JPS6256491B2 - - Google Patents
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- JPS6256491B2 JPS6256491B2 JP9519579A JP9519579A JPS6256491B2 JP S6256491 B2 JPS6256491 B2 JP S6256491B2 JP 9519579 A JP9519579 A JP 9519579A JP 9519579 A JP9519579 A JP 9519579A JP S6256491 B2 JPS6256491 B2 JP S6256491B2
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、更に
詳述すると、液晶分子を配向させるための基板表
面の処理方法に関する。 一般に、液晶分子を配向させるための基板表面
の処理方法として、ラビング法、斜蒸着法、イオ
ンシヤワー法などがあり用途に応じて使いわけら
れている。例えば腕時計用液晶表示素子等のスタ
テイツクドライブ方式のものには斜蒸着法が使用
され、電卓用液晶表示素子等のダイナミツクドラ
イブ方式のものにはラビング法が使用される。ま
た、最近では腕時計用液晶表示素子にもダイナミ
ツクドライブ方式が採用されつつあり、この場
合、ラビング法やダブル斜蒸着法が使用されてい
る。 一方、LSIの多集積小型化、電池の薄型化小型
化等の技術進歩、表示内容のフアツシヨン化、多
情報化などの情況から、液晶表示のマルチプレツ
クス化、高デユテイドライブ化に向う趨勢にあ
る。 このような要求を満足させるために液晶表示素
子の品質を高めることが重要な課題になつてい
る。高品質で安定度の高い液晶表示素子を得るた
めには、電気光学的特性として、コントラスト、
視角、応答時間に関する特性の改良が要求され、
そのためには、第１図に示すように、電圧−透過
率曲線の急峻な特性Ａをもつ液晶表示素子を得る
ことが必要になる。 一般に、電圧−透過率曲線の急峻な特性のもの
を得るには、いま特に基板表面の配向処理状態に
限定して考察すると、配向処理表面に液晶分子が
いかにきちんと整列し、その配合角θを小さくし
て並ぶかということが肝要である。すなわち、第
２図に示す配向角θを０゜に近づけることと、配
向の秩序度Ｓを小さくすることが重要な課題とな
る。また、電圧−透過率曲線の急峻度γをスレシ
ホールド電圧Vthとサチユレーシヨン電圧Vsatの
比 γ＝Ｖｓａｔ／Ｖｔｈ で表わせばγ＝１のとき完全な方形特性となりそ
れより大きくなるほど特性曲線がなだらかなもの
になる。そこで、従来の各種処理法についての配
向角θ、配向の秩序度Ｓ及びＴ−Ｖ曲線の急峻度
γを対比すると下表のようになる。
詳述すると、液晶分子を配向させるための基板表
面の処理方法に関する。 一般に、液晶分子を配向させるための基板表面
の処理方法として、ラビング法、斜蒸着法、イオ
ンシヤワー法などがあり用途に応じて使いわけら
れている。例えば腕時計用液晶表示素子等のスタ
テイツクドライブ方式のものには斜蒸着法が使用
され、電卓用液晶表示素子等のダイナミツクドラ
イブ方式のものにはラビング法が使用される。ま
た、最近では腕時計用液晶表示素子にもダイナミ
ツクドライブ方式が採用されつつあり、この場
合、ラビング法やダブル斜蒸着法が使用されてい
る。 一方、LSIの多集積小型化、電池の薄型化小型
化等の技術進歩、表示内容のフアツシヨン化、多
情報化などの情況から、液晶表示のマルチプレツ
クス化、高デユテイドライブ化に向う趨勢にあ
る。 このような要求を満足させるために液晶表示素
子の品質を高めることが重要な課題になつてい
る。高品質で安定度の高い液晶表示素子を得るた
めには、電気光学的特性として、コントラスト、
視角、応答時間に関する特性の改良が要求され、
そのためには、第１図に示すように、電圧−透過
率曲線の急峻な特性Ａをもつ液晶表示素子を得る
ことが必要になる。 一般に、電圧−透過率曲線の急峻な特性のもの
を得るには、いま特に基板表面の配向処理状態に
限定して考察すると、配向処理表面に液晶分子が
いかにきちんと整列し、その配合角θを小さくし
て並ぶかということが肝要である。すなわち、第
２図に示す配向角θを０゜に近づけることと、配
向の秩序度Ｓを小さくすることが重要な課題とな
る。また、電圧−透過率曲線の急峻度γをスレシ
ホールド電圧Vthとサチユレーシヨン電圧Vsatの
比 γ＝Ｖｓａｔ／Ｖｔｈ で表わせばγ＝１のとき完全な方形特性となりそ
れより大きくなるほど特性曲線がなだらかなもの
になる。そこで、従来の各種処理法についての配
向角θ、配向の秩序度Ｓ及びＴ−Ｖ曲線の急峻度
γを対比すると下表のようになる。
【表】
ここで更に重要なことは、配向角θが単に０゜
に近づくだけでなく、第３図に示すように、配向
ベクトルの向きが揃つていなくては逆向き傾斜の
発生原因となることである。例えば、ラビング法
によれば、θは５゜以下の小さな値を示している
が、配向ベクトルの向きが配向膜表面全域にわた
つて均一でなく、第４図に示すように、局部的に
不均一な、逆転、反転している領域５が存在する
ため、結果的に誘起ドメインが発生し、従つて視
角が逆転、反転して表示体としてきわめて表示品
位の低いものになる。また、斜蒸着法によれば、
配向ベクトルの向きは一様に揃つているが、θが
20゜〜30゜と大きいため、電圧−透過率曲線が急
峻でなくなると共に、光学的異方性の少ない液晶
表示素子を提供することになる。すなわち、第５
図に示すように、液晶表示素子を真上の方向Φ＝
90゜から見たときは色づき現象がなくても、Φ＝
20゜〜30゜の斜めから見ると色づき現象が生ず
る。なお、図において、３′は背面の配向膜、
３″は前面の配向膜、６は液晶分子配列状態を示
す。 次に、配向の秩序度Ｓについて述べれば、ラビ
ング法においてはＳ値が小さくなり、偏光板の偏
光軸と配向膜面上、液晶分子の整列方向とに角度
を生じ、角度の程度に従い色づき現象が表示品位
上の問題となる。また、斜蒸着法においては、配
向の秩序度Ｓの高い点はよいが、上述したように
θとγが共に大きいため、表示品位の高い液晶表
示素子に使用するには不適当である。 本発明の目的は、対向角θと配向の秩序度Ｓを
任意に制御することにより、電圧−透過率曲線を
急峻なものとし、高デユテイ・ドライブ用液晶表
示素子の視野角の拡大、コントラストの改良、応
答速度の改良を達成し、よつて表示品位の高い液
晶表示素子を提供することにある。 本発明の構成は、はじめに斜蒸着法により配向
膜を形成し、次にその上からイオンビームエツチ
ング法により配向角θを０゜に近づけてゆくこと
により配向処理を行うことを特徴としている。 配向膜として適している材料は、SiO、SiO2、
SiOx、MgF2、TiO2、TiOx等の金属酸化膜と金
属フツ化膜であるが、この中でイオンエツチング
法により配向角θを０゜に近づけてゆくのに最も
適しているものはSiO、SiOxである。 本発明によれば、はじめの斜蒸着法において配
向角θは20゜〜30゜と大きいが配向の秩序度Ｓが
大きくしかも逆向き傾斜のないものが得られ、次
にこれにイオンビームエツチング法により配向膜
をスパツタリングすると、スパツタイオンの飛来
方向と膜の成長方向とのずれが殆んど生じないか
ら、基板の支持方向の制御するだけで容易にθ＝
３゜程度の配向膜を得ることができる。 次に本発明の実施例を説明する。はじめ、真空
度１〜３×10-5Torr、基板と蒸発源の距離50〜
60cm、基板への入射角85゜〜89°、蒸発源材料
SiOの条件で斜蒸着法により第６図に示す配向膜
を得た。このときの配向角θは20゜〜30゜であつ
た。なお図はｘ−ｘ断面を表わしており、１はガ
ラス基板、２は電極、３は配向膜である。次に、
このようにして得られたものを第８図に示すよう
にイオンビーム源４に対し傾斜させて支持し、真
空度10-3〜10-5TorrのArイオン雰囲気、基板−
蒸発源距離20cm、基板への入射角60゜〜90゜の条
件でイオンビームエンチング処理を施こし、第７
図に示すような配向角θが３°以下の配向膜を得
た。 本発明の他の実施例として、上記実施例の通
り、斜蒸着処理とイオンビームエツチング処理を
行つたのち、さらに同一方向又は基板を90゜回転
させた方向から再度、斜蒸着を行つたところ、配
向の極性を更に強化でき、Ｓ値が向上した。 本発明によれば、電圧−透過率曲線の急峻なも
のが得られ、色づき現象が解消され、コントラス
トの高いものが得られた。その結果、高デユテイ
用液晶表示素子への適用が可能となつた。また、
ガラスフリツトシールでデユーテイドライブ可能
な液晶表示素子が得られるため、周囲の環提条件
に左右されない極めて信頼性が高く、表示品位の
良い液晶表示素子の製造が可能になつた。 本発明は、腕時計、電卓、クロツク、計測器等
に用いられるTN型液晶表示素子、ECB液晶表示
素子（DAP、HAN液晶表示素子）、PC液晶表示
素子、ゲストホスト型液晶表示素子、DS型液晶
表示素子等に実施することができ、スタテツクド
ライブ方式のもの、ダイナミツクドライブ方式の
もののいずれにも適し、特に高デユテイ用液晶表
示素子に適している。
に近づくだけでなく、第３図に示すように、配向
ベクトルの向きが揃つていなくては逆向き傾斜の
発生原因となることである。例えば、ラビング法
によれば、θは５゜以下の小さな値を示している
が、配向ベクトルの向きが配向膜表面全域にわた
つて均一でなく、第４図に示すように、局部的に
不均一な、逆転、反転している領域５が存在する
ため、結果的に誘起ドメインが発生し、従つて視
角が逆転、反転して表示体としてきわめて表示品
位の低いものになる。また、斜蒸着法によれば、
配向ベクトルの向きは一様に揃つているが、θが
20゜〜30゜と大きいため、電圧−透過率曲線が急
峻でなくなると共に、光学的異方性の少ない液晶
表示素子を提供することになる。すなわち、第５
図に示すように、液晶表示素子を真上の方向Φ＝
90゜から見たときは色づき現象がなくても、Φ＝
20゜〜30゜の斜めから見ると色づき現象が生ず
る。なお、図において、３′は背面の配向膜、
３″は前面の配向膜、６は液晶分子配列状態を示
す。 次に、配向の秩序度Ｓについて述べれば、ラビ
ング法においてはＳ値が小さくなり、偏光板の偏
光軸と配向膜面上、液晶分子の整列方向とに角度
を生じ、角度の程度に従い色づき現象が表示品位
上の問題となる。また、斜蒸着法においては、配
向の秩序度Ｓの高い点はよいが、上述したように
θとγが共に大きいため、表示品位の高い液晶表
示素子に使用するには不適当である。 本発明の目的は、対向角θと配向の秩序度Ｓを
任意に制御することにより、電圧−透過率曲線を
急峻なものとし、高デユテイ・ドライブ用液晶表
示素子の視野角の拡大、コントラストの改良、応
答速度の改良を達成し、よつて表示品位の高い液
晶表示素子を提供することにある。 本発明の構成は、はじめに斜蒸着法により配向
膜を形成し、次にその上からイオンビームエツチ
ング法により配向角θを０゜に近づけてゆくこと
により配向処理を行うことを特徴としている。 配向膜として適している材料は、SiO、SiO2、
SiOx、MgF2、TiO2、TiOx等の金属酸化膜と金
属フツ化膜であるが、この中でイオンエツチング
法により配向角θを０゜に近づけてゆくのに最も
適しているものはSiO、SiOxである。 本発明によれば、はじめの斜蒸着法において配
向角θは20゜〜30゜と大きいが配向の秩序度Ｓが
大きくしかも逆向き傾斜のないものが得られ、次
にこれにイオンビームエツチング法により配向膜
をスパツタリングすると、スパツタイオンの飛来
方向と膜の成長方向とのずれが殆んど生じないか
ら、基板の支持方向の制御するだけで容易にθ＝
３゜程度の配向膜を得ることができる。 次に本発明の実施例を説明する。はじめ、真空
度１〜３×10-5Torr、基板と蒸発源の距離50〜
60cm、基板への入射角85゜〜89°、蒸発源材料
SiOの条件で斜蒸着法により第６図に示す配向膜
を得た。このときの配向角θは20゜〜30゜であつ
た。なお図はｘ−ｘ断面を表わしており、１はガ
ラス基板、２は電極、３は配向膜である。次に、
このようにして得られたものを第８図に示すよう
にイオンビーム源４に対し傾斜させて支持し、真
空度10-3〜10-5TorrのArイオン雰囲気、基板−
蒸発源距離20cm、基板への入射角60゜〜90゜の条
件でイオンビームエンチング処理を施こし、第７
図に示すような配向角θが３°以下の配向膜を得
た。 本発明の他の実施例として、上記実施例の通
り、斜蒸着処理とイオンビームエツチング処理を
行つたのち、さらに同一方向又は基板を90゜回転
させた方向から再度、斜蒸着を行つたところ、配
向の極性を更に強化でき、Ｓ値が向上した。 本発明によれば、電圧−透過率曲線の急峻なも
のが得られ、色づき現象が解消され、コントラス
トの高いものが得られた。その結果、高デユテイ
用液晶表示素子への適用が可能となつた。また、
ガラスフリツトシールでデユーテイドライブ可能
な液晶表示素子が得られるため、周囲の環提条件
に左右されない極めて信頼性が高く、表示品位の
良い液晶表示素子の製造が可能になつた。 本発明は、腕時計、電卓、クロツク、計測器等
に用いられるTN型液晶表示素子、ECB液晶表示
素子（DAP、HAN液晶表示素子）、PC液晶表示
素子、ゲストホスト型液晶表示素子、DS型液晶
表示素子等に実施することができ、スタテツクド
ライブ方式のもの、ダイナミツクドライブ方式の
もののいずれにも適し、特に高デユテイ用液晶表
示素子に適している。
第１図乃至第５図は本発明に係る液晶表示素子
の一般的特性を説明する図である。第６図乃至第
８図は本発明の実施例を説明する図である。 １……ガラス基板、２……電極、３……配向
膜、４……イオンビーム源。
の一般的特性を説明する図である。第６図乃至第
８図は本発明の実施例を説明する図である。 １……ガラス基板、２……電極、３……配向
膜、４……イオンビーム源。
Claims (1)
- １ 基板上に所定形状の電極を形成し、この電極
面上に斜蒸着法により配向膜を形成し、次に、上
記配向膜に対しイオンビームをスパツタリングし
て上記形成された配向膜の配向角を小さくするこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9519579A JPS5619030A (en) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | Production of liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9519579A JPS5619030A (en) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | Production of liquid crystal display element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5619030A JPS5619030A (en) | 1981-02-23 |
| JPS6256491B2 true JPS6256491B2 (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=14130962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9519579A Granted JPS5619030A (en) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | Production of liquid crystal display element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5619030A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217339A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| JP3132193B2 (ja) * | 1991-11-08 | 2001-02-05 | 日本ビクター株式会社 | 液晶表示デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法 |
| US5689322A (en) * | 1993-07-30 | 1997-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having regions with different twist angles |
| KR100319871B1 (ko) * | 1994-01-28 | 2002-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 액정배향제어막및그제조방법,이를제조하기위한제조장치및제조장치에이용되는마스크의제조방법 |
| EP0733228B1 (en) * | 1994-10-06 | 2003-04-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
| JP2708382B2 (ja) * | 1994-10-14 | 1998-02-04 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置用基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置 |
| JP3567183B2 (ja) * | 1996-08-19 | 2004-09-22 | 大林精工株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6867837B2 (en) | 2001-01-23 | 2005-03-15 | Raytheon Company | Liquid crystal device and manufacturing method |
-
1979
- 1979-07-25 JP JP9519579A patent/JPS5619030A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5619030A (en) | 1981-02-23 |
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