JPS6257016B2 - - Google Patents
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- JPS6257016B2 JPS6257016B2 JP56133150A JP13315081A JPS6257016B2 JP S6257016 B2 JPS6257016 B2 JP S6257016B2 JP 56133150 A JP56133150 A JP 56133150A JP 13315081 A JP13315081 A JP 13315081A JP S6257016 B2 JPS6257016 B2 JP S6257016B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
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- G—PHYSICS
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- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1357—Electrode structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/34—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 reflector
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- Liquid Crystal (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光による入力像を光電効果によつて
投影像に変換する電気光学装置の駆動方法に関す
る。
投影像に変換する電気光学装置の駆動方法に関す
る。
従来、この種の電気光学装置として液晶ライト
バルブ（光弁）なるものが知られている。その一
例として、特開昭56−43681号公報に於ては、液
晶層と誘電ミラーと、２個の透明電極間に挾まれ
た光電感応層（光導電層）とから成る薄膜の多層
構造をとる液晶ライトバルブが開示されている。
そして、この様な液晶ライトバルブに於て、前記
誘電ミラーは、液晶層側から入射する投影光が光
導電層には達しない様、事前に反射させる為に必
要な要素である。
バルブ（光弁）なるものが知られている。その一
例として、特開昭56−43681号公報に於ては、液
晶層と誘電ミラーと、２個の透明電極間に挾まれ
た光電感応層（光導電層）とから成る薄膜の多層
構造をとる液晶ライトバルブが開示されている。
そして、この様な液晶ライトバルブに於て、前記
誘電ミラーは、液晶層側から入射する投影光が光
導電層には達しない様、事前に反射させる為に必
要な要素である。
斯かる誘電ミラーとしては、例えばZnS、
Na3AlF6、MgF2、TiO2、SiO2等から成る多層膜
を用いている。このとき、可視域全域の波長光を
反射する誘電ミラーを得る為には、約15層以上の
積層体を各層厚の精確な制御を行ないつつ作成す
る必要があり、相当に高度な製造技術を要する。
又、仮に前述の目的を以て作成された誘電ミラー
であつても、実際には、投影光を完全には反射す
ることができず、光導電層と誘電ミラーとの間に
別途、光吸収層を設けてその機能を補うことが必
要であつた。
Na3AlF6、MgF2、TiO2、SiO2等から成る多層膜
を用いている。このとき、可視域全域の波長光を
反射する誘電ミラーを得る為には、約15層以上の
積層体を各層厚の精確な制御を行ないつつ作成す
る必要があり、相当に高度な製造技術を要する。
又、仮に前述の目的を以て作成された誘電ミラー
であつても、実際には、投影光を完全には反射す
ることができず、光導電層と誘電ミラーとの間に
別途、光吸収層を設けてその機能を補うことが必
要であつた。
従つて、この様な従来の液晶ライトバルブで
は、所期の機能が充分には発揮されず、且つ複雑
な構造になる上その製造にも手間がかかり、製造
コストも高いものとなつていた。
は、所期の機能が充分には発揮されず、且つ複雑
な構造になる上その製造にも手間がかかり、製造
コストも高いものとなつていた。
又、この様な従来の液晶ライトバルブでは、直
流電圧駆動することが困難であつた。
流電圧駆動することが困難であつた。
そこで、本発明は、斯かる従来の諸欠点を除去
すると共に、直流駆動を可能にして動画表示が容
易である。一般には液晶ライトバルブと呼ばれる
電気光学装置の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
すると共に、直流駆動を可能にして動画表示が容
易である。一般には液晶ライトバルブと呼ばれる
電気光学装置の駆動方法を提供することを目的と
するものである。
この様な目的を達成する本発明は、液晶層及び
整流性を有する光導電層を具え、光による入力像
を光電効果によつて投影像に変換する電気光学装
置に対し、前記光導電層の整流性と逆方向になる
直流電圧を印加して書込光信号を前記光導電層に
投射することにより前記液晶層に基づく投影像を
形成する過程と、前記光導電層の整流性と順方向
に電圧を印加して前記投影像を消去する過程とを
含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法で
ある。
整流性を有する光導電層を具え、光による入力像
を光電効果によつて投影像に変換する電気光学装
置に対し、前記光導電層の整流性と逆方向になる
直流電圧を印加して書込光信号を前記光導電層に
投射することにより前記液晶層に基づく投影像を
形成する過程と、前記光導電層の整流性と順方向
に電圧を印加して前記投影像を消去する過程とを
含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法で
ある。
以下、図面を用いて具体例によつて本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は、ライトバルブ装置の一例の略画断面
図であり、図に於て、１０は偏光子（板）であ
る。１ａ，１ｂは共に透明基板で、ガラス板又は
樹脂板より成る。又、２ａ，２ｂは共に透明電極
で、例えばSnO2やIn2（Sn）O3等の薄膜（厚さ、
500〜3000Å程度）から成る。３は液晶層、又、
４はスペーサーであつて、液晶層３を密封すると
共に、この層厚を調整する為のものである。そし
てこのスペーサー４としては通常、アルミナ粉末
やガラスフアイバー粉末を混入した樹脂製接着剤
が用いられる。液晶層３に於ける液晶構造の変化
には、通常DSMのように電流効果によるものの
他、TN方式（ねじれネマチツク効果）、DAP
（電界制御複屈折効果）方式、相遷移方式あるい
はGH（ゲストホスト効果）方式のように電界効
果によるものがあるが、この図示例ではGH方式
が好適なものとして採用されている。具体的に、
このGH（ゲストホスト）液晶層３に用いる液晶
に就いては特に制限はないが、駆動時の温度上昇
を考慮してクリアリング温度が50℃以上、望まし
くは60℃以上のものが選定される。又、液晶の配
向はホモジニアスであるが、ツイストしてもGH
方式に用いる他の配向でも勿論問題ない。液晶に
ゲストとして混入される染料としては耐光性の良
い、例えば、アンスラキノン系の染料が好ましく
用いられる。このとき、液晶中の染料の含有量
は、液晶の種類によつて左右されるが、通常、重
量％で0.05〜10％、望ましくは、0.1〜５％であ
る。更にこの液晶層３の厚さは一般に１〜20μｍ
程度とし、液晶の性能、応答速度、駆動電圧等に
よつて適切な厚さが設定される。５は遮光層であ
り、カーボンや金属を堆積法により厚さ500Å〜
２μｍ程度に成膜させたものである。そして、こ
の遮光層５は第１図のＡ，A′線に於ける切断平
面図である第２図のとおりの平面形状を有し、こ
の遮光層５には多数の透孔６が配列してある。
尚、この透孔６の一つが、投影像に於ける一画素
に相当する。因に、これ等の透孔６の形状は、図
示例の正方形のみに限られず、任意の形状のもの
とすることができる。更に、第１図中の７は透光
性絶縁層で、望ましくは、1012Ω・cm以上の体積
抵抗率を有する。これは例えば、グロー放電分解
法によつて形成されるSiC、Si3N4の膜、スパツタ
蒸着法等により形成されるSiO2膜やPbTiO3、
PLZT、ポリパラキシリレン等の強誘電体の膜か
ら成る。そして、この透光性絶縁層７の厚さは、
1000Å〜５μｍの範囲とするのが良い。
図であり、図に於て、１０は偏光子（板）であ
る。１ａ，１ｂは共に透明基板で、ガラス板又は
樹脂板より成る。又、２ａ，２ｂは共に透明電極
で、例えばSnO2やIn2（Sn）O3等の薄膜（厚さ、
500〜3000Å程度）から成る。３は液晶層、又、
４はスペーサーであつて、液晶層３を密封すると
共に、この層厚を調整する為のものである。そし
てこのスペーサー４としては通常、アルミナ粉末
やガラスフアイバー粉末を混入した樹脂製接着剤
が用いられる。液晶層３に於ける液晶構造の変化
には、通常DSMのように電流効果によるものの
他、TN方式（ねじれネマチツク効果）、DAP
（電界制御複屈折効果）方式、相遷移方式あるい
はGH（ゲストホスト効果）方式のように電界効
果によるものがあるが、この図示例ではGH方式
が好適なものとして採用されている。具体的に、
このGH（ゲストホスト）液晶層３に用いる液晶
に就いては特に制限はないが、駆動時の温度上昇
を考慮してクリアリング温度が50℃以上、望まし
くは60℃以上のものが選定される。又、液晶の配
向はホモジニアスであるが、ツイストしてもGH
方式に用いる他の配向でも勿論問題ない。液晶に
ゲストとして混入される染料としては耐光性の良
い、例えば、アンスラキノン系の染料が好ましく
用いられる。このとき、液晶中の染料の含有量
は、液晶の種類によつて左右されるが、通常、重
量％で0.05〜10％、望ましくは、0.1〜５％であ
る。更にこの液晶層３の厚さは一般に１〜20μｍ
程度とし、液晶の性能、応答速度、駆動電圧等に
よつて適切な厚さが設定される。５は遮光層であ
り、カーボンや金属を堆積法により厚さ500Å〜
２μｍ程度に成膜させたものである。そして、こ
の遮光層５は第１図のＡ，A′線に於ける切断平
面図である第２図のとおりの平面形状を有し、こ
の遮光層５には多数の透孔６が配列してある。
尚、この透孔６の一つが、投影像に於ける一画素
に相当する。因に、これ等の透孔６の形状は、図
示例の正方形のみに限られず、任意の形状のもの
とすることができる。更に、第１図中の７は透光
性絶縁層で、望ましくは、1012Ω・cm以上の体積
抵抗率を有する。これは例えば、グロー放電分解
法によつて形成されるSiC、Si3N4の膜、スパツタ
蒸着法等により形成されるSiO2膜やPbTiO3、
PLZT、ポリパラキシリレン等の強誘電体の膜か
ら成る。そして、この透光性絶縁層７の厚さは、
1000Å〜５μｍの範囲とするのが良い。
８は反射ミラーであり、鏡面を成すAl等金属
の厚さ500Å〜１μｍ程度の堆積膜から成る。こ
のミラー８は前記絶縁層７を介して透孔６の全て
に対面する様に多数個配置され、各ミラー８は第
１図のＢ，B′線に於ける切断平面図である第３図
のとおりに配列してある。尚、このミラー８の１
個は、各ミラーの間隙８Ｈからのもれ光を防ぐ目
的から、少なくとも前記透孔６の面積以上の面積
（広さ）に成形してある。
の厚さ500Å〜１μｍ程度の堆積膜から成る。こ
のミラー８は前記絶縁層７を介して透孔６の全て
に対面する様に多数個配置され、各ミラー８は第
１図のＢ，B′線に於ける切断平面図である第３図
のとおりに配列してある。尚、このミラー８の１
個は、各ミラーの間隙８Ｈからのもれ光を防ぐ目
的から、少なくとも前記透孔６の面積以上の面積
（広さ）に成形してある。
９は整流性を示す光導電層で、ここで謂う、整
流性とは後述する様に通常のダイオードに於ける
整流性と異なり更に広い概念である。
流性とは後述する様に通常のダイオードに於ける
整流性と異なり更に広い概念である。
ところで、第１図の構成例に於て、遮光層５の
透光性絶縁層７側の面には、カーボン層等の光吸
収部材を設けて、投影光のミラー８による反射戻
り光を吸収するのが、投影像のコントラストを上
げる為には望ましいことである。
透光性絶縁層７側の面には、カーボン層等の光吸
収部材を設けて、投影光のミラー８による反射戻
り光を吸収するのが、投影像のコントラストを上
げる為には望ましいことである。
又、反射ミラー８は、全て導電体から成り、且
つ分離していなければならないが、その形状の如
何は問わない。反射ミラー８の全てが分離してい
る理由は、これ等が連続していると、同一電位に
なつて電位差が生じない為、作像が不可能になる
からである。
つ分離していなければならないが、その形状の如
何は問わない。反射ミラー８の全てが分離してい
る理由は、これ等が連続していると、同一電位に
なつて電位差が生じない為、作像が不可能になる
からである。
ここで、別の図面を用いて、第１図に示した光
書込型液晶ライトバルブの作動に就いて詳しく説
明すると共に、本発明に於ける“整流性”の概念
を明確にする。第４図は、第１図のライトバルブ
装置の作動原理を説明する模式図である。
書込型液晶ライトバルブの作動に就いて詳しく説
明すると共に、本発明に於ける“整流性”の概念
を明確にする。第４図は、第１図のライトバルブ
装置の作動原理を説明する模式図である。
第４図に於て、透明電極２ａと２ｂとの間に電
源２０により所定の直流電界を印加する。このと
き、信号光線が投射された領域では、発生したキ
ヤリア（図中では印で示す電子）が前記電界に
より反射ミラー８に移動する。これによつて、透
明電極２ａと反射ミラー８の間の電圧が透孔６を
通して増大し閾値を越え、液晶層３に於て、誘電
異方向性が正の液晶分子３αと染料３βとがホモ
ジーニアス配向状態からホメオトロピツク配向状
態に変化する。そして、ここに、投影光を偏光板
１０を通して投射すると、偏光が透孔６を通して
反射ミラー８に至つた後ここで反射され反射光
RL2が得られる。他方、信号光線が入射しない領
域では、フオトキヤリアが発生しないので、キヤ
リアは透明電極２ｂに留り、反射ミラー８へは移
動しない。従つて、この場合には液晶層３に印加
される電圧が閾値を越えることなく、液晶分子３
αと染料３βはホモジーニアス配向状態に保たれ
る。そこで、ここに入射した投影光（偏光）は液
晶層３中の二色性染料３βによつて吸収され、反
射ミラー８による反射光RL1は前記反射光RL2に
較べて光量が少なくなつている。
源２０により所定の直流電界を印加する。このと
き、信号光線が投射された領域では、発生したキ
ヤリア（図中では印で示す電子）が前記電界に
より反射ミラー８に移動する。これによつて、透
明電極２ａと反射ミラー８の間の電圧が透孔６を
通して増大し閾値を越え、液晶層３に於て、誘電
異方向性が正の液晶分子３αと染料３βとがホモ
ジーニアス配向状態からホメオトロピツク配向状
態に変化する。そして、ここに、投影光を偏光板
１０を通して投射すると、偏光が透孔６を通して
反射ミラー８に至つた後ここで反射され反射光
RL2が得られる。他方、信号光線が入射しない領
域では、フオトキヤリアが発生しないので、キヤ
リアは透明電極２ｂに留り、反射ミラー８へは移
動しない。従つて、この場合には液晶層３に印加
される電圧が閾値を越えることなく、液晶分子３
αと染料３βはホモジーニアス配向状態に保たれ
る。そこで、ここに入射した投影光（偏光）は液
晶層３中の二色性染料３βによつて吸収され、反
射ミラー８による反射光RL1は前記反射光RL2に
較べて光量が少なくなつている。
この様にして、反射光量の差に基づく投影像
（……投影する為の像）が形成され、液晶層３中
に生じた像が不図示のスクリーン等に拡大して投
影される。
（……投影する為の像）が形成され、液晶層３中
に生じた像が不図示のスクリーン等に拡大して投
影される。
尚、叙上の過程に於ては、遮光層５及びミラー
８によつて、信号光線が液晶層３側にもれ出るこ
と及び、逆に投影光が光導電層９に入射する不都
合が阻止されている。
８によつて、信号光線が液晶層３側にもれ出るこ
と及び、逆に投影光が光導電層９に入射する不都
合が阻止されている。
又、叙上の作動例に於て、液晶層３中に形成さ
れる投影像が極微細なものでない限りは、特別な
投影光によらなくても室内光の下で投影像を目視
観察することもできる。
れる投影像が極微細なものでない限りは、特別な
投影光によらなくても室内光の下で投影像を目視
観察することもできる。
次に、第５図を用いた具体的構成例に就いて説
明する。
明する。
第１の構成例では、第５図に示す様に透明基板
１ｂに設けた透明電極２ｂ上にPt、Pd、Au又は
Moを20〜500Å、望ましくは30〜200Åの厚さに
蒸着して基層９ａを形成する。次いで、SiH4を
主体とするガスを放電分解して基層９ａ上にａ−
Si−Ｈ層９ｂを形成する。このａ−Si−Ｈ層９ｂ
は弱いｎ型の半導体となり基層９ａとの間にシヨ
トキーバリアー層を形成する。尚、ａ−Si−Ｈ層
９ｂは、通常、ｉ層と呼ばれる。そして、この層
９ｂの厚さは他の層、とりわけ液晶層３との関係
で決められるが、通常、5000Å〜20μｍの範囲に
ある。
１ｂに設けた透明電極２ｂ上にPt、Pd、Au又は
Moを20〜500Å、望ましくは30〜200Åの厚さに
蒸着して基層９ａを形成する。次いで、SiH4を
主体とするガスを放電分解して基層９ａ上にａ−
Si−Ｈ層９ｂを形成する。このａ−Si−Ｈ層９ｂ
は弱いｎ型の半導体となり基層９ａとの間にシヨ
トキーバリアー層を形成する。尚、ａ−Si−Ｈ層
９ｂは、通常、ｉ層と呼ばれる。そして、この層
９ｂの厚さは他の層、とりわけ液晶層３との関係
で決められるが、通常、5000Å〜20μｍの範囲に
ある。
更に、このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に、SiH4を主体
とするガスにPH3を100〜20000ppm、望ましく
は、1000〜10000ppm混入して放電分解を行な
い、厚さ100〜3000Å、望ましくは500〜2000Åに
堆積したｎ層９ｃを形成して整流性光導電層９を
作成する。
とするガスにPH3を100〜20000ppm、望ましく
は、1000〜10000ppm混入して放電分解を行な
い、厚さ100〜3000Å、望ましくは500〜2000Åに
堆積したｎ層９ｃを形成して整流性光導電層９を
作成する。
次いで、第１図に示した実施例と同様にAlか
ら成る反射ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５
の形成を行つた後、別の透明基板１ａの両面に偏
向板１０と透明電極２ａを設けて、遮光層５と透
明電極２ａとの間にGH液晶層３を封入してライ
トバルブ装置の一例が完成する。この様にして得
られたライトバルブ装置に於ける光導電層９のバ
ンドダイアグラムを第６図ａに示す。このバンド
ダイアグラムから解る様に、上記装置によつて投
影像を得る場合、透明電極２ａと２ｂ間に印加さ
れる電圧は、２ｂ側が負になる様に印加される。
このとき、仮にシヨトキーバリア層を形成せずに
透明電極２ｂに直接、ａ−Si−Ｈ層（ｉ層）９ｂ
を設けると、透明電極２ｂからキヤリア（……ｉ
層が弱いｎ型で、この場合、電子）のインジエク
シヨンを生じるので、光導電層９の暗抵抗が108
Ωcm〜109Ωcmにある場合、期待しない結果とな
る。これに対して、本例の様にシヨトキーバリア
層を形成すると、光導電層９へのキヤリアインジ
エクシヨンが阻止され、光導電層９の暗抵抗が
1012Ω・cm以上になる為、期待どおりの投影像を
形成することが可能になる。
ら成る反射ミラー８、透光性絶縁層７、遮光層５
の形成を行つた後、別の透明基板１ａの両面に偏
向板１０と透明電極２ａを設けて、遮光層５と透
明電極２ａとの間にGH液晶層３を封入してライ
トバルブ装置の一例が完成する。この様にして得
られたライトバルブ装置に於ける光導電層９のバ
ンドダイアグラムを第６図ａに示す。このバンド
ダイアグラムから解る様に、上記装置によつて投
影像を得る場合、透明電極２ａと２ｂ間に印加さ
れる電圧は、２ｂ側が負になる様に印加される。
このとき、仮にシヨトキーバリア層を形成せずに
透明電極２ｂに直接、ａ−Si−Ｈ層（ｉ層）９ｂ
を設けると、透明電極２ｂからキヤリア（……ｉ
層が弱いｎ型で、この場合、電子）のインジエク
シヨンを生じるので、光導電層９の暗抵抗が108
Ωcm〜109Ωcmにある場合、期待しない結果とな
る。これに対して、本例の様にシヨトキーバリア
層を形成すると、光導電層９へのキヤリアインジ
エクシヨンが阻止され、光導電層９の暗抵抗が
1012Ω・cm以上になる為、期待どおりの投影像を
形成することが可能になる。
又、本例に於けるｎ層９ｃは投影像を消去する
際、フオトキヤリアを受容した反射ミラー８から
透明電極２ｂにフオトキヤリアを掃引するのを容
易、且つ安定して可能にする作用を持つ。但し、
このｎ層９ｃは、電気的に低抵抗であるから作像
の都合上、ミラー８と同様、複数に分割して電気
的にアイソレイトさせることが必要であり、実際
には第５図に示す様に写真蝕刻法を用いて、ミラ
ー８とほゞ同様のパターンに形成される。
際、フオトキヤリアを受容した反射ミラー８から
透明電極２ｂにフオトキヤリアを掃引するのを容
易、且つ安定して可能にする作用を持つ。但し、
このｎ層９ｃは、電気的に低抵抗であるから作像
の都合上、ミラー８と同様、複数に分割して電気
的にアイソレイトさせることが必要であり、実際
には第５図に示す様に写真蝕刻法を用いて、ミラ
ー８とほゞ同様のパターンに形成される。
尚、この場合、平行光で入射した投影光を反射
ミラー８によつて平行光として反射させるときに
は個々のｎ層９ｃの面積をミラー８のそれと同等
か若干広くすることが必要である。因に個々のｎ
層９ｃの面積がミラー８のそれよりも小さいとき
にはミラー８の面に凹凸ができて入射光を散乱さ
せることになり、それが拡散板としての効果を示
す様になる。
ミラー８によつて平行光として反射させるときに
は個々のｎ層９ｃの面積をミラー８のそれと同等
か若干広くすることが必要である。因に個々のｎ
層９ｃの面積がミラー８のそれよりも小さいとき
にはミラー８の面に凹凸ができて入射光を散乱さ
せることになり、それが拡散板としての効果を示
す様になる。
又、仮にこのｎ層９ｃを設けず、ａ−Si−Ｈ層
９ｂに反射ミラー８を直接、接して形成される場
合には両者の界面にバリアが形成されることがあ
り、フオトキヤリアの掃引に場所ムラがあつたり
不完全になる等の不都合が見られることが多い。
但し、上記バリアが形成されない場合にはｎ層９
ｃを省略することもできる。
９ｂに反射ミラー８を直接、接して形成される場
合には両者の界面にバリアが形成されることがあ
り、フオトキヤリアの掃引に場所ムラがあつたり
不完全になる等の不都合が見られることが多い。
但し、上記バリアが形成されない場合にはｎ層９
ｃを省略することもできる。
ところでフオトキヤリアの掃引に際して本例装
置に印加される電圧は液晶層３に掛る電圧が閾値
を越えない限り、透明電極２ｂが同２ａに対して
正になる様な順方向の直流電圧でも或は交流電圧
のどちらでも良い。
置に印加される電圧は液晶層３に掛る電圧が閾値
を越えない限り、透明電極２ｂが同２ａに対して
正になる様な順方向の直流電圧でも或は交流電圧
のどちらでも良い。
次に、第２の構成例を説明する。この例では透
明電極２ｂ上に、SiH4を主体とするガス中に
B2H6を50〜20000ppm、望ましくは200〜
10000ppm混入してグロー放電分解を行い厚さ、
30〜1000Å、望ましくは50〜300Åに堆積したＰ
層９ａを形成する。このＰ層９ａの適切な厚さ
は、信号光線の吸収量、及びＰ層９ａとその上に
設けられるａ−Si−Ｈ層（ｉ層）９ｂとの間の空
乏層の形成との関係で決められる。
明電極２ｂ上に、SiH4を主体とするガス中に
B2H6を50〜20000ppm、望ましくは200〜
10000ppm混入してグロー放電分解を行い厚さ、
30〜1000Å、望ましくは50〜300Åに堆積したＰ
層９ａを形成する。このＰ層９ａの適切な厚さ
は、信号光線の吸収量、及びＰ層９ａとその上に
設けられるａ−Si−Ｈ層（ｉ層）９ｂとの間の空
乏層の形成との関係で決められる。
次いで、第１の構成例の場合と同様にして、ａ
−Si−Ｈ層９ｂ、ｎ層９ｃ、反射ミラー８、透光
性絶縁層７、遮光層５を順次、積層した後、他の
透明電極２ａとの間に液晶層３を封入してライト
バルブ装置を完成させた。この装置に於ける光導
電層９のバンドダイアグラムを第６図ｂに示す。
これから解る様に、投影像を形成する際の印加電
圧の極性は上記第１の例の場合と同じで、且つ、
同様の効果が得られる。
−Si−Ｈ層９ｂ、ｎ層９ｃ、反射ミラー８、透光
性絶縁層７、遮光層５を順次、積層した後、他の
透明電極２ａとの間に液晶層３を封入してライト
バルブ装置を完成させた。この装置に於ける光導
電層９のバンドダイアグラムを第６図ｂに示す。
これから解る様に、投影像を形成する際の印加電
圧の極性は上記第１の例の場合と同じで、且つ、
同様の効果が得られる。
又、本例に於てもフオトキヤリアの反射ミラー
８から透明電極２ｂへの掃引を第１の例の場合と
同様に行うことができる。
８から透明電極２ｂへの掃引を第１の例の場合と
同様に行うことができる。
尚、Ｐ層９ａとしては、上記のものの他SiH4
とCH4のグロー放電分解による堆積膜（Ｐ型ａ−
Si−Ｃ−Ｈ膜）にａ−Si−Ｈ層９ｂを形成して得
られるヘテロジヤンクシヨンであつても良く、全
く同様の効果が得られる。
とCH4のグロー放電分解による堆積膜（Ｐ型ａ−
Si−Ｃ−Ｈ膜）にａ−Si−Ｈ層９ｂを形成して得
られるヘテロジヤンクシヨンであつても良く、全
く同様の効果が得られる。
更に第３の構成例では光導電層９の構成が上記
２例と異なるだけで他は全く同様にして液晶ライ
トバルブ装置を完成させる。本例では、光導電層
９を次のとおり作成する。即ち、透明電極２ｂ上
にａ−Si−Ｎ−Ｈ膜、SiO2膜、又はポリパラキシ
リレン膜を厚さ、50〜10000Å、望ましくは100〜
3000Åに形成して透光性絶縁層９ａを設けた後、
上記２例の場合と全く同様にａ−Si−Ｈ層９ｂ、
ｎ層９ｃを順次積層する。
２例と異なるだけで他は全く同様にして液晶ライ
トバルブ装置を完成させる。本例では、光導電層
９を次のとおり作成する。即ち、透明電極２ｂ上
にａ−Si−Ｎ−Ｈ膜、SiO2膜、又はポリパラキシ
リレン膜を厚さ、50〜10000Å、望ましくは100〜
3000Åに形成して透光性絶縁層９ａを設けた後、
上記２例の場合と全く同様にａ−Si−Ｈ層９ｂ、
ｎ層９ｃを順次積層する。
この第３の例に於ける光導電層９のバンドダイ
アグラムを第６図ｃに示す。
アグラムを第６図ｃに示す。
本例では、透明電極２ｂからａ−Si−Ｈ層（ｉ
層）９ｂへのキヤリアインジエクシヨンは絶縁層
９ａにより阻止され、又、ａ−Si−Ｈ層９ｂがｎ
型半導体である為、投影像を形成する際に印加さ
れる電圧極性は、上記２例の場合と全く同じであ
り、同様の効果が得られる。又、フオトキヤリア
の掃引操作もこれ等と同様に行うことができる。
層）９ｂへのキヤリアインジエクシヨンは絶縁層
９ａにより阻止され、又、ａ−Si−Ｈ層９ｂがｎ
型半導体である為、投影像を形成する際に印加さ
れる電圧極性は、上記２例の場合と全く同じであ
り、同様の効果が得られる。又、フオトキヤリア
の掃引操作もこれ等と同様に行うことができる。
以上３例の液晶ライトバルブ装置に於ては、
SiH4を主体とするガスの放電分解によつてＰ
層、ａ−Si−Ｈ層（ｉ層）、ｎ層等の光導電層の
形成を行つたが、この他、SiF4を主体とするガス
の放電分解によつても上記のものと同様にＰ層
（B2H6等がドーピングガスとして用いられる）、
ａ−Si−Ｆ−Ｈ層（ｉ層）、ｎ層（ドーピングガ
スとしてPH3等が用いられる）を形成することが
できる。
SiH4を主体とするガスの放電分解によつてＰ
層、ａ−Si−Ｈ層（ｉ層）、ｎ層等の光導電層の
形成を行つたが、この他、SiF4を主体とするガス
の放電分解によつても上記のものと同様にＰ層
（B2H6等がドーピングガスとして用いられる）、
ａ−Si−Ｆ−Ｈ層（ｉ層）、ｎ層（ドーピングガ
スとしてPH3等が用いられる）を形成することが
できる。
因に、ａ−Si（ａ−Si−Ｈ、ａ−Si−Ｆ−Ｈ）
の作成方法やその性質、ドーピング効果等に就い
ては「アモルフアス電子材料利用技術集成」（サ
イエンスフオーラム社出版、1981）、その他の文
献に詳しく記載されているので参照することがで
きる。
の作成方法やその性質、ドーピング効果等に就い
ては「アモルフアス電子材料利用技術集成」（サ
イエンスフオーラム社出版、1981）、その他の文
献に詳しく記載されているので参照することがで
きる。
又、容易に想起されることではあるが、本発明
に係る整流性光導電層としては、叙上の他、
SeTe、AS2Se3、CdS、CdTe等と透光性絶縁層
との積層体やCdS（ｎ型）とCdTe（Ｐ型）との
ヘテロジヤンクシヨン等も適用することができ
る。
に係る整流性光導電層としては、叙上の他、
SeTe、AS2Se3、CdS、CdTe等と透光性絶縁層
との積層体やCdS（ｎ型）とCdTe（Ｐ型）との
ヘテロジヤンクシヨン等も適用することができ
る。
更に、ここで具体的実施例に基づき本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例 １
コーニング社製7059スライドガラス１ｂ上の
In2（Sn）O3（松崎真空製）を透明電極２ｂと
し、これに電子ビームによりPtをPB（ベースプ
レツシヤー）＝１×10-6Torr蒸着レイト（Ｒ）＝
１Å／Ｓ、基板温度（Ts）＝80℃で40Åの厚さに
蒸着し、Pt層９ａを設けた。次いで、容量結合タ
イプのグロー放電分解法によりａ−Si−Ｈ層９ｂ
を次のようにして厚さ10μｍ堆積した。アノード
カソード共に200φ、その間の距離50mmの反応炉
にSiH4／H2＝50％のガスを20SCCM導入し、ＰB
＝１×10-6Torrガス圧＝0.05Torr、Ts＝250℃の
もとで、RF＝13.56MHz、RFパワー＝15Wでグロ
ー放電分解し、ａ−Si−Ｈ層をスライドガラス上
に10時間堆積した。スライドガラスはアノード側
にセツトした。この様にして得られたａ−Si−Ｈ
層は優れた光導電性を示しクシ型電極を用いてサ
ーフエスタイプで測定した場合、ρｏ（暗抵抗
率）＝1010Ω・cm、ρL（He−Neレーザー、１ｍ
Ｗ／cm2での抵抗率）＝105Ω・cmである。
In2（Sn）O3（松崎真空製）を透明電極２ｂと
し、これに電子ビームによりPtをPB（ベースプ
レツシヤー）＝１×10-6Torr蒸着レイト（Ｒ）＝
１Å／Ｓ、基板温度（Ts）＝80℃で40Åの厚さに
蒸着し、Pt層９ａを設けた。次いで、容量結合タ
イプのグロー放電分解法によりａ−Si−Ｈ層９ｂ
を次のようにして厚さ10μｍ堆積した。アノード
カソード共に200φ、その間の距離50mmの反応炉
にSiH4／H2＝50％のガスを20SCCM導入し、ＰB
＝１×10-6Torrガス圧＝0.05Torr、Ts＝250℃の
もとで、RF＝13.56MHz、RFパワー＝15Wでグロ
ー放電分解し、ａ−Si−Ｈ層をスライドガラス上
に10時間堆積した。スライドガラスはアノード側
にセツトした。この様にして得られたａ−Si−Ｈ
層は優れた光導電性を示しクシ型電極を用いてサ
ーフエスタイプで測定した場合、ρｏ（暗抵抗
率）＝1010Ω・cm、ρL（He−Neレーザー、１ｍ
Ｗ／cm2での抵抗率）＝105Ω・cmである。
次に、このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に電子ビーム蒸
着によりAlを2000Åの厚さに蒸着した。このと
き、ＰB＝１×10-5Torr、Ts＝60℃、Ｒ＝10Å／
ｓであつた。
着によりAlを2000Åの厚さに蒸着した。このと
き、ＰB＝１×10-5Torr、Ts＝60℃、Ｒ＝10Å／
ｓであつた。
次いで、写真蝕刻法により、１個が90μｍ×90
μｍの面積で100μｍピツチの（第３図示様のパ
ターンを持つ）反射ミラー８を形成した。更に、
この反射ミラー８上に次のとおりａ−Si−Ｎ−Ｈ
の透光性絶縁層７を3000Å堆積した。このとき、
ａ−Si−Ｈを作製したのと同一の装置で、上記の
作製工程を経た基板をアノード側にセツトし、Ｐ
B＝１×10-6Torrのもとで、SiH4／H2＝10％を
5SCCM、純粋なNH3を20SCCM導入しガス圧を
0.15Torrとし、Ts＝250℃、RFパワー＝5Wの条
件で５時間堆積した。こうして得られたａ−Si−
Ｎ−Ｈ層の体積抵抗率は1014Ω・cm以上である。
次にこのａ−Si−Ｎ−Ｈ透光性絶縁層７上にAlを
2000Å蒸着し、第２図示様のパターンの遮光層５
を第３図における反射ミラー８との重複巾が５μ
ｍになるよう写真蝕刻法によりパターニングし
た。従つて開口部６の面積は80μｍ×80μｍであ
る。次いで遮光層５上にポリパラキシリレンを
2000Åの厚さに気相熱分解法により堆積した。ポ
リパラキシリレン上を綿布でラビングし液晶の配
向処理を行つた。遮光層５の周辺（その部分のポ
リパラキシリレンは除去してある）に、次の工程
で必要な開口を有するようにAl2O3粉末を分散さ
せたエポキシ樹脂を厚さ５μｍに塗布しその上に
配向処理をしたポリパラキシリレン層（2000Åの
厚さ）を有する透明電極２ａを持つ7059スライド
ガラス１ａを圧着した。充分エポキシ樹脂を熱硬
化させた後これを真空槽内にゲストホスト液晶と
共に入れ、ロータリーポンプで〜１×10-2Torr
になるよう排気した。次いでゲストホスト液晶
で、上記あらかじめ設けた開口を塞ぎ除々にリー
クしながら真空槽内を常圧にして遮光層５と透明
電極２ａの間にゲストホスト液晶を満した後、エ
ポキシ樹脂で開口を塞ぎ密封した。尚、この液晶
の配向はホモジーニアス配向である。ゲストホス
ト液晶には、メルク社製ネマテイツク相1291に
BDHケミカル社製アンスラキノン系ブルーダイ
D5を重量比で0.5％分散させたものを用いた。上
記液晶のクリアリングポイントは107℃であり、
閾値電圧は2.2Vである。透明基板１ａ上に日東
電工製偏光フイルムNPF−Q12（ニユートラルグ
レー）を着装し第１図に示すゲストホスト液晶ラ
イトバルブ装置を完成した。第７図にこの液晶ラ
イトバルブ装置を組込んだ投影装置の概略図を示
す。１０１は、白色拡散面をもつスクリーン、１
０２は、投影光用ハロゲンランプ、１０３は、投
影光をミラー１０４に集光する為のレンズ、１０
５は、ゲストホスト液晶ライトバルブ装置１０６
で形成された投影像をスクリーン１０１に20倍に
拡大するレンズである。１０７はポリゴンミラー
で、書込用光源１０９から射出され、集光レンズ
１０８で集光されたHe−Neレーザーを光導電層
面上の予定された位置に100μｍφのスポツトで
投射する。
μｍの面積で100μｍピツチの（第３図示様のパ
ターンを持つ）反射ミラー８を形成した。更に、
この反射ミラー８上に次のとおりａ−Si−Ｎ−Ｈ
の透光性絶縁層７を3000Å堆積した。このとき、
ａ−Si−Ｈを作製したのと同一の装置で、上記の
作製工程を経た基板をアノード側にセツトし、Ｐ
B＝１×10-6Torrのもとで、SiH4／H2＝10％を
5SCCM、純粋なNH3を20SCCM導入しガス圧を
0.15Torrとし、Ts＝250℃、RFパワー＝5Wの条
件で５時間堆積した。こうして得られたａ−Si−
Ｎ−Ｈ層の体積抵抗率は1014Ω・cm以上である。
次にこのａ−Si−Ｎ−Ｈ透光性絶縁層７上にAlを
2000Å蒸着し、第２図示様のパターンの遮光層５
を第３図における反射ミラー８との重複巾が５μ
ｍになるよう写真蝕刻法によりパターニングし
た。従つて開口部６の面積は80μｍ×80μｍであ
る。次いで遮光層５上にポリパラキシリレンを
2000Åの厚さに気相熱分解法により堆積した。ポ
リパラキシリレン上を綿布でラビングし液晶の配
向処理を行つた。遮光層５の周辺（その部分のポ
リパラキシリレンは除去してある）に、次の工程
で必要な開口を有するようにAl2O3粉末を分散さ
せたエポキシ樹脂を厚さ５μｍに塗布しその上に
配向処理をしたポリパラキシリレン層（2000Åの
厚さ）を有する透明電極２ａを持つ7059スライド
ガラス１ａを圧着した。充分エポキシ樹脂を熱硬
化させた後これを真空槽内にゲストホスト液晶と
共に入れ、ロータリーポンプで〜１×10-2Torr
になるよう排気した。次いでゲストホスト液晶
で、上記あらかじめ設けた開口を塞ぎ除々にリー
クしながら真空槽内を常圧にして遮光層５と透明
電極２ａの間にゲストホスト液晶を満した後、エ
ポキシ樹脂で開口を塞ぎ密封した。尚、この液晶
の配向はホモジーニアス配向である。ゲストホス
ト液晶には、メルク社製ネマテイツク相1291に
BDHケミカル社製アンスラキノン系ブルーダイ
D5を重量比で0.5％分散させたものを用いた。上
記液晶のクリアリングポイントは107℃であり、
閾値電圧は2.2Vである。透明基板１ａ上に日東
電工製偏光フイルムNPF−Q12（ニユートラルグ
レー）を着装し第１図に示すゲストホスト液晶ラ
イトバルブ装置を完成した。第７図にこの液晶ラ
イトバルブ装置を組込んだ投影装置の概略図を示
す。１０１は、白色拡散面をもつスクリーン、１
０２は、投影光用ハロゲンランプ、１０３は、投
影光をミラー１０４に集光する為のレンズ、１０
５は、ゲストホスト液晶ライトバルブ装置１０６
で形成された投影像をスクリーン１０１に20倍に
拡大するレンズである。１０７はポリゴンミラー
で、書込用光源１０９から射出され、集光レンズ
１０８で集光されたHe−Neレーザーを光導電層
面上の予定された位置に100μｍφのスポツトで
投射する。
ここで、本実施例の投影像の形成、消去及びス
クリーン上に投影された結果について簡単に述べ
る。透明電極２ａと２ｂに直流電圧を２ｂ側が負
極になるようにして4.2V印加した。ポリゴンミ
ラー１０７を駆動しながら書込用He−Neレーザ
ーを透明基板１ｂを通して光導電層９に投射し
た。電圧印加時間20ｍsec、レーザーの書込強
度、200μＷ／cm2で予定した投影像をゲストホス
ト液晶は形成し、100ｍＷ／cm2のハロゲンランプ
による投影光で投影像をスクリーン上に投影し
た。得られたスクリーン上の像のコントラスト
は、明暗部の反射光強度で最大６：１であつた。
投影像の消去は透明電極２ａと２ｂとの間に1K
Hzの交流電圧2Vを20ｍsec印加して行つた。この
とき、光導電層９の逆方向暗抵抗率は1013Ω・cm
以上で、順方向暗抵抗率は（場所ムラがあるが）
108〜109Ω・cmであつた。
クリーン上に投影された結果について簡単に述べ
る。透明電極２ａと２ｂに直流電圧を２ｂ側が負
極になるようにして4.2V印加した。ポリゴンミ
ラー１０７を駆動しながら書込用He−Neレーザ
ーを透明基板１ｂを通して光導電層９に投射し
た。電圧印加時間20ｍsec、レーザーの書込強
度、200μＷ／cm2で予定した投影像をゲストホス
ト液晶は形成し、100ｍＷ／cm2のハロゲンランプ
による投影光で投影像をスクリーン上に投影し
た。得られたスクリーン上の像のコントラスト
は、明暗部の反射光強度で最大６：１であつた。
投影像の消去は透明電極２ａと２ｂとの間に1K
Hzの交流電圧2Vを20ｍsec印加して行つた。この
とき、光導電層９の逆方向暗抵抗率は1013Ω・cm
以上で、順方向暗抵抗率は（場所ムラがあるが）
108〜109Ω・cmであつた。
又、前記ポリパラキシリレンは透明電極２ａ或
は遮光層５からのイオン注入を阻止し、液晶の寿
命を増大させる上で有効に作用した。
は遮光層５からのイオン注入を阻止し、液晶の寿
命を増大させる上で有効に作用した。
実施例 ２
実施例１と同様にして透明基板１ｂ上の透明電
極２ｂ面にPtを蒸着し次いで、ａ−Si−Ｈ層９ｂ
を堆積した。このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に次に示す
条件でｎ層９ｃを1000Åの厚さに堆積した。
極２ｂ面にPtを蒸着し次いで、ａ−Si−Ｈ層９ｂ
を堆積した。このａ−Si−Ｈ層９ｂ上に次に示す
条件でｎ層９ｃを1000Åの厚さに堆積した。
＜堆積条件＞
ＰB＝１×10-6TorrのもとでSiH4／H2＝10％の
ガスを2SCCM、PH3／H2＝100PPMのガスを
10SCCM導入してガス圧を0.1Torrとし、Ts＝
200℃、RFパワー＝8Wで16分間堆積する。
ガスを2SCCM、PH3／H2＝100PPMのガスを
10SCCM導入してガス圧を0.1Torrとし、Ts＝
200℃、RFパワー＝8Wで16分間堆積する。
この様にして得たｎ層を写真蝕刻法により第３
図示の反射ミラーと同一形状にパターニングし
た。因に、このときの光導電層９のバンドダイア
グラムは第６図ａの様になる。
図示の反射ミラーと同一形状にパターニングし
た。因に、このときの光導電層９のバンドダイア
グラムは第６図ａの様になる。
次に得られたｎ層９ｃ上に実施例１と同様にし
て反射ミラー８、透光性絶越層７、遮光層５を形
成し、配向処理したポリパラキシリレン層を有す
る遮光層５と透明電極２ａとの間にゲストホスト
液晶を密封した後、偏光板１０を透明基板１ａ上
に装着して本実施例の液晶ライトバルブ装置を完
成した。このライドバルブ装置を組込んだ第７図
の装置を用いて、実施例１と同様に操作して書込
光信号に応じた像がスクリーン１０１上に再生さ
れた。但し、投影像を形成するとき、透明電極２
ａと２ｂとに印加する電圧は4.3Vであつた。
又、投影像の消去動作も実施例１と同一条牛で行
つたが、光導電層９の順方向暗抵抗率は108Ω・
cmで且つ、場所ムラが少なかつた。
て反射ミラー８、透光性絶越層７、遮光層５を形
成し、配向処理したポリパラキシリレン層を有す
る遮光層５と透明電極２ａとの間にゲストホスト
液晶を密封した後、偏光板１０を透明基板１ａ上
に装着して本実施例の液晶ライトバルブ装置を完
成した。このライドバルブ装置を組込んだ第７図
の装置を用いて、実施例１と同様に操作して書込
光信号に応じた像がスクリーン１０１上に再生さ
れた。但し、投影像を形成するとき、透明電極２
ａと２ｂとに印加する電圧は4.3Vであつた。
又、投影像の消去動作も実施例１と同一条牛で行
つたが、光導電層９の順方向暗抵抗率は108Ω・
cmで且つ、場所ムラが少なかつた。
実施例 ３
透明基板（7059スライドガラス）１ａ上の透明
電極（In2（Sn）O3）２ａに次に示す条件でＰ層
９ａを100Åの厚さに堆積した。
電極（In2（Sn）O3）２ａに次に示す条件でＰ層
９ａを100Åの厚さに堆積した。
＜堆積条件＞
ＰB＝１×10-6TorrのもとでSiH4／H2＝10％の
ガスを4SCCM、B2H6／H2＝100PPMのガスを
10SCCM導入してガス圧を0.1Torrとし、Ts＝
250℃、RFパワー＝10Wで100秒間堆積した。こ
うして得られたＰ層９ａ上に実施例１と同様にし
てａ−Si−Ｈ層９ｂを堆積し次いで、実施例２と
同一条件でｎ層９ｃを堆積しパターニングした
後、実施例−１と同様にして反射ミラー８、透光
性絶縁層７、遮光層５を形成し、配向処理したポ
リパラキシリレン層を有する遮光層５と透明電極
２ａとの間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板
１０を透明基板１ａ上に装着して本実施例の液晶
ライトバルブ装置を完成した。本実施例における
光導電層９のバンドダイアグラムは第６図ｂのよ
うになり、逆方向暗抵抗率は1013Ω・cm以上、順
方向暗抵抗率は108Ω・cmで場所ムラは少なかつ
た。実施例１と同様にして書込光信号に応じた像
がスクリーン１０１上に再生された。その際の投
影像形成の駆動印加電圧は実施例２と同様に
4.3Vである。投影像の消去動作も実施例１と同
一条件で行うことができた。
ガスを4SCCM、B2H6／H2＝100PPMのガスを
10SCCM導入してガス圧を0.1Torrとし、Ts＝
250℃、RFパワー＝10Wで100秒間堆積した。こ
うして得られたＰ層９ａ上に実施例１と同様にし
てａ−Si−Ｈ層９ｂを堆積し次いで、実施例２と
同一条件でｎ層９ｃを堆積しパターニングした
後、実施例−１と同様にして反射ミラー８、透光
性絶縁層７、遮光層５を形成し、配向処理したポ
リパラキシリレン層を有する遮光層５と透明電極
２ａとの間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板
１０を透明基板１ａ上に装着して本実施例の液晶
ライトバルブ装置を完成した。本実施例における
光導電層９のバンドダイアグラムは第６図ｂのよ
うになり、逆方向暗抵抗率は1013Ω・cm以上、順
方向暗抵抗率は108Ω・cmで場所ムラは少なかつ
た。実施例１と同様にして書込光信号に応じた像
がスクリーン１０１上に再生された。その際の投
影像形成の駆動印加電圧は実施例２と同様に
4.3Vである。投影像の消去動作も実施例１と同
一条件で行うことができた。
実施例 ４
透明基板（7059スライドガラス）１ａ上の透明
電極（In2（Sn）O3）２ａ上にａ−Si−Ｎ−Ｈか
ら成る透光性絶縁膜９ａを実施例１に於て透光性
絶縁層７を作成した条件と同一条件で2000Åの厚
さに形成した。次いで実施例１と同様にしてａ−
Si−Ｈ層９ｂを堆積した後、実施例２と同一条件
でｎ層９ｃを形成しパターニングする。次いで実
施例１と同様にして反射ミラー８、透光性絶縁層
７、遮光層５を形成し、配向処理したポリパラキ
シリレン膜を有する遮光層５と透明電極２ａとの
間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板１０を透
明基板１ａ上に装着し、本実施例の液晶ライトバ
ルブ装置５を完成した。本実施例における光導電
層９のバンドダイアグラムは第６図ｃのようにな
り、実施例２及び実施例３と同様にその逆方向暗
抵抗率は1013Ω・cm以上、順方向暗抵抗率は108
Ω・cmであり、場所ムラは少なかつた。この液晶
ライトバルブ装置を組込んだ第７図の装置を用い
て実施例１と同様の操作で書込光信号に応じた像
がスクリーン１０１上に再生された。但し、投影
像形成の際の駆動電圧は4.4Vであつた。又、投
影像の消去動作も他の実施例と同一条件にて行う
ことができた。
電極（In2（Sn）O3）２ａ上にａ−Si−Ｎ−Ｈか
ら成る透光性絶縁膜９ａを実施例１に於て透光性
絶縁層７を作成した条件と同一条件で2000Åの厚
さに形成した。次いで実施例１と同様にしてａ−
Si−Ｈ層９ｂを堆積した後、実施例２と同一条件
でｎ層９ｃを形成しパターニングする。次いで実
施例１と同様にして反射ミラー８、透光性絶縁層
７、遮光層５を形成し、配向処理したポリパラキ
シリレン膜を有する遮光層５と透明電極２ａとの
間にゲストホスト液晶を密封し、偏光板１０を透
明基板１ａ上に装着し、本実施例の液晶ライトバ
ルブ装置５を完成した。本実施例における光導電
層９のバンドダイアグラムは第６図ｃのようにな
り、実施例２及び実施例３と同様にその逆方向暗
抵抗率は1013Ω・cm以上、順方向暗抵抗率は108
Ω・cmであり、場所ムラは少なかつた。この液晶
ライトバルブ装置を組込んだ第７図の装置を用い
て実施例１と同様の操作で書込光信号に応じた像
がスクリーン１０１上に再生された。但し、投影
像形成の際の駆動電圧は4.4Vであつた。又、投
影像の消去動作も他の実施例と同一条件にて行う
ことができた。
以上に詳しく説明した本発明に於ては、
１ 直流電圧駆動によつて電気光学効果を利用し
た表示が可能であつて、その際、動画表示が容
易である。
た表示が可能であつて、その際、動画表示が容
易である。
２ 電圧の巾が広くとれて駆動電圧の制御が容易
である。
である。
３ 投影像を形成したとき、表示面全体で画質が
安定している。
安定している。
４ 装置が長寿命になる。
５ 装置構成要素、とりわけ、反射ミラーの構造
が簡略で、装置をコンパクトにすることができ
る。
が簡略で、装置をコンパクトにすることができ
る。
６ 反射ミラー要素によつて直流電圧、駆動に於
けるフオトキヤリアの受容が可能である。
けるフオトキヤリアの受容が可能である。
等々の諸効果が得られる。
第１図乃至第３図は本発明に係る装置の一構成
例の概要説明図、第４図は本発明に係る装置の作
動例を説明する模式図、第５図は本発明に係る装
置に於ける光導電層の詳細構成を説明する略画断
面図、第６図ａ，ｂ，ｃは何れもバンドダイアグ
ラムを示す略図、第７図は液晶ライトバルブ装置
を含む投影光学系の概略配置図である。 図に於て、２ａ，２ｂは透明電極、３は液晶
層、３αは液晶分子、３βは染料、５は遮光層、
７は透光性絶縁層、８は反射ミラー、９は光導電
層、９ａは基層、又はＰ層又は透光性絶縁層、９
ｂはｉ層、９ｃはｎ層、１０は偏光板、１０１は
スクリーン、１０２はハロゲンランプ、１０３，
１０８は集光レンズ、１０４は投影光反射ミラ
ー、１０５は投影像拡大レンズ、１０６はライト
バルブ装置、１０７はポリゴンミラー、１０９は
レーザー発振源である。
例の概要説明図、第４図は本発明に係る装置の作
動例を説明する模式図、第５図は本発明に係る装
置に於ける光導電層の詳細構成を説明する略画断
面図、第６図ａ，ｂ，ｃは何れもバンドダイアグ
ラムを示す略図、第７図は液晶ライトバルブ装置
を含む投影光学系の概略配置図である。 図に於て、２ａ，２ｂは透明電極、３は液晶
層、３αは液晶分子、３βは染料、５は遮光層、
７は透光性絶縁層、８は反射ミラー、９は光導電
層、９ａは基層、又はＰ層又は透光性絶縁層、９
ｂはｉ層、９ｃはｎ層、１０は偏光板、１０１は
スクリーン、１０２はハロゲンランプ、１０３，
１０８は集光レンズ、１０４は投影光反射ミラ
ー、１０５は投影像拡大レンズ、１０６はライト
バルブ装置、１０７はポリゴンミラー、１０９は
レーザー発振源である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板及び液晶層を有し、かつ該基板と液晶層
の間に整流性を有する光導電層を配置し、 前記光導電層の整流性と逆方向になる直流電圧
を印加した状態下で書込光信号を前記光導電層に
投射することにより前記液晶層に基づく投影像を
形成する手段と、前記光導電層の整流性と順方向
に電圧を印加した状態下で前記投影像を消去する
手段とを有する電気光学装置において、 前記光導電層がｎ層とｉ層で形成され、該ｎ層
の上に反射ミラーを設けることを特徴とする電気
光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133150A JPS5834436A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 電気光学装置 |
| US06/396,051 US4538884A (en) | 1981-07-10 | 1982-07-07 | Electro-optical device and method of operating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133150A JPS5834436A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834436A JPS5834436A (ja) | 1983-02-28 |
| JPS6257016B2 true JPS6257016B2 (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=15097876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133150A Granted JPS5834436A (ja) | 1981-07-10 | 1981-08-25 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834436A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01179018A (ja) * | 1987-12-31 | 1989-07-17 | Hamamatsu Photonics Kk | ライトバルブ装置 |
| JPH0833549B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1996-03-29 | シャープ株式会社 | 光書き込み型液晶表示素子 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4110014A (en) * | 1976-10-22 | 1978-08-29 | Izon Corporation | Parallel and series electro-optic viewing and recording apparatus |
| IL54544A0 (en) * | 1977-05-02 | 1978-07-31 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal light valve |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP56133150A patent/JPS5834436A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5834436A (ja) | 1983-02-28 |
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