JPS6256597A - 電子部品のメツキ方法 - Google Patents

電子部品のメツキ方法

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JPS6256597A
JPS6256597A JP60195856A JP19585685A JPS6256597A JP S6256597 A JPS6256597 A JP S6256597A JP 60195856 A JP60195856 A JP 60195856A JP 19585685 A JP19585685 A JP 19585685A JP S6256597 A JPS6256597 A JP S6256597A
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JP
Japan
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plating
pad
electronic component
electronic parts
ceramic substrate
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Pending
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JP60195856A
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Masao Sekihashi
関端　正雄
Toshihiko Oota
敏彦 太田
Osamu Miyazawa
修 宮沢
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US06/895,842 priority patent/US4765528A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、舎属表面上に♀メッキを有する電子部品に関
する。
〔発明の背景〕
金は耐熱性、耐食性、ハンダ付性、ワイヤボンデング性
あるいはＡ　ｕ　−Ｓ　ｉ共晶合金によるベレット付性
がすくれているので、各種の電子部品に広く利用されて
いる。
以下金メッキに関連して、セラミック基板にメノタライ
ズ層のパッドを施した電子部品の製造過程について説明
する。セラミック基板にメタライズパッドが形成された
後、このパッド上にＮｉメッキを施す。その後リード接
続を必要とするパッドにロウ付は法によりリードを接続
する。次に電気メツキ法により導体にＮｊメクキ皮膜を
形成し、続いてＣｏメッキ皮膜を形成し、さらにＡｕメ
ッキを２＠す。次に所定のバンド上に半導体ベレットを
ダイボンディングし、ワイヤボンデング法によってベレ
ットと他のパッドとを接続した後、低融点ガラス等によ
り半導体の封止暑行なう。ここでＡｕの下地にＮｉ−Ｃ
ｏメッキを施すのは、ワイヤボンデング性に封止加熱す
るとＡｕメッキが剥離する問題があり、これ？防ぐため
である。しかしＮｉメッキをし、その上にＣｏメッキを
行なう工種において、メッキ時に発生する水素ガスがメ
ッキ層内に吸蔵され、ベレット付は時および低融点ガラ
ス封止時の加熱により、ベレット付時にベレット内に形
成されたＡｕ−５ｉ合金中にボイドとなって残留し、ベ
レット付けの信頼性上重大な欠陥となる。またＮｉ−Ｃ
ｏ−Ａｕのメッキ層は５層メッキになっているため層間
のメッキ歪が太き（なり、リードを曲げたときメンキ剥
゛れが発生するという問題がある。
なおこの分野に関連する技術として、特開昭５５−３４
６９２号公報、＊開昭５８−４９５５号公報あるいは特
開昭５９−１５５９５０号公報に記載された技術などが
ある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、Ｎｉ−Ｃｏメッキを下地として金メッ
キを行なう電子部品において、ベレット付時に形成され
るＡＵ−８ｉ共晶中にボイドのない電子部品のメッキ方
法を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、金属面上にニッケルメッキを行−その上にコ
バルトメッキを行った後金メッキを施す電子部品におい
て、金メッキを施した後にアニール処理を施す電子部品
のメッキ方法を特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例について３−１図により説明する
。
才１図は、完成した電子部品の断面図であり、１はセラ
ミック基板、９は半導体のベレット、１０はワイヤボン
デングが施されたワイヤ、５はこの電子部品より突出す
るリードである。２α、２４および２Ｃはセラミック基
板１上に形成された導体のパッドであり、２４はベレッ
ト９が接続されるパッド、２４はワイヤボンデングが行
われるパッド、２ｃはリード５が接続されるパッドであ
る。１１は封止キャップである。
以下本実施例の方法について・１員を追って説明する。
まずセラミック基板１上にスクリーン印刷法などにより
、ＷあるいはＭｏ等の高融点金属を素材とするパッドを
形成し、セラミック基板１とともに焼結すると、セラミ
ックとこのような金属が一体となって相互焼結され、パ
ッド２ｃＬｔ２４および２ｃが形成される。その後この
パッド２α、２Ｊ３′および２ｃ上にＮｉメッキを行な
ってＮｉメッキ皮膜３を形成する。
次にバンド２ｃにたとえば共晶銀ロウ材４によってリー
ド５をロウ付けする。次に電気メツキ法によって、Ｎｉ
メッキ皮膜６を２〜５μｍ程度形成し、次にＣｏメッキ
皮膜７を０．５．２μｍ程度施し、さらにＡｕメッキ皮
膜８を１〜３μｍ施す。その後Ｎ、雰囲気中でこの電子
部品を４５０°Ｃ１１０分間加熱し、アニール処理ン実
施する。
その後通常速り、ベレット９をパッド２ｃＬにダイボン
デングし、ワイヤボンデング法によりベレット９とパッ
ド２にとをワイヤ１０で後続する。その後低融点ガラス
によって封止キャップ１１をセラミック基板１に溶着し
ベレット９を封止する。最後にリード５を半田コートす
る。
以上のようにアニール処理ケ行なった後、リードの９０
　°曲げを行なったがメッキの剥離は発生しなかった。
また封止後ベレット付部をＸ線により観察したがボイド
の□発生もなく、電子部品の信頼性を大巾に向上できた
。なお当日付性等も特に異常はな（、良好な結果が得ら
れた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、メッキ後のアニール処理によってメッ
キ中の残留ガスを除去できるので、Ａｕ−５ｉ共晶甲に
ボイドも発生しない信頼性の高い電子部品のメッキ法が
得られる。
斗 １、　ｒ　（ｎ　＋ｔｔＪ４門ａｍ＋ｉ／ＩＪｚ、Ａａ
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属面上にニッケルメッキを行い、その上にコバルト
    メッキを行つた後金メッキを施す電子部品において、前
    記金メッキを施した後に前記電子部品のアニール処理を
    施すことを特徴とする電子部品のメッキ方法。
JP60195856A 1985-09-06 1985-09-06 電子部品のメツキ方法 Pending JPS6256597A (ja)

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KR1019860005072A KR900003472B1 (ko) 1985-09-06 1986-06-25 전자부품의 도금방법
DE8686110808T DE3661547D1 (en) 1985-09-06 1986-08-05 Plating process for an electronic part
EP86110808A EP0214465B1 (en) 1985-09-06 1986-08-05 Plating process for an electronic part
US06/895,842 US4765528A (en) 1985-09-06 1986-08-12 Plating process for an electronic part

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DE3661547D1 (en) 1989-02-02
US4765528A (en) 1988-08-23
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