JPS5834436A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本°）と明け、丸による入力１象を光＋１−．効果によ
って投Ｅ　＋’！：に変換するｒｆｃ　’ｊＡ光学装置
の駆動方法に関する。

１汀）＋２、この１１１丁の′７ｉ？、気光学装置とし
て液晶ライトパルプ（光１「）なるものが知られている
。その−Ｉｌｌｌとして、特開昭５６−４：（６８１号
公報に於ては、液晶層と一′ｆｌｊミラーと、２個の透
明’Ｉｉ（杓４間に挾まれた光電感応層Ｃ）＋１：ｐＲ
−屯ハｒｉ　）とから成る薄膜の多層摘逍をとるｉｉ’
ｉ、’晶うイトパルプが開示されている。そして、この
（）１なｔ＋Ｖ−晶う・ｆ　ｌ−パルプに尻・て、前記
−′市ミラーＰ；ｌ１、Ａｉ７品層側から入射する投影
光がっ℃碑’ｉ　Ｊｔ’＝にｒ１遠しηい５瓶ｑ１前に
反射させる為に必裟左要メ、である。

）０丁かる誘′「［Ｌミラーとして乾１．１′／すえげ
’；１ｎＳ１Ｎａ、　ＡｔＦ’、、ｔＶＩｇＦ２、Ｔ　
ｉ　０２．５ｊ０２　鵠から１戊る多層１＋ａを用いて
いる。このとさ、「す視域全域の波」シ光を反射する肪
屯ミラーをｆ；芋るＸｂにＱｌｌ、約１５１−以上の積
層体を各層厚の打言ｉｔ、　）、、ＸｂＩＩ　＋ｆｉｌ
　＜ｒ：行４・いつつ作成する必要があり、相当に高度
なＩｉｌ！造技術全技術る。又、仮に前述の１」的を以
て作成された誘電ミラーであっても、実１ルミには、投
影光を完俄には皮材１することができず、）゛乙’３　
’＋１．　Ｉｉｉ！と訪′屯ミラーとの間に別途、光吸
収ハクイｌ−設けてその機能を袖りことが８決でめっ、
・λ、。

従って、この（求な従来の欣晶ノイドバルブでは、所期
の機能が光分にはづｔ−暉され−ｒ％珪つ復雑な構造に
なる−にその製造にも手間がかかり、製造コストも高い
ものとなっていた。

又、この様な従来の液晶ライトパルプでは、直流電圧駆
動することが困難であった。

そこで、本発明は、」υｉかる従来の諸欠点を除去する
と共に、直流駆動を可能にして動画表示が容易である。

一般には液晶ライトバルブと呼ばれる電気光学装置ＩＩ
′ｔの駆動方法を提供することをｉＩ的とするものであ
る。

この様な目的を達成する本発明は、液晶層及び帳流性を
有する光、；ｓ　電層を具え、光による人力１少を光′
屯効果によって投影１家に変換する電気バ；字装置に対
し、前記光導電層の１昏流性と逆方向になる直ｉ＞ＩＦ
、　’Ｅｌｆ圧を印加して寸Ｆ込光信号を前ｄピ尤々ト
面層に投射することにより前記液晶層に拭づく投影像を
形成する過程と、前記光２Ｊｉ電層の１に雌性と順方向
に電圧を印加して前記投影像を消去するａ程とを含むこ
とを特徴とする゛、ｌｔ、気光学装（置の駆動方法であ
る。

以下、図面を用いて具体例によって本発明の詳細な説明
する。

′ｆＪ１図は、ライトバルブ装置の一例の略画断面図で
あり、図に於て、１．　＋１　口偏九子叫である。

ｌａ、ｌｂは共に透明梳板で、ガラス版又は樹脂板より
成る。又ｓ　　２　ａ％　　２　ｂ　ｉ１共に埼明電極
で、例えば５ｎ０２やＩｎ、　（Ｓ　ｎ　）　Ｏｓ　Ｑ
’Ｐの＃Ｊ　Ｊｌ：ａＱ！ノさ、５００〜３０００　Ａ
程度）から成る。３は液晶層、又、４はスペーサーであ
って、液晶Ｉ４３を密封すると共に、このｊ−厚を調整
する為のものであ樹脂製接着剤が用いられる。液晶層：
３に於ける液晶構造の変化には、通常ＤＳＭのように電
流効果によるものの他、ＴＮ方式（ねじれネマチック効
果）、Ｉ）ＡＰ（電界制ｔａｌｌ　ＰＭ屈折効果）方式
、相遷移方式あるいはＧＨ（ゲストホスト効果）方式の
ように電界効果によるものがあるが、この図示例ではＧ
　Ｈ方式が好ＭＭ　ｆｘものとして採用されている。具
体的に、このＧ■■（ゲストホスト）液晶層３に用いる
液晶に就いては特に制限に１ないが、駆動時の温度上昇
を考慮してクリアリング温ＩＷが５０℃以上、望ましく
は６０℃以液晶にゲストとして混入される染料としては
耐光性の良い、例えば、アンスラキノン系の染料が好ま
しく用いられる。このとき、液晶中の染料の含有ｈ１け
、液晶の抽類によって左右されるが、通常、！ｌｊ　１
１に％で０．０５〜１０条、望ましくは、０．１〜５チ
である。更にこの液晶層３の厚さは一般に１〜２０μｍ
程度とし、液晶の性１４￥、応答速度１、駆動電圧等に
よって適切な厚さが設定される。５は遮光層であり、カ
ーボンや金属を堆積法により厚さ５００八〜２μｍ程度
に成膜させたものである。そして、この遮光層５は第１
図のＡ、Ａ’純に於ける切断平面図である第２図のと１
？りの平面形状を有し、この遮光層５には多数の４孔（
ｊが配列しである。尚、との透孔６の一つが、投影１ψ
に於ける一画素に相当する。因に、これη−の透孔６の
形状は、図示例の正方形のみに限られず、任漬の形状の
ものとすることができる。更に、第１図中の７は透光性
絶縁層層で、望ましくは　ｌ　（ＪｌｔΩ・ｏｎ以上の
体積ＩＪ（抗率を有する。これは例えは、グロー放電分
Ｊγｒ法によって形成されるｓｉｃ　、　Ｓ：、Ｎ、の
）換、スパッタ蒸宿法等によシ形成される５ｉｏｚ膜や
Ｐｂ１’ｉ０ａ、１生ＺＴ　。

ポリバラキシリレン等の強誘電体の膜から成る。

そして、との透光性絶縁層７の厚さＰｉ：　１．＋　（
１００Ａ〜５μＩＩＩの範囲とするのが良い。

８は反射ミラーであり、鏡面を成すＡ／−等金属の厚さ
５００Ａ〜１μｌ’１１程度の堆積源から成る。

このミラー８は前記絶縁層７を介して合孔６の全てに対
面する様に多数個配置され、各ミラー８は第１図の］３
．Ｂ’線に於ける切ＨＢ乎向図である第３図のとおりに
配列しである。尚、このミラー８の１個は、谷ミラーの
１川隙８１１からのもれ光を防ぐ目的から、少なくとも
ｒ＋ｉＪ　Ｍｅ　ｘｈ孔６の面積以上の面積（広さ）に
成形して・りる０９は整流性を示す光導′喝層で、ここ
で謂う、整流性とは後述する様に通常のダイオードに於
ける整流性と異々り史に広い概念である。

ところで、第１図の構成例に於て、遮光層５の透九件絶
縁層７１ｔｌｌｌの曲には、カーボン層等のイ；吸１ｊ
Ｓ４部材を設けて、投影光のミラー８による反射戻り光
を吸収するのが、投影像のコントラストを−にける為に
は望捷しいことである。

父、反射ミラー８は、全て導電１イ；から成り、ｌｉ、
つ分ｐｉ１ｔ　していなければならないが、その形状の
如（ｉｉｌは問わ々い。反射ミラー８の全てが分離して
いる理由は、これ等が連続していると、同−電位になっ
て電位差が生じない為、作像が不ＩＩｒ能になるからで
ある。

ここで、別の図面を用いて、第１図に示した尤’＋ＬＦ
込）ζＩＪ液晶ライトパルプの作動に就いてｄ４・シく
説明すると共に、本発明に於ける“整流性″の抑ｔ　ｒ
ξを明確にする。第４図は、第１図のライトバルブ装置
の作動原理を説明する模式図であるＯ シ゛４）、４凶に於て、透明′〔Ｆ極２ａと２ｂとの間
に市原２０により所定の直流電界を印加する。このとき
、信号光線が投射された領域では、発生したギヤリア（
図中ではθ印で示す東予）が前記耐昇により反射ミラー
８に移動する。これによって、透明′電極２ａと反！１
．１ミラー８の間の？ｌｆ圧が透孔６を通して増大し１
．＋（＋１値をＪ＋Ｑえ、／１ダ晶層３に於て、誘電異
方性が正の液晶分子：１αと染料３βとがホモジーニア
ス配向伏ｊ服からポメオトロビック配向伏態に変化する
。そして、ここに、投影光を偏光板１０を１ｌｌｌして
投射すると、偏光が透孔６を通して反射ミラー８に至っ
た後とこで反射され反射光ＲＬ、が・１＋＋られる０他
方、信号光線が入射しない領域では、）第１・キャリア
が発生しないので、ギヤリアはｊｔｉ明′１１（極２ｂ
に留り、反射ミラー８へは）多動（７ない。従って、こ
の１易合には液晶層３に印加される′１「、王が閾値を
越えることなく、液晶分子３αと染料３βはホモジーニ
アス配向状態にイ呆た７ｈる。そこで。

ここに入射した投影光（制電）は液晶層３甲の二色性染
料３βによって吸収され、反射ミラー８による反射光１
．は前記反射光［（Ｔ−、、に較べて光背１が少なくな
っている。

この様にして、反射光量の差に法づく投影像（・・・投
影する為の像）が形成され、液晶層３中に牛じた像が不
図示のスクリーン等に拡大して投影される。

１１゛ｉハ自反」二のＪｆ荀（）ｔに於て６−圭、町獲
九１僻５及びミラー８に」、って、信号光線が液晶層３
側にもれ出るとと及υ・、連に投影光が光罎箪層９に入
射する小部イヤが阻止されでいる。

父、叙」二の作８１Ｊ１例に於て、液晶層３中に形成さ
ノする投玩；１女がイ刺微細なものでない限りｌ」１、
特別な投影）ｔによらなくても室内光の１で投影像を１
１祝観察することもできる。

次に、第５図を用いた具体的イ；４成例に就いて１ｉＨ
ｌｔＪＩＪする。

第１の４１ｑ成例では、第５図に示す侍に透明基板１ｂ
に設けた透明′１１：！、極２ｂ上にＰｔ　、　ｐｄ　
、　Ａ、ｕ又１’ｊ：　Ｍｏ　　ｋ　２　［１〜５００
Ａ　、Ｗましくは３０〜２ｏｏ′にのｊヤさに魚着して
基Ｉ曽９ａを形成する。

仄いで、５ｉｌ１４を主体とするガスを放電分精して活
層９ａ上にａ−８ｉ　−Ｈ７ｍ　９　ｂを形成する。

仁のａ−８ｉ−Ｈ層９　ｂは罰いｎ型の半導体となり苓
ｍ９ａとの間にショトギーバリア一層を形成する。尚、
ａ　　Ｓｉ　　ｆｌ　１１９　ｂ　Ｉｔｊ−、ｓ通常、
ｉ層と呼ばれる。そして、このＩ會９１）の厚さは他の
層、とりわけ液晶層３との関係で決められるが、通常、
　５０００　Ａ〜　２０μｍの範囲にある。

ＰＰｒｌ″ ましくけ、１．０００〜１１００ＯＯ楠混入して枚重分
解を行ないｓ）早さ１００〜３０００Ａ　、　”ｄｉ−
５しく　ｒＪ：　５０１）〜２０００Ａに堆積した６層
９ｃを形成して暗流性光導電層９を作成する。

次いで、第１図に示した実施例と同４＞ＲにＡｔから成
る反射ミラー８、涛光性絶縁Ｉｎ　７　、　咋光層５の
形成を行った後、別の透明塙板１ａの両面に偏向根１０
と透明電極２ａを設けて、雑光層５と透明電極２ａとの
同にＧＩ■液晶層３を封入してライトパルプ装置の一例
が構成する。この様にして得られたライトバルブ装置６
に於ける光導’；４ｉ層≦）のバンドダイアグラムを第
６図（ａ）に示す０このバンドダイアグラムから解る様
に、−１−記装置ｒｔによって環１ｔ１求を得る場合、
透明電極２ａと２　））間に印加される電圧ば、２ｄ側
が負になる１ｋに印加される。このとき、仮にショトギ
ーバリア層を形成せずに透明電悌２ｂに直接、ａ　　８
ｉ　　１１７（ｉｌｉ’＞）　９ｂを設けると、込１ル
」’Ｔ’ｆ％　極２１＋からギヤリア（・・・ｉｌ−が
剰い？を型で、との場合、重子）のインジェクションを
牛しるので、＃：／ｊ＋　’ｒＷ層９の１ｌｉ４抵抗が
１０’Ωｏｎ−１−０’Ω／７＋１にある場ｆ″ｆ％ｊ
す１待しない結采となる。これに対して１本例の様に７
ヨトキ一バリγ層を形成すると、光４市層９へのキャリ
アインジェクションが）ｓｉｉ　、ＩＩＺされ、尤＞ｓ
　′ｉｌｔハ゛９の暗抵抗が１０１２Ω’ａｎ１ミノ、
１−になる槁、１す１待どおりの投影像を形成すること
が可［１１主になる。

又、”Ｅ　１９’）に於けるｎ層９Ｃは投影像を消去す
るＩＩ（式、フォー・キャリアを受容した反射ミラー８
から僕明市１）１會２　ｂ　ＩＩＣフォトキャリアを掃
引するのを芥Ｖ、＋１．つ安定して可能にする作用を持
つ。

から作１氷の一バ１３合上、ミラート；と回１中、’ｔ
’ｌ叔に分割してＩｉ、気的にアインレイ１ぴ−１１−
ることが必”児で々）す、ｌ’Ａ祭に汀第５図に小ず＋
＞’ｋに写白ｉ哄同法を用いて、ミラー８とｉ’ｒ、　
”ｉ同１１ζツバターｙ　ｌ／７−＋ｉｇ成される。

尚、この場合、下−行）Ｙ７で入’Ｊ、ｊ’　した投影
九をｊ■躬ミラー８に」［って牢（ｆ）Ｙ；としでＩＸ
ｌ、−打さ１ｒるときにＣ１１固々のｎＪ曽９ｃの而Ｊ
ＩＩ１１をミラー８のそれと同等か若干広くすることが
必リンである。因にイ固々のｎ　Ｉｌｌｉ９ｃの１川４
；”１がミー２−８の一忙れ」二りも小さいとき１＝ｉ
Ｚ　＆；ｉ　ミラー８の１ｒ１１に凹凸ができて入射光
を散乱させど・ことｉｌ（なり、そＪｔが拡ｊｉｔ４．
）、としての効果を示す様になる。

又、仮にこの４層９ｃを設けず、ａ−８ｉ−０層９ｂに
反３ト１ミラー８かｌｌ’Ｊ扱、Ｉ汐して１１′ン成さ
ｔする場合に（ｒＪ圃者の界面にバリア、が形成される
ことがあり、）第１・キャリアの扉引に鳴所ノ・うがあ
ったシネ（）６全（′こなる号の不ｔｉｌ（合が見られ
ることが多い。（旦し、上ｉｉＬバリアが形１戊さ］１
ない１劾合にはｎ層９ｃを省略することもできる。

ところでフ第１・ギヤリアの掃引に際して本例装置Ｉｉ
に印加される電圧は液晶層３に掛る電圧が閾値を、ｉｌ
猪えない限り、透明′電極２ｂが同２ａに対して止にな
る（）トな順方向の直流１に圧でも或はりｒ＃、　′電
圧のどちらでも良い。

次に、第２の構成レリを説明する。この例では透明電極
２　ｂ　−Ｌ−に、　　ＳｉＨ４を主体とするガス中に
Ｂ２１ｆ、　　全５０−２Ｏｆ’１１００ｐｐ％−Ｗま
しくは２００〜１．　（１（ｌ旧）ｐｐｍ混入してグロ
ー族′「Ｅ分子）イを行い厚き、３（）〜１００（］Ａ
、望壕しくば５０〜３００Ａに１什偵したＰ；彊９ａを
形成する。とのＰｊ曽９ａの個切な厚さけ、１４号光線
の吸収量、及び２層９ａとその」二に設けられるａ　−
Ｓ４−１１．　ｌ＃　（ｉへ−７）９１）との間の空乏
層の形成との曲係で決められる。

次いで、；牙↓１の構成例の場合と同様にして、ａ　　
Ｓｔ　　１１層　９ｂ、　　γＬ層９ｃ、反射ミラー８
、祷光１″ｌ：絶縁八カフ、ａＸ層５を順次、積層した
後、Ｉｌｌの「ｈ明′屯摩２ａとの同に液晶層３を封入
してライトバルブ装（ｄを完成さ中だ。この装置に於け
る光導′重層９のバンドダイアグラムを第６図（ｂ）に
示す。これから）奸る様に、投影像を形成する際の印加
電圧の極性は上記１１５１の例の場合と同じで、月、つ
、同（蛾の効果が１４４られる。

父、本Ｖ／＋１に於てもフォトキャリアの反射ミラー８
から透明電極２ｂへの掃引を・４）７１の１ルｌの場合
と同様に行うことができる。

尚、２層９ａとしては、上記のものの他５ｉｌｌ。

とＣ九のグロー放電分解による堆積１［（Ｐ型ａ−８ｉ
−Ｃ−Ｈ〕＋Ｑ　）にａ　　Ｓｔ　　Ｊｌ）ｆ４９　ｂ
を形成して得られるヘテロジャンクションであっても良
く、全く同様の効果が得られる。

更に第３の構成例では光導′重層９の構成が−に記２例
と異なるだけで他は全く同様にして液晶ライトバルブ装
置ｆ：児成させる。本例でニ１、光導電層９を次のとお
り作成する。即ち、透明′［１尤極２ｂ上にａ−８ｉ−
Ｎ−ＩＩ膜ｔ　Ｓ　ｉｏ、　Ｉ＋％又はポリパラキシリ
レン族を厚さ、５０〜１．０００ＯＡ。

望ましくは１００〜３０００Ａに形成して透光性絶縁層
９ａを設けた挨、上記２例の場合と全く１１ｉ１４，１
４にａ−Ｓｔ　−Ｉ−ｉ層　９ｂ％　ｎ層９ｃをｌｌｋ
ｉ次積層する。

この、］ｓ　３の例に於ける光導′１１Ｌ層９のバンド
ダイアグラムを第６図（ｃ）に示す。

４に１列で９；］：、？Ａ明’＋ｌ＋：　１ｍ　２　ｂ
からａ、　　ＳＩ　　、ｆ（Ｍ（ｉｌｄ）９ｂへのキャ
リアインジェクションは絶縁層９ａにより阻止され、又
、ａ−８Ｉ　　Ｈ層９１）がｎ型半導体である為、投影
１′Ｊ！を形成する際に１１］力１１される１圧圧極性
は、上記／、列の場合と全く同じであり、同イ求の効果
が得られる。父、フォトギヤリアの掃引ＩＩ′ψ作もこ
れ等と同）士に行うことができる。

以」二３４＋ｌｌの液晶ライトバルブ装置に於ては、Ｓ
　０１．　　を生体とするガスの放電外１’ｌ’ｌ−に
よってＰＩ曽、ａ　　Ｓｉ　　Ｈ１ｍ　（１層）、ｎ層
等の光＃五層の形成を行ったが、この他％　ＳＩＦ’４
　　を生体とするカスの放’＋ｌＵ分前によっても上記
のものと同様にＰ層（Ｂ、ｌ−１，等がドーピングガス
として用いられる）、ａ−８ｉ　−Ｆ−１−ｉ層（ｉ層
）、ｎ層（ドーピングガスとしてＰｔＴ３　等が用いら
れる）を形成することができる。

因に、ａ−８ｔ　（ａ−８ｉ−１１，ａ−８ｔ　−１ｉ
’　−■）の作成方法やその性質、ドーピング効果等に
就いては「アモルファス１に子材料利用技術東成」（サ
イエンスフォーラム社出版、１５）旧）、その他の文献
に詳しく記載されでいるので参照することができる。

又、容易に想起されることではあるが、本発明に係る整
流性尤導山；層としては、斜上の他、５ｅＴｅ　ＨＡＳ
ｔＳｅｓ　、　ＣｄＳ　、　Ｃｄ’、ｌ’ｅ等と透）し
性絶縁層との積層体やＣｄ５（′ｎ型）とＣｄ’ｌ’ｅ
　（Ｐ型）とのヘテロジャンクション等も適用すること
ができる。

更に、ここで具体的実施例に塙づき本発明の詳細な説明
する。

実施例１ コーニング社製７０５９スライドガラスＩｂ上のＩｎ、
（Ｓｎ）Ｏｓ　　（松崎真空製）を透明電体２ｂとし、
これに電子ビームにより［’ｔ　ｑ「ＰＩ３（ベーン、
ゾレノシャー）　＝　］　Ｘ　１．０　　’ｌ’ｏｒｒ
　蒸ｙ＋”ｆレイトＱ＜）　＝　Ｌ　Ａ、／Ｓ　、　裁
板温度（Ｔｓ）−８０℃で４０Ａの厚さに蒸ノｉｉ　Ｌ
／Ｉ　Ｐ　ｔ　Ｊ□□□９ａを設けた。

次いで　’谷１１に結合タイプのグロー放７Ｌ分解法に
よりＲ−Ｓｉ　−１１層　９ｂを次のようにして厚さ０ 吟μＩｌｌ堆積した。アノードカソード共に２００φ、
その日の距＃’Ｊｔ５０　ｍｍの反応炉にＳｉＨ４／１
ａ２−ｏｚ 勾のガスｋ　２０　ＳＣＣＭ　　Ｌ’ン、入し、ｐＢ　
＝　Ｉ　Ｘ　１０’ｒｏｒｒガ、ス月Ｆ、　＝　（１，
０５Ｔｏｒｒ　、　Ｔｓ　＝　２５０℃のもとで、ｔｔ
ｌｉ’　＝　１．３．５６１ＶＩＨｚ　、　Ｒｆｉ’パ
ワー＝１５Ｗでグロー放′「１℃分ｌＷ　Ｌ、ａ　　Ｓ
Ｉ　　ＨＶをスライドガラスＴて。

１−に１０時間刊−＝０１笹椎積し添スライドガラス鬼
ハアノード＋１ｌｌＩにセットした０この１永にして（
４＋られたａ　　ＳｉＨ層は優れた光２Ｃｔ電性を示（
Ｈｅ−Ｎｅレーザー、１　ｍ　Ｗ／ｒ−４での抵抗率）
＝１０’Ω・ｎｎである。

次に、このａ−８ｉ−ＨＪｍＱｂ上に電子ビーノ、蒸着
により　Ａｔを２０００Ａの厚さに診、で着した。

このとき、Ｘｎ　＝　１．　Ｘ　１．　ＯＴｎｒｒ、　
Ｔｓ　＝　６０℃、Ｒ−１０影へであった。

次いで、写真蝕刻法により、１個が９０１１ｎ］Ｘ　９
０　ｔｔｍ　　の面積で１００μｍ　ピッチの（９，＋
’、　３図示様のパターンを持つ）反射ミラー８を形成
し積した。このとき、ａ−８ｉ−ＴＩ　　を作映したの
と同一の装置で、上記の作製工程を経たＪｋ板をアノー
ド１ｌｉｌｌにセットし、ＰＩ（＝　Ｉ　Ｘ　１　（１
’ｉ’ｏｒｒのもとで、ＳｉＨ４／８２　＝　ｔ　ｏ係
を５ＳＣＣＭ、純粋なし Ｎ［］、を２０　ＳＣＣＭ　４Ａ、＃ス）１三を＋１．
１５１．”ｏｒｒとし、Ｔｓ　−２５０℃、Ｉ−ｊＦパ
ワー−５，Ｗの条件で５時間堆積した。こうして得られ
たａ　−Ｓｉ　−Ｎ　−１１層の体積抵抗率は１０　Ω
・ｍ以上でちる。次にこのａ　　ＳＩ　　Ｎ　　Ｈ＆光
性絶縁層７上にＡｔをｚｏｏｏ′に蒸着し、第２図示様
のパターンの遮光層５を第３図における反射ミラー８と
の重複中が５μｍになるよう写真蝕刻法によりパターニ
ングした。従って開口部６のｔＭ口りは８０μｍ×８０
μＩ’ｌｌでイうる。医いで遵光層５上にポリパラキシ
リレンを２　（１００Ａ　ＬｖＪ皐さに気相熱分解法ｅ
こより堆積した。ポリパラキシリレン上を綿布でラビン
グし成品の配向処理を行った。遮光層５０周辺（その部
分のポリバラキシリレンは除ノズしである）ｖＣ％仄の
工程で必、安な開目を有するようにＡｊ’、ｌ、）、粉
末を分散させたエポキシ樹脂を厚さ５μＩＴＩ　Ｋ旬゛
λ布しその１−に配向処理をしたポリバラキシリレンＪ
ｈｍ（２ｏｏｏへの厚さ）を有する、゛汚明′＋Ｍ　極
２　ａを持つ７０５９スジイドガラス１ａｔ圧４・４し
た。充分エポキシ１立１脂を熱硬化させた汝これケ■空
槽内にゲストホスｌ−Ａ’ｉ−品と共に入れ、ロータリ
ーポンプで１．　Ｘ　１０　　”Ｊ、’ａｒｒへ になるよう４Ｊｌ気した。次いでケストポストｌ赦晶で
、」−１，［シあらかじめ設は）こｉ＋ｉｌ　ｒ−１を
塞さ゛除々にリークしながら真空槽内を冨Ｉモにして遮
した。尚、この液晶の配向はホモジーニアス配回である
。）ゲストホスト液晶にｒｆ１ノルク社製不マディソク
相１２９１に１３１）　ＩＩケミカル社社製アンスヤギ
ノン系ブルーダイ１〕５重清比で０．５≠分散させたも
のを用いた。上記液晶のクリアリングポイントは１（）
７℃であシ、閾値′重圧は２．２■である。透明基板１
ａ−トに１１東山−二に製偏光フィルムＮＰＦ’−Ｑ　
Ｉ　２　にュートラルクレー）脅・着装し第１図に示ず
ゲストホスト晶ライトバルブ装置を完成した。第７図に
とのり一ン、１０２は、投影光用ハｒ」ゲンランプ、１
０３ば、投影光をミラー１０４に集光する為のレンズ、
１０５は、ゲストホスト液晶ジイトバルブ装置１０６で
姫→４形成され／Ｃ投影像をスクリーン１０１に２　０
　４１Ｍｉに１広大するレンズである。１０７はポリゴ
ンミラー−Ｃ１１拝込用光諒１０９から射出され、集光
レンズ１０８で集光されたＩ（　ｅ　−　Ｎ　ｅレーザ
ー９：尤４　’＋ｌＬ　Ｊｋ而面の手足された位置に１
００μｎｌφのスポットで反射する。

ここで、本実施例の投影像の形成、消去及びスクリーン
−にに投影された結果について簡単にボンミラ−１０７
を駆動しなから書込用Ｉ（ｅ　−Ｎｅレーザーを透明基
板１ｂを通して光導電層９に役割した。′市１■印加時
間２　０　ｍｓｅｃ　、　　レーザーの得込強度，２０
０μＷ／ｌｓｌ　　で予定した投影１家をゲストホスト
液晶は杉成し，１００７／Ｉ。

Ｗ／ｌ．ｉ＋　　の〕・ロゲンランプによる投影光で投
影像をスクリーン十に投影した。得られたスクリーン」
−の像のコントラストは、明暗部の反射光強度で？績犬
６：１であった。投影像の消去は透明’１’ｌ’ｃ恰２
　ａと２ｂとの間に１．ＫＨｚの交流″直圧２Ｖを２　
０　ｍ　ｓｅｃ印加して行った。このとき、光導ｉ１．
　Ｊ？Ｊ　９の逆方向暗抵抗率は１０１３Ω・ｍ以上で
，　ｉｌｈｉ方向１１１４抵抗率は（場所ムラがあるが
）１０８〜　１０ｏΩ・ｍであった。

メ、前記ポリバラキシリレンは資明電倹２ａ或はμｍｍ
射光層外らのイオン注入を阻止し、液晶の寿命を増大さ
せろ上で有グノノに作用し／４。

実施例２ ９ｂを喉イｒくした。このａ　　Ｆ”ｌ　ｔ　　Ｉ　ｉ
　　層９　１）トに次に示す采１牛でｎ層９ｃを１．　
ｏ　ｏ　ｏ　Ａ　（Ｄｒｌｌさに１イ（。

積した。

〈堆積粂件〉 ＰＢ　＝　Ｉ　Ｘ　］　Ｏ　　”ｌ’ｏｒｒのもとでＳ
ｉｌＬ　／１１ｔ＝　１　０　％のガスを２　８ＣＣＩ
ｖ’ｔ％ＰＨ３Ａ−１ｔ　＝１　０　０　Ｐ　Ｐ　Ｍの
ガスを１　０　８ＣＣＵ　導入してガス）１−を０．　
１　Ｔｏｒｒとし、Ｔｓ　＝　２　０　（１　℃、Ｒｌ
ｉ”パワー＝　８　Ｗで１６分ｌｔｔｌ　、１イ（−積
する。

この様にして得たｎ層を写真蝕刻法により第３図示の反
射ミラーと同−形成にパターニングした。因に、このと
きのがニ導電層９のバンドダイアグ２ムは第６図（ａ）
の様になる。

次に得られたｎ　Ｉ’，ｎ　９　ｃ　、Ｊ二に実施例１
と同様にして反射ミラー８、透光性絶縁層７、、柚光層
５を形成シ２、配向処理したポリパラキシリレン層を有
する遮光層５と透明電極２ａとの間にゲストホスト液晶
を密封した後、偏光板１０を透明１古板１ａ上にＫ　％
ｉして本実施例の液晶ライトバルブ装置を完成した。こ
のライトバルブ装置を組込んだ第７図の装置を用いて、
実施例１と同様に操作して１４込光信号に応じた像がス
クリーン１０１上に出生された。但し、投影像を形成す
るとき、透明電極２ａと２ｂとに印加する電圧は４．３
■であった。父、投影像の消去動作も実施例１と同一条
件で行ったが、光導電層９の順方向暗抵抗率は１０８Ω
・ｍで且つ、場所ムラが少なかった。

実施例３ 透明基板（７０５９スライドガラス）ｌａ上の透明電極
（Ｉｎ、　（Ｓｎ）　Ｏｓ　）　　２　ａに次に示す条
件でＰ　１ｍ　Ｑ　ａを１０ＯＡの厚さに堆積した〇く
堆積条件〉 Ｐａｌ　＝　Ｉ　Ｘ　１０　　’　ＴｏｒｒのもとでＳ
　ｉＨ４／ＨＵ　＝　１０　％のガスを４　ＳＣＣＭ　
、　Ｂ、Ｈｅ／乍２＝１００ＰＰＭのガスを１０　ＳＣ
ＣＭ　ｉｔ１人してガス圧を０．１　Ｔｏｒｒ　　とし
、ＴＳ＝２５０℃、ＲＦパワー＝　１．　ＯＷで１００
秒間堆積した。こうして得られたＰ層９ａ−１−に実施
例１と同様にしてａ　　Ｓｉ　　ｎ層９ｂを堆積し次い
で、実施例２と同一条件で１層９ｃを堆積しパターニン
グ１７た後、実施例−１と同様にして反射ミラー８．透
光性絶縁層７．遮光層５を形成し、配向処理したポリバ
ラキシリレン層を有する遮光層５と透明電（ｍ２ａとの
間にゲストを完成した。本実施例に赴ける光導′成層９
のバンドダイアグラムは第６図（ｂ）のようになり、逆
方向暗抵抗率は１０１３Ω・ｃｍ　　以上、順方向暗］
１（抗率は１０８Ω・ｃｎｌ　で場所ムラは少なか、）
だ。実施例１と同様にしてＭ迷光信号に応じた像がスク
リーン１０１上にト生された。その際の投影像形成の駆
動印加電圧は実ノ加ρす２と同様に４．３■である。投
影像の消去動作も実施例１と同一条件で行うことができ
た。

実施例４ 透明基板（７０５９スライドガラス）ｌａ上の透明電極
（Ｉｎｔ　（Ｓｎ）　Ｏｓ　）　２　ａ上にａ−８ｉ−
Ｎ　−Ｈから成る透光性絶縁層９ａを実施例１に於て透
光性絶縁層７を作成した条件と同一条件で２００　ＯＡ
の厚さに形成した。次いで実施例１と同様にしてａ−８
ｉ−Ｈ層（９ｂ）を堆積した抜、実施例２と同一条件で
ｎ’）曽９ｃを形成しバターニングする。次いで実施例
１と同様にして反射ミラー８．透光性絶縁層７．遮光層
５を形成し、配向処理したポリパラキシリレン膜を有す
る遮光層５と透明Ｉａ極２ａとの間にゲストホストｇ晶
を密封し、偏光板１０を透明基板１ａ　ｌに装有し、本
実施例の液晶ライトバルブ装（α５を完成した。本実施
例における光導電層９のバンドダイアグラムは第６図（
ｃ）のようになり、実施例２及び実施例：３と同様にそ
の逆方向暗抵抗率は】０１３Ω・ｍ以上、順方同暗抵抗
率１ｌ−１：１０８Ω・ｍであり、場所ムラは少なかっ
た。この液晶ライトバルブ装置ｄを組込んだ第７図の装
置を用いて実施例１と同様の操作で書込光信Ｕに応にて
行うことができた。

以上に詳しく、況明した本発明に於ては、１、　直流電
圧駆動によって電気光学効果を利用した表示が可能であ
って、その際、動画表示が容易である。

２、電圧のｌ」が広くとれて駆動電圧の制＠＋＋が容易
である。

３、投影像を形成したとき、表示面全体で画Ｗ（が安定
している。

４、装置が長寿命になる。

５、　装置構成要素、とりわけ、反則ミラーの構造が簡
略で、装置をコンパクトにすることができる。

６、反射ミラー要素によって直流ｔ　ＩＦ、駆動に於け
るフォトキャリアの受容が口ｆ　ｌｉ’ｉである。

等々の諸効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明に係る装置の一構成例の枳先
要ｈ・１）、四回、第４図は本発明に係る装置の作動例
を１悦明する模式図、第５図は本発明に係る装置Ｎに於
ける光導電層の詳；（ＪＯＩＩ構成を説明する略画断面
図、第６図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）は何れもバ
ンドダイアグシムを示す略図、第７図（ケ液晶ライトパ
ルプ装置を含む投影光学系のｌ＋！ｔ　％配置図である
。 図に於て、２ａ、２ｂは市川′腎／躯、３は敢晶層、３
α（Ｃ１液晶分子、３βは染料、５は遮光Ｊ弘７は１号
光性絶縁層、８は反射ミラー、９は光尋’ｒｌ（Ｉｉ７
．９ａけＭ　）ｔｅ　ｓ又はＰ層又は透尤性絶ｋ　ｆ（
ｄ、９１）は１層、９ｃはγＬＩｌ′１Ｊ１１０は１面
光板、１０１ｔまスクリーン、１０２　Ｉｊ：ハロゲン
ランプ、１０３゜１０８は集光レンズ、１０４は投影光
反射ミラー、１０５は投影像拡大レンズ、１０６はライ
トバルブ装置、１０７けポリゴンミラー、１０９にエレ
ーザー発１辰源である。 儀琴光紗（ 第６ｚ ２し　　蟲　　　　　ｑし　　　　　りこ　　３・□ 第５図 ７、ｌθ ＼ｉｔ） ＋１ずｌｌｊノＩＶ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 液晶層及（Ｊ鞘ｉ’；　４ｔｒ、性を有する光導電層を
   具え、光による人力１′１ζを光ｉ（１′効果によって
   投影像に変４１ｆｉする電気光学装置に対し、前Ｈ口元
   導電層の整流１′１°ど逆）５向に）する直流電圧を印
   Ｊ１１１［−て円込光信刊を１１１１記尤導市：層に１
   々射することにより前１１■−液晶層に梧づく投影携を
   形成するｉｔｓ程と、ｉｉｉ前記光♂ｊ”ｆ、　′（４
   層の整流ゼ１゛と１１１１’１カ向に４！−℃１１を印
   加して前１ｆ１２投は′、汀を消去する過程とを含むこ
   とを特徴とする＋１（−・、′５Ａ光学装ｊｆ’、ｊの
   駆動Ｊｊ法。