JPS6257139A - 新規な光デイスク - Google Patents

新規な光デイスク

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Publication number
JPS6257139A
JPS6257139A JP60194781A JP19478185A JPS6257139A JP S6257139 A JPS6257139 A JP S6257139A JP 60194781 A JP60194781 A JP 60194781A JP 19478185 A JP19478185 A JP 19478185A JP S6257139 A JPS6257139 A JP S6257139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
optical disk
transparent substrate
solid
memory function
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60194781A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Ishimura
石村 秀一
Hideo Ai
愛 英夫
Yosuke Koizumi
洋介 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP60194781A priority Critical patent/JPS6257139A/ja
Publication of JPS6257139A publication Critical patent/JPS6257139A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学特性及び物理特性、とりわけ耐衝撃性に優
れたプラスチック製の光ディスクに関するものである。
〔従来の技術〕
光技術は、光の直進性、レーザー光のコヒーレント性、
或いは伝播手段の容易性と言った点から、情報伝達成い
は情報処理の分野に応用されており、急速にその応用範
囲が拡大して来ている。
その応用の一つとして光メモリーがある。光メモリーは
磁気メモリーに比べて、記憶容量で10倍以上、記憶保
存期間で10年と約3倍以上の寿命が期待でき、その性
能は優れている。この光メモリーの技術の一つに光ディ
スクを用いる方式がある。
光ディスクを用いた方式には、現在再生専用型、追加記
録型、書き換え型の3種類がある。
この光ディスクを用いた方式の基本構成要素は光ディス
ク、回転サーボ系、光ヘッド、焦点サーボ系、トランク
サーボ系である。このうち光ディスクの精密製作技術は
最も重要な技術の一つである。
光ディスクはプラスチック製の基板とその基板上に構成
された記録媒体から構成されている。ディスクへの情報
は、一般に基板を透過した光が記録媒体に到達すること
によって行われる。更に再生時には反射光が再び基板を
透過して検出部に戻ることによって記録が再生される。
従って基板の性質が光ディスクの性能を大きく左右する
現在使用されている基板は、アクリル樹脂とポリカーボ
ネート樹脂である。アクリル樹脂は樹脂ガラスとも呼ば
れ、その光透過率が高い、成形性にも優れており、注形
、射出成形などによって任意の形に成形でき、成形の温
度によって、着色することもない、しかし、アクリル樹
脂の欠点としては、吸湿率の大きいことがあり、光ディ
スクの保存時に吸湿による性能の低下が問題となる。即
ち、光ディスクの反り、或いは湿度による伸縮により正
確な情報が得られないからである。
一方ボリカーボネート樹脂は吸湿が小さく、従って反り
の発生は少ないが、光デイスク成形時に分子鎖の配向や
残留応力による密度分布の異方性が起こり、これに起因
する複屈折が発生する。従って、コンピューターなどの
メモリーとしては使用できず、オーディオ用の所謂コン
パクトディスクとして使用されている。
このような状況から最近エポキシ樹脂を光デイスク基板
として用いる研究が進められている。即ち、エポキシ樹
脂の有する優れた耐熱性、耐水性、低吸湿性、及び複屈
折を生じにくい注形による基板の成形が可能である等の
理由により今後の光デイスク基板として最適であると考
えられている。
特開昭59−22248号公報には液状エポキシ樹脂を
用いた透明基板からなる光ディスクが報告されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、一般に液状のエポキシ樹脂は分子量が小さく、
その硬化物は剛直であり可撓性に乏しく、耐衝撃性に欠
ける。又、上記公報においては、液状エポキシ樹脂を硬
化させるために、硬化剤、硬化促進剤を用いるとしてい
る。硬化促進剤として゛は、第三アミ:/類、イミダゾ
ール類、カルボン酸金属塩等が用いられるが、これらの
硬化促進剤を用いた時には、硬化時の着色が大きいこと
、及びメモリー機能膜への悪影響が考えられるため、そ
の使用量を極力制限する必要がある。ところが液状エポ
キシ樹脂を酸無水物で硬化させるためには硬化促進剤が
l・須の成分であり、上記した欠点を克服できなかった
本発明はこれらの欠点を克服するため種々検討した結果
到達し得たものである。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、本発明は、室温で固形であるエポキシ樹脂を成形
してなる透明基板と、その基板上に直接または間接に接
触して設置されたメモリー機能膜から成ることを特徴と
する光ディスクに関するものである。
本発明で使用されるエポキシ樹脂は、室温で固形である
ことが必要である。一般にエポキシ樹脂の液状か固形樹
脂かの区別は樹脂の融点によって行われる。ビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂の場合は、「エポキシ樹脂」 (
垣内弘纒、昭晃堂、昭和54年第6版)によれば、その
第61頁の表3.4に示されているように、Durra
n水銀法による融点で40℃以下のものが液状と呼ばれ
るものである。
従って、これ以上の融点のものを半固形あるいは固形と
見なすことができ、これを総合して固形エポキシ樹脂と
呼ぶことができる。同様にして、ビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂に対しても、融点が40°C以下の場合を液
状エポキシ樹脂、40℃以上の場合を固形エポキシ樹脂
と呼ぶことができる。
このようなエポキシ樹脂としては、例えばピロカテコー
ル、レゾルシノール、ハイドロキノン、4.4−ジヒド
ロキシジフェニルメタン、4,4−ジメチル−ジフェニ
ルメタン、4.4−ジヒドロキシ−ジフェニル−ジメチ
ルメタン、4.4−ジヒドロキシ−ジフェニル−メチル
メタン、4.4−ジヒドロキシ−ジフェニル−シクロヘ
キサン、4.4−ジヒドロキシ−3,3−ジメチル−ジ
フェニルプロパン、4.4−ジヒドロキシ−ジフェニル
、4.4−ジヒドロキシ−ジフェニルスルホン、トリス
−(4−ヒドロキシフェニル)−メタン若しくはこれら
のジフェノールのハロゲン化生成物、又はノボラック又
はタレゾールノボラック、又は芳香族ヒドロキシカルボ
ン酸から得られるジフェノールのようなポリフェノール
のポリグリシジルエーテルである。
さらに以下の、ものも使用可能である。即ち、芳香族ア
ミンとエビハロヒドリンから成るグリシジルアミン、例
工ばN−(2,3−エポキシプロビル)−アニリン、N
、N−ジメチル−N、N−ジェポキシプロビル−4,4
−ジアミノ−ジフェニルメタン、N、N−テトラエポキ
シプロビル−4,4−ジアミノージフェニルメタン及び
N−ジェポキシプロピル−4−アミノ−フェニル−グリ
シジルエーテル;多価の芳香族、脂肪族及び脂環族のグ
リシジルエステル、例えばアジピン酸グリシジルエステ
ル:多価アルコールのグリシジルエーテル: トリグリ
シジルイソシアヌレート:エポキシ化し得る二重結合を
含む化合物及び共重合体、例えばポリブタジェンに基づ
く重合体、シクロペンタジェンをパーオキシドによりエ
ポキシ化されたもの等である。中でも好ましい例は、ビ
スフェノールAのポリグリシジルエーテルである。更に
好ましいものは融点が40〜80℃のビスフェノールA
のポリグリシジルエーテルである。
エポキシ樹脂を硬化させるために硬化剤を加える。硬化
剤としては、着色の少ない点で、酸無水物が好ましい。
フェノール性水酸基を有する硬化剤も着色が少ない。
硬化促進剤の添加は止むを得ない場合には使用してもよ
いが、硬化時及び硬化後の着色の原因となるため、その
使用は極力制限する必要がある。
固形エポキシ樹脂を用いた場合には、硬化性の点で、硬
化促進剤を加えなくとも十分速やかに成形できる。
又、安定剤としての各種の金属化合物、硫黄化合物、フ
ェノール類、アミン類及び離型剤としてのシリコーン化
合物などの使用もできる限り制限するa・要がある。
このような固形エポキシ樹脂組成物をプラスチック成形
法により成形する。プラスチック成形法としては注型が
最適であり、トランスファー成形、射出成形も可能であ
る。この成形において成形温度が重要であり、低温であ
る方が好ましい6通常は150℃以下で実施する。注型
の際には、固形樹脂を加温することによって融解し、必
要に応じて粘度を下げれば作業性に何らの障害も生じる
ものではない。
成形されたエポキシ樹脂からなる透明基板の上に直接的
、又は間接的にメモリー機能膜がコートされる。間接的
な場合とは、エポキシ樹脂からなる透明基板の上に、更
に同種又は異種のプラスチックが一層以上積層されるこ
とを意味する。このメモリー機能膜は、Te s As
 SS b s B 1及びGeなどの化合物からなっ
ている。
本発明によって得られる光ディスクは再生専用型、追加
記録型及び光磁気或いは相転位による書き換え型のいず
れのタイプにも使用可能である。
〔発明の効果〕 本発明の光ディスクは次のような特長を有している。
■ 耐衝撃性に優れた基板であり、光ディスクに必要な
特性を十分に有している。
■ 硬化時、硬化後の着色が少なく光ディスクに必要な
特性を十分に有している。
〔実施例〕
以下に、実施例により本発明を説明する。
実施例1 次に示す組成の固形エポキシ樹脂組成物を調製した(H
HP Aは無水へキサヒドロフタル酸)。
固形エポキシ樹脂AER−2001)  100重量部
懐   HHP A         40計    
    140重量部t 1)旭化成■製エポキシ樹脂〔ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、エポキシ当量400、融点52℃(測定はD
urranの水銀法による)〕組成物の調製に当たって
は、まずエポキシ樹脂を100℃に加温し溶解しておく
。これに予め溶解しておいたHHPAを添加し、均一な
溶液になるまで攪拌する。得られた組成物をスペーサー
を取りつけたガラス製の型の中に注ぎ込み、160℃で
5時間樹脂を加熱して硬化させた。この後型から外すこ
とによって、厚さ2mmの透明基板を得た。
得られた基板の特性は次のとおりであった。
光透過率(830nm )        91%同上
 (365nm )        60%以上耐熱性
(HDT)         125℃成形収縮率  
         0.2%アイゾツト衝撃値(ノッ千
入)   3.5Kg cm/cn+吸水率(1週間後
/25℃)0.10%実施例2〜4 実施例1と同様にして第1表に示す割合で組成物を作成
し、透明基板を得た。その基板の性能を併せ示した。
1位二重量部) 注2)旭化成■製エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エ
ポキシ樹脂、エポキシ当量9501融点100℃) 3)旭化成@製エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、エポキシ当量190)実施例3.4において
は、室温で液状のエポキシ樹脂AER−331、ビニル
シクロヘキセンジオキシドを用いているが、いずれの例
も固形エポキシ樹脂AER−664と混合することによ
って、エポキシ樹脂としては融点が40℃以上のものど
なる。
比較例1 実施例1で用いた固形エポキシ樹脂の代わりに液状エポ
キシ樹脂A E R−331を使用して、以下の配合及
び条件で透明な基板を作成した。
A E R−331)00重量部 )(HP A           85重量部ベンジ
ルジメチルアミン    1 計         186重量部 この基板の性能を以下に示す、衝撃性に劣っている。又
、365na+の光透過率も低い。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)室温で固形であるエポキシ樹脂を成形してなる透
    明基板と、その基板上に直接または間接に接触して設置
    されたメモリー機能膜から成ることを特徴とする光ディ
    スク。
JP60194781A 1985-09-05 1985-09-05 新規な光デイスク Pending JPS6257139A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59140099A (ja) * 1983-02-01 1984-08-11 Tdk Corp 光記録媒体
JPS61115254A (ja) * 1984-11-12 1986-06-02 Hitachi Ltd 光デイスク

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59140099A (ja) * 1983-02-01 1984-08-11 Tdk Corp 光記録媒体
JPS61115254A (ja) * 1984-11-12 1986-06-02 Hitachi Ltd 光デイスク

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