JPS59214247A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59214247A
JPS59214247A JP58087685A JP8768583A JPS59214247A JP S59214247 A JPS59214247 A JP S59214247A JP 58087685 A JP58087685 A JP 58087685A JP 8768583 A JP8768583 A JP 8768583A JP S59214247 A JPS59214247 A JP S59214247A
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JP
Japan
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pellet
layer
plated layer
plating layer
tin
Prior art date
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Pending
Application number
JP58087685A
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English (en)
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Susumu Okikawa
進 沖川
Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Hajime Sato
佐藤　始
Ryozo Yamagishi
山岸　良三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPS59214247A publication Critical patent/JPS59214247A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関するものである。
従来、半導体装置の製造にお−・て半導体ベレットをリ
ードフレームやヘッダの如き基板上に取り付ける場合、
半田付けを用いることが提案されている。
その場合、基板１の上に取り付けられる半導体ペレット
２の裏面には、第１図に示すように、チタン（Ｔｉ　）
層３．ニッケル（Ｎｉ　）層４．金（または銀）層５を
蒸着している。一方、基板１のベレット取付用のタブ６
上には、ニッケルめっき層７よりなる下地めっき層を介
して半田との濡れ性の良い銀（Ａｇ）めっき層８を施こ
し、その上に半田箔（または半田ディスク）９を介して
前記半導体ペレット２を加熱溶着させている。
しかしながら、この従来構造においては、タブ６上に高
価な銀めっき層８を形成しているので、ペレット付けに
要するコストが非常に高くつくという重大な欠点がある
。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、低コス
トでペレット付けでき、しかもペレット付は性能も良好
な半導体装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明による半導体装置は、
基板のベレット取付部上に下地めっき層を介して錫めっ
き層を形成したことを特徴とする。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
第２図は本発明による半導体装置の一資施例を示すベレ
ット取付部の部分断面図である。
本実施例において、銅系または鉄系の金属のリードフレ
ーム１１よりなる基板上に取り付けられる半導体ペレッ
ト１２はシリコン（８ｉ　）　テ形ｔ。
されている。この半導体ペレット１２の裏面（ボンディ
ング面）側には、シリコンとの接着性の良いチタン層１
３．ニッケル層１４．および金（または銀）層１５の各
蒸着層が順次裏面処理層として形成されている。
また、前記リードフレーム１１のペレット取付部である
タブ１６の上には、該リードフレーム１１の銅材料等の
ペレット方向への拡散を防止するためのニッケルめっき
層１７が下地めっき層として施こされている。このニッ
ケルめっき層１７の上には、半田との濡れ性の良い錫（
Ｓｎ）層１８が形成されている。
したがって、本実施例における半導体装置を製造する場
合、まず、リードフレーム１１のタブ１６上にニッケル
めっき層１７を施こし、またそのニッケルめっき層１７
の上に錫めっき層１８を形成する。一方、半導体ベレッ
ト１２の裏面側には、チタン層１３．ニッケル層１４．
および金（または銀）層１５を順次形成しておくう その後、リードフレーム１１を図示しないヒートブロッ
クの上に載せ、かつ前記錫めっき層１８の上に半田箔（
または半田ディスク）１９を置いた状態で窒素ガスの如
き不活性ガス雰囲気中において加熱を行うと、半田箔１
９が溶融され、錫めっき層１８と共に溶融合金層を形成
する。
したがって、この溶融合金層上に前記裏面処理済みの半
導体ベレット１２を載せてスクラブ運動させると、半導
体ベレット１２の金（または銀）層１５は前記溶融合金
層と融合して一体化し、その後に再び冷却固化すること
により、半導体ベレット１２はタブ１６上に確実に半田
付けによって固着される。
ペレット付けの終了後、半導体ベレット１２の電極部と
リードフレーム１１のインナーリード部とをワイヤ２０
（第３図）で結線する。その後、リードフレーム１１の
ペレット取付領域をレジン２１によりモールド封止する
と、第３図に示す如き半導体装置を得ることができる。
本実施例においては、リードフレーム１１のタブ１６上
に銀や金のように高価な貴金属ではなくて、安価な錫を
用いるので、ペレット付けのコストを著しく低減させる
ことができ、しかもペレット付けの信頼性を低下させる
こともない。また、錫めっき層１８は酸化を生じにくい
上に、薄い層として形成することができる等の利点もあ
る。
以上説明したように、本発明によれば、低コストで、信
頼性の高いペレット付けを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術を示す部分的分解断面図、第２図は本
発明の半導体装置のペレット取付構造の一例を示す部分
的分解断面図、第３図は本発明による半導体装置の一実
施例を示す断面図である。 １１・・・リードフレーム、１２・・・半導体ベレット
、１３・・・チタン層、１４・・・ニッケル層、１５・
・・金（または銀）層、１６・・・タブ、１７・・・ニ
ッケルめっき層、１８・・・錫めっき層、１９・・・半
田箔（または半田ディスク、２ｏ・・・ワイヤ、２１・
・・レジン。 代理人　弁理士　　高　橋　明　夫　と二）第　　１　
　図 ／ 第　　２　　図 第　　３　　図　　　″ ／２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板のベレット取付部上に下地めっき層を介して錫
    めっき層を形成した半導体装置。 ２、前記下地めっき層がニッケルめっき層であることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP58087685A 1983-05-20 1983-05-20 半導体装置 Pending JPS59214247A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58087685A JPS59214247A (ja) 1983-05-20 1983-05-20 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58087685A JPS59214247A (ja) 1983-05-20 1983-05-20 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59214247A true JPS59214247A (ja) 1984-12-04

Family

ID=13921780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58087685A Pending JPS59214247A (ja) 1983-05-20 1983-05-20 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59214247A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2992553A4 (en) * 2013-05-03 2017-03-08 Honeywell International Inc. Lead frame construct for lead-free solder connections

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2992553A4 (en) * 2013-05-03 2017-03-08 Honeywell International Inc. Lead frame construct for lead-free solder connections

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