JPS6256973B2 - - Google Patents
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- JPS6256973B2 JPS6256973B2 JP55054994A JP5499480A JPS6256973B2 JP S6256973 B2 JPS6256973 B2 JP S6256973B2 JP 55054994 A JP55054994 A JP 55054994A JP 5499480 A JP5499480 A JP 5499480A JP S6256973 B2 JPS6256973 B2 JP S6256973B2
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- Japan
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- light
- light receiving
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
- G01N21/8901—Optical details; Scanning details
- G01N21/8903—Optical details; Scanning details using a multiple detector array
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は自動表面検査装置に関し、より詳しく
は、連続走行する帯状被検査面における巾方向に
偏在し、かつ走行方向に緩やかに変化する不連続
表面欠陥、すなわち例えば錫めつき鋼板の部分ノ
ーリフロー等の表面欠陥を検出するに特に適した
自動表面検査装置に関する。
は、連続走行する帯状被検査面における巾方向に
偏在し、かつ走行方向に緩やかに変化する不連続
表面欠陥、すなわち例えば錫めつき鋼板の部分ノ
ーリフロー等の表面欠陥を検出するに特に適した
自動表面検査装置に関する。
従来、錫めつき鋼板の製造工程中の表面光沢化
処理におけるノーリフロー（錫溶融不良部）は表
面欠陥としては光学的に検出し難い欠陥の一つと
されていたが、反射光受光型の表面検査装置にお
いて被検査物の存在域に配置された受光素子出力
側に直流増巾器と比較器を組合せることにより、
帯状被検査物の全巾に亘るノーリフローの検出は
容易となつた。しかし、ノーリフローが巾方向に
偏在する場合には、被検査物の巾が製品受注サイ
ズに応じてしばしば変動するために受光素子群の
配置巾と被検査物の巾とが一般に一致せず、かつ
被検査物の不存在域における反射光量の減少と前
記部分ノーリフローによる反射光量の減少とを弁
別することが出来ないが故に、部分ノーリフロー
を検出することは実質的に不可能であつた。すな
わち、受光素子群の配置巾よりも被検査物の巾が
一般に狭く、被検査物の不存在域が生じるので、
これを検査対象から自動的にリジエクトすること
が出来れば前記従来方法乃至装置により部分ノー
リフローを検出することが可能であつたが、現在
までの処、前記自動リジエクト手段は未だ提供さ
れていない。
処理におけるノーリフロー（錫溶融不良部）は表
面欠陥としては光学的に検出し難い欠陥の一つと
されていたが、反射光受光型の表面検査装置にお
いて被検査物の存在域に配置された受光素子出力
側に直流増巾器と比較器を組合せることにより、
帯状被検査物の全巾に亘るノーリフローの検出は
容易となつた。しかし、ノーリフローが巾方向に
偏在する場合には、被検査物の巾が製品受注サイ
ズに応じてしばしば変動するために受光素子群の
配置巾と被検査物の巾とが一般に一致せず、かつ
被検査物の不存在域における反射光量の減少と前
記部分ノーリフローによる反射光量の減少とを弁
別することが出来ないが故に、部分ノーリフロー
を検出することは実質的に不可能であつた。すな
わち、受光素子群の配置巾よりも被検査物の巾が
一般に狭く、被検査物の不存在域が生じるので、
これを検査対象から自動的にリジエクトすること
が出来れば前記従来方法乃至装置により部分ノー
リフローを検出することが可能であつたが、現在
までの処、前記自動リジエクト手段は未だ提供さ
れていない。
そこで本発明者等は受光素子列出力の信号処理
装置の中に、被検査物の不存在域にある受光素子
の出力電圧を信号出力からリジエクトする論理回
路を組み込むことにより、被検査物の端縁近傍を
含む全巾に亘り、反射光減少勾配の比較的小さい
欠陥、例えば部分ノーリフローをも精度良く検出
できることを見出し、本発明を完成するに至つ
た。
装置の中に、被検査物の不存在域にある受光素子
の出力電圧を信号出力からリジエクトする論理回
路を組み込むことにより、被検査物の端縁近傍を
含む全巾に亘り、反射光減少勾配の比較的小さい
欠陥、例えば部分ノーリフローをも精度良く検出
できることを見出し、本発明を完成するに至つ
た。
本発明の目的は、被検査物の不存在域信号によ
つて出力が影響されず、被検査物の全巾に亘つて
検査可能な自動表面検査装置を提供することにあ
る。
つて出力が影響されず、被検査物の全巾に亘つて
検査可能な自動表面検査装置を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は被検査物の中央部のみなら
ず端縁部近傍についても連続自動検出を可能とし
た自動表面検査装置を提供することにある。
ず端縁部近傍についても連続自動検出を可能とし
た自動表面検査装置を提供することにある。
本発明により、非走査型光源と、走行する帯状
被検査物による前記光源の正反射光を受光する受
光素子列と、前記受光素子列出力の信号処理装置
とでなる自動表面検査装置において、被検査物の
存在域にある受光素子Ａ、被検査物の端縁部にあ
る受光素子Ｂ、被検査物の不存在域にある受光素
子Ｃの各出力電圧を夫々ＶA，ＶB，ＶCとした
時、ＶA≧ＶB＞ＶCであることを検出し、ＶCを信
号出力からリジエクトすることを可能とする論理
回路を前記信号処理装置に含むことを特徴とする
自動表面検査装置が提供される。
被検査物による前記光源の正反射光を受光する受
光素子列と、前記受光素子列出力の信号処理装置
とでなる自動表面検査装置において、被検査物の
存在域にある受光素子Ａ、被検査物の端縁部にあ
る受光素子Ｂ、被検査物の不存在域にある受光素
子Ｃの各出力電圧を夫々ＶA，ＶB，ＶCとした
時、ＶA≧ＶB＞ＶCであることを検出し、ＶCを信
号出力からリジエクトすることを可能とする論理
回路を前記信号処理装置に含むことを特徴とする
自動表面検査装置が提供される。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
第１図は非走査型自動表面検査装置の一般的構
成を示す斜視図である。本発明装置も非走査光源
３から射出された帯状光４は被検査物１によつて
反射され、その正反射光５を受光素子列２で受光
する公知の外部構成であるところに変りはない。
成を示す斜視図である。本発明装置も非走査光源
３から射出された帯状光４は被検査物１によつて
反射され、その正反射光５を受光素子列２で受光
する公知の外部構成であるところに変りはない。
第２図は矢印の方向に移動する被検査物１とそ
の反射光を受光する受光素子列２の位置関係図
と、その位置関係に応じた受光素子出力ＶA，Ｖ
B，ＶCのレベルを示すグラフである。この図面か
らして、ＶA≧ＶB＞ＶCなることが明らかであ
る。すなわち受光素子A1，A2……Ａo（ｎは正の
整数）は被検査物の存在域にあるから通常欠陥の
ない時は被検査物の鏡面反射によつて大きい出力
電圧（ＶA1≒ＶA2≒……≒ＶAo≒一定）を示す
が、端縁部にかかる受光素子B1，B2は被検査物
の存在域の大小に応じて一般にＶAよりも小さい
出力電圧ＶB1，ＶB2を示す。但し、被検査物端縁
が丁度受光素子の隣接部にある時は、ＶB＝ＶAと
なり、結果的にＶB従つて受光素子Ｂは消失し、
受光素子列は受光素子Ａと受光素子Ｃのみによつ
て構成されるようになる。そして被検査物の不存
在域にある受光素子C1，C2は反射面をもたない
ので殆んどゼロに近い出力電圧ＶCを示すにすぎ
ず、必ずＶB＞ＶCである。
の反射光を受光する受光素子列２の位置関係図
と、その位置関係に応じた受光素子出力ＶA，Ｖ
B，ＶCのレベルを示すグラフである。この図面か
らして、ＶA≧ＶB＞ＶCなることが明らかであ
る。すなわち受光素子A1，A2……Ａo（ｎは正の
整数）は被検査物の存在域にあるから通常欠陥の
ない時は被検査物の鏡面反射によつて大きい出力
電圧（ＶA1≒ＶA2≒……≒ＶAo≒一定）を示す
が、端縁部にかかる受光素子B1，B2は被検査物
の存在域の大小に応じて一般にＶAよりも小さい
出力電圧ＶB1，ＶB2を示す。但し、被検査物端縁
が丁度受光素子の隣接部にある時は、ＶB＝ＶAと
なり、結果的にＶB従つて受光素子Ｂは消失し、
受光素子列は受光素子Ａと受光素子Ｃのみによつ
て構成されるようになる。そして被検査物の不存
在域にある受光素子C1，C2は反射面をもたない
ので殆んどゼロに近い出力電圧ＶCを示すにすぎ
ず、必ずＶB＞ＶCである。
第３図は受光素子巾方向における被検査物端縁
位置と受光素子の出力電圧を示すグラフである。
横軸は受光素子の巾をＬ、その受光素子とオーバ
ーラツプする被検査物の巾をｌとした時のｌ／Ｌ
（被検査物存在率）を百分率で表わしている。
位置と受光素子の出力電圧を示すグラフである。
横軸は受光素子の巾をＬ、その受光素子とオーバ
ーラツプする被検査物の巾をｌとした時のｌ／Ｌ
（被検査物存在率）を百分率で表わしている。
第４図は論理回路を含む信号処理装置の回路図
である。
である。
受光素子Ａ，Ｂ，Ｃの出力電圧ＶA，ＶB，ＶC
はDCアンプ１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによつて増
巾されて夫々比較器２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ、２
２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ、２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ
と順に供給され、各比較器において、夫々ポテン
シオメータ１１，１２，１３によつて与えられた
参照電圧RV１，RV２，RV３と比較される。こ
こに参照電圧RV１は各受光素子が一部でも被検
査物１の存在域にあるかどうかを検出するための
もので、極めて低い電圧レベルである。参照電圧
RV２は受光素子全体が被検査物の存在域にある
場合において、部分ノーリフロー（もしくは相当
表面欠陥）を検出するための電圧レベルであつ
て、この電圧レベルを調節することによつて表面
欠陥検出感度が調節可能である。参照電圧RV３
は被検査物端縁部存在域における受光素子の信号
出力を制限するための電圧レベルであつて、被検
査物の存在巾が一定値以下になつた時には信号出
力をカツトアウトする基準となる。
はDCアンプ１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃによつて増
巾されて夫々比較器２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ、２
２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ、２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ
と順に供給され、各比較器において、夫々ポテン
シオメータ１１，１２，１３によつて与えられた
参照電圧RV１，RV２，RV３と比較される。こ
こに参照電圧RV１は各受光素子が一部でも被検
査物１の存在域にあるかどうかを検出するための
もので、極めて低い電圧レベルである。参照電圧
RV２は受光素子全体が被検査物の存在域にある
場合において、部分ノーリフロー（もしくは相当
表面欠陥）を検出するための電圧レベルであつ
て、この電圧レベルを調節することによつて表面
欠陥検出感度が調節可能である。参照電圧RV３
は被検査物端縁部存在域における受光素子の信号
出力を制限するための電圧レベルであつて、被検
査物の存在巾が一定値以下になつた時には信号出
力をカツトアウトする基準となる。
以下受光素子出力ＶA，ＶB，ＶCの順に詳述す
る。
る。
受光素子出力ＶAは比較器２１Ａで比較される
が、当然に電圧は最も高いからＨ信号が出力さ
れ、排他的論理ORゲート２４Ａに送られる。
が、当然に電圧は最も高いからＨ信号が出力さ
れ、排他的論理ORゲート２４Ａに送られる。
受光素子出力ＶBは比較器２１Ｂで比較され、
前述のとおりＶA≧ＶB＞ＶCであるから、比較器
２１ＢよりＨ信号が出力され、排他的論理ORゲ
ート２４Ｂ並びに２４Ａに送られる。
前述のとおりＶA≧ＶB＞ＶCであるから、比較器
２１ＢよりＨ信号が出力され、排他的論理ORゲ
ート２４Ｂ並びに２４Ａに送られる。
受光素子出力ＶCはゼロに近い（ＶC≒０）電圧
であるから比較器２４Ｃの出力はＬ信号として出
力され、排他的論理ORゲート２４Ｃ並びに２４
Ｂに送られる。
であるから比較器２４Ｃの出力はＬ信号として出
力され、排他的論理ORゲート２４Ｃ並びに２４
Ｂに送られる。
ついで、排他的論理ORゲート２４Ａ，２４
Ｂ，２４Ｃの出力は夫々Ｌ，Ｈ，Ｌ信号となる。
ここにＶBのチヤネルのみＨ信号となるのは、被
検査物の端縁部を自動検出していることに他なら
ない。
Ｂ，２４Ｃの出力は夫々Ｌ，Ｈ，Ｌ信号となる。
ここにＶBのチヤネルのみＨ信号となるのは、被
検査物の端縁部を自動検出していることに他なら
ない。
アナグロスイツチ２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃは二
者択一的に作動し、これは前記排他的論理ORゲ
ートの出力信号によつて制御される。すなわち、
アナグロスイツチ２５Ａはポテンシオメータ１２
の参照電圧RV２に接続され、アナグロスイツチ
２５ＢはDCアンプ１４Ｂの出力電圧よりも比例
減少した電圧υBを出力する。そしてアナグロス
イツチ２５Ｃはポランシオメータ１２の参照電圧
RV２に接続される。
者択一的に作動し、これは前記排他的論理ORゲ
ートの出力信号によつて制御される。すなわち、
アナグロスイツチ２５Ａはポテンシオメータ１２
の参照電圧RV２に接続され、アナグロスイツチ
２５ＢはDCアンプ１４Ｂの出力電圧よりも比例
減少した電圧υBを出力する。そしてアナグロス
イツチ２５Ｃはポランシオメータ１２の参照電圧
RV２に接続される。
比較器２２ＡはDCアンプ１４Ａと参照電圧RV
２を比較し、被検査物に表面欠陥が存在する時は
Ｈ信号を出力し、存在しない時はＬ信号を出力す
る。
２を比較し、被検査物に表面欠陥が存在する時は
Ｈ信号を出力し、存在しない時はＬ信号を出力す
る。
比較器２２Ｂも同様にDCアンプ１４Ｂの出力
電圧と前述のυBとを比較し、被検査物に欠陥が
存在する時はＨ信号を、存在しない時にはＬ信号
を出力する。
電圧と前述のυBとを比較し、被検査物に欠陥が
存在する時はＨ信号を、存在しない時にはＬ信号
を出力する。
ここにυBは第３図に示すようにＶBよりも比例
減少した電圧であつて、表面欠陥検出のための一
種の参照電圧であり、換言すればｌ／Ｌに追従す
る可変参照電圧に他ならない。
減少した電圧であつて、表面欠陥検出のための一
種の参照電圧であり、換言すればｌ／Ｌに追従す
る可変参照電圧に他ならない。
比較器２２Ｃは同様にDCアンプ１４Ｃの出力
と参照電圧RV２とを比較するが、前記DCアンプ
１４Ｃの出力がゼロに近いため、Ｈ信号が出力さ
れる。
と参照電圧RV２とを比較するが、前記DCアンプ
１４Ｃの出力がゼロに近いため、Ｈ信号が出力さ
れる。
ついで比較器２６ＡはDCアンプ１４Ａの出力
とポテンシオメータ１３で設定された参照電圧
RV３とを比較するが、当然にＨ信号を出力し、
アンドゲート２７Ａのゲートを開き、比較器２２
Ａからの欠陥信号を待機する状態とする。
とポテンシオメータ１３で設定された参照電圧
RV３とを比較するが、当然にＨ信号を出力し、
アンドゲート２７Ａのゲートを開き、比較器２２
Ａからの欠陥信号を待機する状態とする。
比較器２６Ｂは前記被検査物存在率ｌ／Ｌが小
さくなり、従つて受光素子出力ＶBか参照電圧RV
３と比較して小さくなつた時にこれを検出してア
ンドゲート２７Ｂを閉じさせ、比較器２２Ｂの出
力をカツトアウトする。従つて被検査物存在率
ｌ／Ｌが比較的大であつて受光素子出力電圧ＶB
が参照電圧RV３よりも大きい時には、常に信号
出力がアントゲート２７Ｂを開き、アンドゲート
２７Ａと同様に比較器２２Ｂからの欠陥信号に対
し待機状態とする。
さくなり、従つて受光素子出力ＶBか参照電圧RV
３と比較して小さくなつた時にこれを検出してア
ンドゲート２７Ｂを閉じさせ、比較器２２Ｂの出
力をカツトアウトする。従つて被検査物存在率
ｌ／Ｌが比較的大であつて受光素子出力電圧ＶB
が参照電圧RV３よりも大きい時には、常に信号
出力がアントゲート２７Ｂを開き、アンドゲート
２７Ａと同様に比較器２２Ｂからの欠陥信号に対
し待機状態とする。
比較器２６Ｃには０に近い低出力電圧がインプ
ツトされ、一方ポテンシオメータ１３から参照電
圧が与えられているので、比較器２６Ｃはこれら
を比較して、アンドゲート２７Ｃを閉じる。従つ
て比較器２２Ｃの出力は比較器２６Ｃによつてカ
ツトアウトされる。
ツトされ、一方ポテンシオメータ１３から参照電
圧が与えられているので、比較器２６Ｃはこれら
を比較して、アンドゲート２７Ｃを閉じる。従つ
て比較器２２Ｃの出力は比較器２６Ｃによつてカ
ツトアウトされる。
そしてすべてアンドゲート２７Ａ，２７Ｂ，２
７Ｃ……の出力は綜合信号処理装置２８にインプ
ツトされ、欠陥の位置別に記録することも出来る
し、フライングシヤーを備えた表面処理装置（例
えば電気錫めつきライン）においては、選別機と
連動させて欠陥の存在する切板を自動的にリジエ
クトすることも出来る。
７Ｃ……の出力は綜合信号処理装置２８にインプ
ツトされ、欠陥の位置別に記録することも出来る
し、フライングシヤーを備えた表面処理装置（例
えば電気錫めつきライン）においては、選別機と
連動させて欠陥の存在する切板を自動的にリジエ
クトすることも出来る。
上記説明の如く、本発明を実施することにより
従来装置では得られなかつた作用効果が得られる
ようになつた。すなわち被検査物（ストリツプ）
の存在域においては、ノーリフロー等の表面欠陥
に応じた出力信号を得ることが出来、一方受光素
子列の両端部、すなわち被検査物（ストリツプ）
の不存在域の信号はカツトアウトされ、かつ被検
査物（ストリツプ）の端縁部が部分的に受光素子
とオーバーラツプする部分すなわち被検査物（ス
トリツプ）端縁存在域においても比例的に相当の
Ｓ／Ｎを維持することが出来る。
従来装置では得られなかつた作用効果が得られる
ようになつた。すなわち被検査物（ストリツプ）
の存在域においては、ノーリフロー等の表面欠陥
に応じた出力信号を得ることが出来、一方受光素
子列の両端部、すなわち被検査物（ストリツプ）
の不存在域の信号はカツトアウトされ、かつ被検
査物（ストリツプ）の端縁部が部分的に受光素子
とオーバーラツプする部分すなわち被検査物（ス
トリツプ）端縁存在域においても比例的に相当の
Ｓ／Ｎを維持することが出来る。
第１図は従来及び本発明装置の構成斜視図、第
２図は被検査物と受光素子列の位置関係図及び出
力レベルのグラフ、第３図は被検査物端縁部にお
ける受光素子出力電圧のグラフ、第４図は信号処
理装置の回路図である。 １……被検査物、２……受光素子列、３……非
走査光源、１１，１２，１３……ポテンシオスタ
ツト、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ……DCアンプ、
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ……比較器、２２Ａ，２
２Ｂ，２２Ｃ……比較器、２４Ａ，２４Ｂ，２４
Ｃ……排他的論理ORゲート、２５Ａ，２５Ｂ，
２５Ｃ……アナログスイツチ、２６Ａ，２６Ｂ，
２６Ｃ……比較器、２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ……
ANDゲート、２８……綜合信号処理装置、４０
……電源。
２図は被検査物と受光素子列の位置関係図及び出
力レベルのグラフ、第３図は被検査物端縁部にお
ける受光素子出力電圧のグラフ、第４図は信号処
理装置の回路図である。 １……被検査物、２……受光素子列、３……非
走査光源、１１，１２，１３……ポテンシオスタ
ツト、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ……DCアンプ、
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ……比較器、２２Ａ，２
２Ｂ，２２Ｃ……比較器、２４Ａ，２４Ｂ，２４
Ｃ……排他的論理ORゲート、２５Ａ，２５Ｂ，
２５Ｃ……アナログスイツチ、２６Ａ，２６Ｂ，
２６Ｃ……比較器、２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ……
ANDゲート、２８……綜合信号処理装置、４０
……電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非走査型光源と、走行する帯状被検査物によ
る前記光源の正反射光を受光する受光素子列と、
前記受光素子列出力の信号処理装置とでなる自動
表面検査装置において、被検査物の存在域にある
受光素子Ａ、被検査物の端縁部にある受光素子
Ｂ、被検査物の不存在域にある受光素子Ｃの各出
力電圧を夫々ＶA，ＶB，ＶC，とした時、ＶA≧Ｖ
B＞ＶCであることを検出し、ＶCを信号出力から
リジエクトすることを可能とする論理回路を前記
信号処理装置に含むことを特徴とする自動表面検
査装置。 ２ 前記帯状被検査物が錫めつき鋼板である特許
請求の範囲第１項記載の自動表面検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5499480A JPS56150336A (en) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Automatic surface inspecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5499480A JPS56150336A (en) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Automatic surface inspecting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56150336A JPS56150336A (en) | 1981-11-20 |
| JPS6256973B2 true JPS6256973B2 (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=12986198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5499480A Granted JPS56150336A (en) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Automatic surface inspecting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56150336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275291A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Matsushita Refrig Co Ltd | 積層型熱交換器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5234238B2 (ja) * | 1971-12-10 | 1977-09-02 | ||
| JPS5312218A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-03 | Fujitsu Ltd | Automatic detection range setting circuit |
-
1980
- 1980-04-24 JP JP5499480A patent/JPS56150336A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275291A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Matsushita Refrig Co Ltd | 積層型熱交換器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56150336A (en) | 1981-11-20 |
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