JPS6258146B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6258146B2 JPS6258146B2 JP54095277A JP9527779A JPS6258146B2 JP S6258146 B2 JPS6258146 B2 JP S6258146B2 JP 54095277 A JP54095277 A JP 54095277A JP 9527779 A JP9527779 A JP 9527779A JP S6258146 B2 JPS6258146 B2 JP S6258146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protrusion
- lead terminal
- contact area
- lead
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はギヤングボンデイング方式に用いる基
板リード先端部突起の形状に関する。
板リード先端部突起の形状に関する。
ICチツプの基板への実装方法として、テープ
キヤリア等を用いたギヤングボンデイング方式が
あるが、これは第１図の如く、ICチツプ１０１
の接触領域１０３に基板１０４より突き出た多数
リード１０２を加熱されたボンデイングツール１
０５により加圧してバンプ１０３と同時にボンデ
イングする方法である。第１図の場合はICチツ
プ１０１の接触領域が金メツキ、銅メツキ等の各
種金属メツキによりバンプ１０３となつて、リー
ド１０２がICチツプ１０１の接触領域以外の領
域との短絡防止、且つICチツプ１０１とボンデ
イングツール１０５との不平行による高さのバラ
ツキ、圧力の吸収等を行なう。
キヤリア等を用いたギヤングボンデイング方式が
あるが、これは第１図の如く、ICチツプ１０１
の接触領域１０３に基板１０４より突き出た多数
リード１０２を加熱されたボンデイングツール１
０５により加圧してバンプ１０３と同時にボンデ
イングする方法である。第１図の場合はICチツ
プ１０１の接触領域が金メツキ、銅メツキ等の各
種金属メツキによりバンプ１０３となつて、リー
ド１０２がICチツプ１０１の接触領域以外の領
域との短絡防止、且つICチツプ１０１とボンデ
イングツール１０５との不平行による高さのバラ
ツキ、圧力の吸収等を行なう。
ここで第２図では、前記バンプ１０３の代わり
にリード２０３の先端部に突起２０１を成形し、
これが第１図のバンプ１０３を一切有しないIC
チツプの接触領域２０２とギヤングボンデイング
される。
にリード２０３の先端部に突起２０１を成形し、
これが第１図のバンプ１０３を一切有しないIC
チツプの接触領域２０２とギヤングボンデイング
される。
従来のリード先端部突起２０１形状は、第３図
のリード端子側面図３１、断面図３２の如くであ
りリード上面より見た場合、リード上面図３３に
示す如く突起部２０１の確認が困難で、ギヤング
ボンデイング時のICチツプ接触領域２０２との
位置合わせが難しいという欠点があり、これを補
う為に第４図の様に、リード両側の突起部位置に
切り込みを入れたリード４１、又、上面の前記位
置に腐食等によりマーキングしたリード４２等が
考案されている。しかし、これらはリード端子部
のマスクの補正により、この形状を作り出すもの
でありこれに対し突起部はこれと反対側より露
光、又は印刷するのであるから、表裏のマスク位
置関係によりずれを生じやすく、まして、片面ず
つの露光又は印刷では、基準穴の誤差等により、
各基板毎にこのずれが顕著に影響してくるもので
ある。よつて、これは両面同時露光が不可欠であ
り、この時の表裏各々のマスク位置精度も十分に
でていなければならない。よつて、表回路パター
ン側からの、裏面突起部の位置を示す方法につい
ては、その信頼性は非常に欠くものがある。
のリード端子側面図３１、断面図３２の如くであ
りリード上面より見た場合、リード上面図３３に
示す如く突起部２０１の確認が困難で、ギヤング
ボンデイング時のICチツプ接触領域２０２との
位置合わせが難しいという欠点があり、これを補
う為に第４図の様に、リード両側の突起部位置に
切り込みを入れたリード４１、又、上面の前記位
置に腐食等によりマーキングしたリード４２等が
考案されている。しかし、これらはリード端子部
のマスクの補正により、この形状を作り出すもの
でありこれに対し突起部はこれと反対側より露
光、又は印刷するのであるから、表裏のマスク位
置関係によりずれを生じやすく、まして、片面ず
つの露光又は印刷では、基準穴の誤差等により、
各基板毎にこのずれが顕著に影響してくるもので
ある。よつて、これは両面同時露光が不可欠であ
り、この時の表裏各々のマスク位置精度も十分に
でていなければならない。よつて、表回路パター
ン側からの、裏面突起部の位置を示す方法につい
ては、その信頼性は非常に欠くものがある。
本発明の目的は、このような問題点を除去する
ものであり裏面突起部がリード上面より見える形
状とした事で、ギヤングボンデイング時に裏面突
起部とICチツプ接触領域２０２との位置合わせ
を容易にする事にある。
ものであり裏面突起部がリード上面より見える形
状とした事で、ギヤングボンデイング時に裏面突
起部とICチツプ接触領域２０２との位置合わせ
を容易にする事にある。
本発明の要旨は、
多数リードを半導体チツプの多数の接触領域に
接続するギヤングボンデイング用のリード端子に
おいて、前記リード端子の先端部における裏面側
に、前記接触領域と対応する箇所に前記接触領域
と接触する突起部を設け前記突起部の位置に対応
するリード端子の表面の幅は前記突起部の裏面の
幅より狭く形成され、且つその側面はほぼ連続状
の傾斜面に形成されて前記突起部位置に表面から
見た時横方向に突出する出張り部が形成されてい
ることを特徴とするリード端子である。
接続するギヤングボンデイング用のリード端子に
おいて、前記リード端子の先端部における裏面側
に、前記接触領域と対応する箇所に前記接触領域
と接触する突起部を設け前記突起部の位置に対応
するリード端子の表面の幅は前記突起部の裏面の
幅より狭く形成され、且つその側面はほぼ連続状
の傾斜面に形成されて前記突起部位置に表面から
見た時横方向に突出する出張り部が形成されてい
ることを特徴とするリード端子である。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第５図に本発明によるリード先端部を示す。先
端部側面図５１は、従来の突起部側面図３１と同
様であるが、断面図５２、上面図５３は表よりの
エツチングによるサイドエツチを利用してのサイ
ドカーブにより、突起部５０２は下方へ行くに従
い広がつており、第３図、断面図３２、上面図３
３と異なつている。即ち、リード端子の先端部に
おける前記突起部５０２に対応する表面５０３の
幅は前記突起部５０２の裏面５０４の幅より狭く
形成され、且つその側面５０５はほぼ連続状の傾
斜面に形成されて前記突起部５０２位置に表面５
０３から見た時外方に突出する出張り部５０５が
形成されている。従つてこの出張り部５０５によ
り、上方より容易に突起部５０２の位置確認がで
きるものである。
端部側面図５１は、従来の突起部側面図３１と同
様であるが、断面図５２、上面図５３は表よりの
エツチングによるサイドエツチを利用してのサイ
ドカーブにより、突起部５０２は下方へ行くに従
い広がつており、第３図、断面図３２、上面図３
３と異なつている。即ち、リード端子の先端部に
おける前記突起部５０２に対応する表面５０３の
幅は前記突起部５０２の裏面５０４の幅より狭く
形成され、且つその側面５０５はほぼ連続状の傾
斜面に形成されて前記突起部５０２位置に表面５
０３から見た時外方に突出する出張り部５０５が
形成されている。従つてこの出張り部５０５によ
り、上方より容易に突起部５０２の位置確認がで
きるものである。
次に本発明によるリード先端部突起部の製造方
法を実施例として示す。第６図に於て６１１は銅
箔６０１の裏面に突起部成形用フオトレジスト６
０２を塗布した状態である。ここでリード端子側
面方向より見た図が６１１，６２１…６６１に示
されており、縦方向より見た図が６１２，６２２
…６６２である。前述の６２１，６２２は前記レ
ジスト６０２の露光、現像後の状態であり尚、こ
の時の露光マスクは第７図の様に末露光部が横一
線に突起部の幅で連続している事が特徴でこれに
より第５図の５３における突起部のリード側面方
向５３１は裏よりのエツチングが行なわれず表よ
りのエツチングにより生じたリード端子両側のサ
イドカーブがそのまま突起部のサイドカーブとな
り、本発明の突起部末広の形状が可能となる。６
３１，６３２は突起部の高さを稼ぐハーフエツチ
ング時の状態で、第５図の５３における突起部の
リード縦方向５３２の末細り形状が形成されるも
のである。次に表面のリード端子パターンを作
る。６４１，６４２は表回路パターン用フオトレ
ジスト塗布状態、６５１，６５２は上記レジスト
を前記リード端子パターンの形状に沿う形状に露
光、、現像後、裏面よりのエツチング液の回わり
込みを防ぐ為のレジスト６０３を裏面側に塗布し
た状態で、６６１，６６２でエツチング終了を示
し、この後、表裏のレジストを剥離して第５図の
形状を得るものである。
法を実施例として示す。第６図に於て６１１は銅
箔６０１の裏面に突起部成形用フオトレジスト６
０２を塗布した状態である。ここでリード端子側
面方向より見た図が６１１，６２１…６６１に示
されており、縦方向より見た図が６１２，６２２
…６６２である。前述の６２１，６２２は前記レ
ジスト６０２の露光、現像後の状態であり尚、こ
の時の露光マスクは第７図の様に末露光部が横一
線に突起部の幅で連続している事が特徴でこれに
より第５図の５３における突起部のリード側面方
向５３１は裏よりのエツチングが行なわれず表よ
りのエツチングにより生じたリード端子両側のサ
イドカーブがそのまま突起部のサイドカーブとな
り、本発明の突起部末広の形状が可能となる。６
３１，６３２は突起部の高さを稼ぐハーフエツチ
ング時の状態で、第５図の５３における突起部の
リード縦方向５３２の末細り形状が形成されるも
のである。次に表面のリード端子パターンを作
る。６４１，６４２は表回路パターン用フオトレ
ジスト塗布状態、６５１，６５２は上記レジスト
を前記リード端子パターンの形状に沿う形状に露
光、、現像後、裏面よりのエツチング液の回わり
込みを防ぐ為のレジスト６０３を裏面側に塗布し
た状態で、６６１，６６２でエツチング終了を示
し、この後、表裏のレジストを剥離して第５図の
形状を得るものである。
以上の如く本発明によれば、リード端子の先端
部における裏面側に、半導体チツプの接触領域に
対応して突起部が形成されているので、半導体チ
ツプの接触領域にバンプ等の接続部材を設ける必
要がなく半導体チツプの製造が容易となり且つ半
導体チツプの汎用性が広がつたものである。この
場合、リード端子の裏面に形成された突起部は他
の部分に比べ断面的に厚くなり、従つて突起部の
位置に対応するリード端子の表面の幅は狭く、前
記突起部の裏面の幅は広く形成されていることに
より、表面から見た時前記突起部位置においては
横方向に突出する出張り部が形成されることにな
り、従つてリード端子を半導体チツプの接触領域
に接合する際、この出張り部が前記突起部位置に
おける表側から見た場合の目印となり、前記接触
領域に対する前記突起部の位置合わせが極めて容
易となるものである。加えて、突起部の裏面がリ
ード端子より幅広となることから突起部における
半導体チツプの接触領域との接触面積が十分に大
きく確保でき、両者のボンデイング強度の確保が
はかられ、しかも今後一段と進む幅狭のリード端
子の実現にも大きく寄与できる。単に、前記突起
部の側面は表面から裏面にかけてほぼ連続状とな
つた傾斜面に形成されているので、突起部の形成
がエツチング、プレス等で容易となり量産性が向
上するとともに、半導体チツプの接触領域との接
合時に表面側より作用する押圧力に対しても突起
部に断面的な無理な力が作用せず、又、突起部に
応力が集中する部分がほとんどなく、従つて突起
部の強度も向上するものである。
部における裏面側に、半導体チツプの接触領域に
対応して突起部が形成されているので、半導体チ
ツプの接触領域にバンプ等の接続部材を設ける必
要がなく半導体チツプの製造が容易となり且つ半
導体チツプの汎用性が広がつたものである。この
場合、リード端子の裏面に形成された突起部は他
の部分に比べ断面的に厚くなり、従つて突起部の
位置に対応するリード端子の表面の幅は狭く、前
記突起部の裏面の幅は広く形成されていることに
より、表面から見た時前記突起部位置においては
横方向に突出する出張り部が形成されることにな
り、従つてリード端子を半導体チツプの接触領域
に接合する際、この出張り部が前記突起部位置に
おける表側から見た場合の目印となり、前記接触
領域に対する前記突起部の位置合わせが極めて容
易となるものである。加えて、突起部の裏面がリ
ード端子より幅広となることから突起部における
半導体チツプの接触領域との接触面積が十分に大
きく確保でき、両者のボンデイング強度の確保が
はかられ、しかも今後一段と進む幅狭のリード端
子の実現にも大きく寄与できる。単に、前記突起
部の側面は表面から裏面にかけてほぼ連続状とな
つた傾斜面に形成されているので、突起部の形成
がエツチング、プレス等で容易となり量産性が向
上するとともに、半導体チツプの接触領域との接
合時に表面側より作用する押圧力に対しても突起
部に断面的な無理な力が作用せず、又、突起部に
応力が集中する部分がほとんどなく、従つて突起
部の強度も向上するものである。
以上の如く本発明は、リード端子の裏面に突起
部を設けその部分が他より厚く形成されているこ
とを巧みに利用してこの突起部の表面の幅を狭
く、裏面の幅を広く形成したことにより、表面よ
り見た際突起部位置に横方向に出張る出張り部が
形成されることを基本としたもので、ボンデイン
グ時の目合わせを容易にし、且つリード端子の強
度及びボンデイング性等の製造を容易としたもの
で、その実用的効果は著しく大きい。
部を設けその部分が他より厚く形成されているこ
とを巧みに利用してこの突起部の表面の幅を狭
く、裏面の幅を広く形成したことにより、表面よ
り見た際突起部位置に横方向に出張る出張り部が
形成されることを基本としたもので、ボンデイン
グ時の目合わせを容易にし、且つリード端子の強
度及びボンデイング性等の製造を容易としたもの
で、その実用的効果は著しく大きい。
第１図は従来のバンプを用いたギヤングボンデ
イング方式を示す側面図。第２図は従来のリード
先端部に突起を用いたギヤングボンデイング方式
の側面図。第３図は従来のリード端子先端突起部
の説明図。第４図は従来の突起部付きリード端子
の上面図。第５図は本発明によるリード端子突起
部の説明図。 ３１，５１……リード端子側面図、３２，５２
……リード端子断面図、３３，５３……リード端
子上面図、５３１……本発明によるリード端子の
側面方向を示す、５３２……本発明によるリード
端子の先端方向を示す。 第６図は、本発明によるリード端子突起部の製
造方法を示す工程図だあり、そのうち、６１１，
６２１……６６１は本発明によるリード端子を側
面方向５３１より示した工程図。６１２，６２２
……６６２は本発明によるリード端子を先端方向
５３２より示した工程図。 １０１……ICチツプ、１０２，２０３，５０
１……リード端子、１０３……バンプ、１０４…
…基板、１０５……ボンデイングツール、２０
１，５０１……突起部、２０２……ICパツド、
５０３……突起部の表面、５０４……突起部の裏
面、５０５……突起部の側面、６０１……銅箔、
６０２……フオトレジスト、６０３……エツチン
グレジスト。 第７図は突起部形成用のマスクパターンを示す
図。
イング方式を示す側面図。第２図は従来のリード
先端部に突起を用いたギヤングボンデイング方式
の側面図。第３図は従来のリード端子先端突起部
の説明図。第４図は従来の突起部付きリード端子
の上面図。第５図は本発明によるリード端子突起
部の説明図。 ３１，５１……リード端子側面図、３２，５２
……リード端子断面図、３３，５３……リード端
子上面図、５３１……本発明によるリード端子の
側面方向を示す、５３２……本発明によるリード
端子の先端方向を示す。 第６図は、本発明によるリード端子突起部の製
造方法を示す工程図だあり、そのうち、６１１，
６２１……６６１は本発明によるリード端子を側
面方向５３１より示した工程図。６１２，６２２
……６６２は本発明によるリード端子を先端方向
５３２より示した工程図。 １０１……ICチツプ、１０２，２０３，５０
１……リード端子、１０３……バンプ、１０４…
…基板、１０５……ボンデイングツール、２０
１，５０１……突起部、２０２……ICパツド、
５０３……突起部の表面、５０４……突起部の裏
面、５０５……突起部の側面、６０１……銅箔、
６０２……フオトレジスト、６０３……エツチン
グレジスト。 第７図は突起部形成用のマスクパターンを示す
図。
Claims (1)
- １ 多数リードを半導体チツプの多数の接触領域
に接続するギヤングボンデイング用のリード端子
において、前記リード端子の先端部における裏面
側に、前記接触領域と対応する箇所に前記接触領
域と接触する突起部を設け前記突起部の位置に対
応するリード端子の表面の幅は前記突起部の裏面
の幅より狭く形成され、且つその側面はほぼ連続
状の傾斜面に形成されて前記突起部位置に表面か
ら見た時横方向に突出する出張り部が形成されて
いることを特徴とするリード端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9527779A JPS5619632A (en) | 1979-07-26 | 1979-07-26 | Lead terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9527779A JPS5619632A (en) | 1979-07-26 | 1979-07-26 | Lead terminal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5619632A JPS5619632A (en) | 1981-02-24 |
| JPS6258146B2 true JPS6258146B2 (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14133271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9527779A Granted JPS5619632A (en) | 1979-07-26 | 1979-07-26 | Lead terminal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5619632A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11226301B2 (en) | 2014-09-10 | 2022-01-18 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Thermographic examination means and method for non-destructive examination of a near-surface structure at a test object |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01186662A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置用リードフレーム |
| US8384228B1 (en) * | 2009-04-29 | 2013-02-26 | Triquint Semiconductor, Inc. | Package including wires contacting lead frame edge |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261480A (en) * | 1975-11-17 | 1977-05-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Production of lead frame for ic |
| JPS575887Y2 (ja) * | 1976-08-23 | 1982-02-03 | ||
| JPS5348463A (en) * | 1976-10-14 | 1978-05-01 | Hamasawa Kogyo:Kk | Semiconductor integrated circuit support |
-
1979
- 1979-07-26 JP JP9527779A patent/JPS5619632A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11226301B2 (en) | 2014-09-10 | 2022-01-18 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Thermographic examination means and method for non-destructive examination of a near-surface structure at a test object |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5619632A (en) | 1981-02-24 |
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