工程図、 第２図は本発明の第２実施例に係る透明導電性薄膜の電
極形成方法を示す工程図、 第３図は従来の透明導電性薄膜の電極形成方法を示す工
程図である。 １−・−・−ガラス板（透明基板） ２−一一−−銀ペースト（電極） ３−−−−−− Ｉ Ｔ Ｏ膜（透明ＩＪ ｌ性ｒｆＩ
膜）４・−一−−−−二酸化珪素膜（絶縁保護膜）５・
・−−−−・−リード線 ６−−−−−シーリング樹脂 ７−−−−・−銀合金（導電性物質） 出願人 トヨタ自動車株式会社 第２図 ＋ａ１ ｍ閣■］］璽＝二？−１７ （ｄ） ５ 〆 （ｂ） ＼＼ゝ １ ＼＼＼＼、＼、 亡］１ 。 （ｅＪ ＋ａ）（ｄ）
極形成方法を示す工程図、 第２図は本発明の第２実施例に係る透明導電性薄膜の電
極形成方法を示す工程図、 第３図は従来の透明導電性薄膜の電極形成方法を示す工
程図である。 １−・−・−ガラス板（透明基板） ２−一一−−銀ペースト（電極） ３−−−−−− Ｉ Ｔ Ｏ膜（透明ＩＪ ｌ性ｒｆＩ
膜）４・−一−−−−二酸化珪素膜（絶縁保護膜）５・
・−−−−・−リード線 ６−−−−−シーリング樹脂 ７−−−−・−銀合金（導電性物質） 出願人 トヨタ自動車株式会社 第２図 ＋ａ１ ｍ閣■］］璽＝二？−１７ （ｄ） ５ 〆 （ｂ） ＼＼ゝ １ ＼＼＼＼、＼、 亡］１ 。 （ｅＪ ＋ａ）（ｄ）
Claims (2)
- （１）透明導電性薄膜および絶縁保護膜が形成された透
明基板上の透明導電性薄膜に電極用の端子を形成する方
法であって、 前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含むペースト
を焼き付けた後、このペーストを含む透明基板上に真空
成膜法で透明導電性薄膜および絶縁保護膜をこの順で形
成し、次いでペースト上の透明導電性薄膜および絶縁保
護膜を除去した後、このペーストにハンダ付け等により
リード線を接続し、最後に電極形成部をシーリング樹脂
で覆うことを特徴とする透明導電性薄膜の電極形成方法
。 - （２）透明導電性薄膜および絶縁保護膜が形成された透
明基板上の透明導電性薄膜に電極用の端子を形成する方
法であって、 前記透明基板の電極形成部に導電性物質を含むペースト
を焼き付けた後、このペーストを含む透明基板上に真空
成膜法で透明導電性薄膜および絶縁保護膜をこの順で形
成し、次いでペースト上の透明導電性薄膜および絶縁保
護膜上に超音波ハンダごてをあて、導電性物質を用いて
超音波ハンダ付けを行ってリード線を接続し、最後に電
極形成部をシーリング樹脂で覆うことを特徴とする透明
導電性薄膜の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196556A JPS6255244A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 透明導電性薄膜の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196556A JPS6255244A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 透明導電性薄膜の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255244A true JPS6255244A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0421286B2 JPH0421286B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16359698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196556A Granted JPS6255244A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 透明導電性薄膜の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255244A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120449U (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-15 | ||
| JP2007199664A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| KR101178863B1 (ko) | 2009-03-13 | 2012-08-31 | 코리아 오토글라스 주식회사 | 미세 열선패턴을 갖는 자동차용 안전유리 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3760576B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2006-03-29 | ぺんてる株式会社 | ヒーター付ミラー及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112713A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of pattern of metallic oxide film |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196556A patent/JPS6255244A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57112713A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-13 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Formation of pattern of metallic oxide film |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120449U (ja) * | 1988-02-10 | 1989-08-15 | ||
| JP2007199664A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Citizen Miyota Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| KR101178863B1 (ko) | 2009-03-13 | 2012-08-31 | 코리아 오토글라스 주식회사 | 미세 열선패턴을 갖는 자동차용 안전유리 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0421286B2 (ja) | 1992-04-09 |
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