JPS625699A - 電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜 - Google Patents
電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜Info
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- JPS625699A JPS625699A JP14608885A JP14608885A JPS625699A JP S625699 A JPS625699 A JP S625699A JP 14608885 A JP14608885 A JP 14608885A JP 14608885 A JP14608885 A JP 14608885A JP S625699 A JPS625699 A JP S625699A
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は電磁波遮蔽て極めて有効なＣｕ薄膜に関し、
しかも電磁波遮蔽効果が経時的に低下することなく、各
種の分野に応用できる非常に有益なＣｕ薄膜に係るもの
である。
しかも電磁波遮蔽効果が経時的に低下することなく、各
種の分野に応用できる非常に有益なＣｕ薄膜に係るもの
である。
（従来の技術及びその問題点）
電子機器類の電磁波遮蔽方法としては従来、例えば［工
業材料Ｊ ＶＯＬ３２ＮＯ３，１９８４年３月ｐ３９〜
ｐｕｓにも記載されているように、■筐体を金属性にす
る、■プラスチックの表面をメタライズする、（メタラ
イズ方法としては亜鉛溶射、真空蒸着等による乾式鍍金
等）■導電性の充填材を分散配合する、（粉末又は繊維
状のアルミニウム、黄銅、銅、ニッケル、銀、カーボン
等）等が知られている。
業材料Ｊ ＶＯＬ３２ＮＯ３，１９８４年３月ｐ３９〜
ｐｕｓにも記載されているように、■筐体を金属性にす
る、■プラスチックの表面をメタライズする、（メタラ
イズ方法としては亜鉛溶射、真空蒸着等による乾式鍍金
等）■導電性の充填材を分散配合する、（粉末又は繊維
状のアルミニウム、黄銅、銅、ニッケル、銀、カーボン
等）等が知られている。
しかし上記■の方法では、電磁波遮蔽効果としては５０
ｄＢ以上であるが、装置自体が重量物となり、また筐体
の製作においてコスト高となる。また■の方法では、亜
鉛溶射の場合、密着性１作業性、及びコストの点で問題
があり、アルミニウムの真空蒸着の場合、厚さが２μ以
上ないと５０ｄＢ以上の電磁波遮蔽効果は得られず、厚
さを２μ以上とすると密着性が低下し、さらに厚さに関
係なく酸化に対する安定性でも問題がある。さらに■の
方法では、５ｎｄＥ以上という電磁波遮蔽効果は得られ
ない。
ｄＢ以上であるが、装置自体が重量物となり、また筐体
の製作においてコスト高となる。また■の方法では、亜
鉛溶射の場合、密着性１作業性、及びコストの点で問題
があり、アルミニウムの真空蒸着の場合、厚さが２μ以
上ないと５０ｄＢ以上の電磁波遮蔽効果は得られず、厚
さを２μ以上とすると密着性が低下し、さらに厚さに関
係なく酸化に対する安定性でも問題がある。さらに■の
方法では、５ｎｄＥ以上という電磁波遮蔽効果は得られ
ない。
そこで発明者はこれら種々の問題点を解決すべく鋭意研
究の結果、特定の金属薄膜を特定の厚さで特定の形態に
することにより、薄い膜厚で電磁波遮蔽効果が高く、し
かも容易に安価に製造でき、さらに酸化に対しても安定
で、電磁波遮蔽効果が経時的に低下することもないこの
発明を完成したものである。
究の結果、特定の金属薄膜を特定の厚さで特定の形態に
することにより、薄い膜厚で電磁波遮蔽効果が高く、し
かも容易に安価に製造でき、さらに酸化に対しても安定
で、電磁波遮蔽効果が経時的に低下することもないこの
発明を完成したものである。
（問題点を解決するだめの手段）
この発明は、厚さ１０００〜５０ｎｎ ＡのＣｕ薄膜の
少くとも片面に、厚さ５０Ｘ以上の異種の金属薄膜を積
層し、電磁波遮蔽性が高くしかも該電磁波遮蔽性が経時
的に低下しないＣｕ薄膜としたことを特徴とする。電磁
波遮蔽性Ｃｕ薄膜である。
少くとも片面に、厚さ５０Ｘ以上の異種の金属薄膜を積
層し、電磁波遮蔽性が高くしかも該電磁波遮蔽性が経時
的に低下しないＣｕ薄膜としたことを特徴とする。電磁
波遮蔽性Ｃｕ薄膜である。
なお、Ｃｕ薄膜及び異種の金属薄膜の厚さは渦電流式測
定法によったものである。
定法によったものである。
Ｃｕ薄膜は真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の薄膜生成法により適宜の基板上に形成する。
ィング等の薄膜生成法により適宜の基板上に形成する。
基板はこの発明の電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜を使用する分野
、用途等に応じて適宜選択すればよく、例えば筐体に直
接形成してもよく、またプラスチックフィルム等に形成
してもよい。
、用途等に応じて適宜選択すればよく、例えば筐体に直
接形成してもよく、またプラスチックフィルム等に形成
してもよい。
Ｃｕ薄膜は１０００〜５０００＾の厚さに形成する。
Ｃｕ薄膜がＩｎｎｎ Ａより薄いと５０ｄＢ以上という
充分な電磁波遮蔽効果が得られない。また、Ｃｕ薄膜が
５（１（’ＩＯＡより厚い場合でも充分な電磁波遮蔽効
果は得られるが、この場合は全体として厚くなりすぎて
Ｃｕ薄膜と異種の金属薄膜との間の密着力が低下する。
充分な電磁波遮蔽効果が得られない。また、Ｃｕ薄膜が
５（１（’ＩＯＡより厚い場合でも充分な電磁波遮蔽効
果は得られるが、この場合は全体として厚くなりすぎて
Ｃｕ薄膜と異種の金属薄膜との間の密着力が低下する。
Ｃｕ薄膜に積層する異種の金属薄膜はＣｕ薄膜の保護と
もなるものであり、使用する分野により適宜の金属薄膜
を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等
によりＣｕ薄膜の片面又は両面に形成する。
もなるものであり、使用する分野により適宜の金属薄膜
を真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等
によりＣｕ薄膜の片面又は両面に形成する。
異種の金属薄膜としては例えばＮ１、Ｓｎ、 Ｊｎ、Ａ
１． Ｚｎ、 Ｃｒ、 Ｐｂ等の薄膜が使用できる。１
異種・′）の金属薄膜ばＣｕ薄膜の片面又は両面に積層
するが、両面の場合表裏で同−又は異った合端のいずれ
を使用してもよい。
１． Ｚｎ、 Ｃｒ、 Ｐｂ等の薄膜が使用できる。１
異種・′）の金属薄膜ばＣｕ薄膜の片面又は両面に積層
するが、両面の場合表裏で同−又は異った合端のいずれ
を使用してもよい。
異種の金属薄膜の厚さはｓｏＸ以上とする。この厚さが
５０Ｘより薄いと電磁波遮蔽性が経時的に低Ｆするもの
である。
５０Ｘより薄いと電磁波遮蔽性が経時的に低Ｆするもの
である。
この発明は各種の分野に応用できる。例えば、基材フィ
ルムの片面にＣｕ薄膜及びＮ１薄膜を順次積層しその上
に粘着剤を塗布してこれを必要箇所に貼付けることがで
きる。また、基材フィルムの片面に離型層及び保護層を
順次形成し、その上にＳｎ薄膜、ｃｕｍ膜、及びＮ１薄
膜を順次積層し、さらにその上に接着層を形成した転写
材料を転写することもできる。さらに他の例としては、
熱収縮性フィルムの片面にＳｎ薄膜及びＣｕ薄膜を順次
積層しその上に保護層を形成しこれにょ抄収縮包装する
こともできる。
ルムの片面にＣｕ薄膜及びＮ１薄膜を順次積層しその上
に粘着剤を塗布してこれを必要箇所に貼付けることがで
きる。また、基材フィルムの片面に離型層及び保護層を
順次形成し、その上にＳｎ薄膜、ｃｕｍ膜、及びＮ１薄
膜を順次積層し、さらにその上に接着層を形成した転写
材料を転写することもできる。さらに他の例としては、
熱収縮性フィルムの片面にＳｎ薄膜及びＣｕ薄膜を順次
積層しその上に保護層を形成しこれにょ抄収縮包装する
こともできる。
（実施例）
次に実施例を示すが、ｃｕ蒸着膜及び異種の金属蒸着膜
の膜厚ばすべて、日本型側工業社製「デルメスメーター
ＪＤ−１０型によるものである。
の膜厚ばすべて、日本型側工業社製「デルメスメーター
ＪＤ−１０型によるものである。
実施例 １゜
厚さ２５μのポリエチレンテレフタレートフィルムの片
面に５０ＯＡの厚さのＳｎ蒸着膜を設け、該Ｓｎ蒸着膜
上に２［１（１０Ｈの厚さのＣＵ蒸着膜を設け、その上
にアクリル樹脂にて保護層を形成した。これの電磁波遮
蔽効果を測定したところｗ！、１図に示す通りであった
。
面に５０ＯＡの厚さのＳｎ蒸着膜を設け、該Ｓｎ蒸着膜
上に２［１（１０Ｈの厚さのＣＵ蒸着膜を設け、その上
にアクリル樹脂にて保護層を形成した。これの電磁波遮
蔽効果を測定したところｗ！、１図に示す通りであった
。
実施例 ２、
厚さ２５μのポリエチレンテレフタレートフィルムの片
面に３００１１ Ａの厚さのｃｕ蒸着膜を設け、該Ｃｕ
蒸着膜上に３ｎｎ Ｘの厚さのＮ１蒸着膜を設け、その
上にアクリル樹脂にて保護層を形成した。これの電磁波
遮蔽効果を測定したところ第２図だ示す通りであった。
面に３００１１ Ａの厚さのｃｕ蒸着膜を設け、該Ｃｕ
蒸着膜上に３ｎｎ Ｘの厚さのＮ１蒸着膜を設け、その
上にアクリル樹脂にて保護層を形成した。これの電磁波
遮蔽効果を測定したところ第２図だ示す通りであった。
実施例 ３゜
厚さ２５μのポリエチレンテレフタレートフィルムの片
面に４００久の厚さのＳｎ蒸着膜を設け、該５ｎｉ１着
膜上に２０００Åの厚さのＯｕ蒸着膜を設け、さらに該
ＣＵ蒸着膜上にａｎｎ Ｘの厚さのＮ１蒸着膜を設け、
その上にアクリル樹脂にて保護層を形成した。これの電
磁波遮蔽効果を測定したところ第３図に示す通りであっ
た。
面に４００久の厚さのＳｎ蒸着膜を設け、該５ｎｉ１着
膜上に２０００Åの厚さのＯｕ蒸着膜を設け、さらに該
ＣＵ蒸着膜上にａｎｎ Ｘの厚さのＮ１蒸着膜を設け、
その上にアクリル樹脂にて保護層を形成した。これの電
磁波遮蔽効果を測定したところ第３図に示す通りであっ
た。
実施例１〜実施例３のサンプルにつき、作成後６ケ月経
過したときに再度電磁波遮蔽効果を測定したところ、第
１図〜第３図に示す効果と同様のものであった。
過したときに再度電磁波遮蔽効果を測定したところ、第
１図〜第３図に示す効果と同様のものであった。
（発明の効果）
この発明は、厚さ１０００〜５（１００ＡのＣｕ薄膜の
少くとも片面に、厚さ５０Ａ以上の異種の金属薄膜を積
層したから、全体として薄い膜厚で高い電磁波遮蔽効果
を得ることができた。しかもこの発明は従来の薄膜生成
法により容易にかつ安価に製造できる。さらにこの発明
は上記の如く構成したから、酸化に対しても安定で電磁
波遮蔽効果が経時的に低下することもないという画期的
な効果も得ることができたものである。
少くとも片面に、厚さ５０Ａ以上の異種の金属薄膜を積
層したから、全体として薄い膜厚で高い電磁波遮蔽効果
を得ることができた。しかもこの発明は従来の薄膜生成
法により容易にかつ安価に製造できる。さらにこの発明
は上記の如く構成したから、酸化に対しても安定で電磁
波遮蔽効果が経時的に低下することもないという画期的
な効果も得ることができたものである。
第１図〜第３図はいずれも、この発明の実施例で得られ
たこの発明の電磁波遮蔽効果を測定した結果の図表であ
る。第１図はＳｎ薄膜上にＣｕ薄膜を積層した場合、第
２図はＣｕ薄膜上にＮ１薄膜を積層した場合、第３図は
Ｓｎ薄膜、Ｃｕ薄膜、及びＮ１薄膜を順次積層した場合
の結果をそれぞれ示す。
たこの発明の電磁波遮蔽効果を測定した結果の図表であ
る。第１図はＳｎ薄膜上にＣｕ薄膜を積層した場合、第
２図はＣｕ薄膜上にＮ１薄膜を積層した場合、第３図は
Ｓｎ薄膜、Ｃｕ薄膜、及びＮ１薄膜を順次積層した場合
の結果をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 厚さ１０００〜５０００ÅのＣｕ薄膜の少くとも片面
に、厚さ５０Å以上の異種の金属薄膜を積層し、電磁波
遮蔽性が高くしかも該電磁波遮蔽性が経時的に低下しな
いＣｕ薄膜としたことを特徴とする、電磁波遮蔽性Ｃｕ
薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14608885A JPS625699A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14608885A JPS625699A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625699A true JPS625699A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15399856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14608885A Pending JPS625699A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 電磁波遮蔽性Ｃｕ薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625699A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111000A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Oike Ind Co Ltd | 電磁波シールド用金属薄膜積層体 |
| JPH02303098A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Oike Ind Co Ltd | 電磁波シールド用フイルム |
| JPH11121961A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Etsumi Kogaku:Kk | 電磁波シールド成形品 |
| JP2000216591A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シ―ルド材 |
| JP2006156946A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-06-15 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電磁波シールドフィルム |
| JP2016153214A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-25 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム及びそれを用いた電磁波シールドシート |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14608885A patent/JPS625699A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111000A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Oike Ind Co Ltd | 電磁波シールド用金属薄膜積層体 |
| JPH02303098A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Oike Ind Co Ltd | 電磁波シールド用フイルム |
| JPH11121961A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Etsumi Kogaku:Kk | 電磁波シールド成形品 |
| JP2000216591A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シ―ルド材 |
| JP2006156946A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-06-15 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電磁波シールドフィルム |
| JP2016153214A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-25 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム及びそれを用いた電磁波シールドシート |
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